JP2666046B2 - チップ型複合電子部品 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本願発明は、基板上に、共通電極
と、複数の個別電極と、各個別電極と共通電極との間に
各々介装された素子とを形成し、共通電極および個別電
極の表面に、ニッケル層や半田層のメッキを施したチッ
プ型複合電子部品に関する。

【０００２】

【従来の技術】チップ型複合電子部品の一例として、基
板上に、共通電極と、複数の個別電極と、各個別電極と
共通電極との間に各々介装された抵抗膜とを形成し、共
通電極および個別電極を、銀とパラジウムとの合金から
なる厚膜層と、厚膜層上にメッキされたニッケル層と、
ニッケル層上にメッキされた半田層とにより形成したも
のがある。

【０００３】このようなチップ型複合電子部品は、従
来、抵抗膜により構成される抵抗器の抵抗値が大きくな
るに従って、共通電極のニッケル層および半田層の層厚
が、各個別電極のニッケル層および半田層の層厚と比較
して極端に大きくなっていた。例えば、多数のチップ型
複合電子部品について、抵抗器の抵抗値の種類毎に、共
通電極のニッケル層および半田層の層厚と、各個別電極
のニッケル層および半田層の層厚とを測定し、それぞれ
の平均を求めて、共通電極のニッケル層および半田層の
層厚の平均値を個別電極のニッケル層および半田層の層
厚の平均値で除したところ、図７の攪拌板なしの欄に示
すような結果が得られた。すなわち、抵抗器の抵抗値が
１０ＫΩの場合、共通電極の半田層の層厚が、各個別電
極の半田層の層厚の２．２０倍であり、抵抗器の抵抗値
が４７ＫΩの場合、共通電極の半田層の層厚が、各個別
電極の半田層の層厚の３．０４倍であり、抵抗器の抵抗
値が１００ＫΩの場合、共通電極の半田層の層厚が、各
個別電極の半田層の層厚の５．０２倍であった。また、
抵抗器の抵抗値が１０ＫΩの場合、共通電極のニッケル
層の層厚が、各個別電極のニッケル層の層厚の２．７８
倍であり、抵抗器の抵抗値が４７ＫΩの場合、共通電極
のニッケル層の層厚が、各個別電極のニッケル層の層厚
の３．４４倍であり、抵抗器の抵抗値が１００ＫΩの場
合、共通電極のニッケル層の層厚が、各個別電極のニッ
ケル層の層厚の４．２９倍であった。

【０００４】これは、主に以下の２つの理由の相乗的作
用によるものと考えられる。先ず第１に、メッキにより
ニッケル層および半田層を形成するプロセスにおいて、
同時にメッキ処理する多数のチップ型複合電子部品のニ
ッケル層および半田層の形成速度に、個体によるばらつ
きが大きく、形成速度の遅いチップ型複合電子部品のニ
ッケル層および半田層の層厚を規定の大きさにしようと
する結果、形成速度の速いチップ型複合電子部品のニッ
ケル層および半田層の層厚が大きくなる。第２に、抵抗
値が大きい抵抗器に接続された個別電極の方がニッケル
層および半田層が形成され難いので、個別電極のニッケ
ル層および半田層の層厚を規定の大きさにしようとする
結果、抵抗値が極めて小さい共通電極のニッケル層およ
び半田層の層厚が大きくなる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】従来のチップ型複合電
子部品では、素子の直流抵抗が大きい場合、共通電極の
半田層の層厚が極めて大きくなるので、チップ型複合電
子部品を基板上の所定位置に搭載して、チップ型複合電
子部品の共通電極と、基板のランドとを、ソルダーペー
ストなどを用いて半田付けする場合、半田内に水素ガス
が気泡となって残留し、半田表面に大きな凹凸が生じる
という課題があった。

【０００６】すなわち、半田付けの際に、共通電極の半
田層が溶融し、半田層に吸蔵されている水素ガスが発生
する。この水素ガスは、半田層の層厚が小さい場合、半
田内に残留することなく、半田が溶融している間に外部
に抜け出してしまう。しかし、半田層の層厚が大きい場
合、半田層の下部で発生した水素ガスが、半田が固化す
るまでに完全には抜け出せず、半田内に残留してしまう
のである。

【０００７】このように半田内に水素ガスが気泡となっ
て残留し、共通電極上の半田表面に大きな凹凸が生じる
と、例えば、半田表面の光の反射により、チップ型複合
電子部品の存在の有無、位置、姿勢などを自動検出する
ような場合、誤検出の原因になり、また、半田付不良を
誘発することにもなり、好ましくない。

【０００８】また、従来のチップ型複合電子部品では、
素子の直流抵抗が大きい場合、共通電極のニッケル層の
層厚が極めて大きくなるので、半田付後の温度サイクル
によりニッケル層が熱応力を受けて変形し、厚膜層を持
ち上げることから、厚膜層を破壊してしまうことがあっ
た。

【０００９】本願発明は上記の点に鑑みて提案されたも
のであって、半田付け後の共通電極上の半田表面に大き
な凹凸が生じないチップ型複合電子部品を提供すること
を、その目的としている。

【００１０】さらに、本願発明は、ニッケル層の熱変形
により厚膜層が破壊されることのないチップ型複合電子
部品を提供することを、その目的としている。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、本願発明では、次の技術的手段を講じている。

【００１２】すなわち、本願の請求項１に記載した発明
は、基板上に、共通電極と、複数の個別電極と、各個別
電極と共通電極との間に各々介装された素子とを形成
し、共通電極および個別電極の表面に、最外層が半田層
であるメッキを施したチップ型複合電子部品であって、
各素子の直流抵抗が４７ＫΩ以上であり、共通電極の半
田層の層厚が、各個別電極の半田層の層厚の２．９倍以
下であることを特徴としている。

【００１３】また、本願の請求項２に記載した発明は、
各個別電極と共通電極との間に各々介装された素子は、
抵抗膜からなり相互に抵抗値の等しい抵抗器であること
を特徴としている。

【００１４】また、本願の請求項３に記載した発明は、
各個別電極と共通電極との間に各々介装された素子は、
十分に充電されたときの直流抵抗が４７ＫΩ以上のキャ
パシタであることを特徴としている。

【００１５】また、本願の請求項４に記載した発明は、
各個別電極と共通電極との間に各々介装された素子は、
逆方向の直流抵抗が４７ＫΩ以上のダイオードであるこ
とを特徴としている。

【００１６】また、本願の請求項５に記載した発明は、
基板上に、共通電極と、複数の個別電極と、各個別電極
と共通電極との間に各々介装された素子とを形成し、共
通電極および個別電極の表面に、ニッケル層を含むメッ
キを施したチップ型複合電子部品であって、各素子の直
流抵抗が４７ＫΩ以上であり、共通電極のニッケル層の
層厚が、各個別電極のニッケル層の層厚の３．２倍以下
であることを特徴としている。

【００１７】

【発明の作用および効果】上記請求項１に記載した発明
によれば、各素子の直流抵抗が４７ＫΩ以上であり、共
通電極の半田層の層厚が、各個別電極の半田層の層厚の
２．９倍以下である。このように、直流抵抗が比較的大
きいわりに、共通電極の半田層の層厚が、各個別電極の
半田層の層厚と比べて極端に大きくないので、個別電極
の半田層の層厚を所定の大きさにしても、共通電極の半
田層の層厚が極端に大きくなることはない。

【００１８】このため、チップ型複合電子部品を基板上
の所定位置に搭載して、チップ型複合電子部品の共通電
極と、基板のランドとを、ソルダーペーストなどを用い
て半田付けする場合に、半田内に水素ガスが気泡となっ
て残留せず、したがって、半田表面に大きな凹凸が生じ
るということがない。

【００１９】すなわち、半田付けの際に、ソルダーペー
ストと共に共通電極の半田層が溶融し、半田層に吸蔵さ
れている水素ガスが発生するが、この水素ガスは、半田
層の層厚が小さいので、半田内に残留することなく、半
田が溶融している間に外部に抜け出してしまう。

【００２０】このように、半田内に水素ガスが気泡とな
って残留せず、したがって、共通電極上の半田表面に大
きな凹凸が生じないので、例えば、半田表面の光の反射
により、チップ型複合電子部品の存在の有無、位置、姿
勢などを自動検出するような場合に、誤検出の原因にな
るようなことがない。

【００２１】また、上記請求項５に記載した発明によれ
ば、各素子の直流抵抗が４７ＫΩ以上であり、共通電極
のニッケル層の層厚が、各個別電極のニッケル層の層厚
の３．２倍以下である。このように、直流抵抗が比較的
大きいわりに、共通電極のニッケル層の層厚が、各個別
電極のニッケル層の層厚と比べて極端に大きくないの
で、個別電極のニッケル層の層厚を所定の大きさにして
も、共通電極のニッケル層の層厚が極端に大きくなるこ
とはない。

【００２２】したがって、半田付後の温度サイクルによ
りニッケル層が熱応力を受けて変形し、厚膜層を持ち上
げて破壊してしまうというようなことがない。

【００２３】このようなチップ型複合電子部品は、例え
ば、内部に複数の攪拌板を設けたメッキ用バレル装置に
より、ニッケル層および半田層をメッキすることにより
得られる。

【００２４】すなわち、従来のように、内部に攪拌板を
設けていないメッキ用バレル装置によりニッケル層およ
び半田層をメッキした場合、メッキ用バレル装置内の多
数のワークであるチップ型複合電子部品と、多数のダミ
ーであるスチールショットとが十分に攪拌されず、層状
に分離してしまうことから、個々のチップ型複合電子部
品のニッケル層および半田層の形成速度が大きくばらつ
いてしまう。

【００２５】しかし、内部に複数の攪拌板を設けたメッ
キ用バレル装置によりニッケル層および半田層をメッキ
した場合、メッキ用バレル装置内の多数のチップ型複合
電子部品と多数のスチールショットとが十分良好に攪拌
される。この結果、チップ型複合電子部品とスチールシ
ョットとが層状に分離するのを良好に抑制でき、個々の
チップ型複合電子部品のニッケル層および半田層の形成
速度がほぼ均一化する。

【００２６】したがって、形成速度の遅いチップ型複合
電子部品の個別電極のニッケル層および半田層の層厚が
規定の大きさに達した時点で、形成速度の速いチップ型
複合電子部品の共通電極のニッケル層および半田層の層
厚が極端に大きくなってしまうというようなことがな
い。この結果、各素子の直流抵抗が４７ＫΩ以上であっ
ても、共通電極の半田層の層厚が、各個別電極の半田層
の層厚の２．９倍以下であるチップ型複合電子部品を、
歩留りよく得られる。また、各素子の直流抵抗が４７Ｋ
Ω以上であっても、共通電極のニッケル層の層厚が、各
個別電極のニッケル層の層厚の３．２倍以下であるチッ
プ型複合電子部品を、歩留りよく得られる。

【００２７】また、各個別電極と共通電極との間に各々
介装される素子としては、例えば、上記請求項２に記載
した発明のように、抵抗膜からなり相互に抵抗値の等し
い抵抗器が考えられる。

【００２８】さらには、上記請求項３に記載した発明の
ように、十分に充電されたときの直流抵抗が４７ＫΩ以
上であるキャパシタが考えられる。キャパシタの場合、
充電電荷がなければ直流抵抗はほぼゼロであるが、完全
に充電されれば直流抵抗はほぼ無限大である。したがっ
て、半田層のメッキの際に、キャパシタは大きな直流抵
抗を持ち得ると考えられるので、本願発明の適用範囲内
である。

【００２９】さらには、上記請求項４に記載した発明の
ように、逆方向の直流抵抗が４７ＫΩ以上であるダイオ
ードが考えられる。ダイオードの場合、順方向の直流抵
抗はほぼゼロであるが、逆方向の直流抵抗はほぼ無限大
である。したがって、半田層のメッキの際に、ダイオー
ドは大きな直流抵抗を持ち得ると考えられるので、本願
発明の適用範囲内である。このダイオードは、具体的に
は、例えばメルフ型のリードレスダイオードである。

【００３０】

【実施例の説明】以下、本願発明の好ましい実施例を、
図面を参照しつつ具体的に説明する。

【００３１】図１は、本願発明に係るチップ型複合電子
部品の概略平面図であって、基板１上には、共通電極２
と、複数の個別電極３ａ〜３ｈと、複数の抵抗膜４ａ〜
４ｅとが形成されている。共通電極２は、１個の共通電
極本体部５と、２個の共通電極端子部６ａ，６ｂとによ
り構成されている。共通電極２の共通電極本体部５は、
基板１の幅方向中央部に位置し、基板１の長手方向に沿
ってその両端付近まで延びている。共通電極２の共通電
極端子部６ａ，６ｂのうち、一方の共通電極端子部６ａ
は、共通電極本体部５と一体に形成されており、共通電
極本体部５の一旦部から基板１の長手方向に沿う一方の
側面まで延び、さらにその側面を越えて裏面側まで延び
ている。他方の共通電極端子部６ｂは、一端部が共通電
極本体部５の他端部上に重なっており、他端部が基板１
の長手方向に沿う他方の側面まで延び、さらにその側面
を越えて裏面側まで延びている。複数の個別電極３ａ〜
３ｈのうち、個別電極３ａ〜３ｄは、基板１の長手方向
所定間隔おきに、共通電極端子部６ｂと平行に配置され
ており、一端が共通電極２の共通電極本体部５と所定間
隔をあけて対向し、他端部が基板１の長手方向に沿う他
方の側面まで延び、さらにその側面を越えて裏面側まで
延びている。複数の個別電極３ａ〜３ｈのうち、個別電
極３ｅ〜３ｈは、基板１の長手方向所定間隔おきに、共
通電極端子部６ａと平行に配置されており、一端が共通
電極２の共通電極本体部５と所定間隔をあけて対向し、
他端部が基板１の長手方向に沿う一方の側面まで延び、
さらにその側面を越えて裏面側まで延びている。すなわ
ち、個別電極３ａと共通電極端子部６ａ、個別電極３ｂ
と個別電極３ｅ、個別電極３ｃと個別電極３ｆ、個別電
極３ｄと個別電極３ｇ、共通電極端子部６ｂと個別電極
３ｈとは、それぞれ一直線上に配置されている。抵抗膜
４ａは、一端部が共通電極本体部５の一端部上に重なっ
ており、他端部が個別電極３ａの一端部上に重なってい
る。抵抗膜４ｂ，４ｃ，４ｄは、一端部が個別電極３
ｅ，３ｆ，３ｇの他端部上に重なっており、他端部が個
別電極３ｂ，３ｃ，３ｄの一端部上に重なっている。す
なわち抵抗膜４ｂ，４ｃ，４ｄの中央部は共通電極本体
部５の上に重なっている。抵抗膜４ｅは、一端部が個別
電極３ｈの他端部上に重なっており、他端部が共通電極
本体部５の他端部上に重なっている。

【００３２】すなわち、上記チップ型複合電子部品は、
回路的には図２に示すように、複数の抵抗器Ｒ１〜Ｒ８
と、複数の端子１１ａ〜１１ｊとを備えた回路構成にな
る。抵抗器Ｒ１〜Ｒ４の一端は端子１１ａ〜１１ｄに接
続されており、抵抗器Ｒ５〜Ｒ８の一端は端子１１ｇ〜
１１ｊに接続されている。抵抗器Ｒ１〜Ｒ８の他端は端
子１１ｅ，１１ｆに接続されている。端子１１ａは個別
電極３ａにより構成され、端子１１ｂは個別電極３ｂに
より構成され、端子１１ｃは個別電極３ｃにより構成さ
れ、端子１１ｄは個別電極３ｄにより構成され、端子１
１ｅは共通電極端子部６ｂにより構成され、端子１１ｆ
は共通電極端子部６ａによりう構成され、端子１１ｇは
個別電極３ｅにより構成され、端子１１ｈは個別電極３
ｆにより構成され、端子１１ｉは個別電極３ｇにより構
成され、端子１１ｊは個別電極３ｈにより構成されてい
る。また、抵抗器Ｒ１は抵抗膜４ａにより構成され、抵
抗器Ｒ２，Ｒ５は抵抗膜４ｂにより構成され、抵抗器Ｒ
３，Ｒ６は抵抗膜４ｃにより構成され、抵抗器Ｒ４，Ｒ
７は抵抗膜４ｄにより構成され、抵抗器Ｒ８は抵抗膜４
ｅにより構成されている。抵抗器Ｒ１〜Ｒ８の抵抗値
は、各々１００ＫΩである。

【００３３】上記一方の共通電極端子部６ａは、図３
（Ａ）に示すように、基板１上に形成された銀とパラジ
ウムとの合金からなる厚膜層１３ａと、厚膜層１３ａ上
にメッキされたニッケル層１４ａと、ニッケル層１４ａ
上にメッキされた錫と鉛との合金である半田層１５ａと
により構成されており、この構造は、他方の共通電極端
子部６ｂについても同様である。

【００３４】また、上記個別電極３ａは、図３（Ｂ）に
示すように、基板１上に形成された銀とパラジウムとの
合金からなる厚膜層１３ｂと、厚膜層１３ｂ上にメッキ
されたニッケル層１４ｂと、ニッケル層１４ｂ上にメッ
キされた錫と鉛との合金である半田層１５ｂとにより構
成されており、この構造は、他の個別電極３ｂ〜３ｈに
ついても同様である。

【００３５】そして、共通電極端子部６ａ，６ｂの半田
層１５ａの層厚ｔ１は、個別電極３ａ〜３ｈの半田層１
５ｂの層厚ｔ２の２．６８倍である。また、共通電極端
子部６ａ，６ｂのニッケル層１４ａの層厚ｔ３は、個別
電極３ａ〜３ｈのニッケル層１４ｂの層厚ｔ４の２．９
３倍である。なお、個別電極３ａ〜３ｈおよび共通電極
端子部６ａ，６ｂの一部と、共通電極本体部５とは、図
１に仮想線で示すように、絶縁体からなる保護層７によ
り覆われている。したがって、個別電極３ａ〜３ｈと共
通電極端子部６ａ，６ｂと共通電極本体部５との保護層
７により覆われた部分は、ニッケル層１４ａ，１４ｂお
よび半田層１５ａ，１５ｂのメッキは施されておらず、
厚膜層１３ａ，１３ｂのみが形成されている。すなわ
ち、図３（Ａ）および図３（Ｂ）は、共通電極端子部６
ａおよび個別電極３ａの保護層７により覆われていない
部分の断面を示している。

【００３６】このように、半田層１５ａの層厚ｔ１が、
半田層１５ｂの層厚ｔ２の２．６８倍と比較的小さく、
従来のチップ型複合電子部品の場合と比較して半分程度
であるので、チップ型複合電子部品を別の基板に搭載し
て半田付けしたときに、共通電極端子部６ａ，６ｂ上の
半田表面に大きな凹凸ができることがない。

【００３７】すなわち、図４Ａに示す基板１の共通電極
端子部６ａ部分を、図４Ｂに示すように、別の基板１６
のランド部１７上に載置し、例えばクリーム半田からな
るソルダーペースト１８を用いて半田付けすると、共通
電極端子部６ａの半田層１５ａが溶融してソルダーペー
スト１８と一体化する。このとき、半田層１５ａに吸蔵
されている水素イオンが錫イオンと化合し、水素ガスが
発生する。この水素ガスの多くは、ソルダーペースト１
８が溶融状態のときに外部に抜けていくのであるが、半
田層１５ａの層厚が大きいと、半田層１５ａの下部で発
生した水素ガスが、ソルダーペースト１８の固化までに
抜け出せず、ソルダーペースト１８の内部に気泡となっ
て残留してしまう。この気泡のために、ソルダーペース
ト１８の表面すなわち共通電極端子部６ａ上の半田表面
に大きな凹凸ができる。しかしながら、本実施例のよう
に、半田層１５ａの層厚が小さい場合、発生した水素ガ
スが、ソルダーペースト１８が固化するまでに十分に抜
け出してしまうので、気泡が残留せず、ソルダーペース
ト１８の表面すなわち共通電極端子部６ａ上の半田表面
に大きな凹凸ができることがない。

【００３８】したがって、例えば、ソルダーペースト１
８の表面すなわち共通電極端子部６ａ上の半田表面の光
の反射により、チップ型複合電子部品の存在の有無、位
置、姿勢などを自動検出するような場合に、誤検出の原
因になるようなことがない。

【００３９】また、ニッケル層１４ａの層厚ｔ３が、ニ
ッケル層１４ｂの層厚ｔ４の２．９３倍と比較的小さ
く、従来のチップ型複合電子部品の場合と比較して３／
４程度であるので、半田付後の温度サイクルによりニッ
ケル層１４ａが熱応力を受けて変形し、厚膜層１３ａを
持ち上げて厚膜層１３ａを破壊してしまうというような
ことがない。

【００４０】本実施例のチップ型複合電子部品は、図５
および図６に概略構成を示すようなメッキ用バレル装置
によりニッケル層１４ａ，１４ｂや半田層１５ａ，１５
ｂをメッキすることにより得られる。このメッキ用バレ
ル装置は、メッキ用バレル本体２１の内部に、例えば５
枚の攪拌板２２ａ〜２２ｅを備えており、これら攪拌板
２２ａ〜２２ｅは、メッキ用バレル本体２１の回転中心
と攪拌板２２ａ〜２２ｅの中心とを通る直線に直交する
直線に対して所定角度傾斜している。具体的に述べる
と、図５に示すように、メッキ用バレル本体２１の回転
中心ａと例えば攪拌板２２ａの中心ｂとを通る直線ｃに
直交する直線ｄに対して、攪拌板２２ａは、角度θだけ
傾斜している。この傾斜角度θは、攪拌板２２ｂ〜２２
ｅについても同様である。したがって、メッキ用バレル
本体２１に多数のチップ型複合電子部品やスチールショ
ットやセラミックボールなどを投入して、メッキ用バレ
ル本体２１を図５に示す矢印Ａ方向に回転させると、重
力によりメッキ用バレル本体２１の下部に溜まったチッ
プ型複合電子部品などが攪拌板２２ａ〜２２ｅにより掬
い上げられ、十分に攪拌されることから、チップ型複合
電子部品やスチールショットやセラミックボールなどが
層状に分離してしまうことがない。

【００４１】このため、メッキ用バレル本体２１内の多
数のチップ型複合電子部品のニッケル層１４ａ，１４ｂ
や半田層１５ａ，１５ｂの形成速度に、個体によるばら
つきがほとんどなくなり、形成速度の比較的遅いチップ
型複合電子部品のニッケル層１４ａ，１４ｂや半田層１
５ａ，１５ｂの層厚を規定の大きさにしても、形成速度
の比較的速いチップ型複合電子部品のニッケル層１４
ａ，１４ｂや半田層１５ａ，１５ｂの層厚が大きくなり
過ぎるということがない。また、各々のチップ型複合電
子部品において、抵抗値が大きい抵抗膜４ａ〜４ｅに接
続された個別電極３ａ〜３ｈの方がニッケル層１４ｂや
半田層１５ｂが形成され難いが、個別電極３ａ〜３ｈの
ニッケル層１４ｂや半田層１５ｂの層厚を規定の大きさ
にしても、抵抗値が極めて小さい共通電極２のニッケル
層１４ａや半田層１５ａの層厚が異常に大きくなるとい
うことがない。

【００４２】上記のようなメッキ用バレル装置と、攪拌
板２２ａ〜２２ｅを備えていないメッキ用バレル装置と
を用いて、それぞれについて多数のチップ型複合電子部
品のニッケル層１４ａ，１４ｂおよび半田層１５ａ，１
５ｂをメッキし、共通電極２のニッケル層１４ａおよび
半田層１５ａの層厚の平均と個別電極３ａ〜３ｈのニッ
ケル層１４ｂおよび半田層１５ｂの層厚の平均との比を
計算したところ、図７に示すようになった。すなわち、
攪拌板２２ａ〜２２ｅを備えたメッキ用バレル装置を用
いた場合、半田層については、抵抗器Ｒ１〜Ｒ８の抵抗
値が１０ＫΩの場合は２．３３であり、４７ＫΩの場合
は２．３７であり、１００ＫΩの場合は２．６８であっ
た。また、攪拌板２２ａ〜２２ｅを備えたメッキ用バレ
ル装置を用いた場合、ニッケル層については、抵抗器Ｒ
１〜Ｒ８の抵抗値が１０ＫΩの場合は２．３５であり、
４７ＫΩの場合は３．２０であり、１００ＫΩの場合は
２．９３であった。図７からも明らかなように、上記の
ような攪拌板２２ａ〜２２ｅを備えたメッキ用バレル装
置を用いた場合、抵抗器Ｒ１〜Ｒ８の抵抗値が４７ＫΩ
以上であり、共通電極２の半田層１５ａの層厚が、個別
電極３ａ〜３ｈの半田層１５ｂの層厚の２．９倍以内で
あるチップ型複合電子部品を、歩留りよく得られる。ま
た、抵抗器Ｒ１〜Ｒ８の抵抗値が４７ＫΩ以上であり、
共通電極２のニッケル層１４ａの層厚が、個別電極３ａ
〜３ｈのニッケル層１４ｂの層厚の３．２倍以内である
チップ型複合電子部品を、歩留りよく得られる。

【００４３】なお、上記実施例では、個別電極３ａ〜３
ｈと共通電極２との間に各々介装された素子が、抵抗膜
４ａ〜４ｅからなる相互に抵抗値の等しい抵抗器Ｒ１〜
Ｒ８である例について説明したが、抵抗器Ｒ１〜Ｒ８の
抵抗値は必ずしも相互に等しくなくてもよく、最小の抵
抗値が４７ＫΩ以上であればよい。また、個別電極３ａ
〜３ｈと共通電極２との間に各々介装された素子は、十
分に充電されたときの直流抵抗が４７ＫΩ以上であるキ
ャパシタであってもよい。あるいは、逆方向の直流抵抗
が４７ＫΩ以上であるダイオードであってもよい。キャ
パシタやダイオードの場合、常に直流抵抗が４７ＫΩ以
上というわけではないが、充電状態や極性によって、直
流抵抗が４７ＫΩ以上の高抵抗になるので、共通電極２
のニッケル層１４ａおよび半田層１５ａの層厚と個別電
極３ａ〜３ｈのニッケル層１４ｂおよび半田層１５ｂの
層厚とに差が生じる。攪拌板２２ａ〜２２ｅを備えた上
記メッキ用バレル装置を用いてニッケル層１４ａ，１４
ｂおよび半田層１５ａ，１５ｂをメッキすることによ
り、この差が小さくなる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本願発明に係るチップ型複合電子部品の概略平
面図である。

【図２】本願発明に係るチップ型複合電子部品の電気回
路図である。

【図３】本願発明に係るチップ型複合電子部品の共通電
極端子部分および個別電極部分の概略断面図である。

【図４】本願発明に係るチップ型複合電子部品の共通電
極端子部分の半田付け前後の概略断面図である。

【図５】本願発明に係るチップ型複合電子部品の電極部
分に半田メッキを施すためのメッキ用バレル装置の概略
断面図である。

【図６】本願発明に係るチップ型複合電子部品の電極部
分に半田メッキを施すためのメッキ用バレル装置の概略
外観斜視図である。

【図７】チップ型複合電子部品の共通電極部分の半田層
の層厚と個別電極部分の半田層の層厚との比の説明図で
ある。

【符号の説明】

１ 基板 ２ 共通電極 ３ａ〜３ｈ 個別電極 ４ａ〜４ｅ 抵抗膜 １４ａ，１４ｂ ニッケル層 １５ａ，１５ｂ 半田層 Ｒ１〜Ｒ８ 抵抗器

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に、共通電極と、複数の個別電極
   と、各個別電極と前記共通電極との間に各々介装された
   素子とを形成し、前記共通電極および個別電極の表面
   に、最外層が半田層であるメッキを施したチップ型複合
   電子部品であって、前記各素子の直流抵抗が４７ＫΩ以
   上であり、前記共通電極の半田層の層厚が、前記各個別
   電極の半田層の層厚の２．９倍以下であることを特徴と
   する、チップ型複合電子部品。
2. 【請求項２】 各個別電極と共通電極との間に各々介装
   された素子は、抵抗膜からなり相互に抵抗値の等しい抵
   抗器であることを特徴とする、請求項１に記載のチップ
   型複合電子部品。
3. 【請求項３】 各個別電極と共通電極との間に各々介装
   された素子は、十分に充電されたときの直流抵抗が４７
   ＫΩ以上であるキャパシタであることを特徴とする、請
   求項１に記載のチップ型複合電子部品。
4. 【請求項４】 各個別電極と共通電極との間に各々介装
   された素子は、逆方向の直流抵抗が４７ＫΩ以上である
   ダイオードであることを特徴とする、請求項１に記載の
   チップ型複合電子部品。
5. 【請求項５】 基板上に、共通電極と、複数の個別電極
   と、各個別電極と前記共通電極との間に各々介装された
   素子とを形成し、前記共通電極および個別電極の表面
   に、ニッケル層を含むメッキを施したチップ型複合電子
   部品であって、前記各素子の直流抵抗が４７ＫΩ以上で
   あり、前記共通電極のニッケル層の層厚が、前記各個別
   電極のニッケル層の層厚の３．２倍以下であることを特
   徴とする、チップ型複合電子部品。