JPH08316103A - アルミ固体コンデンサ - Google Patents
アルミ固体コンデンサInfo
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- JPH08316103A JPH08316103A JP13879695A JP13879695A JPH08316103A JP H08316103 A JPH08316103 A JP H08316103A JP 13879695 A JP13879695 A JP 13879695A JP 13879695 A JP13879695 A JP 13879695A JP H08316103 A JPH08316103 A JP H08316103A
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- Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】アルミ固体コンデンサの小形化のために、導電
性ポリ・ピロール膜表面に形成する導体層の厚みをでき
る限り薄くし、且つ該導体層を形成する際、該導電性ポ
リ・ピロール膜の抵抗値を増加させることなく、気密性
の高い導体層を形成したアルミ固体コンデンサを提供す
ること。 【構成】 表面に陽極酸化被膜２を形成したアルミ箔又
はアルミ板からなる陽極基体１の表面に固体電解質とし
て導電性ポリ・ピロール膜４を形成したアルミ固体コン
デンサにおいて、陽極基体１の表面所定範囲の陽極酸化
被膜２上に導電性ポリ・ピロール膜４を形成し、該導電
性ポリ・ピロール膜４上に酸化防止剤６としてホウ素化
合物・クエン酸又はその塩、又は酒石酸又はその塩から
なる添加剤を加えた導電性グラファイト材からなるグラ
ファイト層５を形成し、該グラファイト層上に金属鍍金
又は金属蒸着等で金属層７を形成し、該金属層７を陰極
部とし、陽極基体１の導電性ポリ・ピロール膜が形成さ
れていない部分を陽極部とする。
性ポリ・ピロール膜表面に形成する導体層の厚みをでき
る限り薄くし、且つ該導体層を形成する際、該導電性ポ
リ・ピロール膜の抵抗値を増加させることなく、気密性
の高い導体層を形成したアルミ固体コンデンサを提供す
ること。 【構成】 表面に陽極酸化被膜２を形成したアルミ箔又
はアルミ板からなる陽極基体１の表面に固体電解質とし
て導電性ポリ・ピロール膜４を形成したアルミ固体コン
デンサにおいて、陽極基体１の表面所定範囲の陽極酸化
被膜２上に導電性ポリ・ピロール膜４を形成し、該導電
性ポリ・ピロール膜４上に酸化防止剤６としてホウ素化
合物・クエン酸又はその塩、又は酒石酸又はその塩から
なる添加剤を加えた導電性グラファイト材からなるグラ
ファイト層５を形成し、該グラファイト層上に金属鍍金
又は金属蒸着等で金属層７を形成し、該金属層７を陰極
部とし、陽極基体１の導電性ポリ・ピロール膜が形成さ
れていない部分を陽極部とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はアルミ箔又はアルミ板を
陽極基体とし導電性ポリ・ピロール膜を固体電解質とす
るアルミ固体コンデンサに関するものである。
陽極基体とし導電性ポリ・ピロール膜を固体電解質とす
るアルミ固体コンデンサに関するものである。
【０００２】
【従来技術】従来、この種の導電性ポリ・ピロール膜を
固体電解質とするアルミ固体コンデンサは、該導電性ポ
リ・ピロール膜をアルミ箔又はアルミ板からなる陽極基
体の陽極酸化被膜上に形成した後、グラファイト層、銀
ペースト層を順次塗布硬化させて陰極部となる導体層を
形成し、アルミ固体コンデンサのコンデンサ素子として
いる。
固体電解質とするアルミ固体コンデンサは、該導電性ポ
リ・ピロール膜をアルミ箔又はアルミ板からなる陽極基
体の陽極酸化被膜上に形成した後、グラファイト層、銀
ペースト層を順次塗布硬化させて陰極部となる導体層を
形成し、アルミ固体コンデンサのコンデンサ素子として
いる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来構造のコンデ
ンサ素子において、グラファイト層及び銀ペースト層か
らなる導体層は気密性に乏しく、該導体層を通して水蒸
気、酸素等が侵入して、導電性ポリ・ピロール膜表面に
達するため、該導電性ポリ・ピロール膜表面の酸化反応
が進行し、該導電性ポリ・ピロール膜の電導度が低下
し、抵抗値が大きくなる。このためコンデンサの特性の
１つである、高周波（１００ＫＨｚ〜１ＭＨｚの領域）
における等価直列抵抗（ＥＳＲ）値が増大してしまうと
いう欠点があった。
ンサ素子において、グラファイト層及び銀ペースト層か
らなる導体層は気密性に乏しく、該導体層を通して水蒸
気、酸素等が侵入して、導電性ポリ・ピロール膜表面に
達するため、該導電性ポリ・ピロール膜表面の酸化反応
が進行し、該導電性ポリ・ピロール膜の電導度が低下
し、抵抗値が大きくなる。このためコンデンサの特性の
１つである、高周波（１００ＫＨｚ〜１ＭＨｚの領域）
における等価直列抵抗（ＥＳＲ）値が増大してしまうと
いう欠点があった。
【０００４】上記欠点を解消する１つの手段として、グ
ラファイト層及び銀ペースト層の代りに、金属鍍金層を
形成させることが想定されるが、該導電性ポリ・ピロー
ル膜表面に金属鍍金層を単純に形成すると、該金属鍍金
層を形成する際、導電性ポリ・ピロール膜表面が酸化
し、電導度が低下し、抵抗値が大きくなってしまうとい
う欠点があった。また、外装方法の改良によって、気密
性を向上させる方法も考えられるが、高価なものとな
る。
ラファイト層及び銀ペースト層の代りに、金属鍍金層を
形成させることが想定されるが、該導電性ポリ・ピロー
ル膜表面に金属鍍金層を単純に形成すると、該金属鍍金
層を形成する際、導電性ポリ・ピロール膜表面が酸化
し、電導度が低下し、抵抗値が大きくなってしまうとい
う欠点があった。また、外装方法の改良によって、気密
性を向上させる方法も考えられるが、高価なものとな
る。
【０００５】本発明は上述の点に鑑みてなされたもの
で、アルミ固体コンデンサの小形化のために、導電性ポ
リ・ピロール膜表面に形成する導体層の厚みをできる限
り薄くし、且つ該導体層を形成する際、該導電性ポリ・
ピロール膜の抵抗値を増加させることなく、気密性の高
い導体層を形成したアルミ固体コンデンサを提供するこ
とを目的とする。
で、アルミ固体コンデンサの小形化のために、導電性ポ
リ・ピロール膜表面に形成する導体層の厚みをできる限
り薄くし、且つ該導体層を形成する際、該導電性ポリ・
ピロール膜の抵抗値を増加させることなく、気密性の高
い導体層を形成したアルミ固体コンデンサを提供するこ
とを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
本発明は、表面に陽極酸化被膜を形成したアルミ箔又は
アルミ板からなる陽極基体の表面に固体電解質として導
電性ポリ・ピロール膜を形成したアルミ固体コンデンサ
において、陽極基体の表面所定範囲の陽極酸化被膜上に
前記導電性ポリ・ピロール膜を形成し、該導電性ポリ・
ピロール膜上に酸化防止剤としてホウ素化合物・クエン
酸又はその塩、又は酒石酸又はその塩からなる添加剤を
加えた導電性グラファイト材からなるグラファイト層を
形成し、該グラファイト層上に金属鍍金又は金属蒸着等
で金属層を形成し、該金属層を陰極部とし、陽極基体の
導電性ポリ・ピロール膜が形成されていない部分を陽極
部とすることを特徴とする。
本発明は、表面に陽極酸化被膜を形成したアルミ箔又は
アルミ板からなる陽極基体の表面に固体電解質として導
電性ポリ・ピロール膜を形成したアルミ固体コンデンサ
において、陽極基体の表面所定範囲の陽極酸化被膜上に
前記導電性ポリ・ピロール膜を形成し、該導電性ポリ・
ピロール膜上に酸化防止剤としてホウ素化合物・クエン
酸又はその塩、又は酒石酸又はその塩からなる添加剤を
加えた導電性グラファイト材からなるグラファイト層を
形成し、該グラファイト層上に金属鍍金又は金属蒸着等
で金属層を形成し、該金属層を陰極部とし、陽極基体の
導電性ポリ・ピロール膜が形成されていない部分を陽極
部とすることを特徴とする。
【０００７】また、前記酸化防止剤は０．１ｗｔ・％
（重量％）乃至１０ｗｔ・％のホウ酸、酸化ホウ素、ボ
ロ・ジ・サリチル酸又はその塩であることを特徴とす
る。
（重量％）乃至１０ｗｔ・％のホウ酸、酸化ホウ素、ボ
ロ・ジ・サリチル酸又はその塩であることを特徴とす
る。
【０００８】また、前記酸化防止剤はクエン酸又はその
塩が１ｗｔ・％乃至５ｗｔ・％のクエン酸又はその塩で
あることを特徴とする。
塩が１ｗｔ・％乃至５ｗｔ・％のクエン酸又はその塩で
あることを特徴とする。
【０００９】また、酸化防止剤は酒石酸又はその塩が１
ｗｔ・％乃至５ｗｔ・％の酒石酸又はその塩であること
を特徴とする。
ｗｔ・％乃至５ｗｔ・％の酒石酸又はその塩であること
を特徴とする。
【００１０】
【作用】本発明は上記構成を採用することにより、導電
性ポリ・ピロール膜を酸化防止剤としてホウ素化合物・
クエン酸又はその塩、又は酒石酸又はその塩からなる添
加剤を加えた導電性グラファイト材からなるグラファイ
ト層を形成し、該グラファイト層上を気密性の高い金属
層で覆うことにより、該導電性ポリ・ピロール膜の酸化
が防止され、導電性ポリ・ピロール膜の酸化によるコン
デンサの等価直列抵抗（ＥＳＲ）値、特に高周波（１０
０ＫＨｚ〜１ＭＨｚの領域）における等価直列抵抗値の
増大が防止される。
性ポリ・ピロール膜を酸化防止剤としてホウ素化合物・
クエン酸又はその塩、又は酒石酸又はその塩からなる添
加剤を加えた導電性グラファイト材からなるグラファイ
ト層を形成し、該グラファイト層上を気密性の高い金属
層で覆うことにより、該導電性ポリ・ピロール膜の酸化
が防止され、導電性ポリ・ピロール膜の酸化によるコン
デンサの等価直列抵抗（ＥＳＲ）値、特に高周波（１０
０ＫＨｚ〜１ＭＨｚの領域）における等価直列抵抗値の
増大が防止される。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図１（ａ）〜（ｃ）は本発明のアルミ固体コンデ
ンサの製造工程を示す図である。図１（ａ）〜（ｃ）は
それぞれ断面図を示す。
する。図１（ａ）〜（ｃ）は本発明のアルミ固体コンデ
ンサの製造工程を示す図である。図１（ａ）〜（ｃ）は
それぞれ断面図を示す。
【００１２】図１（ａ）に示すように、アルミ箔又はア
ルミ板からなる陽極基体１の表面はエッチング等により
粗面化されている。該陽極基体１の一端部の所定範囲の
全周に帯状に絶縁性樹脂層３を形成する。該絶縁性樹脂
層３はエポキシ樹脂、ポリ・イミド樹脂、ポリビニール
アルコール樹脂等の絶縁性樹脂材を塗布し硬化させて形
成する。その後、陽極基体１の絶縁性樹脂層３が形成さ
れていない表面に公知の化成化処理により陽極酸化被膜
２を形成し、該陽極酸化被膜２の全表面に導電性ポリピ
ロール膜４を形成する。
ルミ板からなる陽極基体１の表面はエッチング等により
粗面化されている。該陽極基体１の一端部の所定範囲の
全周に帯状に絶縁性樹脂層３を形成する。該絶縁性樹脂
層３はエポキシ樹脂、ポリ・イミド樹脂、ポリビニール
アルコール樹脂等の絶縁性樹脂材を塗布し硬化させて形
成する。その後、陽極基体１の絶縁性樹脂層３が形成さ
れていない表面に公知の化成化処理により陽極酸化被膜
２を形成し、該陽極酸化被膜２の全表面に導電性ポリピ
ロール膜４を形成する。
【００１３】上記陽極酸化被膜２上に導電性ポリピロー
ル膜４を形成する方法は、０．５ｗｔ・％（重量％）の
ピロールと０．５ｗｔ・％のアンモニウム・ボロ・ジ・
サリシレートのアセトニトリル溶液中に陽極基体１を浸
漬し、陽極基体１を陽極として、電解酸化重合を行なう
ことにより、陽極酸化被膜２の表面に導電性ポリピロー
ル膜４が形成される。
ル膜４を形成する方法は、０．５ｗｔ・％（重量％）の
ピロールと０．５ｗｔ・％のアンモニウム・ボロ・ジ・
サリシレートのアセトニトリル溶液中に陽極基体１を浸
漬し、陽極基体１を陽極として、電解酸化重合を行なう
ことにより、陽極酸化被膜２の表面に導電性ポリピロー
ル膜４が形成される。
【００１４】上記導電性ポリピロール膜４の上に、０．
１ｗｔ・％〜１０ｗｔ・％のホウ素化合物を添加した導
電性グラファイトを塗布してグラファイト層５を形成す
る。該グラファイト層５に上記ホウ素化合物を添加する
ことにより、該ホウ素化合物は導電性ポリピロール膜４
の表面で起きる酸化反応を抑制する作用があり、このた
め、ここでは該ホウ素化合物を酸化防止剤６と称する。
１ｗｔ・％〜１０ｗｔ・％のホウ素化合物を添加した導
電性グラファイトを塗布してグラファイト層５を形成す
る。該グラファイト層５に上記ホウ素化合物を添加する
ことにより、該ホウ素化合物は導電性ポリピロール膜４
の表面で起きる酸化反応を抑制する作用があり、このた
め、ここでは該ホウ素化合物を酸化防止剤６と称する。
【００１５】上記酸化防止剤６のホウ素化合物として
は、ホウ酸又はその塩、酸化ホウ素又はその塩、又はサ
リチル酸又はその塩等が有効である。更に、酸化防止剤
６としては、前記ホウ素化合物の内のどれか１種類と１
ｗｔ・％〜５ｗｔ・％のクエン酸又はその塩或いは１ｗ
ｔ・％〜５ｗｔ・％の酒石酸又はその塩を加えると前記
導電性ポリ・ピロール膜４の酸化防止作用は向上する。
は、ホウ酸又はその塩、酸化ホウ素又はその塩、又はサ
リチル酸又はその塩等が有効である。更に、酸化防止剤
６としては、前記ホウ素化合物の内のどれか１種類と１
ｗｔ・％〜５ｗｔ・％のクエン酸又はその塩或いは１ｗ
ｔ・％〜５ｗｔ・％の酒石酸又はその塩を加えると前記
導電性ポリ・ピロール膜４の酸化防止作用は向上する。
【００１６】上記のようにして形成したグラファイト層
表面に、銀ペースト層で形成する代わりに本実施例では
気密性のよい、金属層７を形成する。該金属層７は電解
鍍金等により形成するが、この電解鍍金を行なう際、上
記酸化防止剤６が添加されたグラファイト層５を設けな
いと、電解鍍金中に導電性ポリピロール膜４が酸化して
しまい、抵抗値の大きいコンデンサとなってしまうが、
本実施例ではグラファイト層５中の酸化防止剤６がこの
酸化を防止する作用を奏する。この金属層７はコンデン
サの陰極部となる。
表面に、銀ペースト層で形成する代わりに本実施例では
気密性のよい、金属層７を形成する。該金属層７は電解
鍍金等により形成するが、この電解鍍金を行なう際、上
記酸化防止剤６が添加されたグラファイト層５を設けな
いと、電解鍍金中に導電性ポリピロール膜４が酸化して
しまい、抵抗値の大きいコンデンサとなってしまうが、
本実施例ではグラファイト層５中の酸化防止剤６がこの
酸化を防止する作用を奏する。この金属層７はコンデン
サの陰極部となる。
【００１７】次に、図１（ｃ）に示すように、絶縁性樹
脂層３の一部を除去し、該絶縁性樹脂層３が除去された
部分の陽極基体１を陽極部とし、該陽極部に陽極外部端
子８を溶接等で接続すると共に、金属層７の陰極部に陰
極外部端子９をハンダ付け等で接続し、コンデンサ素子
１０となる。該コンデンサ素子１０に適宜外装を施すこ
とにより、２端子型のアルミ固体電解コンデンサが完成
する。
脂層３の一部を除去し、該絶縁性樹脂層３が除去された
部分の陽極基体１を陽極部とし、該陽極部に陽極外部端
子８を溶接等で接続すると共に、金属層７の陰極部に陰
極外部端子９をハンダ付け等で接続し、コンデンサ素子
１０となる。該コンデンサ素子１０に適宜外装を施すこ
とにより、２端子型のアルミ固体電解コンデンサが完成
する。
【００１８】図２（ａ）〜（ｃ）は本発明の他のアルミ
固体コンデンサの製造工程を示す図である。図２（ａ）
〜（ｃ）はそれぞれ断面図を示す。図２（ａ）に示すよ
うに、本実施例では上記と同様な方法で陽極基体１の両
端部の所定範囲全周に絶縁性樹脂層３を形成し、更に上
記と同様に絶縁性樹脂層３と絶縁性樹脂層３に挟まれた
陽極基体１の表面に陽極酸化被膜２を形成し、該陽極酸
化被膜２の表面に導電性ポリピロール膜４を形成し、更
に該導電性ポリピロール膜４の上に上記と同様を酸化防
止剤６としてホウ素化合物を添加させた導電性グラファ
イト材からなるグラファイト層５を形成し、更に該導電
性ポリピロール膜４の正面に図２（ｂ）に示すように、
気密性の良い金属層７を形成する。
固体コンデンサの製造工程を示す図である。図２（ａ）
〜（ｃ）はそれぞれ断面図を示す。図２（ａ）に示すよ
うに、本実施例では上記と同様な方法で陽極基体１の両
端部の所定範囲全周に絶縁性樹脂層３を形成し、更に上
記と同様に絶縁性樹脂層３と絶縁性樹脂層３に挟まれた
陽極基体１の表面に陽極酸化被膜２を形成し、該陽極酸
化被膜２の表面に導電性ポリピロール膜４を形成し、更
に該導電性ポリピロール膜４の上に上記と同様を酸化防
止剤６としてホウ素化合物を添加させた導電性グラファ
イト材からなるグラファイト層５を形成し、更に該導電
性ポリピロール膜４の正面に図２（ｂ）に示すように、
気密性の良い金属層７を形成する。
【００１９】その後、図２（ｃ）に示すように、両端部
の絶縁性樹脂層３及び陽極酸化被膜２の一部を除去し、
該絶縁性樹脂層３が除去された部分の陽極基体１を陽極
部とし、該両端の陽極部にそれぞれ陽極外部端子８を溶
接等で接続すると共に、金属層７の陰極部の両端部に陰
極外部端子９をハンダ付け等で接続し、コンデンサ素子
１０となる。該コンデンサ素子１０に適宜外装を施すこ
とにより、４端子型のアルミ固体電解コンデンサが完成
する。
の絶縁性樹脂層３及び陽極酸化被膜２の一部を除去し、
該絶縁性樹脂層３が除去された部分の陽極基体１を陽極
部とし、該両端の陽極部にそれぞれ陽極外部端子８を溶
接等で接続すると共に、金属層７の陰極部の両端部に陰
極外部端子９をハンダ付け等で接続し、コンデンサ素子
１０となる。該コンデンサ素子１０に適宜外装を施すこ
とにより、４端子型のアルミ固体電解コンデンサが完成
する。
【００２０】上記金属層７は電解鍍金、蒸着、無電解鍍
金で行なう。蒸着及び無電解鍍金は一般的に行なわれて
いる方法で良いが、電解鍍金は下記の方法で銅鍍金Ａ、
Ｂ、ニッケル鍍金を行なう。銅鍍金Ａ；１ｗｔ・％〜３
ｗｔ・％硫酸銅（又は酢酸銅）と０．２ｗｔ・％〜１ｗ
ｔ・％硝酸を含む水溶液中に上記陽極酸化被膜２の表面
に導電性ポリピロール膜４及び酸化防止剤６が混入する
グラファイト層５を形成した陽極基体１を浸漬し、陽極
基体１を陰極とし、対向電極を陽極として０．１Ｖ〜１
０Ｖの直流電圧を印加する。
金で行なう。蒸着及び無電解鍍金は一般的に行なわれて
いる方法で良いが、電解鍍金は下記の方法で銅鍍金Ａ、
Ｂ、ニッケル鍍金を行なう。銅鍍金Ａ；１ｗｔ・％〜３
ｗｔ・％硫酸銅（又は酢酸銅）と０．２ｗｔ・％〜１ｗ
ｔ・％硝酸を含む水溶液中に上記陽極酸化被膜２の表面
に導電性ポリピロール膜４及び酸化防止剤６が混入する
グラファイト層５を形成した陽極基体１を浸漬し、陽極
基体１を陰極とし、対向電極を陽極として０．１Ｖ〜１
０Ｖの直流電圧を印加する。
【００２１】銅鍍金Ｂ；２０ｗｔ・％〜３０ｗｔ・％硫
酸銅と１ｗｔ・％〜２ｗｔ・％硫酸及び０．１ｗｔ・％
〜０．２ｗｔ・％チオ尿素を含む水溶液中に上記陽極酸
化被膜２の表面に導電性ポリピロール膜４及び酸化防止
剤６が混入するグラファイト層５を形成した陽極基体１
を浸漬し、陽極基体１を陰極とし、対向電極を陽極とし
て０．５Ｖ〜３Ｖの直流電圧を印加する。
酸銅と１ｗｔ・％〜２ｗｔ・％硫酸及び０．１ｗｔ・％
〜０．２ｗｔ・％チオ尿素を含む水溶液中に上記陽極酸
化被膜２の表面に導電性ポリピロール膜４及び酸化防止
剤６が混入するグラファイト層５を形成した陽極基体１
を浸漬し、陽極基体１を陰極とし、対向電極を陽極とし
て０．５Ｖ〜３Ｖの直流電圧を印加する。
【００２２】ニッケル鍍金；２０ｗｔ・％〜３０ｗｔ・
％硫酸ニッケルと０．４ｗｔ・％〜０．５ｗｔ・％塩化
ニッケル及び０．２ｗｔ・％〜０．４ｗｔ・％ホウ酸を
含む溶液中に上記陽極酸化被膜２の表面に導電性ポリピ
ロール膜４及び酸化防止剤６が混入するグラファイト層
５を形成した陽極基体１を浸漬し、陽極基体１を陰極と
し、対向電極を陽極として０．５Ｖ〜３Ｖの直流電圧を
印加する。
％硫酸ニッケルと０．４ｗｔ・％〜０．５ｗｔ・％塩化
ニッケル及び０．２ｗｔ・％〜０．４ｗｔ・％ホウ酸を
含む溶液中に上記陽極酸化被膜２の表面に導電性ポリピ
ロール膜４及び酸化防止剤６が混入するグラファイト層
５を形成した陽極基体１を浸漬し、陽極基体１を陰極と
し、対向電極を陽極として０．５Ｖ〜３Ｖの直流電圧を
印加する。
【００２３】図３はグラファイト層５の表面に金属層７
を形成する場合のグラファイト層５中に酸化防止剤６を
混入させた場合と混入させない場合のアルミ固体コンデ
ンサ素子のコンデンサ特性の比較例である。図示するよ
うに、酸化防止剤６を混入させない場合は、ｔａｎδ＝
４．２（％）、等価直列抵抗値＝５００〜１０００ｍΩ
であるのに対して、酸化防止剤６を混入させた場合は、
ｔａｎδ＝０．７（％）、等価直列抵抗値＝５０〜８０
ｍΩと酸化防止剤６を含浸させた場合の方がコンデンサ
特性が向上する。ちなみに参考値は従来のアルミ固体コ
ンデンサで、導電性ポリピロール膜表面にグラファイト
層、銀ペースト層を順次形成したものである。なお、こ
こで使用したアルミ固体コンデンサは定格６．３Ｖ、１
０μＦのものである。
を形成する場合のグラファイト層５中に酸化防止剤６を
混入させた場合と混入させない場合のアルミ固体コンデ
ンサ素子のコンデンサ特性の比較例である。図示するよ
うに、酸化防止剤６を混入させない場合は、ｔａｎδ＝
４．２（％）、等価直列抵抗値＝５００〜１０００ｍΩ
であるのに対して、酸化防止剤６を混入させた場合は、
ｔａｎδ＝０．７（％）、等価直列抵抗値＝５０〜８０
ｍΩと酸化防止剤６を含浸させた場合の方がコンデンサ
特性が向上する。ちなみに参考値は従来のアルミ固体コ
ンデンサで、導電性ポリピロール膜表面にグラファイト
層、銀ペースト層を順次形成したものである。なお、こ
こで使用したアルミ固体コンデンサは定格６．３Ｖ、１
０μＦのものである。
【００２４】図４は上記本発明の実施例のコンデンサ素
子と従来のコンデンサ素子（導電性ポリピロール膜表面
にグラファイト層及び銀ペースト層を順次形成したも
の）を１５０℃高温槽中に放置した場合の等価直列抵抗
の変化例を示す図である。図示するように、本発明の実
施例のアルミ固体コンデンサは従来のアルミ固体コンデ
ンサに比較し、等価直列抵抗の変化が小さくなることは
明確である。
子と従来のコンデンサ素子（導電性ポリピロール膜表面
にグラファイト層及び銀ペースト層を順次形成したも
の）を１５０℃高温槽中に放置した場合の等価直列抵抗
の変化例を示す図である。図示するように、本発明の実
施例のアルミ固体コンデンサは従来のアルミ固体コンデ
ンサに比較し、等価直列抵抗の変化が小さくなることは
明確である。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、導
電性ポリ・ピロール膜上に酸化防止剤としてホウ素化合
物・クエン酸又はその塩、又は酒石酸又はその塩からな
る添加剤を加えた導電性グラファイト材からなるグラフ
ァイト層を形成し、該グラファイト層上を気密性の高い
金属層で覆うことにより、該導電性ポリ・ピロール膜の
酸化が防止され、導電性ポリ・ピロール膜の酸化による
コンデンサの等価直列抵抗（ＥＳＲ）値、特に高周波
（１００ＫＨｚ〜１ＭＨｚの領域）における等価直列抵
抗値の増大が防止されるという優れた効果が得られる。
電性ポリ・ピロール膜上に酸化防止剤としてホウ素化合
物・クエン酸又はその塩、又は酒石酸又はその塩からな
る添加剤を加えた導電性グラファイト材からなるグラフ
ァイト層を形成し、該グラファイト層上を気密性の高い
金属層で覆うことにより、該導電性ポリ・ピロール膜の
酸化が防止され、導電性ポリ・ピロール膜の酸化による
コンデンサの等価直列抵抗（ＥＳＲ）値、特に高周波
（１００ＫＨｚ〜１ＭＨｚの領域）における等価直列抵
抗値の増大が防止されるという優れた効果が得られる。
【図１】同図（ａ）〜（ｃ）は本発明のアルミ固体コン
デンサの製造工程を示す図である。
デンサの製造工程を示す図である。
【図２】同図（ａ）〜（ｃ）は本発明の他のアルミ固体
コンデンサの製造工程を示す図である。
コンデンサの製造工程を示す図である。
【図３】導電性ポリピロール膜の表面に金属層を形成す
る場合における導電性ポリピロール膜中に酸化防止剤を
含浸させた場合とさせない場合のコンデンサ特性の比較
例を示す図である。
る場合における導電性ポリピロール膜中に酸化防止剤を
含浸させた場合とさせない場合のコンデンサ特性の比較
例を示す図である。
【図４】本発明の実施例のコンデンサ素子と従来のコン
デンサ素子との１５０℃高温槽中に放置した場合の等価
直列抵抗の変化例を示す図である。
デンサ素子との１５０℃高温槽中に放置した場合の等価
直列抵抗の変化例を示す図である。
１ 陽極基体 ２ 陽極酸化被膜 ３ 絶縁性樹脂層 ４ 導電性ポリピロール膜 ５ グラファイト層 ６ 酸化防止剤 ７ 金属層 ８ 陽極外部端子 ９ 陰極外部端子 １０ コンデンサ素子
Claims (9)
- 【請求項１】 表面に陽極酸化被膜を形成したアルミ箔
又はアルミ板からなる陽極基体の表面に固体電解質とし
て導電性ポリ・ピロール膜を形成したアルミ固体コンデ
ンサにおいて、 前記陽極基体の表面所定範囲の陽極酸化被膜上に前記導
電性ポリ・ピロール膜を形成し、該導電性ポリ・ピロー
ル膜上に酸化防止剤としてホウ素化合物・クエン酸又は
その塩、又は酒石酸又はその塩からなる添加剤を加えた
導電性グラファイト材からなるグラファイト層を形成
し、該グラファイト層上に金属層を形成し、該金属層を
陰極部とし、前記陽極基体の前記導電性ポリ・ピロール
膜が形成されていない部分を陽極部とすることを特徴と
するアルミ固体コンデンサ。 - 【請求項２】 前記金属層は金属鍍金層であることを特
徴とする請求項１に記載のアルミ固体コンデンサ。 - 【請求項３】 前記金属層は蒸着金属層であることを特
徴とする請求項１に記載のアルミ固体コンデンサ。 - 【請求項４】 前記金属層の金属はハンダ付け可能な金
属であることを特徴とする請求項１に記載のアルミ固体
コンデンサ。 - 【請求項５】 前記金属層が銅鍍金層、ニッケル鍍金層
を順次形成してなる金属層であることを特徴とする請求
項１に記載のアルミ固体コンデンサ。 - 【請求項６】 前記酸化防止剤は０．１ｗｔ・％（重量
％）乃至１０ｗｔ・％のホウ酸、酸化ホウ素、ボロ・ジ
・サリチル酸又はその塩であることを特徴とする請求項
１乃至５のいずれか１つに記載のアルミ固体コンデン
サ。 - 【請求項７】 前記酸化防止剤はクエン酸又はその塩が
１ｗｔ・％乃至５ｗｔ・％のクエン酸又はその塩である
ことを特徴とする請求項６に記載のアルミ固体コンデン
サ。 - 【請求項８】 前記酸化防止剤は酒石酸又はその塩が１
ｗｔ・％乃至５ｗｔ・％の酒石酸又はその塩であること
を特徴とする請求項６に記載のアルミ固体コンデンサ。 - 【請求項９】 前記導電性ポリ・ピロール膜の前記陽極
酸化被膜の欠陥部と隣接している部分を部分的に絶縁化
することを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１つに
記載のアルミ固体コンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13879695A JPH08316103A (ja) | 1995-05-11 | 1995-05-11 | アルミ固体コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13879695A JPH08316103A (ja) | 1995-05-11 | 1995-05-11 | アルミ固体コンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08316103A true JPH08316103A (ja) | 1996-11-29 |
Family
ID=15230433
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13879695A Pending JPH08316103A (ja) | 1995-05-11 | 1995-05-11 | アルミ固体コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08316103A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108701818A (zh) * | 2016-03-10 | 2018-10-23 | 松下知识产权经营株式会社 | 蓄电装置用正极的制造方法及蓄电装置的制造方法 |
-
1995
- 1995-05-11 JP JP13879695A patent/JPH08316103A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108701818A (zh) * | 2016-03-10 | 2018-10-23 | 松下知识产权经营株式会社 | 蓄电装置用正极的制造方法及蓄电装置的制造方法 |
| US20180374661A1 (en) * | 2016-03-10 | 2018-12-27 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Method for manufacturing positive electrode for power storage device, and method for manufacturing power storage device |
| US10923296B2 (en) * | 2016-03-10 | 2021-02-16 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Method for manufacturing positive electrode including conductive polymer layer selectively formed on surface of carbon layer disposed on current collector for power storage device, and method for manufacturing power storage device |
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