JPH10125558A - 導電性機能高分子膜を固体電解質とする固体コンデンサ - Google Patents
導電性機能高分子膜を固体電解質とする固体コンデンサInfo
- Publication number
- JPH10125558A JPH10125558A JP8294544A JP29454496A JPH10125558A JP H10125558 A JPH10125558 A JP H10125558A JP 8294544 A JP8294544 A JP 8294544A JP 29454496 A JP29454496 A JP 29454496A JP H10125558 A JPH10125558 A JP H10125558A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solid
- polymer film
- conductive functional
- functional polymer
- capacitor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 52
- 239000007784 solid electrolyte Substances 0.000 title claims abstract description 17
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 title abstract 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 21
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 21
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 36
- 229920001002 functional polymer Polymers 0.000 claims description 30
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 6
- 238000000465 moulding Methods 0.000 abstract description 7
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 6
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 5
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 5
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000010407 anodic oxide Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 150000002391 heterocyclic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G2/00—Details of capacitors not covered by a single one of groups H01G4/00-H01G11/00
- H01G2/02—Mountings
- H01G2/06—Mountings specially adapted for mounting on a printed-circuit support
- H01G2/065—Mountings specially adapted for mounting on a printed-circuit support for surface mounting, e.g. chip capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
- H01G11/22—Electrodes
- H01G11/30—Electrodes characterised by their material
- H01G11/48—Conductive polymers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高温状態においてもコンデンサ内部への酸素
の侵入を防止できて導電性機能高分子膜の酸化を防止で
き、導電性機能高分子膜の比抵抗値の増加を防止でき、
これによってコンデンサのＥＳＲ値増加を防止できる導
電性機能高分子膜を固体電解質とする固体コンデンサを
提供する。 【解決手段】 導電性機能高分子膜を固体電解質とする
固体コンデンサ素子１００に、半田メッキ８してなる陽
極リード７と陰極リード９を接続すると共にその周囲を
モールド樹脂１０で成形してなる固体コンデンサ２００
である。陽極リード７と陰極リード９のモールド樹脂１
０に覆われている部分に半田メッキ層８を設けない部分
１１を形成する。
の侵入を防止できて導電性機能高分子膜の酸化を防止で
き、導電性機能高分子膜の比抵抗値の増加を防止でき、
これによってコンデンサのＥＳＲ値増加を防止できる導
電性機能高分子膜を固体電解質とする固体コンデンサを
提供する。 【解決手段】 導電性機能高分子膜を固体電解質とする
固体コンデンサ素子１００に、半田メッキ８してなる陽
極リード７と陰極リード９を接続すると共にその周囲を
モールド樹脂１０で成形してなる固体コンデンサ２００
である。陽極リード７と陰極リード９のモールド樹脂１
０に覆われている部分に半田メッキ層８を設けない部分
１１を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、固体コンデンサ素
子に陽極リードと陰極リードを接合した後にその周囲を
絶縁性モールド樹脂で外装してなる構造の導電性機能高
分子膜を固体電解質とする固体コンデンサに関するもの
である。
子に陽極リードと陰極リードを接合した後にその周囲を
絶縁性モールド樹脂で外装してなる構造の導電性機能高
分子膜を固体電解質とする固体コンデンサに関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】従来、金属基体の表面にコンデンサとし
ての能力を有する誘電体酸化皮膜を形成し、該誘電体酸
化皮膜表面に導電性機能高分子膜を形成した後、該導電
性機能高分子膜の表面に導電体層（グラファイト層と銀
ペースト層からなる）を設けることによって固体コンデ
ンサ素子を構成し、該固体コンデンサ素子を１個又は複
数個積層したものに、陽極リードと陰極リードを接続す
ると共にその周囲をモールド樹脂成形してなる導電性機
能高分子膜を固体電解質とする固体コンデンサが開発さ
れている。
ての能力を有する誘電体酸化皮膜を形成し、該誘電体酸
化皮膜表面に導電性機能高分子膜を形成した後、該導電
性機能高分子膜の表面に導電体層（グラファイト層と銀
ペースト層からなる）を設けることによって固体コンデ
ンサ素子を構成し、該固体コンデンサ素子を１個又は複
数個積層したものに、陽極リードと陰極リードを接続す
ると共にその周囲をモールド樹脂成形してなる導電性機
能高分子膜を固体電解質とする固体コンデンサが開発さ
れている。
【０００３】この固体コンデンサと、固体電解質として
二酸化マンガンを使用した従来の固体コンデンサとを比
較すると、初期値的には導電性機能高分子膜の比抵抗値
が二酸化マンガンの比抵抗値に比較して非常に低いた
め、初期等価直列抵抗（ＥＳＲ）値は、固体電解質とし
て導電性機能高分子膜を使用した固体コンデンサの方が
小さい特徴がある。
二酸化マンガンを使用した従来の固体コンデンサとを比
較すると、初期値的には導電性機能高分子膜の比抵抗値
が二酸化マンガンの比抵抗値に比較して非常に低いた
め、初期等価直列抵抗（ＥＳＲ）値は、固体電解質とし
て導電性機能高分子膜を使用した固体コンデンサの方が
小さい特徴がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら高温放置
試験や高温負荷試験を実施すると、固体電解質として二
酸化マンガンを使用した固体コンデンサでは、長時間試
験においてもＥＳＲ値の増加は少ないが、固体電解質と
して導電性機能高分子膜を使用した固体コンデンサは、
二酸化マンガンを使用した固体コンデンサよりＥＳＲ値
の増加が大きいという欠点があった。
試験や高温負荷試験を実施すると、固体電解質として二
酸化マンガンを使用した固体コンデンサでは、長時間試
験においてもＥＳＲ値の増加は少ないが、固体電解質と
して導電性機能高分子膜を使用した固体コンデンサは、
二酸化マンガンを使用した固体コンデンサよりＥＳＲ値
の増加が大きいという欠点があった。
【０００５】これは、固体電解質として使用している二
酸化マンガンは無機物であるため熱的に安定している
が、導電性機能高分子膜は有機物であるため無機物と比
較すると熱的に不安定であるという欠点があるが、特に
前記導電性機能高分子膜の比抵抗値の増加原因は、高温
状態において酸素に接触して該導電性機能高分子膜が酸
化されてしまって比抵抗値が増加することによると考え
られる。
酸化マンガンは無機物であるため熱的に安定している
が、導電性機能高分子膜は有機物であるため無機物と比
較すると熱的に不安定であるという欠点があるが、特に
前記導電性機能高分子膜の比抵抗値の増加原因は、高温
状態において酸素に接触して該導電性機能高分子膜が酸
化されてしまって比抵抗値が増加することによると考え
られる。
【０００６】従って固体電解質として導電性機能高分子
膜を使用した固体コンデンサでは、比抵抗値の増加を防
止する方法として、導電性機能高分子膜の製造方法を改
善したり、固体コンデンサ素子にアンダーコート処理を
施したりするなど、各種工夫がなされているが、一層の
改善が切望されている。
膜を使用した固体コンデンサでは、比抵抗値の増加を防
止する方法として、導電性機能高分子膜の製造方法を改
善したり、固体コンデンサ素子にアンダーコート処理を
施したりするなど、各種工夫がなされているが、一層の
改善が切望されている。
【０００７】本発明は上述の点に鑑みてなされたもので
ありその目的は、高温状態においてもコンデンサ内部へ
の酸素の侵入を防止できて導電性機能高分子膜の酸化を
防止でき、導電性機能高分子膜の比抵抗値の増加を防止
でき、これによってコンデンサのＥＳＲ値増加を防止で
きる導電性機能高分子膜を固体電解質とする固体コンデ
ンサを提供することにある。
ありその目的は、高温状態においてもコンデンサ内部へ
の酸素の侵入を防止できて導電性機能高分子膜の酸化を
防止でき、導電性機能高分子膜の比抵抗値の増加を防止
でき、これによってコンデンサのＥＳＲ値増加を防止で
きる導電性機能高分子膜を固体電解質とする固体コンデ
ンサを提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
め本発明は、金属基体の表面に誘電体酸化皮膜を形成
し、該誘電体酸化皮膜の所定部分の表面に導電性機能高
分子膜を形成し、該導電性機能高分子膜の表面に導電体
層を設けてなる固体コンデンサ素子を１個具備するか或
いは複数個積層してなる積層体を具備し、該１個又は積
層体とした固体コンデンサ素子の前記導電性機能高分子
膜及び導電体層が形成されていない部分の金属基体表面
に陽極リードを接続すると共に導電体層表面に陰極リー
ドを接続し、該陽極リード及び陰極リードの先端から所
定部分を除いてモールド樹脂の外装を施してなる導電性
機能高分子膜を固体電解質とする固体コンデンサにおい
て、前記陽極リードと陰極リードのモールド樹脂で覆わ
れている部分の周囲に半田メッキを設けない部分を形成
することとした。
め本発明は、金属基体の表面に誘電体酸化皮膜を形成
し、該誘電体酸化皮膜の所定部分の表面に導電性機能高
分子膜を形成し、該導電性機能高分子膜の表面に導電体
層を設けてなる固体コンデンサ素子を１個具備するか或
いは複数個積層してなる積層体を具備し、該１個又は積
層体とした固体コンデンサ素子の前記導電性機能高分子
膜及び導電体層が形成されていない部分の金属基体表面
に陽極リードを接続すると共に導電体層表面に陰極リー
ドを接続し、該陽極リード及び陰極リードの先端から所
定部分を除いてモールド樹脂の外装を施してなる導電性
機能高分子膜を固体電解質とする固体コンデンサにおい
て、前記陽極リードと陰極リードのモールド樹脂で覆わ
れている部分の周囲に半田メッキを設けない部分を形成
することとした。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて詳細に説明する。図１は本発明に用いる固体コ
ンデンサ素子１００の一例を示す図であり、同図（ａ）
は断面図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＡ部分の拡大図で
ある。
基づいて詳細に説明する。図１は本発明に用いる固体コ
ンデンサ素子１００の一例を示す図であり、同図（ａ）
は断面図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＡ部分の拡大図で
ある。
【００１０】同図に示すようにこの固体コンデンサ素子
１００は、表面を粗面化（エッチング）したアルミ箔又
はアルミ板からなる金属基体１の表面にアルミニウム陽
極酸化皮膜（誘電体酸化皮膜）３を化成処理により形成
し、次に該アルミニウム陽極酸化皮膜３の所定位置の周
囲に絶縁性樹脂からなるレジスト帯２を印刷して陽極部
と陰極部に区分し、該陰極部のアルミニウム陽極酸化皮
膜３の表面に電解酸化重合によりポリピロール等の複素
環式化号物の導電性機能高分子膜４を形成し、更に導電
性機能高分子膜４の表面にグラファイト層５１と銀ペー
スト層５３からなる導電体層５を設けて構成されてい
る。
１００は、表面を粗面化（エッチング）したアルミ箔又
はアルミ板からなる金属基体１の表面にアルミニウム陽
極酸化皮膜（誘電体酸化皮膜）３を化成処理により形成
し、次に該アルミニウム陽極酸化皮膜３の所定位置の周
囲に絶縁性樹脂からなるレジスト帯２を印刷して陽極部
と陰極部に区分し、該陰極部のアルミニウム陽極酸化皮
膜３の表面に電解酸化重合によりポリピロール等の複素
環式化号物の導電性機能高分子膜４を形成し、更に導電
性機能高分子膜４の表面にグラファイト層５１と銀ペー
スト層５３からなる導電体層５を設けて構成されてい
る。
【００１１】次に図２は、前記構造の固体コンデンサ素
子１００を用いて構成した固体コンデンサ２００を示す
図であり、同図（ａ）は断面図、同図（ｂ）は同図
（ａ）のＢ部分の拡大図である。
子１００を用いて構成した固体コンデンサ２００を示す
図であり、同図（ａ）は断面図、同図（ｂ）は同図
（ａ）のＢ部分の拡大図である。
【００１２】同図に示すようにこの固体コンデンサ２０
０は、固体コンデンサ素子１００の陽極部となる金属基
体１の表面と導電体層５の表面に、それぞれ陽極リード
７と陰極リード９の一端を溶接（又は導電性ペーストで
接続）し、さらに固体コンデンサ素子１００の周囲にモ
ールド樹脂１０を成形することで外装して構成されてい
る。なおモールド樹脂１０からは陽極リード７と陰極リ
ード９の端部が外部に突出し、且つモールド樹脂１０の
側面から底面に密着するように折り曲げられて、チップ
型に構成されている。
０は、固体コンデンサ素子１００の陽極部となる金属基
体１の表面と導電体層５の表面に、それぞれ陽極リード
７と陰極リード９の一端を溶接（又は導電性ペーストで
接続）し、さらに固体コンデンサ素子１００の周囲にモ
ールド樹脂１０を成形することで外装して構成されてい
る。なおモールド樹脂１０からは陽極リード７と陰極リ
ード９の端部が外部に突出し、且つモールド樹脂１０の
側面から底面に密着するように折り曲げられて、チップ
型に構成されている。
【００１３】実際の工程としては、図示しない銅金属や
鉄金属製のリードフレームに設けた陽極リード７と陰極
リード９上に前記固体コンデンサ素子１を溶接または導
電性ペーストで接続して固定し、モールド樹脂１０を成
形した後にリードフレームから陽極リード７と陰極リー
ド９をカットすることによって製造される。
鉄金属製のリードフレームに設けた陽極リード７と陰極
リード９上に前記固体コンデンサ素子１を溶接または導
電性ペーストで接続して固定し、モールド樹脂１０を成
形した後にリードフレームから陽極リード７と陰極リー
ド９をカットすることによって製造される。
【００１４】そして本発明においては、図２（ｂ）に示
すように、陽極リード７のモールド樹脂１０に覆われて
いる部分に半田メッキ層８を設けない部分１１を形成し
ている。なお陽極リード７のモールド樹脂１０から外に
突出した部分には半田メッキ層８が形成されている。な
お陰極リード９においても同様にモールド樹脂１０に覆
われている部分に半田メッキ層を設けない部分を形成し
ている。
すように、陽極リード７のモールド樹脂１０に覆われて
いる部分に半田メッキ層８を設けない部分１１を形成し
ている。なお陽極リード７のモールド樹脂１０から外に
突出した部分には半田メッキ層８が形成されている。な
お陰極リード９においても同様にモールド樹脂１０に覆
われている部分に半田メッキ層を設けない部分を形成し
ている。
【００１５】半田メッキ層８を設けない部分１１の形成
は、該部分１１となる箇所を半田メッキの前に予めマス
クすることで半田メッキ層８を形成しないようにする
か、或いは半田メッキ後に部分１１となる箇所の半田メ
ッキ層８を削除することによって行われる。
は、該部分１１となる箇所を半田メッキの前に予めマス
クすることで半田メッキ層８を形成しないようにする
か、或いは半田メッキ後に部分１１となる箇所の半田メ
ッキ層８を削除することによって行われる。
【００１６】以上のように陽極リード７と陰極リード９
のモールド樹脂１０に覆われている部分に半田メッキ層
８を設けない部分１１を形成したのは以下の理由によ
る。
のモールド樹脂１０に覆われている部分に半田メッキ層
８を設けない部分１１を形成したのは以下の理由によ
る。
【００１７】即ち、固体コンデンサはこれを実装すると
きの熱や実装された後の熱衝撃、特にチップ型固体コン
デンサにおいてはリフロー実装による高熱などにより、
半田メッキ層８部分が該熱によって部分的に溶解する
か、或いは微細欠陥が発生する場合がある。
きの熱や実装された後の熱衝撃、特にチップ型固体コン
デンサにおいてはリフロー実装による高熱などにより、
半田メッキ層８部分が該熱によって部分的に溶解する
か、或いは微細欠陥が発生する場合がある。
【００１８】そしてもし陽極リード７と陰極リード９の
全体に半田メッキ層８が形成されていると、この半田メ
ッキ層８の熱による欠陥部分を通してモールド樹脂１０
の内部に酸素が侵入することによって、固体コンデンサ
素子１００の内部の固体電解質に使用されている導電性
機能高分子膜４（図１参照）が酸化され、これによって
比抵抗値が増加し、等価直列抵抗値が増加してしまう。
全体に半田メッキ層８が形成されていると、この半田メ
ッキ層８の熱による欠陥部分を通してモールド樹脂１０
の内部に酸素が侵入することによって、固体コンデンサ
素子１００の内部の固体電解質に使用されている導電性
機能高分子膜４（図１参照）が酸化され、これによって
比抵抗値が増加し、等価直列抵抗値が増加してしまう。
【００１９】そこで本願発明においては、前述のように
陽極リード７と陰極リード９のモールド樹脂１０によっ
て覆われている部分に半田メッキ層８を設けない部分１
１を形成し、これによってたとえ半田メッキ層８に熱に
よる欠陥部分が生じてもモールド樹脂１０内部に酸素が
侵入することを防止し、導電性機能高分子膜４の酸化を
防止することとした。
陽極リード７と陰極リード９のモールド樹脂１０によっ
て覆われている部分に半田メッキ層８を設けない部分１
１を形成し、これによってたとえ半田メッキ層８に熱に
よる欠陥部分が生じてもモールド樹脂１０内部に酸素が
侵入することを防止し、導電性機能高分子膜４の酸化を
防止することとした。
【００２０】図３は前記実施形態にかかる固体コンデン
サ２００と、従来の固体コンデンサ（即ち陽極リード７
と陰極リード９の全体に半田メッキ層８を形成したも
の）との高温無負荷放置試験の結果を示す図である。
サ２００と、従来の固体コンデンサ（即ち陽極リード７
と陰極リード９の全体に半田メッキ層８を形成したも
の）との高温無負荷放置試験の結果を示す図である。
【００２１】この試験は、それぞれ定格電圧１６Ｖ−定
格容量４．７μＦの固体コンデンサを用いて、その初期
の１００ＫＨｚ等価直列抵抗値（ＥＳＲ値）〔ｍΩ〕
と、１５０℃で高温無負荷放置した後の１００ＫＨｚ等
価直列抵抗値〔ｍΩ〕とを測定してその変化を比較した
ものである。
格容量４．７μＦの固体コンデンサを用いて、その初期
の１００ＫＨｚ等価直列抵抗値（ＥＳＲ値）〔ｍΩ〕
と、１５０℃で高温無負荷放置した後の１００ＫＨｚ等
価直列抵抗値〔ｍΩ〕とを測定してその変化を比較した
ものである。
【００２２】同図からわかるように、本願発明品の方は
何れのサンプルにおいても等価直列抵抗値がほとんど増
加しないのに対して、従来品の方は等価直列抵抗値が急
激に増加するものがあり、また全体的にも等価直列抵抗
値が増加傾向にある。
何れのサンプルにおいても等価直列抵抗値がほとんど増
加しないのに対して、従来品の方は等価直列抵抗値が急
激に増加するものがあり、また全体的にも等価直列抵抗
値が増加傾向にある。
【００２３】なおモールド樹脂１０中に成形する固体コ
ンデンサ素子１００は１個のものに限定されず、複数個
積層してなる積層体であっても良いことは言うまでもな
い。
ンデンサ素子１００は１個のものに限定されず、複数個
積層してなる積層体であっても良いことは言うまでもな
い。
【００２４】また金属基体１はアルミニウムに限定され
るものではなく、他の金属を用いても良い。
るものではなく、他の金属を用いても良い。
【００２５】
【発明の効果】以上詳細に説明したように本発明によれ
ば、固体電解質として導電性機能高分子膜を使用した固
体コンデンサであっても、高温状態での固体コンデンサ
素子内部への酸素の侵入を防止できて導電性機能高分子
膜の酸化を防止でき、これによってコンデンサのＥＳＲ
値増加を防止できるという優れた効果を有する。
ば、固体電解質として導電性機能高分子膜を使用した固
体コンデンサであっても、高温状態での固体コンデンサ
素子内部への酸素の侵入を防止できて導電性機能高分子
膜の酸化を防止でき、これによってコンデンサのＥＳＲ
値増加を防止できるという優れた効果を有する。
【図１】固体コンデンサ素子１００を示す図であり、同
図（ａ）は断面図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＡ部分の
拡大図である。
図（ａ）は断面図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＡ部分の
拡大図である。
【図２】本発明にかかる固体コンデンサ２００を示す図
であり、同図（ａ）は断面図、同図（ｂ）は同図（ａ）
のＢ部分の拡大図である。
であり、同図（ａ）は断面図、同図（ｂ）は同図（ａ）
のＢ部分の拡大図である。
【図３】本発明にかかる固体コンデンサ２００と、従来
の固体コンデンサとの高温無負荷放置試験の結果を示す
図である。
の固体コンデンサとの高温無負荷放置試験の結果を示す
図である。
【符号の説明】 １ 金属基体 ２ レジスト帯 ３ アルミニウム陽極酸化皮膜（誘電体酸化皮膜） ４ 導電性機能高分子膜 ５ 導電体層 ７ 陽極リード ８ 半田メッキ層 ９ 陰極リード １０ モールド樹脂 １１ 半田メッキ層を設けない部分 １００ 固体コンデンサ素子 ２００ 固体コンデンサ
Claims (1)
- 【請求項１】 金属基体の表面に誘電体酸化皮膜を形成
し、該誘電体酸化皮膜の所定部分の表面に導電性機能高
分子膜を形成し、該導電性機能高分子膜の表面に導電体
層を設けてなる固体コンデンサ素子を１個具備するか或
いは複数個積層してなる積層体を具備し、該１個又は積
層体とした固体コンデンサ素子の前記導電性機能高分子
膜及び導電体層が形成されていない部分の金属基体表面
に陽極リードを接続すると共に導電体層表面に陰極リー
ドを接続し、該陽極リード及び陰極リードの先端から所
定部分を除いてモールド樹脂の外装を施してなる導電性
機能高分子膜を固体電解質とする固体コンデンサにおい
て、 前記陽極リードと陰極リードのモールド樹脂で覆われて
いる部分の周囲に半田メッキを設けない部分を形成した
ことを特徴とする導電性機能高分子膜を固体電解質とす
る固体コンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8294544A JPH10125558A (ja) | 1996-10-15 | 1996-10-15 | 導電性機能高分子膜を固体電解質とする固体コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8294544A JPH10125558A (ja) | 1996-10-15 | 1996-10-15 | 導電性機能高分子膜を固体電解質とする固体コンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10125558A true JPH10125558A (ja) | 1998-05-15 |
Family
ID=17809167
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8294544A Pending JPH10125558A (ja) | 1996-10-15 | 1996-10-15 | 導電性機能高分子膜を固体電解質とする固体コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10125558A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006351999A (ja) * | 2005-06-20 | 2006-12-28 | Sanyo Electric Co Ltd | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
| US7595235B2 (en) | 2004-02-20 | 2009-09-29 | Nec Tokin Corporation | Solid electrolytic capacitor, transmission-line device, method of producing the same, and composite electronic component using the same |
| WO2018159426A1 (ja) * | 2017-02-28 | 2018-09-07 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 電解コンデンサ |
-
1996
- 1996-10-15 JP JP8294544A patent/JPH10125558A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7595235B2 (en) | 2004-02-20 | 2009-09-29 | Nec Tokin Corporation | Solid electrolytic capacitor, transmission-line device, method of producing the same, and composite electronic component using the same |
| JP2006351999A (ja) * | 2005-06-20 | 2006-12-28 | Sanyo Electric Co Ltd | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
| JP4688583B2 (ja) * | 2005-06-20 | 2011-05-25 | 三洋電機株式会社 | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
| WO2018159426A1 (ja) * | 2017-02-28 | 2018-09-07 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 電解コンデンサ |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20090237865A1 (en) | Solid electrolytic capacitor and method for manufacturing same | |
| JP2004055699A (ja) | 固体電解コンデンサとその製造方法 | |
| EP1398807B1 (en) | Solid electrolytic capacitor | |
| US5223120A (en) | Method for fabricating solid electrolytic capacitors using an organic conductive layer | |
| US20050152097A1 (en) | Capacitor, circuit board with built-in capacitor and method of manufacturing the same | |
| JP4953090B2 (ja) | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
| JP2003045753A (ja) | 積層型固体電解コンデンサ | |
| JP2008078312A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JP3314480B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JPH10125558A (ja) | 導電性機能高分子膜を固体電解質とする固体コンデンサ | |
| JP2969692B2 (ja) | 積層型固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JPH08273983A (ja) | アルミ固体コンデンサ | |
| JP3433478B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JPH10289838A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| WO2006129639A1 (ja) | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
| JP4285346B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JPH10289839A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JP3168584B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JP3478041B2 (ja) | チップ状固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JP3542613B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JPH06349689A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JP3433479B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JP2924310B2 (ja) | コンデンサの製造方法 | |
| JPH03116812A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| KR100821166B1 (ko) | 적층형 고분자 콘덴서의 제조 방법 |