JPH0864464A - チップ型セラミック電子部品の製造方法 - Google Patents
チップ型セラミック電子部品の製造方法Info
- Publication number
- JPH0864464A JPH0864464A JP20199494A JP20199494A JPH0864464A JP H0864464 A JPH0864464 A JP H0864464A JP 20199494 A JP20199494 A JP 20199494A JP 20199494 A JP20199494 A JP 20199494A JP H0864464 A JPH0864464 A JP H0864464A
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- Japan
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- glass frit
- electronic component
- ceramic electronic
- external electrode
- type ceramic
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 耐熱衝撃性を損なうことなく、耐基板曲げ性
を向上させたチップ型セラミック電子部品を提供するこ
とを目的とするものである。 【構成】 セラミック素子本体１に、ガラスフリットを
含有させた外部電極２用ペーストを塗布し、ガラスフリ
ットの軟化点より、１００〜１５０℃高い温度で焼成
し、１０μｍ以下の厚みのガラス拡散層３を形成するも
のである。
を向上させたチップ型セラミック電子部品を提供するこ
とを目的とするものである。 【構成】 セラミック素子本体１に、ガラスフリットを
含有させた外部電極２用ペーストを塗布し、ガラスフリ
ットの軟化点より、１００〜１５０℃高い温度で焼成
し、１０μｍ以下の厚みのガラス拡散層３を形成するも
のである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はチップ型セラミック電子
部品の製造方法に関するものである。
部品の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】チップ型セラミック電子部品は面実装部
品のため、部品の耐基板曲げ性は信頼性を保証する上で
重要な特性である。従来、図２に示すような面実装した
チップ型セラミック電子部品１１に、過度の実装基板１
２の曲げによりランド１３、半田１４を介して引っ張り
応力が発生し、部品を破壊するのを防ぐために、ガラス
フリットを多く含んだ外部電極用ペーストをセラミック
素子本体に塗布し、高い温度で焼成し、外部電極とセラ
ミック素子本体との固着力を向上させていた。
品のため、部品の耐基板曲げ性は信頼性を保証する上で
重要な特性である。従来、図２に示すような面実装した
チップ型セラミック電子部品１１に、過度の実装基板１
２の曲げによりランド１３、半田１４を介して引っ張り
応力が発生し、部品を破壊するのを防ぐために、ガラス
フリットを多く含んだ外部電極用ペーストをセラミック
素子本体に塗布し、高い温度で焼成し、外部電極とセラ
ミック素子本体との固着力を向上させていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の構成では、外部
電極の焼成温度が高いために、外部電極用ペースト中の
ガラスフリットがセラミック素子本体に過度に拡散して
しまい、セラミック素子本体の表面に、セラミック素子
本体と熱膨張率の異なる厚いガラス拡散層が形成され
る。その結果、はんだ付けなどの熱衝撃に対して、図３
に示すようなクラック１５を生じるという問題点を有し
ていた。
電極の焼成温度が高いために、外部電極用ペースト中の
ガラスフリットがセラミック素子本体に過度に拡散して
しまい、セラミック素子本体の表面に、セラミック素子
本体と熱膨張率の異なる厚いガラス拡散層が形成され
る。その結果、はんだ付けなどの熱衝撃に対して、図３
に示すようなクラック１５を生じるという問題点を有し
ていた。
【０００４】本発明は耐基板曲げ性を耐熱衝撃性を損な
うことなく向上させたチップ型セラミック電子部品を提
供することを目的とするものである。
うことなく向上させたチップ型セラミック電子部品を提
供することを目的とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明は、セラミック素子本体にガラスフリットを含
んだ外部電極用ペーストを塗布し、次に、ガラスフリッ
トの軟化点よりも１００〜１５０℃高い温度で焼成する
ものである。
に本発明は、セラミック素子本体にガラスフリットを含
んだ外部電極用ペーストを塗布し、次に、ガラスフリッ
トの軟化点よりも１００〜１５０℃高い温度で焼成する
ものである。
【０００６】
【作用】この方法により、ガラスフリットの流動性を制
御し、ガラスフリットの拡散をセラミック本体の表面か
ら１０μｍ以下の範囲に抑えることが可能となる。その
結果、セラミック素子本体と熱膨張率の異なるガラス拡
散層の厚さは、従来と比較すると薄いので、はんだ付け
などの熱衝撃に対してクラックの発生を防ぐことがで
き、耐基板曲げ性を耐熱衝撃性を損なうことなく向上さ
せたチップ型セラミック電子部品を提供することができ
る。
御し、ガラスフリットの拡散をセラミック本体の表面か
ら１０μｍ以下の範囲に抑えることが可能となる。その
結果、セラミック素子本体と熱膨張率の異なるガラス拡
散層の厚さは、従来と比較すると薄いので、はんだ付け
などの熱衝撃に対してクラックの発生を防ぐことがで
き、耐基板曲げ性を耐熱衝撃性を損なうことなく向上さ
せたチップ型セラミック電子部品を提供することができ
る。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の一実施例について積層セラミ
ックコンデンサを例に説明する。
ックコンデンサを例に説明する。
【０００８】まず、セラミック素子本体１に導電性金属
粉末とガラスフリット樹脂溶剤からなる外部電極用ペー
ストを塗布する。このとき用いるガラスフリットは、酸
化鉛（ＰｂＯ）の含有率が４０％のホウケイ酸鉛系のガ
ラスフリットである。次に、外部電極用ペースト塗布済
みのセラミック素子本体１をトンネル炉を用いて焼成し
て、図２に示すようにセラミック素子本体１の外部電極
２と接する表面にガラス拡散層３を有する積層セラミッ
クコンデンサを得る。
粉末とガラスフリット樹脂溶剤からなる外部電極用ペー
ストを塗布する。このとき用いるガラスフリットは、酸
化鉛（ＰｂＯ）の含有率が４０％のホウケイ酸鉛系のガ
ラスフリットである。次に、外部電極用ペースト塗布済
みのセラミック素子本体１をトンネル炉を用いて焼成し
て、図２に示すようにセラミック素子本体１の外部電極
２と接する表面にガラス拡散層３を有する積層セラミッ
クコンデンサを得る。
【０００９】（表１）に、積層セラミックコンデンサの
焼成温度、ガラス拡散層３の厚み、引っ張り強度、耐基
板曲げ性、半田耐熱性の試験結果を示す。
焼成温度、ガラス拡散層３の厚み、引っ張り強度、耐基
板曲げ性、半田耐熱性の試験結果を示す。
【００１０】
【表１】
【００１１】ここで、本実施例においては、軟化点が６
００℃のガラスフリットを用いた。積層セラミックコン
デンサの製品特性として、引っ張り強度については２kg
以上、耐基板曲げ性については２mm以上必要であり、半
田耐熱性については、１００個の積層セラミックコンデ
ンサを３３０℃の半田槽に浸漬してもクラックの発生が
確認されないことが必要条件である。（表１）からわか
るように、焼成温度が外部電極用ペースト中のガラスフ
リットの軟化点＋１５０℃より高いときは半田耐熱性が
劣化し、外部電極用ペースト中のガラスフリットの軟化
点＋１００℃より低いときは、引っ張り強度及び耐基板
曲げ性に課題を生じる。
００℃のガラスフリットを用いた。積層セラミックコン
デンサの製品特性として、引っ張り強度については２kg
以上、耐基板曲げ性については２mm以上必要であり、半
田耐熱性については、１００個の積層セラミックコンデ
ンサを３３０℃の半田槽に浸漬してもクラックの発生が
確認されないことが必要条件である。（表１）からわか
るように、焼成温度が外部電極用ペースト中のガラスフ
リットの軟化点＋１５０℃より高いときは半田耐熱性が
劣化し、外部電極用ペースト中のガラスフリットの軟化
点＋１００℃より低いときは、引っ張り強度及び耐基板
曲げ性に課題を生じる。
【００１２】なお、実装基板への半田付け性を保証する
ために、積層セラミックコンデンサの外部電極２の表面
に、メッキ処理を行っても良い。
ために、積層セラミックコンデンサの外部電極２の表面
に、メッキ処理を行っても良い。
【００１３】また、本実施例では、ホウケイ酸鉛系のガ
ラスフリットを用いているが、他のガラスフリットの種
類でも可能である。但し、外部電極の焼成温度におけ
る、ガラスフリットの流動性を容易に制御する上で、ホ
ウケイ酸鉛系が望ましい。その際、ＰｂＯの含有率がガ
ラスフリットに対して４０ｗｔ％を越えるものでは、ガ
ラスの焼成温度に対する流動性が著しく増大するので、
外部電極の焼成温度によるセラミック拡散層のコントロ
ールは容易ではない。よって、ＰｂＯの含有率をガラス
フリットに対して４０ｗｔ％以下に抑えることが望まし
い。また、ガラスフリット量は外部電極とセラミックの
固着力を保証する上で導電性金属粉末に対して４ｗｔ％
以上必要であるが、１０ｗｔ％を越えると半田付け等の
熱衝撃に対してクラックが発生し易いという課題があ
り、また、焼成後外部電極表面にガラスフリットが浮き
出てしまいプリント基板への半田付け性を保証すること
が困難となる。
ラスフリットを用いているが、他のガラスフリットの種
類でも可能である。但し、外部電極の焼成温度におけ
る、ガラスフリットの流動性を容易に制御する上で、ホ
ウケイ酸鉛系が望ましい。その際、ＰｂＯの含有率がガ
ラスフリットに対して４０ｗｔ％を越えるものでは、ガ
ラスの焼成温度に対する流動性が著しく増大するので、
外部電極の焼成温度によるセラミック拡散層のコントロ
ールは容易ではない。よって、ＰｂＯの含有率をガラス
フリットに対して４０ｗｔ％以下に抑えることが望まし
い。また、ガラスフリット量は外部電極とセラミックの
固着力を保証する上で導電性金属粉末に対して４ｗｔ％
以上必要であるが、１０ｗｔ％を越えると半田付け等の
熱衝撃に対してクラックが発生し易いという課題があ
り、また、焼成後外部電極表面にガラスフリットが浮き
出てしまいプリント基板への半田付け性を保証すること
が困難となる。
【００１４】なお、本実施例においては、積層セラミッ
クコンデンサを例に説明したが、サーミスタ、バリス
タ、チップ抵抗など、面実装するセラミック電子部品に
おいても同様の効果が得られるものである。
クコンデンサを例に説明したが、サーミスタ、バリス
タ、チップ抵抗など、面実装するセラミック電子部品に
おいても同様の効果が得られるものである。
【００１５】
【発明の効果】以上ように、外部電極用ペーストの焼成
温度を外部電極中のガラスフリットの軟化点より１００
〜１５０℃高い温度にすることによって、ガラスフリッ
トの流動性を制御し、セラミック素子本体へのガラスフ
リットの拡散をセラミック素子本体から１０ミクロン以
下の範囲に抑えることが可能となり、チップ型セラミッ
ク電子部品の耐基板曲げ性を耐熱衝撃性を損なうことな
く向上することができる。また、この時、外部電極用ペ
ースト中のガラスフリットの含有率を導電性金属粉末に
対して４〜１０ｗｔ％とすることによって、耐熱衝撃性
及び外部電極とセラミック素子本体との固着力をさらに
向上させることが可能となる。また、ホウケイ酸鉛系の
ガラスフリットで、かつ、ＰｂＯの含有率をガラスフリ
ットに対し４０ｗｔ％以下に抑えることによって、ガラ
スフリットの流動性をさらに容易に制御することが可能
となり、セラミック素子本体へのガラスの拡散を表面か
ら１０ミクロン以下に抑えることが容易に可能となっ
た。
温度を外部電極中のガラスフリットの軟化点より１００
〜１５０℃高い温度にすることによって、ガラスフリッ
トの流動性を制御し、セラミック素子本体へのガラスフ
リットの拡散をセラミック素子本体から１０ミクロン以
下の範囲に抑えることが可能となり、チップ型セラミッ
ク電子部品の耐基板曲げ性を耐熱衝撃性を損なうことな
く向上することができる。また、この時、外部電極用ペ
ースト中のガラスフリットの含有率を導電性金属粉末に
対して４〜１０ｗｔ％とすることによって、耐熱衝撃性
及び外部電極とセラミック素子本体との固着力をさらに
向上させることが可能となる。また、ホウケイ酸鉛系の
ガラスフリットで、かつ、ＰｂＯの含有率をガラスフリ
ットに対し４０ｗｔ％以下に抑えることによって、ガラ
スフリットの流動性をさらに容易に制御することが可能
となり、セラミック素子本体へのガラスの拡散を表面か
ら１０ミクロン以下に抑えることが容易に可能となっ
た。
【図１】本発明の一実施例における積層セラミックコン
デンサの断面図
デンサの断面図
【図２】基板上に半田付けしたチップ型セラミック電子
部品が基板の曲げにより破壊した状態を示す断面図
部品が基板の曲げにより破壊した状態を示す断面図
【図３】基板上に半田付けしたチップ型セラミック電子
部品にクラックが発生したときの状態を示す斜視図
部品にクラックが発生したときの状態を示す斜視図
１ セラミック素子本体 ２ 外部電極 ３ ガラス拡散層
Claims (4)
- 【請求項１】 セラミック素子本体にガラスフリットを
含有させた外部電極用ペーストを塗布し、次に、前記ガ
ラスフリットの軟化点より１００〜１５０℃高い温度で
焼成するチップ型セラミック電子部品の製造方法。 - 【請求項２】 外部電極用ペーストは、導電性金属粉に
対してガラスフリットを４〜１０ｗｔ％含有する請求項
１記載のチップ型セラミック電子部品の製造方法。 - 【請求項３】 ガラスフリットとして、ホウケイ酸鉛系
のガラスフリットを用いる請求項１記載のチップ型セラ
ミック電子部品の製造方法。 - 【請求項４】 ＰｂＯの含有率は、４０ｗｔ％以下であ
るガラスフリットを用いる請求項３記載のチップ型セラ
ミック電子部品の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20199494A JPH0864464A (ja) | 1994-08-26 | 1994-08-26 | チップ型セラミック電子部品の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20199494A JPH0864464A (ja) | 1994-08-26 | 1994-08-26 | チップ型セラミック電子部品の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0864464A true JPH0864464A (ja) | 1996-03-08 |
Family
ID=16450184
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20199494A Pending JPH0864464A (ja) | 1994-08-26 | 1994-08-26 | チップ型セラミック電子部品の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0864464A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005039179A (ja) * | 2003-06-30 | 2005-02-10 | Kyocera Corp | セラミック電子部品およびその製造方法 |
| CN103996537A (zh) * | 2013-02-20 | 2014-08-20 | 三星电机株式会社 | 多层陶瓷电子元件及其制备方法 |
| JP2014160792A (ja) * | 2013-02-20 | 2014-09-04 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 積層セラミック電子部品 |
-
1994
- 1994-08-26 JP JP20199494A patent/JPH0864464A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005039179A (ja) * | 2003-06-30 | 2005-02-10 | Kyocera Corp | セラミック電子部品およびその製造方法 |
| CN103996537A (zh) * | 2013-02-20 | 2014-08-20 | 三星电机株式会社 | 多层陶瓷电子元件及其制备方法 |
| KR20140104279A (ko) * | 2013-02-20 | 2014-08-28 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 전자 부품 |
| JP2014160792A (ja) * | 2013-02-20 | 2014-09-04 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 積層セラミック電子部品 |
| JP2014160793A (ja) * | 2013-02-20 | 2014-09-04 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 積層セラミック電子部品 |
| JP2018029215A (ja) * | 2013-02-20 | 2018-02-22 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． | 積層セラミック電子部品 |
| CN103996537B (zh) * | 2013-02-20 | 2018-06-05 | 三星电机株式会社 | 多层陶瓷电子元件及其制备方法 |
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