KR20210085449A - 전자 부품 - Google Patents
전자 부품 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20210085449A KR20210085449A KR1020190178486A KR20190178486A KR20210085449A KR 20210085449 A KR20210085449 A KR 20210085449A KR 1020190178486 A KR1020190178486 A KR 1020190178486A KR 20190178486 A KR20190178486 A KR 20190178486A KR 20210085449 A KR20210085449 A KR 20210085449A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- interposer
- capacitor
- layer
- layers
- plating layer
- Prior art date
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 90
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 49
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 84
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 18
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 13
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 17
- 238000005452 bending Methods 0.000 abstract description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 7
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 5
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005534 acoustic noise Effects 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N palladium silver Chemical compound [Pd].[Ag] SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/228—Terminals
- H01G4/232—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G2/00—Details of capacitors not covered by a single one of groups H01G4/00-H01G11/00
- H01G2/02—Mountings
- H01G2/06—Mountings specially adapted for mounting on a printed-circuit support
- H01G2/065—Mountings specially adapted for mounting on a printed-circuit support for surface mounting, e.g. chip capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/005—Electrodes
- H01G4/008—Selection of materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/005—Electrodes
- H01G4/012—Form of non-self-supporting electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
- H01G4/1218—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/228—Terminals
- H01G4/232—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor
- H01G4/2325—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor characterised by the material of the terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/228—Terminals
- H01G4/252—Terminals the terminals being coated on the capacitive element
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/30—Stacked capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
- H05K1/181—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with surface mounted components
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
본 발명은, 서로 대향하는 제1 및 제2 면, 제1 및 제2 면과 연결되고 서로 대향하는 제3 및 제4 면, 제1 및 제2 면과 연결되고 제3 및 제4 면과 연결되고 서로 대향하는 제5 및 제6 면을 포함하는 커패시터 바디와, 커패시터 바디의 제3 및 제4 면을 연결하는 제1 방향으로 상기 커패시터 바디의 양단에 각각 형성되는 제1 및 제2 외부 전극을 포함하는 적층형 커패시터; 및 인터포저 바디 및 상기 인터포저 바디의 제1 방향의 양단에 각각 형성되는 제1 및 제2 외부 단자를 포함하고, 상기 적층형 커패시터의 제1 면 측에 배치되는 인터포저; 를 포함하고, 상기 커패시터 바디는 복수의 유전체층 및 상기 유전체층을 사이에 두고 커패시터 바디의 제5 및 제6 면을 연결하는 제2 방향으로 번갈아 배치되는 복수의 제1 및 제2 내부 전극을 포함하고, 상기 제1 및 제2 내부 전극이 상기 커패시터 바디의 제3 및 제4 면을 통해 각각 노출되고, 상기 인터포저는 제1 방향으로 상기 제1 및 제2 외부 단자의 양면에서 상측 부분에 각각 형성되는 제1 및 제2 솔더 필렛 제한층을 더 포함하는 전자 부품을 제공한다.
Description
본 발명은 전자 부품에 관한 것이다.
일반적으로, SMT(표면실장기술) 방식으로 실장되는 칩 형 수동 전자 부품은 PCB 기판에 솔더로 외부 단자가 연결된다.
PCB 기판은 모듈러스가 낮고 얇게 형성되어 외력에 의해 쉽게 휘거나 구부러진다.
따라서, 기판이 휠 때 기판의 표면에 실장된 전자 부품에는 솔더를 통해 응력이 가해지게 되고, 이로 인해 전자 부품의 내부에 기계적 결함과 특성 열화가 발생하게 된다.
전자 기기의 박층화에 따라 기판과 전자 부품의 두께도 점점 얇아지고 있고, 이에 기판의 ??에 따른 전자 부품의 열화도 더욱 심해지고 있다.
특히 자동차에 쓰이는 전자 부품은 보다 높은 기계적 신뢰도를 요구하므로 기판의 휨에 대한 내구성이 강한 전자 부품의 수요가 증가하고 있다.
본 발명의 목적은 기판의 휨에 대한 내구성이 강한 전자 부품을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 측면은, 서로 대향하는 제1 및 제2 면, 제1 및 제2 면과 연결되고 서로 대향하는 제3 및 제4 면, 제1 및 제2 면과 연결되고 제3 및 제4 면과 연결되고 서로 대향하는 제5 및 제6 면을 포함하는 커패시터 바디와, 커패시터 바디의 제3 및 제4 면을 연결하는 제1 방향으로 상기 커패시터 바디의 양단에 각각 형성되는 제1 및 제2 외부 전극을 포함하는 적층형 커패시터; 및 인터포저 바디 및 상기 인터포저 바디의 제1 방향의 양단에 각각 형성되는 제1 및 제2 외부 단자를 포함하고, 상기 적층형 커패시터의 제1 면 측에 배치되는 인터포저; 를 포함하고, 상기 커패시터 바디는 복수의 유전체층 및 상기 유전체층을 사이에 두고 커패시터 바디의 제5 및 제6 면을 연결하는 제2 방향으로 번갈아 배치되는 복수의 제1 및 제2 내부 전극을 포함하고, 상기 제1 및 제2 내부 전극이 상기 커패시터 바디의 제3 및 제4 면을 통해 각각 노출되고, 상기 인터포저는 제1 방향으로 상기 제1 및 제2 외부 단자의 양면에서 상측 부분에 각각 형성되는 제1 및 제2 솔더 필렛 제한층을 더 포함하는 전자 부품을 제공한다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 제1 외부 단자는, 상기 인터포저 바디에 상기 제1 외부 전극과 접속되게 형성되는 제1 접합부, 상기 인터포저 바디에 상기 제1 접합부와 제2 방향으로 마주보게 형성되는 제1 실장부 및 상기 인터포저 바디에 상기 제1 접합부와 상기 제1 실장부를 연결하도록 형성되는 제1 연결부를 포함하고, 상기 제2 외부 단자는, 상기 인터포저 바디에 상기 제2 외부 전극과 접속되게 형성되는 제2 접합부, 상기 인터포저 바디에 상기 제2 접합부와 제2 방향으로 마주보게 형성되는 제2 실장부 및 상기 인터포저 바디에 상기 제2 접합부와 상기 제2 실장부를 연결하도록 형성되는 제2 연결부를 포함하고, 상기 제1 솔더 필렛 제한층은 상기 제1 연결부의 상부 바깥 면에 커패시터 바디의 제2 방향으로 길게 형성되고, 상기 제2 솔더 필렛 제한층은 상기 제2 연결부의 상부 바깥 면에 제2 방향으로 길게 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 제1 및 제2 솔더 필렛 제한층은 유기물로 이루어질 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 제1 및 제2 외부 전극과 상기 제1 및 제2 접합부 사이에 도전성 접합제가 각각 배치될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 도전성 접합제는 고융점 솔더일 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 제1 및 제2 외부 단자가 각각 '[' 및 ']'자 형상의 단면을 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 인터포저 바디는 알루미나로 이루어질 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 제1 및 제2 외부 전극은, 상기 커패시터 바디의 제3 및 제4 면에 각각 배치되는 제1 및 제2 접속부; 및 상기 제1 및 제2 접속부에서 상기 커패시터 바디의 제1 면의 일부까지 연장되는 제1 및 제2 밴드부; 를 각각 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 전자 부품은, 상기 제1 및 제2 외부 전극의 표면에 각각 형성되는 제1 및 제2 도금층을 더 포함할 수 있고, 상기 제1 및 제2 외부 단자는 제1 및 제2 접합부와 제1 및 제2 실장부가 내측의 도전층과 외측의 도금층으로 이루어질 수 있고, 상기 제1 및 제2 연결부는 도금층으로만 이루어질 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 전자 부품은, 상기 제1 및 제2 도금층을 각각 커버하도록 형성되는 제3 및 제4 도금층; 및 상기 제1 및 제2 외부 단자를 각각 커버하도록 형성되되, 상기 제1 및 제2 솔더 필렛 제한층 위에는 형성되지 않는 제5 및 제6 도금층; 을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 제1 및 제2 외부 전극은 구리(Cu)를 포함하여 형성될 수 있고, 상기 제1 및 제2 도금층이 내측의 니켈(Ni) 도금층과 외측의 주석(sn) 도금층의 이중층 구조로 이루어질 수 있고, 상기 제1 및 제2 접합부와 상기 제1 및 제2 실장부의 내측 도전층이 구리를 포함하여 형성될 수 있고, 상기 제1 및 제2 접합부와 상기 제1 및 제2 실장부의 도금층과 상기 제1 및 제2 연결부가 내측의 니켈(Ni) 도금층과 외측의 주석(sn) 도금층의 이중층 구조로 이루어질 수 있고, 상기 제3 및 제4 도금층과 상기 제5 및 제6 도금층이 주석 도금층으로 이루어질 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 인터포저는 제1 방향의 길이가 상기 적층형 커패시터의 제1 방향의 길이 보다 작고, 상기 인터포저의 제2 방향의 길이는 상기 적층형 커패시터의 제2 방향의 길이 보다 작을 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 인터포저의 외부 단자의 상측 부분에 솔더 필렛 제한층을 형성하여 적층형 커패시터의 휨 강도를 강화할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 전자 부품에 적용되는 적층형 커패시터를 부분적으로 절개하여 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 2a 및 도 2b는 도 1의 적층형 커패시터의 제1 및 제2 내부 전극을 각각 나타낸 평면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 전자 부품에서 솔더 필렛 제한층을 삭제하고 나타낸 사시도이다.
도 4는 도 3의 분리사시도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시 에에 따른 전자 부품을 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 6은 도 5의 I-I'선 단면도이다.
도 7은 5의 전자 부품이 기판에 실장된 것을 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 8은 종래의 솔더 필렛 제한층이 없는 전자 부품의 휨 강도 평가 결과를 나타낸 그래프이다.
도 9는 본 발명의 일 실시 예에 의한 전자 부품의 휨 강도 평가 결과를 나타낸 그래프이다.
도 2a 및 도 2b는 도 1의 적층형 커패시터의 제1 및 제2 내부 전극을 각각 나타낸 평면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 전자 부품에서 솔더 필렛 제한층을 삭제하고 나타낸 사시도이다.
도 4는 도 3의 분리사시도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시 에에 따른 전자 부품을 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 6은 도 5의 I-I'선 단면도이다.
도 7은 5의 전자 부품이 기판에 실장된 것을 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 8은 종래의 솔더 필렛 제한층이 없는 전자 부품의 휨 강도 평가 결과를 나타낸 그래프이다.
도 9는 본 발명의 일 실시 예에 의한 전자 부품의 휨 강도 평가 결과를 나타낸 그래프이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 다음과 같이 설명한다.
그러나, 본 발명의 실시 예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 예로 한정되는 것은 아니다.
또한, 본 발명의 실시 예는 당해 기술 분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다.
따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면 상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다.
또한, 유사한 기능 및 작용을 하는 부분에 대해서는 도면 전체에 걸쳐 동일한 부호를 사용한다.
덧붙여, 명세서 전체에서 어떤 구성 요소를 '포함'한다는 것은 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성 요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다.
본 발명의 실시 예를 명확하게 설명하기 위해 방향을 정의하면, 도면에 표시된 X, Y 및 Z는 적층형 커패시터와 인터포저의 길이 방향, 폭 방향 및 두께 방향을 각각 나타낸다.
본 실시 예에서, Y방향은 유전체층(111)이 적층되는 적층 방향과 동일한 개념으로 사용될 수 있다.
도 1은 본 발명의 전자 부품에 적용되는 적층형 커패시터를 부분적으로 절개하여 나타낸 사시도이고, 도 2a 및 도 2b는 도 1의 적층형 커패시터의 제1 및 제2 내부 전극을 각각 나타낸 평면도이다.
먼저 도 1 내지 도 2b를 참조하여, 본 실시 예의 전자 부품에 적용되는 적층형 커패시터(100)의 구조에 대해 설명한다.
본 실시 예의 적층형 커패시터(100)는 커패시터 바디(110)와 커패시터 바디(110)의 X방향의 양단에 각각 형성되는 제1 및 제2 외부 전극(131, 132)을 포함한다.
커패시터 바디(110)는 복수의 유전체층(111)을 Y방향으로 적층한 다음 소성한 것으로서, 커패시터 바디(110)의 서로 인접하는 유전체층(111) 사이의 경계는 주사 전자 현미경(SEM: Scanning Electron Microscope)을 이용하지 않고 확인하기 곤란할 정도로 일체화될 수 있다.
커패시터 바디(110)는 복수의 유전체층(111)과 유전체층(111)을 사이에 두고 Y방향으로 번갈아 배치되는 서로 다른 극성을 가지는 복수의 제1 및 제2 내부 전극(121, 122)을 포함한다.
커패시터 바디(110)는 그 형상에 특별히 제한은 없지만, 육면체 형상일 수 있으며, Z방향으로 서로 대향하는 제1 및 제2 면(1, 2)과, 제1 및 제2 면(1, 2)과 서로 연결되고 X방향으로 서로 대향하는 제3 및 제4 면(3, 4)과, 제1 및 제2 면(1, 2)과 연결되고 제3 및 제4 면(3, 4)과 연결되고 Y방향으로 서로 대향하는 제5 및 제6 면(5, 6)을 포함할 수 있다.
커패시터 바디(110)는 커패시터의 용량 형성에 기여하는 부분으로서의 액티브 영역과, 마진부로서 Y방향으로 상기 액티브 영역의 상하에 마련되는 커버 영역을 포함할 수 있다.
상기 커버 영역은 내부 전극을 포함하지 않는 것을 제외하고는 유전체층(111)과 동일한 재질 및 구성을 가질 수 있다.
상기 커버 영역은 단일 유전체층 또는 2개 이상의 유전체층을 상기 액티브 영역의 양측에 Y방향으로 적층하여 형성할 수 있으며, 기본적으로 물리적 또는 화학적 스트레스에 의한 제1 및 제2 내부 전극(121, 122)의 손상을 방지하는 역할을 수행할 수 있다.
유전체층(111)은 세라믹 분말, 예를 들어 BaTiO3계 세라믹 분말 등을 포함할 수 있다.
상기 BaTiO3계 세라믹 분말은 BaTiO3에 Ca 또는 Zr 등이 일부 고용된 (Ba1-xCax)TiO3, Ba(Ti1-yCay)O3, (Ba1-xCax)(Ti1-yZry)O3 또는 Ba(Ti1-yZry)O3 등이 있을 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.
유전체층(111)에는 상기 세라믹 분말과 함께, 세라믹 첨가제, 유기용제, 가소제, 결합제 및 분산제 등이 더 첨가될 수 있다.
상기 세라믹 첨가제는, 예를 들어 전이 금속 산화물 또는 전이 금속 탄화물, 희토류 원소, 마그네슘(Mg) 또는 알루미늄(Al) 등이 포함될 수 있다
제1 및 제2 내부 전극(121, 122)은 서로 다른 극성을 인가 받는 전극으로서, 유전체층(111) 상에 형성되어 Y방향으로 적층될 수 있고, 하나의 유전체층(111)을 사이에 두고 커패시터 바디(110)의 내부에 Y방향을 따라 서로 대향되게 번갈아 배치될 수 있다.
제1 및 제2 내부 전극(121, 122)은 중간에 배치된 유전체층(111)에 의해 서로 전기적으로 절연될 수 있다.
제1 및 제2 내부 전극(121, 122)은 일단이 커패시터 바디(110)의 제3 및 제4 면(3, 4)을 통해 각각 노출될 수 있다.
커패시터 바디(110)의 제3 및 제4 면(3, 4)을 통해 번갈아 노출되는 제1 및 제2 내부 전극(121, 122)의 단부는 후술하는 커패시터 바디(110)의 X방향의 양단에 배치되는 제1 및 제2 외부 전극(131, 132)과 각각 접속되어 전기적으로 연결될 수 있다.
이와 같은 구성에 따라, 제1 및 제2 외부 전극(131, 132)에 소정의 전압을 인가하면 제1 및 제2 내부 전극(121, 122) 사이에 전하가 축적된다.
이때, 적층형 커패시터(100)의 정전 용량은 상기 액티브 영역에서 Y방향을 따라 서로 중첩되는 제1 및 제2 내부 전극(121, 122)의 오버랩 된 면적과 비례하게 된다.
제1 및 제2 내부 전극(121, 122)을 형성하는 재료는 특별히 제한되지 않으며, 예를 들어 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 팔라듐-은(Pd-Ag)합금 등의 귀금속 재료 및 니켈(Ni) 및 구리(Cu) 중 하나 이상의 물질로 이루어진 도전성 페이스트를 사용하여 형성될 수 있다.
상기 도전성 페이스트의 인쇄 방법은 스크린 인쇄법 또는 그라비아 인쇄법 등을 사용할 수 있으며, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
제1 및 제2 외부 전극(131, 132)은 서로 다른 극성의 전압이 제공되며, 커패시터 바디(110)의 X방향의 양단에 배치되고, 제1 및 제2 내부 전극(121, 122)의 노출되는 일단과 각각 접속되어 전기적으로 연결될 수 있다.
제1 외부 전극(131)은 제1 접속부(131a)와 제1 밴드부(131b)를 포함할 수 있다.
제1 접속부(131a)는 커패시터 바디(110)의 제3 면(3)에 배치되고, 제1 내부 전극(121)에서 커패시터 바디(110)의 제3 면(3)을 통해 외부로 노출되는 일단과 접촉하여 제1 내부 전극(121)과 제1 외부 전극(131)을 전기적으로 연결하는 역할을 한다.
제1 밴드부(131b)는 후술하는 인터포저의 제1 외부 단자와 접속될 수 있도록 제1 접속부(131a)에서 커패시터 바디(110)의 제1 면(1)의 일부까지 연장되는 부분이다.
이때, 제1 밴드부(131b)는 고착 강도를 향상시키기 위해 제1 접속부(131a)에서 커패시터 바디(110)의 제2, 제5 및 제6 면(2, 5, 6)의 일부까지 더 연장될 수 있다.
제1 외부 전극(131)은 바람직하게 구리(Cu)를 포함하는 재료로 형성될 수 있다.
한편, 제1 외부 전극(131)의 표면에는 제1 외부 전극(131)을 커버하도록 제1 도금층(133)이 형성될 수 있다.
이때, 제1 도금층(133)은 내측의 니켈(Ni) 도금층과 외측의 주석(Sn) 도금층의 이중층 구조로 이루어질 수 있다.
제2 외부 전극(132)은 제2 접속부(132a)와 제2 밴드부(132b)를 포함할 수 있다.
제2 접속부(132a)는 커패시터 바디(110)의 제4 면(4)에 배치되고, 제2 내부 전극(122)에서 커패시터 바디(110)의 제4 면(4)을 통해 외부로 노출되는 일단과 접촉하여 제2 내부 전극(122)과 제2 외부 전극(132)을 전기적으로 연결하는 역할을 한다.
제2 밴드부(132b)는 후술하는 인터포저의 제2 외부 단자와 접속될 수 있도록 제2 접속부(132a)에서 커패시터 바디(110)의 제1 면(1)의 일부까지 연장되는 부분이다.
이때, 제2 밴드부(132b)는 고착 강도를 향상시키기 위해 제1 접속부(132a)에서 커패시터 바디(110)의 제2, 제5 및 제6 면(2, 5, 6)의 일부까지 더 연장될 수 있다.
제2 외부 전극(132)은 바람직하게 구리(Cu)를 포함하는 재료로 형성될 수 있다.
한편, 제2 외부 전극(132)의 표면에는 제2 외부 전극(132)을 커버하도록 제2 도금층(134)이 형성될 수 있다.
이때, 제2 도금층(134)은 내측의 니켈(Ni) 도금층과 외측의 주석(Sn) 도금층의 이중층 구조로 이루어질 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 전자 부품에서 솔더 필렛 제한층을 삭제하고 나타낸 사시도이고, 도 4는 도 3의 분리사시도이고, 도 5는 본 발명의 일 실시 에에 따른 전자 부품을 개략적으로 나타낸 사시도이고, 도 6은 도 5의 I-I'선 단면도이다.
도 3 내지 도 6을 참조하면, 본 실시 예에 따른 전자 부품(101)은 적층형 커패시터(100) 및 적층형 커패시터(100)의 제1 면(1) 측에 배치되는 인터포저(200)를 포함한다.
인터포저(200)는 인터포저 바디(210), 인터포저 바디(210)의 X방향의 양단에 각각 형성되는 제1 및 제2 외부 단자(220, 230) 및 제1 및 제2 솔더 필렛 제한층(241, 242)를 포함한다.
이때, 인터포저(200)는 X방향의 길이가 적층형 커패시터(100)의 X방향의 길이 보다 작을 수 있고, 인터포저(200)의 Y방향의 길이는 적층형 커패시터(100)의 Y방향의 길이 보다 작을 수 있다.
인터포저 바디(210)는 세라믹 재질로 이루어질 수 있고, 바람직하게는 알루미나(Al2O3)로 이루어질 수 있다.
제1 및 제2 외부 단자(220, 230)는 서로 다른 극성의 전압이 제공되고, 제1 및 제2 외부 전극(131, 132)의 제1 및 제2 밴드부(131b, 132b)와 각각 접속되어 전기적으로 연결될 수 있다.
제1 외부 단자(220)는 제1 접합부(221), 제1 실장부(222) 및 제1 연결부(223)를 포함한다.
제1 접합부(221)는 인터포저 바디(210)의 상면에 형성되는 부분으로, 일단이 인터포저 바디(210)의 X방향의 일면을 통해 노출되고 제1 외부 전극(131)의 제1 밴드부(131b)와 접속되는 부분이다.
이때, 제1 접합부(221)는 내측의 도전층(221a)과 외측의 도금층(221b)으로 이루어질 수 있다.
내측의 도전층(221a)은 구리를 포함하는 재료로 형성될 수 있고, 외측의 도금층(221b)는 내측의 니켈 도금층과 외측의 주석 도금층의 이중층 구조로 이루어질 수 있다.
제1 실장부(222)는 인터포저 바디(210)의 하면에 제1 접합부(221)와 Z방향으로 마주보게 형성되는 부분으로, 기판 실장시 단자의 역할을 할 수 있다.
이때, 제1 실장부(222)는 내측의 도전층(222a)과 외측의 도금층(222b)으로 이루어질 수 있다.
내측의 도전층(222a)은 구리를 포함하는 재료로 형성될 수 있고, 외측의 도금층(222b)는 내측의 니켈 도금층과 외측의 주석 도금층의 이중층 구조로 이루어질 수 있다.제1 연결부(223)는 인터포저 바디(210)의 X방향의 일 단면에 형성되고 제1 접합부(221)의 단부와 제1 실장부(222)의 단부를 연결하는 역할을 한다.
제1 연결부(223)는 도금층으로만 이루어질 수 있고, 바람직하게는 내측의 니켈 도금층과 외측의 주석 도금층의 이중층 구조로 이루어질 수 있다.
이때, 제1 연결부(223)는 제1 접합부(221) 및 제1 실장부(222)의 외측의 도금층(221b, 222b)과 하나로 연결될 수 있다.
이에 제1 외부 단자(220)는 [자 형상의 X-Z 단면을 갖도록 형성될 수 있다.
제1 접합부(221)와 제1 밴드부(131b) 사이에는 제1 도전성 접합제(310)가 배치되어, 제1 접합부(221)와 제1 밴드부(131b)를 서로 기계적 및 전기적으로 접합할 수 있다.
제1 도전성 접합제(310)는 고융점 솔더 등으로 이루어질 수 있다.
상기 고융점 솔더는 예를 들어 안티몬(Sb), 카드뮴(Cd), 납(Pb), 아연(Zn), 알루미늄(Al) 및 구리(Cu) 중 적어도 하나 이상이 포함될 수 있다.
제2 외부 단자(230)는 제2 접합부(231), 제2 실장부(232) 및 제2 연결부(233)를 포함한다.
제2 접합부(231)는 인터포저 바디(210)의 상면에 형성되는 부분으로, 일단이 인터포저 바디(210)의 X방향의 타면을 통해 노출되고 제2 외부 전극(132)의 제2 밴드부(132b)와 접속되는 부분이다.
이때, 제2 접합부(231)는 내측의 도전층(231a)과 외측의 도금층(231b)으로 이루어질 수 있다.
내측의 도전층(231a)은 구리를 포함하는 재료로 형성될 수 있고, 외측의 도금층(231b)는 내측의 니켈 도금층과 외측의 주석 도금층의 이중층 구조로 이루어질 수 있다.
제2 실장부(232)는 인터포저 바디(210)의 하면에 제2 접합부(231)와 Z방향으로 마주보게 형성되는 부분으로, 기판 실장시 단자의 역할을 할 수 있다.
이때, 제2 실장부(232)는 내측의 도전층(232a)과 외측의 도금층(232b)으로 이루어질 수 있다.
내측의 도전층(232a)은 구리를 포함하는 재료로 형성될 수 있고, 외측의 도금층(232b)는 내측의 니켈 도금층과 외측의 주석 도금층의 이중층 구조로 이루어질 수 있다.
제2 연결부(233)는 인터포저 바디(210)의 X방향의 타 단면에 형성되고 제2 접합부(231)의 단부와 제2 실장부(232)의 단부를 연결하는 역할을 한다.
제2 연결부(233)는 도금층으로만 이루어질 수 있고, 바람직하게는 내측의 니켈 도금층과 외측의 주석 도금층의 이중층 구조로 이루어질 수 있다.
이때, 제2 연결부(233)는 제2 접합부(231) 및 제2 실장부(232)의 외측의 도금층(231b, 232b)과 하나로 연결될 수 있다.
이에 제2 외부 단자(230)는 ]자 형상의 X-Z 단면을 갖도록 형성될 수 있다.
제2 접합부(231)와 제2 밴드부(132b) 사이에는 제2 도전성 접합제(320)가 배치되어, 제2 접합부(231)와 제2 실장부(232)를 서로 기계적 및 전기적으로 접합할 수 있다.
제2 도전성 접합제(320)는 고융점 솔더 등으로 이루어질 수 있다.
제1 솔더 필렛 제한층(241)은 X방향으로 제1 외부 단자(220)의 일면에서 상측 부분에 형성될 수 있다.
즉, 본 실시 예에서, 제1 솔더 필렛 제한층(241)은 제1 연결부(223)의 상부 바깥 면에 형성될 수 있다.
이때, 제1 솔더 필렛 제한층(241)은 Y방향으로 길게 형성될 수 있고, 제1 솔더 필렛 제한층(241)의 Y방향의 길이는 제1 연결부(223)의 Y방향의 길이와 동일하게 형성될 수 있다.
제2 솔더 필렛 제한층(242)은 X방향으로 제2 외부 단자(230)의 일면에서 상측 부분에 형성될 수 있다.
즉, 본 실시 예에서, 제2 솔더 필렛 제한층(242)은 제2 연결부(233)의 상부 바깥 면에 형성될 수 있다.
이때, 제2 솔더 필렛 제한층(242)은 Y방향으로 길게 형성될 수 있고, 제2 솔더 필렛 제한층(242)의 Y방향의 길이는 제2 연결부(233)의 Y방향의 길이와 동일하게 형성될 수 있다.
또한, 제1 및 제2 솔더 필렛 제한층(241, 242)은 유기물로 이루어질 수 있으며, 예를 들어 1 및 제2 솔더 필렛 제한층(241, 242)은 절연성 재료로 형성될 수 있다.
본 실시 예에서, 제3 및 제4 도금층(143, 144)과 제5 및 제6 도금층(253, 254)을 더 포함할 수 있다.
제3 및 제4 도금층(143, 144)은 제1 및 제2 외부 전극(131, 132)의 제1 및 제2 도금층(133, 134)을 각각 커버하도록 형성될 수 있다.
제3 및 제4 도금층(143, 144)은 주석 도금층으로 이루어질 수 있다.
제5 및 제6 도금층(253, 254)은 제1 및 제2 외부 단자(220, 230)를 각각 커버하도록 형성되고, 제1 및 제2 솔더 필렛 제한층(241, 242)은 커버하지 않도록 형성된다.
제5 및 제6 도금층(253, 254)은 주석 도금층으로 이루어질 수 있다.
즉, 제1 및 제2 솔더 필렛층(241, 242)이 형성된 부분에는 도금층이 형성되지 않게 된다.
전자 부품(101)이 기판에 실장된 상태에서 전자 부품(101)에 형성된 제1 및 제2 외부 전극(131, 132)에 극성이 다른 전압이 인가되면, 유전체층(111)의 역압전성 효과(Inverse piezoelectric effect)에 의해 커패시터 바디(110)는 Z방향으로 팽창과 수축을 하게 된다.
이에 제1 및 제2 외부 전극(131, 132)의 양 단부는 포아송 효과(Poisson effect)에 의해 커패시터 바디(110)의 Z방향의 팽창 및 수축과는 반대로 수축 및 팽창을 하게 되고, 이러한 수축과 팽창은 진동을 발생시키게 된다.
상기 진동은 제 1 및 제2 외부 전극(131, 132)과 제1 및 제2 외부 단자(220, 230)를 통해 기판에 전달되고, 이에 기판으로부터 음향이 방사되어 어쿠스틱 노이즈가 되는 것이다.
도 7을 참조하면, 본 실시 예의 전자 부품(101)이 실장되는 기판(410)은 일면에 제1 및 제2 전극 패드(421, 422)를 가지고, 제1 및 제2 전극 패드(421, 422) 상에 제1 및 제2 외부 단자(220, 230)의 제1 및 제2 실장부(222, 232)가 각각 접속될 수 있다.
인터포저(200)는 적층형 커패시터(100)의 실장 방향을 향하는 제1 면(1) 측에 부착되어 적층형 커패시터(100)로부터 기판(410)으로 전달되는 진동을 흡수하여 어쿠스틱 노이즈를 감소시킬 수 있다.
또한, 인터포저는 기판으로부터 적층형 커패시터로 전달되는 휨 응력을 감소시켜 적층형 커패시터의 휨 강도를 개선하는 역할을 할 수 있으며, 이때 기판의 휨 응력이 전자 부품에 직접적으로 전달되지 않도록 해야 적층형 커패시터의 휨 강도를 개선하는 효과가 높아지게 된다.
기판의 휨 응력이 전달되는 것을 완전히 차단하려면 기판과 연결된 솔더가 적층형 커패시터에 직접적으로 연결되지 않도록 해야 한다.
이를 위해 종래에는 인터포저의 두께를 두껍게 하거나 가로 및 폭 사이즈를 적층형 커패시터의 사이즈 보다 크게 설계하였는데, 이 경우 전자 부품의 부피가 함께 증가되는 문제가 발생한다.
본 실시 예에서, 제1 및 제2 전극 패드(421, 422)와 제1 및 제2 실장부(222, 232)는 솔더(431, 432)에 의해 각각 접합된다.
인터포저(410)는 제1 및 제2 연결부(223, 233)의 상측 부분에 각각 형성되는 제1 및 제2 솔더 필렛 제한층(241, 242)을 포함한다.
솔더는 인터포저의 외부 단자의 표면에 형성된 도금층과 적층형 커패시터의 외부 전극의 표면에 형성된 도금층을 통해 확산되는데, 도 6에서와 같이, 솔더 필렛 제한층은 이러한 외부 단자의 도금층과 적층형 커패시터의 도금층 간의 연결이 끊어지도록 하는 역할을 한다.
이에 솔더 필렛(431, 432)이 인터포저 바디(210)의 Z방향의 높이 보다 낮게 형성되면서 적층형 커패시터(100)의 제1 및 제2 외부 전극(131, 132)까지 확산되는 것을 방지할 수 있다.
인터포저(200)는 기판(410)의 휨 응력에 의한 영향을 받지 않기 때문에 기판(410)의 휨 응력이 적층형 커패시터(100)로 전달되는 것을 차단할 수 있고, 인터포저(200)의 사이즈를 적층형 커패시터(100)의 사이즈 보다 작고 얇게 하더라도 적층형 커패시터(100)의 휨 강도를 향상시킬 수 있다.
이와 같이 적층형 커패시터(100)의 휨 강도가 향상되면 적층형 커패시터(100)의 크랙 발생 및 특성 열화를 방지할 수 있다.
또한, 솔더 필렛(431, 432)이 제1 및 제2 외부 전극(131, 132)까지 확산되지 않으면, 적층형 커패시터(100)로부터 기판(410)으로 전달되는 진동이 줄어 들어 어쿠스틱 노이즈를 더 감소시킬 수 있다.
실험 예
2.0×1.2㎜ 사이즈, 22uF, 25V급의 적층형 커패시터를 아래 표 1과 같이 다양한 설계로 제작하고, 1.7×1.2×0.5㎜ 사이즈의 세라믹 인터포저를 고융점 솔더로 접합하여 도 6과 유사한 구조의 전자 부품을 제작하였다.
이때, 실시 예는 제작 중 도금 공정 전에 인터포저의 연결부에 솔더 필렛 제한층을 형성하여 그 부분은 도금층이 형성되지 않도록 한다.
비교 예는 솔더 필렛 제한층을 형성하지 않아 인터포저의 외부 단자의 도금층과 적층형 커패시터의 외부 전극의 도금층이 서로 연결되는 구조이다.
휨 강도 평가는 아래와 같이 진행한다.
먼저 전자 부품을 시험용 기판에 솔더를 이용하여 부착하고 곡 변화량이 10㎜가 될 때까지 1㎜/sec의 속도로 가압하여 10초간 유지하고, 가압상태에서 정전용량을 측정하여 초기치에 대한 용량 변화율을 구한다.
다음으로, 온도 85±2℃, 상대습도 80 내지 85%의 항온항습조 내에서 24시간 동안 정격 직류전압을 인가한다.
다음으로, 고온고습 시험이 완료되면, 상온에서 꺼내어 일부는 22 내지 26시간 동안 상온방치하고 IR을 측정하고, 나머지는 150℃(+0℃/-10℃)에서 1시간 동안 열처리를 하고 22 내지 26시간 상온방치한 후 IR을 측정한다.
도 8은 종래의 솔더 필렛 제한층이 없는 전자 부품의 휨 강도 평가 결과를 나타낸 그래프이고, 도 9는 본 발명의 일 실시 예에 의한 전자 부품의 휨 강도 평가 결과를 나타낸 그래프이다.
도 8 및 도 9에서 볼 수 있듯이, 비교 예의 경우 5㎜부터 열화가 발생하였고, 실시 예의 경우 솔더 필렛의 높이가 비교 예에 비해 낮게 형성되면서 10mm까지 열화가 발생하지 않았다.
본 발명은 상술한 실시 예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것은 아니며 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다.
따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사항을 벗어나지 않는 범위 내에서 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.
100: 적층형 커패시터
101: 전자 부품
110: 커패시터 바디
111: 유전체층
121, 122: 제1 및 제2 내부 전극
131, 132: 제1 및 제2 외부 전극
131a, 132a: 제1 및 제2 접속부
131b, 132b: 제1 및 제2 밴드부
133, 134: 제1 및 제2 도금층
143, 144: 제3 및 제4 도금층
200: 인터포저
210: 인터포저 바디
220, 230: 제1 및 제2 외부 단자
221, 231: 제1 및 제2 접합부
222, 232: 제1 및 제2 실장부
223, 233: 제1 및 제2 연결부
241, 242: 제1 및 제2 솔더 필렛 제한층
253, 254: 제5 및 제6 도금층
310, 320: 제1 및 제2 도전성 접합제
410: 기판
421, 422: 제1 및 제2 전극 패드
431, 432: 솔더
101: 전자 부품
110: 커패시터 바디
111: 유전체층
121, 122: 제1 및 제2 내부 전극
131, 132: 제1 및 제2 외부 전극
131a, 132a: 제1 및 제2 접속부
131b, 132b: 제1 및 제2 밴드부
133, 134: 제1 및 제2 도금층
143, 144: 제3 및 제4 도금층
200: 인터포저
210: 인터포저 바디
220, 230: 제1 및 제2 외부 단자
221, 231: 제1 및 제2 접합부
222, 232: 제1 및 제2 실장부
223, 233: 제1 및 제2 연결부
241, 242: 제1 및 제2 솔더 필렛 제한층
253, 254: 제5 및 제6 도금층
310, 320: 제1 및 제2 도전성 접합제
410: 기판
421, 422: 제1 및 제2 전극 패드
431, 432: 솔더
Claims (12)
- 서로 대향하는 제1 및 제2 면, 제1 및 제2 면과 연결되고 서로 대향하는 제3 및 제4 면, 제1 및 제2 면과 연결되고 제3 및 제4 면과 연결되고 서로 대향하는 제5 및 제6 면을 포함하는 커패시터 바디와, 커패시터 바디의 제3 및 제4 면을 연결하는 제1 방향으로 상기 커패시터 바디의 양단에 각각 형성되는 제1 및 제2 외부 전극을 포함하는 적층형 커패시터; 및
인터포저 바디 및 상기 인터포저 바디의 제1 방향의 양단에 각각 형성되는 제1 및 제2 외부 단자를 포함하고, 상기 적층형 커패시터의 제1 면 측에 배치되는 인터포저; 를 포함하고,
상기 커패시터 바디는 복수의 유전체층 및 상기 유전체층을 사이에 두고 커패시터 바디의 제5 및 제6 면을 연결하는 제2 방향으로 번갈아 배치되는 복수의 제1 및 제2 내부 전극을 포함하고,
상기 제1 및 제2 내부 전극이 상기 커패시터 바디의 제3 및 제4 면을 통해 각각 노출되고,
상기 인터포저는 제1 방향으로 상기 제1 및 제2 외부 단자의 양면에서 상측 부분에 각각 형성되는 제1 및 제2 솔더 필렛 제한층을 더 포함하는 전자 부품.
- 제1항에 있어서,
상기 제1 외부 단자는, 상기 인터포저 바디에 상기 제1 외부 전극과 접속되게 형성되는 제1 접합부, 상기 인터포저 바디에 상기 제1 접합부와 제2 방향으로 마주보게 형성되는 제1 실장부 및 상기 인터포저 바디에 상기 제1 접합부와 상기 제1 실장부를 연결하도록 형성되는 제1 연결부를 포함하고,
상기 제2 외부 단자는, 상기 인터포저 바디에 상기 제2 외부 전극과 접속되게 형성되는 제2 접합부, 상기 인터포저 바디에 상기 제2 접합부와 제2 방향으로 마주보게 형성되는 제2 실장부 및 상기 인터포저 바디에 상기 제2 접합부와 상기 제2 실장부를 연결하도록 형성되는 제2 연결부를 포함하고,
상기 제1 솔더 필렛 제한층은 상기 제1 연결부의 상부 바깥 면에 커패시터 바디의 제2 방향으로 길게 형성되고,
상기 제2 솔더 필렛 제한층은 상기 제2 연결부의 상부 바깥 면에 제2 방향으로 길게 형성되는 전자 부품.
- 제1항에 있어서,
상기 제1 및 제2 솔더 필렛 제한층이 유기물로 이루어지는 전자 부품.
- 제2항에 있어서,
상기 제1 및 제2 외부 전극과 상기 제1 및 제2 접합부 사이에 도전성 접합제가 각각 배치되는 전자 부품.
- 제4항에 있어서,
상기 도전성 접합제가 고융점 솔더인 전자 부품.
- 제1항에 있어서,
상기 제1 및 제2 외부 단자가 각각 '[' 및 ']'자 형상의 단면을 가지는 전자 부품.
- 제1항에 있어서,
상기 인터포저 바디가 알루미나로 이루어지는 전자 부품.
- 제1항에 있어서,
상기 제1 및 제2 외부 전극은, 상기 커패시터 바디의 제3 및 제4 면에 각각 배치되는 제1 및 제2 접속부; 및 상기 제1 및 제2 접속부에서 상기 커패시터 바디의 제1 면의 일부까지 연장되는 제1 및 제2 밴드부; 를 각각 포함하는 전자 부품.
- 제2항에 있어서,
상기 제1 및 제2 외부 전극의 표면에 각각 형성되는 제1 및 제2 도금층을 더 포함하고,
상기 제1 및 제2 외부 단자는, 제1 및 제2 접합부와 제1 및 제2 실장부가 내측의 도전층과 외측의 도금층으로 이루어지고, 상기 제1 및 제2 연결부가 도금층으로만 이루어지는 전자 부품.
- 제9항에 있어서,
상기 제1 및 제2 도금층을 각각 커버하도록 형성되는 제3 및 제4 도금층; 및
상기 제1 및 제2 외부 단자를 각각 커버하도록 형성되되, 상기 제1 및 제2 솔더 필렛 제한층 위에는 형성되지 않는 제5 및 제6 도금층; 을 더 포함하는 전자 부품.
- 제10항에 있어서,
상기 제1 및 제2 외부 전극은 구리(Cu)를 포함하여 형성되고,
상기 제1 및 제2 도금층이 내측의 니켈(Ni) 도금층과 외측의 주석(sn) 도금층의 이중층 구조로 이루어지고,
상기 제1 및 제2 접합부와 상기 제1 및 제2 실장부의 내측 도전층이 구리를 포함하여 형성되고,
상기 제1 및 제2 접합부와 상기 제1 및 제2 실장부의 도금층과 상기 제1 및 제2 연결부가 내측의 니켈(Ni) 도금층과 외측의 주석(sn) 도금층의 이중층 구조로 이루어지고,
상기 제3 및 제4 도금층과 상기 제5 및 제6 도금층이 주석 도금층으로 이루어지는 전자 부품.
- 제1항에 있어서,
상기 인터포저는 제1 방향의 길이가 상기 적층형 커패시터의 제1 방향의 길이 보다 작고,
상기 인터포저의 제2 방향의 길이는 상기 적층형 커패시터의 제2 방향의 길이 보다 작은 전자 부품.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020190178486A KR102283080B1 (ko) | 2019-12-30 | 2019-12-30 | 전자 부품 |
US16/852,808 US11328870B2 (en) | 2019-12-30 | 2020-04-20 | Electronic component |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020190178486A KR102283080B1 (ko) | 2019-12-30 | 2019-12-30 | 전자 부품 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20210085449A true KR20210085449A (ko) | 2021-07-08 |
KR102283080B1 KR102283080B1 (ko) | 2021-07-30 |
Family
ID=76546633
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020190178486A KR102283080B1 (ko) | 2019-12-30 | 2019-12-30 | 전자 부품 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11328870B2 (ko) |
KR (1) | KR102283080B1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20220108844A1 (en) * | 2020-10-07 | 2022-04-07 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multilayer ceramic capacitor |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2022183974A (ja) * | 2021-05-31 | 2022-12-13 | 株式会社村田製作所 | 電子部品 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20140053562A (ko) * | 2012-10-26 | 2014-05-08 | 삼성전기주식회사 | 적층 칩 전자부품 및 그 실장 기판 |
KR20140107622A (ko) * | 2010-12-28 | 2014-09-04 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 전자부품 |
KR20150018650A (ko) | 2013-08-09 | 2015-02-23 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 전자 부품 및 그 실장 기판과 제조 방법 |
KR20190023551A (ko) * | 2017-08-29 | 2019-03-08 | 삼성전기주식회사 | 복합 전자부품, 그 실장 기판 |
KR101994747B1 (ko) | 2015-09-04 | 2019-07-01 | 삼성전기주식회사 | 커패시터 부품 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4827157B2 (ja) * | 2002-10-08 | 2011-11-30 | Tdk株式会社 | 電子部品 |
JP4093188B2 (ja) * | 2003-05-27 | 2008-06-04 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミック電子部品とその実装構造および実装方法 |
US9241408B2 (en) * | 2010-12-28 | 2016-01-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electronic component |
JP5794256B2 (ja) * | 2013-03-19 | 2015-10-14 | 株式会社村田製作所 | 電子部品および電子部品連 |
-
2019
- 2019-12-30 KR KR1020190178486A patent/KR102283080B1/ko active IP Right Grant
-
2020
- 2020-04-20 US US16/852,808 patent/US11328870B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20140107622A (ko) * | 2010-12-28 | 2014-09-04 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 전자부품 |
KR20140053562A (ko) * | 2012-10-26 | 2014-05-08 | 삼성전기주식회사 | 적층 칩 전자부품 및 그 실장 기판 |
KR20150018650A (ko) | 2013-08-09 | 2015-02-23 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 전자 부품 및 그 실장 기판과 제조 방법 |
KR101994747B1 (ko) | 2015-09-04 | 2019-07-01 | 삼성전기주식회사 | 커패시터 부품 |
KR20190023551A (ko) * | 2017-08-29 | 2019-03-08 | 삼성전기주식회사 | 복합 전자부품, 그 실장 기판 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20220108844A1 (en) * | 2020-10-07 | 2022-04-07 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multilayer ceramic capacitor |
US11749461B2 (en) * | 2020-10-07 | 2023-09-05 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multilayer ceramic capacitor |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11328870B2 (en) | 2022-05-10 |
US20210202174A1 (en) | 2021-07-01 |
KR102283080B1 (ko) | 2021-07-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9640321B2 (en) | Ceramic electronic component with metal terminal | |
KR102041725B1 (ko) | 전자 부품 | |
US10879000B2 (en) | Multilayer ceramic electronic component and interposer included therein | |
KR102283080B1 (ko) | 전자 부품 | |
CN111048312B (zh) | 电子组件 | |
KR102268390B1 (ko) | 전자 부품 | |
US10707023B2 (en) | Electronic components | |
US11948750B2 (en) | Electronic component | |
US20220102074A1 (en) | Electronic component and board having the same | |
US20220181086A1 (en) | Electronic component | |
KR20220063556A (ko) | 적층형 커패시터 및 그 실장 기판 | |
US10840019B2 (en) | Electronic component | |
KR20220033178A (ko) | 전자 부품 및 그 실장 기판 | |
KR20190116138A (ko) | 적층형 커패시터 및 그 실장 기판 | |
KR102442390B1 (ko) | 전자 부품 | |
KR102268391B1 (ko) | 전자 부품 | |
CN110875144B (zh) | 电子组件 | |
CN110875141B (zh) | 电子组件 | |
CN110875134B (zh) | 包括电容器阵列的电子组件及安装框架 | |
KR20240110529A (ko) | 세라믹 커패시터 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
E701 | Decision to grant or registration of patent right |