JPH04307913A - 固体電解コンデンサの製造方法 - Google Patents
固体電解コンデンサの製造方法Info
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- JPH04307913A JPH04307913A JP10049291A JP10049291A JPH04307913A JP H04307913 A JPH04307913 A JP H04307913A JP 10049291 A JP10049291 A JP 10049291A JP 10049291 A JP10049291 A JP 10049291A JP H04307913 A JPH04307913 A JP H04307913A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半田耐熱性の良好な固体
電解コンデンサの製造方法に関する。
電解コンデンサの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に固体電解コンデンサの素子は、弁
作用金属からなる陽極基体に酸化皮膜層を形成し、この
酸化皮膜層の外面に対向電極として二酸化マンガンなど
の半導体層を形成している。さらに接触抵抗を減らすた
めに導電ペースト等の層を設けて導電体層を形成してい
る。そして、この固体電解コンデンサの素子は、耐熱性
や耐湿性を付与するために、一般にエポキシ樹脂やフェ
ノール樹脂等の高分子の封止材料で外装が施されている
。またこのようにして作製された固体電解コンデンサは
、他の電子部品と共に半田等によって基板に実装され実
用に供されている。
作用金属からなる陽極基体に酸化皮膜層を形成し、この
酸化皮膜層の外面に対向電極として二酸化マンガンなど
の半導体層を形成している。さらに接触抵抗を減らすた
めに導電ペースト等の層を設けて導電体層を形成してい
る。そして、この固体電解コンデンサの素子は、耐熱性
や耐湿性を付与するために、一般にエポキシ樹脂やフェ
ノール樹脂等の高分子の封止材料で外装が施されている
。またこのようにして作製された固体電解コンデンサは
、他の電子部品と共に半田等によって基板に実装され実
用に供されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】前述した固体電解コン
デンサの実装時の半田温度は、一般に220〜230℃
以上あるため、固体電解コンデンサの素子自身にも20
0℃前後の温度が加わり、その結果、固体電解コンデン
サのESR値が大きくなるという問題があった。
デンサの実装時の半田温度は、一般に220〜230℃
以上あるため、固体電解コンデンサの素子自身にも20
0℃前後の温度が加わり、その結果、固体電解コンデン
サのESR値が大きくなるという問題があった。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明は、前述した問題
点を解決するためになされたものであって、その要旨は
弁作用を有する金属からなる陽極基体の表面に、誘電体
酸化皮膜層、その上に半導体層、さらにその上に導電体
層を順次形成して積層構造体とした後、この構造体を外
装樹脂によって外装する固体電解コンデンサの製造方法
において、樹脂を含有する導電ペーストからなる前記導
電体層を200℃以上で乾燥硬化して固体電解コンデン
サを製造する方法にある。
点を解決するためになされたものであって、その要旨は
弁作用を有する金属からなる陽極基体の表面に、誘電体
酸化皮膜層、その上に半導体層、さらにその上に導電体
層を順次形成して積層構造体とした後、この構造体を外
装樹脂によって外装する固体電解コンデンサの製造方法
において、樹脂を含有する導電ペーストからなる前記導
電体層を200℃以上で乾燥硬化して固体電解コンデン
サを製造する方法にある。
【0005】以下、本発明の固体電解コンデンサの製造
方法について説明する。本発明の固体電解コンデンサの
陽極として用いられる弁金属基体としては、例えばアル
ミニウム、タンタル、チタン、ニオブおよびこれらを基
質とする合金等弁作用を有する金属がいずれも使用でき
る。
方法について説明する。本発明の固体電解コンデンサの
陽極として用いられる弁金属基体としては、例えばアル
ミニウム、タンタル、チタン、ニオブおよびこれらを基
質とする合金等弁作用を有する金属がいずれも使用でき
る。
【0006】陽極基体の表面に形成する誘電体酸化皮膜
層は、陽極基体表層部分に設けられた陽極基体自体の酸
化物層であっても良く、あるいは陽極基体の表面上に設
けられた他の誘電体酸化物の層であってもよいが、特に
陽極弁金属自体の酸化物からなる層であることが望まし
い。いずれの場合にも酸化物層を設ける方法としては、
従来公知の方法を用いることができる。
層は、陽極基体表層部分に設けられた陽極基体自体の酸
化物層であっても良く、あるいは陽極基体の表面上に設
けられた他の誘電体酸化物の層であってもよいが、特に
陽極弁金属自体の酸化物からなる層であることが望まし
い。いずれの場合にも酸化物層を設ける方法としては、
従来公知の方法を用いることができる。
【0007】また、本発明において使用する半導体層の
組成および作製方法に特に制限はないが、コンデンサの
性能を高めるためには二酸化鉛もしくは二酸化鉛と硫酸
鉛を主成分として、従来公知の化学的析出法あるいは、
電気化学的析出法で作製するのが好ましい。
組成および作製方法に特に制限はないが、コンデンサの
性能を高めるためには二酸化鉛もしくは二酸化鉛と硫酸
鉛を主成分として、従来公知の化学的析出法あるいは、
電気化学的析出法で作製するのが好ましい。
【0008】化学的析出法としては、例えば本願出願人
の出願による鉛含有化合物と酸化剤を含んだ反応母液か
ら化学的に析出させる方法(特開昭63−51621号
公報)、電気化学的析出法としては高濃度の鉛含有化合
物を含んだ電解液中で電解酸化により析出させる方法(
特開昭62−185307号公報)などを採用すること
ができる。
の出願による鉛含有化合物と酸化剤を含んだ反応母液か
ら化学的に析出させる方法(特開昭63−51621号
公報)、電気化学的析出法としては高濃度の鉛含有化合
物を含んだ電解液中で電解酸化により析出させる方法(
特開昭62−185307号公報)などを採用すること
ができる。
【0009】次に導電体層は、半導体層上の全面に樹脂
を含有している導電ペーストを塗布するか、半導体層ま
で形成した素子を導電ペースト浴に浸漬させて形成する
。そしてこれらの導電ペーストはパラジウム、金、白金
、銀、ニッケル、銅、銀コート銅、銀コートニッケル等
の金属粉またはこれらの合金粉を1種以上と、樹脂とを
前者が10〜97重量%になるように混合したものが好
適に用いられる。
を含有している導電ペーストを塗布するか、半導体層ま
で形成した素子を導電ペースト浴に浸漬させて形成する
。そしてこれらの導電ペーストはパラジウム、金、白金
、銀、ニッケル、銅、銀コート銅、銀コートニッケル等
の金属粉またはこれらの合金粉を1種以上と、樹脂とを
前者が10〜97重量%になるように混合したものが好
適に用いられる。
【0010】樹脂としてはアクリル系樹脂、フッ素系樹
脂、エステル系樹脂、ジエン系樹脂、エポキシ系樹脂等
の市販の何れの樹脂でも使用できるが、その際、作業性
を良くするために粘度調節用として酢酸アミル、酢酸メ
トキシエチル、キシレン等の沸点が50〜160℃前後
の溶剤を添加しても良い。また本願出願人の出願による
特開昭63−119105号公報に記載してあるように
金属酸化物粉をも加えた導電ペーストを使用しても良い
。なお、上述の導電ペーストからなる導電体層を形成す
る前に半導体層上にカーボンペーストを付着させても良
く、異種の導電ペーストを積層しても良い。
脂、エステル系樹脂、ジエン系樹脂、エポキシ系樹脂等
の市販の何れの樹脂でも使用できるが、その際、作業性
を良くするために粘度調節用として酢酸アミル、酢酸メ
トキシエチル、キシレン等の沸点が50〜160℃前後
の溶剤を添加しても良い。また本願出願人の出願による
特開昭63−119105号公報に記載してあるように
金属酸化物粉をも加えた導電ペーストを使用しても良い
。なお、上述の導電ペーストからなる導電体層を形成す
る前に半導体層上にカーボンペーストを付着させても良
く、異種の導電ペーストを積層しても良い。
【0011】前述の導電ペーストを用いて半導体層上に
形成した導電体層はまず、素子を乾燥器中またはトンネ
ル炉などを通過させ、通常60〜180℃前後の温度で
乾燥、硬化させる。そしてこの乾燥、硬化させる時間は
数10分〜数時間である。この乾燥、硬化の工程は溶剤
を使用した場合は溶剤を主に除去するためであり、また
使用しない場合は樹脂を硬化させるためである。
形成した導電体層はまず、素子を乾燥器中またはトンネ
ル炉などを通過させ、通常60〜180℃前後の温度で
乾燥、硬化させる。そしてこの乾燥、硬化させる時間は
数10分〜数時間である。この乾燥、硬化の工程は溶剤
を使用した場合は溶剤を主に除去するためであり、また
使用しない場合は樹脂を硬化させるためである。
【0012】次に前述の乾燥、硬化の工程の後に、さら
に200℃以上の温度で導電体層を乾燥、硬化すること
が本発明では肝要である。本工程で導電体層を乾燥、硬
化する温度が200℃より低いと作製した固体電解コン
デンサを半田で基板に実装した場合にESR値が大きく
なる。
に200℃以上の温度で導電体層を乾燥、硬化すること
が本発明では肝要である。本工程で導電体層を乾燥、硬
化する温度が200℃より低いと作製した固体電解コン
デンサを半田で基板に実装した場合にESR値が大きく
なる。
【0013】このようにして樹脂を含む導電ペーストを
200℃以上の温度で乾燥硬化して導電体層が形成され
た素子は外装樹脂に、例えばエポキシ樹脂、フェノール
樹脂等の公知の高分子を用いて、ディッピング、キャス
ティング、モールディング、ポッティング、粉体塗装等
の公知の方法で外装し、固体電解コンデンサとして製品
化される。
200℃以上の温度で乾燥硬化して導電体層が形成され
た素子は外装樹脂に、例えばエポキシ樹脂、フェノール
樹脂等の公知の高分子を用いて、ディッピング、キャス
ティング、モールディング、ポッティング、粉体塗装等
の公知の方法で外装し、固体電解コンデンサとして製品
化される。
【0014】
【作用】樹脂を含有する導電ペーストを用いて形成され
た導電体層を200℃以上の温度で乾燥、硬化すること
によって作製した固体電解コンデンサを半田によって基
板等に実装する時に、導電体層中の樹脂成分の熱変形を
緩和することができ、その結果、半導体層と導電体層と
の剥離の発生が防止され、ESR値の増大を抑止するも
のと考えられる。
た導電体層を200℃以上の温度で乾燥、硬化すること
によって作製した固体電解コンデンサを半田によって基
板等に実装する時に、導電体層中の樹脂成分の熱変形を
緩和することができ、その結果、半導体層と導電体層と
の剥離の発生が防止され、ESR値の増大を抑止するも
のと考えられる。
【0015】
【実施例】以下、実施例および比較例を示して、本発明
をさらに詳しく説明する。 実施例1〜4 比較例1〜4 交流により箔の表面を電気化学的にエッチング処理した
アルミニウム箔から長さ5mm、幅3mmの小片を切り
出し、陽極端子を接続した。次いで、りん酸とりん酸ア
ンモニウムの水溶液中で電気化学的に処理してアルミナ
の酸化皮膜を形成し、低圧用エッチングアルミニウム化
成箔(約48μF /cm2 )を得た。
をさらに詳しく説明する。 実施例1〜4 比較例1〜4 交流により箔の表面を電気化学的にエッチング処理した
アルミニウム箔から長さ5mm、幅3mmの小片を切り
出し、陽極端子を接続した。次いで、りん酸とりん酸ア
ンモニウムの水溶液中で電気化学的に処理してアルミナ
の酸化皮膜を形成し、低圧用エッチングアルミニウム化
成箔(約48μF /cm2 )を得た。
【0016】この化成箔のうち長さ3mm、幅3mmの
部分を酢酸鉛三水和物1.0モル/lの水溶液に浸漬し
た。 この化成箔を陽極側に、別に用意した白金箔を陰極側と
して3Vで電解酸化を行った。3時間後、化成箔上に形
成された二酸化鉛からなる半導体層を水洗して未反応物
を除いた後、120℃で1時間減圧乾燥した。
部分を酢酸鉛三水和物1.0モル/lの水溶液に浸漬し
た。 この化成箔を陽極側に、別に用意した白金箔を陰極側と
して3Vで電解酸化を行った。3時間後、化成箔上に形
成された二酸化鉛からなる半導体層を水洗して未反応物
を除いた後、120℃で1時間減圧乾燥した。
【0017】次に市販の銀ペースト(ポリブタジエン1
5%、銀85%)に酢酸アミルを添加した導電ペースト
を半導体層上に塗布し導電体層を形成した。まず、この
導電体層を80℃で20分、120℃で30分、155
℃で30分乾燥した。次に表1で示す温度でそれぞれ乾
燥硬化し、200℃以上を実施例1〜4、200℃未満
を比較例1〜4とした。
5%、銀85%)に酢酸アミルを添加した導電ペースト
を半導体層上に塗布し導電体層を形成した。まず、この
導電体層を80℃で20分、120℃で30分、155
℃で30分乾燥した。次に表1で示す温度でそれぞれ乾
燥硬化し、200℃以上を実施例1〜4、200℃未満
を比較例1〜4とした。
【0018】このようにして作製した8種類の固体電解
コンデンサの素子について、導電体層を形成した部分と
半導体層を形成していない部分を別に容易したリードフ
レームの凸部に、前者は銀ペーストで後者は熔接で接続
した。さらに前記リードフレームを金型に取りつけ、ト
ランスファーモールドプレスによりエポキシ樹脂でモー
ルド成型しチップ状の固体電解コンデンサを作製した。
コンデンサの素子について、導電体層を形成した部分と
半導体層を形成していない部分を別に容易したリードフ
レームの凸部に、前者は銀ペーストで後者は熔接で接続
した。さらに前記リードフレームを金型に取りつけ、ト
ランスファーモールドプレスによりエポキシ樹脂でモー
ルド成型しチップ状の固体電解コンデンサを作製した。
【0019】実施例5〜8 比較例5〜8実施例1と
同様な化成箔を、酢酸鉛三水和物2.4モル/lの水溶
液と過硫酸アンモニウム4モル/lの水溶液の混合液に
浸漬し、60℃で30分反応させ、誘電体酸化皮膜層上
に生じた二酸化鉛と硫酸鉛からなる半導体層を水で充分
洗浄した後、120℃で1時間減圧乾燥した。生成した
半導体層は、二酸化鉛と硫酸鉛からなり、二酸化鉛が約
25重量%含まれることをX線分析および赤外分光分析
により確認した。
同様な化成箔を、酢酸鉛三水和物2.4モル/lの水溶
液と過硫酸アンモニウム4モル/lの水溶液の混合液に
浸漬し、60℃で30分反応させ、誘電体酸化皮膜層上
に生じた二酸化鉛と硫酸鉛からなる半導体層を水で充分
洗浄した後、120℃で1時間減圧乾燥した。生成した
半導体層は、二酸化鉛と硫酸鉛からなり、二酸化鉛が約
25重量%含まれることをX線分析および赤外分光分析
により確認した。
【0020】次に市販の銀ペースト(フッ素系樹脂20
%、銀80%)にキシレンを添加した導電ペーストを半
導体層上に塗布し導電体層を形成した。まず、この導電
体層を60℃で30分、100℃で30分、150℃で
30分乾燥した。次に表1に示した温度で乾燥硬化し、
200℃以上を実施例5〜8とし、200℃未満を比較
例5〜8とした。
%、銀80%)にキシレンを添加した導電ペーストを半
導体層上に塗布し導電体層を形成した。まず、この導電
体層を60℃で30分、100℃で30分、150℃で
30分乾燥した。次に表1に示した温度で乾燥硬化し、
200℃以上を実施例5〜8とし、200℃未満を比較
例5〜8とした。
【0021】このようにして作製した固体電解コンデン
サの素子を実施例1と同様にしてモールド成型し、チッ
プ状の固体電解コンデンサを作製した。
サの素子を実施例1と同様にしてモールド成型し、チッ
プ状の固体電解コンデンサを作製した。
【0022】実施例9〜12 比較例9〜12実施例
5でまず、導電体層をアクリル樹脂10%、銀40%、
二酸化鉛粉50%からなる銀ペーストに酢酸エトキシエ
チルを添加した導電ペーストで成形し、この導電体層を
60℃で30分、120℃で30分、150℃で60分
乾燥した。次に表1に示した温度で乾燥硬化し、200
℃以上を実施例9〜12とし、200℃未満を比較例9
〜12とした。その他の条件は実施例5と同様にしてチ
ップ状の固体電解コンデンサを作製した。
5でまず、導電体層をアクリル樹脂10%、銀40%、
二酸化鉛粉50%からなる銀ペーストに酢酸エトキシエ
チルを添加した導電ペーストで成形し、この導電体層を
60℃で30分、120℃で30分、150℃で60分
乾燥した。次に表1に示した温度で乾燥硬化し、200
℃以上を実施例9〜12とし、200℃未満を比較例9
〜12とした。その他の条件は実施例5と同様にしてチ
ップ状の固体電解コンデンサを作製した。
【0023】実施例1〜12および比較例1〜12で作
製した固体電解コンデンサの初期特性、および厚さ1.
6mmのガラエポ基板に前記の固体電解コンデンサを乗
せ、共晶半田を使用して電極部での温度が230℃ピー
クとなるように設定した温度パターンでリフロー炉を通
過させて半田付けした後の性能を表2に示し半田耐熱性
を評価した。この結果、実施例および比較例は全て初期
ESR値が0.04〜0.06Ωの範囲にあるにもかか
わらず、乾燥硬化温度が195℃以下の比較例は半田付
後のESR値が顕著に増大している。
製した固体電解コンデンサの初期特性、および厚さ1.
6mmのガラエポ基板に前記の固体電解コンデンサを乗
せ、共晶半田を使用して電極部での温度が230℃ピー
クとなるように設定した温度パターンでリフロー炉を通
過させて半田付けした後の性能を表2に示し半田耐熱性
を評価した。この結果、実施例および比較例は全て初期
ESR値が0.04〜0.06Ωの範囲にあるにもかか
わらず、乾燥硬化温度が195℃以下の比較例は半田付
後のESR値が顕著に増大している。
【0024】
【表1】
【0025】
【表2】
【0026】
【発明の効果】本発明に係る固体電解コンデンサの製造
方法は、樹脂を含有する導電ペーストから形成された導
電体層を200℃以上の温度で乾燥、硬化しているので
、作製した固体電解コンデンサの半田耐熱性が良好であ
る。
方法は、樹脂を含有する導電ペーストから形成された導
電体層を200℃以上の温度で乾燥、硬化しているので
、作製した固体電解コンデンサの半田耐熱性が良好であ
る。
Claims (1)
- 【請求項1】 弁作用を有する金属からなる陽極基体
の表面に、誘電体酸化皮膜層、半導体層、および導電体
層を順次形成して構造体とし、この構造体を外装樹脂に
よって外装する固体電解コンデンサの製造方法において
、樹脂を含有する導電ペーストからなる前記導電体層を
200℃以上で乾燥硬化することを特徴とする固体電解
コンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10049291A JPH04307913A (ja) | 1991-04-05 | 1991-04-05 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10049291A JPH04307913A (ja) | 1991-04-05 | 1991-04-05 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04307913A true JPH04307913A (ja) | 1992-10-30 |
Family
ID=14275432
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10049291A Pending JPH04307913A (ja) | 1991-04-05 | 1991-04-05 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04307913A (ja) |
-
1991
- 1991-04-05 JP JP10049291A patent/JPH04307913A/ja active Pending
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