JPH10289838A - 固体電解コンデンサ - Google Patents
固体電解コンデンサInfo
- Publication number
- JPH10289838A JPH10289838A JP9113555A JP11355597A JPH10289838A JP H10289838 A JPH10289838 A JP H10289838A JP 9113555 A JP9113555 A JP 9113555A JP 11355597 A JP11355597 A JP 11355597A JP H10289838 A JPH10289838 A JP H10289838A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode terminal
- electrolytic capacitor
- film layer
- solid electrolytic
- external
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
- H01G11/22—Electrodes
- H01G11/30—Electrodes characterised by their material
- H01G11/48—Conductive polymers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G2/00—Details of capacitors not covered by a single one of groups H01G4/00-H01G11/00
- H01G2/02—Mountings
- H01G2/06—Mountings specially adapted for mounting on a printed-circuit support
- H01G2/065—Mountings specially adapted for mounting on a printed-circuit support for surface mounting, e.g. chip capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/228—Terminals
- H01G4/236—Terminals leading through the housing, i.e. lead-through
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3421—Leaded components
- H05K3/3426—Leaded components characterised by the leads
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 外部陽極電極端子及び外部陰極電極端子に使
用するリードフレームを改良することにより、固体電解
コンデンサがリフローハンダ付け等で実装された後に高
温状態にあってもコンデンサ特性に悪影響を与えること
がない固体電解コンデンサを提供すること。 【解決手段】 弁作用金属の表面に陽極酸化皮膜層を形
成し、該陽極酸化皮膜層上の所定の部分に導電性機能高
分子膜層を形成し、該導電性機能高分子膜層上に導電体
層を構成し、該導電体層上を陰極部として外部陰極電極
端子１２を接続すると共に、弁作用金属を陽極部として
外部陽極電極端子１１を接続し、更に絶縁性樹脂モール
ドの外装１３を施してなる固体電解コンデンサにおい
て、外部陰極電極端子１２及び外部陽極電極端子１１の
表面に、銅又は銅と錫との合金とカップリング剤とのメ
ッキ液により、メッキ処理された複合メッキ膜層１１
ａ、１２ａを形成する。
用するリードフレームを改良することにより、固体電解
コンデンサがリフローハンダ付け等で実装された後に高
温状態にあってもコンデンサ特性に悪影響を与えること
がない固体電解コンデンサを提供すること。 【解決手段】 弁作用金属の表面に陽極酸化皮膜層を形
成し、該陽極酸化皮膜層上の所定の部分に導電性機能高
分子膜層を形成し、該導電性機能高分子膜層上に導電体
層を構成し、該導電体層上を陰極部として外部陰極電極
端子１２を接続すると共に、弁作用金属を陽極部として
外部陽極電極端子１１を接続し、更に絶縁性樹脂モール
ドの外装１３を施してなる固体電解コンデンサにおい
て、外部陰極電極端子１２及び外部陽極電極端子１１の
表面に、銅又は銅と錫との合金とカップリング剤とのメ
ッキ液により、メッキ処理された複合メッキ膜層１１
ａ、１２ａを形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は導電性機能高分子を
電解質とする固体電解コンデンサに関し、特に高温状態
においてコンデンサ特性が安定している固体電解コンデ
ンサに関するものである。
電解質とする固体電解コンデンサに関し、特に高温状態
においてコンデンサ特性が安定している固体電解コンデ
ンサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年の電子機器の小形化、高性能化、高
温・高信頼性化に伴い、電子機器に使用される電源部も
小形化・長寿命化が急速に発展している。電源の小形化
・長寿命化のためには、特に出力平滑回路部に用いられ
る出力平滑コンデンサに対して、下記のような性能が要
求される。 （１）低インピーダンスで、低等価直列抵抗（ＥＳＲ）
値を有すること。
温・高信頼性化に伴い、電子機器に使用される電源部も
小形化・長寿命化が急速に発展している。電源の小形化
・長寿命化のためには、特に出力平滑回路部に用いられ
る出力平滑コンデンサに対して、下記のような性能が要
求される。 （１）低インピーダンスで、低等価直列抵抗（ＥＳＲ）
値を有すること。
【０００３】（２）高温においてコンデンサ特性値が安
定していること。
定していること。
【０００４】（３）小形で且つ大容量であること。
【０００５】上記要求に対して、従来から二酸化マンガ
ン、ＴＣＮＱ塩、導電性機能高分子膜層を固体電解質と
して用いる低インピーダンスで、低等価直列抵抗（ＥＳ
Ｒ）値を有する固体電解コンデンサが開発されて来た。
これらのコンデンサの特性は、使用した固体電解質の電
気電導度により決定され、導電性機能高分子膜を電解質
とする固体コンデンサは、他のコンデンサと比較して特
に優れている。
ン、ＴＣＮＱ塩、導電性機能高分子膜層を固体電解質と
して用いる低インピーダンスで、低等価直列抵抗（ＥＳ
Ｒ）値を有する固体電解コンデンサが開発されて来た。
これらのコンデンサの特性は、使用した固体電解質の電
気電導度により決定され、導電性機能高分子膜を電解質
とする固体コンデンサは、他のコンデンサと比較して特
に優れている。
【０００６】前記弁作用金属の表面に形成された陽極酸
化皮膜層上に導電性機能高分子膜を形成する方法として
は、電解質とピロールとを含む溶液中で電解酸化重合法
により形成する方法と、酸化剤を予め陽極酸化皮膜上に
付着させた後、該電解質とピロールとを含む液中で、化
学重合法により形成する方法とがある。
化皮膜層上に導電性機能高分子膜を形成する方法として
は、電解質とピロールとを含む溶液中で電解酸化重合法
により形成する方法と、酸化剤を予め陽極酸化皮膜上に
付着させた後、該電解質とピロールとを含む液中で、化
学重合法により形成する方法とがある。
【０００７】上記化学重合法又は電解酸化重合法により
形成した導電性機能高分子膜層は、従来の電解液や二酸
化マンガン等と比較して、非常に低い抵抗値を有するた
め、コンデンサのインピーダンスの周波数特性が良いだ
けでなく、非常に低い等価直列抵抗値を有し、従来のコ
ンデンサにない特徴を持っている。
形成した導電性機能高分子膜層は、従来の電解液や二酸
化マンガン等と比較して、非常に低い抵抗値を有するた
め、コンデンサのインピーダンスの周波数特性が良いだ
けでなく、非常に低い等価直列抵抗値を有し、従来のコ
ンデンサにない特徴を持っている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記導
電性機能高分子膜層は高温状態において、酸素に接触す
ると、導電性機能高分子膜層は酸化し、その導電性が低
下してしまうという欠点があった。このため、導電性機
能高分子膜層の形成時に酸化を抑制する酸化抑制剤の検
討や、電解質（ドーパント）の検討、封止方法の検討が
行われている。
電性機能高分子膜層は高温状態において、酸素に接触す
ると、導電性機能高分子膜層は酸化し、その導電性が低
下してしまうという欠点があった。このため、導電性機
能高分子膜層の形成時に酸化を抑制する酸化抑制剤の検
討や、電解質（ドーパント）の検討、封止方法の検討が
行われている。
【０００９】図８に示すように、固体電解コンデンサ素
子８の陽極部９に外部陽極電極端子１１を、陰極部１０
に外部陰極電極端子１２を接続し、絶縁性樹脂モールド
の外装１３を施した構造のチップ形の固体電解コンデン
サにおいては、外部陽極電極端子１１及び外部陰極電極
端子１２に使用するリードフレームをどのような構成に
するかにより、リフローハンダ付け等の高温状態におい
て、外部陽極電極端子１１及び外部陰極電極端子１２と
外装１３との間の機密性に影響を与え、下記のような問
題がある。
子８の陽極部９に外部陽極電極端子１１を、陰極部１０
に外部陰極電極端子１２を接続し、絶縁性樹脂モールド
の外装１３を施した構造のチップ形の固体電解コンデン
サにおいては、外部陽極電極端子１１及び外部陰極電極
端子１２に使用するリードフレームをどのような構成に
するかにより、リフローハンダ付け等の高温状態におい
て、外部陽極電極端子１１及び外部陰極電極端子１２と
外装１３との間の機密性に影響を与え、下記のような問
題がある。
【００１０】上記構造のチップ形の固体電解コンデンサ
においては、通常外部陽極電極端子１１及び外部陰極電
極端子１２の表面にはハンダメッキ膜層が形成されてい
る。このようにハンダメッキ膜層の形成された外部陽極
電極端子１１及び外部陰極電極端子１２を用いた固体電
解コンデンサをリフローハンダ付けで基板等に実装する
と、リフローハンダ付け時の高温により、ハンダメッキ
膜層が溶け、外部陽極電極端子１１及び外部陰極電極端
子１２と絶縁性樹脂モールドの外装１３との間の機密が
悪くなる。この実装された固体電解コンデンサを高温状
態で使用すると、固体電解コンデンサの外部陽極電極端
子１１及び外部陰極電極端子１２と外装１３の間に酸素
が浸入し、電解質である導電性機能高分子膜層が酸化
し、その導電性が低下してコンデンサ特性を劣化すると
いう問題があった。
においては、通常外部陽極電極端子１１及び外部陰極電
極端子１２の表面にはハンダメッキ膜層が形成されてい
る。このようにハンダメッキ膜層の形成された外部陽極
電極端子１１及び外部陰極電極端子１２を用いた固体電
解コンデンサをリフローハンダ付けで基板等に実装する
と、リフローハンダ付け時の高温により、ハンダメッキ
膜層が溶け、外部陽極電極端子１１及び外部陰極電極端
子１２と絶縁性樹脂モールドの外装１３との間の機密が
悪くなる。この実装された固体電解コンデンサを高温状
態で使用すると、固体電解コンデンサの外部陽極電極端
子１１及び外部陰極電極端子１２と外装１３の間に酸素
が浸入し、電解質である導電性機能高分子膜層が酸化
し、その導電性が低下してコンデンサ特性を劣化すると
いう問題があった。
【００１１】本発明は上述の点に鑑みてなされたもの
で、外部陽極電極端子及び外部陰極電極端子に使用する
リードフレームを改良することにより、固体電解コンデ
ンサがリフローハンダ付け等で実装された後に高温状態
にあってもコンデンサ特性に悪影響を与えることがない
固体電解コンデンサを提供することを目的とする。
で、外部陽極電極端子及び外部陰極電極端子に使用する
リードフレームを改良することにより、固体電解コンデ
ンサがリフローハンダ付け等で実装された後に高温状態
にあってもコンデンサ特性に悪影響を与えることがない
固体電解コンデンサを提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
請求項１に記載の発明は、弁作用金属の表面に陽極酸化
皮膜層を形成し、該陽極酸化皮膜層上の所定の部分に導
電性機能高分子膜層を形成し、該導電性機能高分子膜層
上に導電体層を構成し、該導電体層上を陰極部として外
部陰極電極端子を接続すると共に、弁作用金属を陽極部
として外部陽極電極端子を接続し、更に絶縁性樹脂材の
外装を施してなる固体電解コンデンサにおいて、外部陰
極電極端子及び外部陽極電極端子の表面に、銅又は銅と
錫との合金とカップリング剤とのメッキ液により、メッ
キ処理された複合メッキ膜層が形成されていることを特
徴とする。
請求項１に記載の発明は、弁作用金属の表面に陽極酸化
皮膜層を形成し、該陽極酸化皮膜層上の所定の部分に導
電性機能高分子膜層を形成し、該導電性機能高分子膜層
上に導電体層を構成し、該導電体層上を陰極部として外
部陰極電極端子を接続すると共に、弁作用金属を陽極部
として外部陽極電極端子を接続し、更に絶縁性樹脂材の
外装を施してなる固体電解コンデンサにおいて、外部陰
極電極端子及び外部陽極電極端子の表面に、銅又は銅と
錫との合金とカップリング剤とのメッキ液により、メッ
キ処理された複合メッキ膜層が形成されていることを特
徴とする。
【００１３】また、請求項２に記載の発明は、請求項１
に記載の固体電解コンデンサにおいて、前記カップリン
グ剤がシランカップリング剤又は金属アルコキシドであ
ることを特徴とする。
に記載の固体電解コンデンサにおいて、前記カップリン
グ剤がシランカップリング剤又は金属アルコキシドであ
ることを特徴とする。
【００１４】また、請求項３に記載の発明は、請求項２
に記載の固体電解コンデンサにおいて、前記シランカッ
プリング剤がγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシ
ラン又はγ−アミノプロピルトリエトキシシランである
ことを特徴とする。
に記載の固体電解コンデンサにおいて、前記シランカッ
プリング剤がγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシ
ラン又はγ−アミノプロピルトリエトキシシランである
ことを特徴とする。
【００１５】また、請求項４に記載の発明は、請求項２
に記載の固体電解コンデンサにおいて、前記金属アルコ
キシドがアルミニウムイソプロピレート又はチタンイソ
プロピレートであることを特徴とする。
に記載の固体電解コンデンサにおいて、前記金属アルコ
キシドがアルミニウムイソプロピレート又はチタンイソ
プロピレートであることを特徴とする。
【００１６】また、請求項５に記載の発明は、請求項１
に記載の固体電解コンデンサにおいて、前記外部陰極電
極端子及び外部陽極電極端子の表面が粗面化されてお
り、該粗面化された表面に前記複合メッキ膜層を形成し
たことを特徴とする。
に記載の固体電解コンデンサにおいて、前記外部陰極電
極端子及び外部陽極電極端子の表面が粗面化されてお
り、該粗面化された表面に前記複合メッキ膜層を形成し
たことを特徴とする。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。図１は本発明の固体電解コンデン
サの構成を示す図である。図示するように、本固体電解
コンデンサは固体電解コンデンサ素子８の陽極部９に外
部陽極電極端子１１を接続し、陰極部１０に外部陰極電
極端子１２を接続し、絶縁性樹脂（エポキシ樹脂）モー
ルドの外装１３を施した構成である。外部陽極電極端子
１１及び外部陰極電極端子１２の各々の表面には後に詳
述する複合メッキ膜層１１ａ及び１２ａが形成されてい
る。
に基づいて説明する。図１は本発明の固体電解コンデン
サの構成を示す図である。図示するように、本固体電解
コンデンサは固体電解コンデンサ素子８の陽極部９に外
部陽極電極端子１１を接続し、陰極部１０に外部陰極電
極端子１２を接続し、絶縁性樹脂（エポキシ樹脂）モー
ルドの外装１３を施した構成である。外部陽極電極端子
１１及び外部陰極電極端子１２の各々の表面には後に詳
述する複合メッキ膜層１１ａ及び１２ａが形成されてい
る。
【００１８】外部陽極電極端子１１及び外部陰極電極端
子１２はリードフレームからなり、その材質は銅又は鉄
とニッケルとの合金（４２アロイ）等を用い、その表面
には銅又は銅と錫と合金（青銅）とカップリング剤との
入ったメッキ液により、部分的（主に外装１３に埋設さ
れる部分）又は全面にメッキ処理を施して複合メッキ膜
層１１ａ及び１２ａを形成する。
子１２はリードフレームからなり、その材質は銅又は鉄
とニッケルとの合金（４２アロイ）等を用い、その表面
には銅又は銅と錫と合金（青銅）とカップリング剤との
入ったメッキ液により、部分的（主に外装１３に埋設さ
れる部分）又は全面にメッキ処理を施して複合メッキ膜
層１１ａ及び１２ａを形成する。
【００１９】上記カップリング剤としては、γ−グリシ
ドキシプロピルトリメトキシシラン又はγ−アミノプロ
ピルトリエトキシシラン等のシランカップリング剤が最
適であるが、アルミカップリング剤、チタンカップリン
グ剤等のいわゆる金属アルコキシド（化学名；アルミニ
ウムイソプロピレート、チタンイソプロピレート等）で
も良い。
ドキシプロピルトリメトキシシラン又はγ−アミノプロ
ピルトリエトキシシラン等のシランカップリング剤が最
適であるが、アルミカップリング剤、チタンカップリン
グ剤等のいわゆる金属アルコキシド（化学名；アルミニ
ウムイソプロピレート、チタンイソプロピレート等）で
も良い。
【００２０】上記のようにカップリング剤をメッキ液に
混合して、複合メッキ膜層を形成する。この複合メッキ
膜層を形成する方法としては、電解メッキ、無電解メッ
キがあるが、無電解メッキの方が優れた複合メッキ膜層
を形成できる。
混合して、複合メッキ膜層を形成する。この複合メッキ
膜層を形成する方法としては、電解メッキ、無電解メッ
キがあるが、無電解メッキの方が優れた複合メッキ膜層
を形成できる。
【００２１】また、外部陽極電極端子１１及び外部陰極
電極端子１２となるリードフレームの全表面に複合メッ
キ膜層１１ａ及び１２ａを形成した場合は、絶縁性樹脂
モールドの外装１３より外部に引き出された部分の複合
メッキ膜層１１ａ及び１２ａのそれぞれの表面にはハン
ダメッキ膜層を設けることにより、該固体電解コンデン
サの基板実装時のハンダリフロー等のハンダ付け性を良
くしておく。
電極端子１２となるリードフレームの全表面に複合メッ
キ膜層１１ａ及び１２ａを形成した場合は、絶縁性樹脂
モールドの外装１３より外部に引き出された部分の複合
メッキ膜層１１ａ及び１２ａのそれぞれの表面にはハン
ダメッキ膜層を設けることにより、該固体電解コンデン
サの基板実装時のハンダリフロー等のハンダ付け性を良
くしておく。
【００２２】また、上記リードフレームの絶縁性樹脂モ
ールドの外装１３に埋設する部分にのみ上記複合メッキ
膜層を形成した場合は、該外装１３より外部に引き出さ
れた部分の表面にはハンダメッキ膜層を設け基板実装時
のハンダリフロー等のハンダ付け性を良くしておく。ま
た、外部陽極電極端子１１及び外部陰極電極端子１２と
なるリードフレームは、上記複合メッキ膜層を形成する
前に予め粗面化しておき、該粗面化した表面に複合メッ
キ膜層を形成すると良い。
ールドの外装１３に埋設する部分にのみ上記複合メッキ
膜層を形成した場合は、該外装１３より外部に引き出さ
れた部分の表面にはハンダメッキ膜層を設け基板実装時
のハンダリフロー等のハンダ付け性を良くしておく。ま
た、外部陽極電極端子１１及び外部陰極電極端子１２と
なるリードフレームは、上記複合メッキ膜層を形成する
前に予め粗面化しておき、該粗面化した表面に複合メッ
キ膜層を形成すると良い。
【００２３】上記構成の固体電解コンデンサを基板にリ
フローでハンダ付けした場合、複合メッキ膜層１１ａ及
び１２ａの融点は３５０℃以上であるから、リフローハ
ンダ付けの温度では複合メッキ膜層１１ａ及び１２ａは
溶けることなく、外部陽極電極端子１１及び外部陰極電
極端子１２と絶縁性樹脂モールドの外装１３の機密性に
悪影響を与えることがない。従って、固体電解コンデン
サ内にこの部分からの酸素の浸入がなく、該固体電解コ
ンデンサをリフローハンダ付け等で実装した後、高温状
態下で使用してもコンデンサ特性が劣化することがな
い。
フローでハンダ付けした場合、複合メッキ膜層１１ａ及
び１２ａの融点は３５０℃以上であるから、リフローハ
ンダ付けの温度では複合メッキ膜層１１ａ及び１２ａは
溶けることなく、外部陽極電極端子１１及び外部陰極電
極端子１２と絶縁性樹脂モールドの外装１３の機密性に
悪影響を与えることがない。従って、固体電解コンデン
サ内にこの部分からの酸素の浸入がなく、該固体電解コ
ンデンサをリフローハンダ付け等で実装した後、高温状
態下で使用してもコンデンサ特性が劣化することがな
い。
【００２４】なお、上記実施形態では外部陽極電極端子
及び外部陰極電極端子にリードフレームを用いるチップ
形コンデンサを示したが、線状のリード端子を用いた固
体電解コンデンサでも同様な効果を呈する。
及び外部陰極電極端子にリードフレームを用いるチップ
形コンデンサを示したが、線状のリード端子を用いた固
体電解コンデンサでも同様な効果を呈する。
【００２５】図２及び図３は、表面に複合メッキ膜層１
１ａ及び１２ａを形成した外部陽極電極端子１１及び外
部陰極電極端子１２を用いて、定格電圧６．３Ｖ、定格
静電容量１００μＦの図１に示す構成の固体コンデンサ
を製作し、１５０℃の恒温槽中に放置してコンデンサ特
性の変化を調べた結果を示す図であり、図２は静電容量
の経時変化を、図３は等価直列抵抗（ＥＳＲ）値の経過
時変化をそれぞれ示す。
１ａ及び１２ａを形成した外部陽極電極端子１１及び外
部陰極電極端子１２を用いて、定格電圧６．３Ｖ、定格
静電容量１００μＦの図１に示す構成の固体コンデンサ
を製作し、１５０℃の恒温槽中に放置してコンデンサ特
性の変化を調べた結果を示す図であり、図２は静電容量
の経時変化を、図３は等価直列抵抗（ＥＳＲ）値の経過
時変化をそれぞれ示す。
【００２６】図２において、曲線Ａは本発明の固体電解
コンデンサを、曲線Ｂは従来の固体電解コンデンサをそ
れぞれ示す。なお、従来の固体電解コンデンサでは外部
陽極電極端子１１及び外部陰極電極端子１２の表面にハ
ンダメッキ膜層を形成している。同図から明らかなよう
に本発明の固体電解コンデンサは２５０時間経過しても
静電容量変化率は−２．５％前後と極めて小さいのに対
して、従来の固体電解コンデンサでは１００時間経過す
ると急激に増大し、静電容量変化率が大きいことがわか
る。
コンデンサを、曲線Ｂは従来の固体電解コンデンサをそ
れぞれ示す。なお、従来の固体電解コンデンサでは外部
陽極電極端子１１及び外部陰極電極端子１２の表面にハ
ンダメッキ膜層を形成している。同図から明らかなよう
に本発明の固体電解コンデンサは２５０時間経過しても
静電容量変化率は−２．５％前後と極めて小さいのに対
して、従来の固体電解コンデンサでは１００時間経過す
ると急激に増大し、静電容量変化率が大きいことがわか
る。
【００２７】図３において、曲線Ａは本発明の固体電解
コンデンサを、曲線Ｂは従来の固体電解コンデンサをそ
れぞれ示す。同図から明らかなように本発明の固体電解
コンデンサは２５０時間経過しても等価直列抵抗（ＥＳ
Ｒ）値（周波数１００ＫＨｚで）の増加は極めて小さい
（殆ど変化しない）のに対して、従来の固体電解コンデ
ンサでは時間の経過と共に等価直列抵抗値が増加してい
くことがわかる。上記のように本発明の固体電解コンデ
ンサは、静電容量変化率及び等価直列抵抗値の増加は従
来の固体電解コンデンサに比較し、極めて小さい。
コンデンサを、曲線Ｂは従来の固体電解コンデンサをそ
れぞれ示す。同図から明らかなように本発明の固体電解
コンデンサは２５０時間経過しても等価直列抵抗（ＥＳ
Ｒ）値（周波数１００ＫＨｚで）の増加は極めて小さい
（殆ど変化しない）のに対して、従来の固体電解コンデ
ンサでは時間の経過と共に等価直列抵抗値が増加してい
くことがわかる。上記のように本発明の固体電解コンデ
ンサは、静電容量変化率及び等価直列抵抗値の増加は従
来の固体電解コンデンサに比較し、極めて小さい。
【００２８】図４は上記本発明及び従来の固体電解コン
デンサのオイル試験による機密悪化試験結果を示す図で
ある。試験温度を８５℃〜２７５℃まで段階的に変化さ
せ、コンデンサの機密状態（機密悪化）を調べた結果、
本発明の固体電解コンデンサでは１０個の試験個数に対
して機密が悪化して不良となったものは零であるのに対
して、従来の固体電解コンデンサは温度が１７５℃以上
となると機密不良が発生し、２５０℃以上になると全て
の固体電解コンデンサが機密不良となる。
デンサのオイル試験による機密悪化試験結果を示す図で
ある。試験温度を８５℃〜２７５℃まで段階的に変化さ
せ、コンデンサの機密状態（機密悪化）を調べた結果、
本発明の固体電解コンデンサでは１０個の試験個数に対
して機密が悪化して不良となったものは零であるのに対
して、従来の固体電解コンデンサは温度が１７５℃以上
となると機密不良が発生し、２５０℃以上になると全て
の固体電解コンデンサが機密不良となる。
【００２９】図５乃至図７は固体電解コンデンサの製造
方法の工程を示す図である。図５に示すように表面を粗
面化したアルミニウム箔（アルミニウムエッチド箔）３
の表面に陽極酸化皮膜層１を形成し、熱処理した後、該
アルミニウム箔３の所定位置の周囲に帯状に絶縁性樹脂
でレジスト層２を形成する。
方法の工程を示す図である。図５に示すように表面を粗
面化したアルミニウム箔（アルミニウムエッチド箔）３
の表面に陽極酸化皮膜層１を形成し、熱処理した後、該
アルミニウム箔３の所定位置の周囲に帯状に絶縁性樹脂
でレジスト層２を形成する。
【００３０】図６は前記アルミニウム箔３のコンデンサ
を構成する部分に導電性機能高分子膜層４を形成するた
めの電解酸化重合装置の概略構成を示す図である。容器
１４に収容された水溶液の電解液５中に、対向電極６を
配置すると共に、該対向電極６に対向してアルミニウム
箔３を配置する。アルミニウム箔３を陽極とし、対向電
極６を陰極として直流安定化電源１５より所定電流を通
電することにより、アルミニウム箔３の水溶液の電解液
５中に浸漬している部分の陽極酸化皮膜層１に導電性機
能高分子膜層４を形成する。
を構成する部分に導電性機能高分子膜層４を形成するた
めの電解酸化重合装置の概略構成を示す図である。容器
１４に収容された水溶液の電解液５中に、対向電極６を
配置すると共に、該対向電極６に対向してアルミニウム
箔３を配置する。アルミニウム箔３を陽極とし、対向電
極６を陰極として直流安定化電源１５より所定電流を通
電することにより、アルミニウム箔３の水溶液の電解液
５中に浸漬している部分の陽極酸化皮膜層１に導電性機
能高分子膜層４を形成する。
【００３１】上記のように電解酸化重合法により、導電
性機能高分子膜層４を形成した後、図７に示すように、
該導電性機能高分子膜層４の上に導電体層７を形成し、
アルミニウム箔３の導電性機能高分子膜層４の形成され
ていない部分を所定の長さに切断し、この部分を陽極部
９、導電体層７の形成された部分を陰極部１０として固
体電解コンデンサのコンデンサ素子８ができる。
性機能高分子膜層４を形成した後、図７に示すように、
該導電性機能高分子膜層４の上に導電体層７を形成し、
アルミニウム箔３の導電性機能高分子膜層４の形成され
ていない部分を所定の長さに切断し、この部分を陽極部
９、導電体層７の形成された部分を陰極部１０として固
体電解コンデンサのコンデンサ素子８ができる。
【００３２】前記導電体層７はグラファイト層及び銀ペ
ースト層で構成するか、又はハンダ付け可能な金属、例
えば、銅、錫、ハンダ、ニッケル、黄銅、青銅等のメッ
キ層で構成する。
ースト層で構成するか、又はハンダ付け可能な金属、例
えば、銅、錫、ハンダ、ニッケル、黄銅、青銅等のメッ
キ層で構成する。
【００３３】図１は上記構成のコンデンサ素子８を複数
個積層してチップ形の固体電解コンデンサとした構成例
を示す図である。表面に複合メッキ膜層１１ａを形成し
たリードフレームの外部陽極電極端子１１の両面にそれ
ぞれコンデンサ素子８、８の陽極部９、９を接合すると
共に、表面に複合メッキ膜層１２ａを形成した外部陰極
電極端子１２の両面にそれぞれそれぞれコンデンサ素子
８、８の陰極部１０、１０を接合し、該コンデンサ素子
８、８の全表面を絶縁性樹脂モールドの外装１３で覆っ
た後、外部陽極電極端子１１及び外部陰極電極端子１２
を絶縁性樹脂モールドの外装１３の下面に折り曲げ成形
してチップ形の固体電解コンデンサができる。また、外
装１３から外部に引き出された部分にはハンダメッキ層
を形成する。
個積層してチップ形の固体電解コンデンサとした構成例
を示す図である。表面に複合メッキ膜層１１ａを形成し
たリードフレームの外部陽極電極端子１１の両面にそれ
ぞれコンデンサ素子８、８の陽極部９、９を接合すると
共に、表面に複合メッキ膜層１２ａを形成した外部陰極
電極端子１２の両面にそれぞれそれぞれコンデンサ素子
８、８の陰極部１０、１０を接合し、該コンデンサ素子
８、８の全表面を絶縁性樹脂モールドの外装１３で覆っ
た後、外部陽極電極端子１１及び外部陰極電極端子１２
を絶縁性樹脂モールドの外装１３の下面に折り曲げ成形
してチップ形の固体電解コンデンサができる。また、外
装１３から外部に引き出された部分にはハンダメッキ層
を形成する。
【００３４】なお、上記実施形態例ではコンデンサのベ
ースとなる弁作用金属にアルミニウムを用いたが、これ
に限定されるものではなく、タンタル、チタン、ニオブ
等の弁作用金属でも良い。
ースとなる弁作用金属にアルミニウムを用いたが、これ
に限定されるものではなく、タンタル、チタン、ニオブ
等の弁作用金属でも良い。
【００３５】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、固
体電解コンデンサ素子の陰極部及び陽極部に接続する外
部陰極電極端子及び外部陽極電極端子の表面に、銅又は
銅と錫との合金とカップリング剤とのメッキ液により、
メッキ処理された複合メッキ膜層を形成することによ
り、ハンダ付け等で実装しても絶縁性樹脂モールドの外
装と外部陰極電極端子及び外部陽極電極端子の間の機密
性が悪化することなく、実装後に高温状態においてもコ
ンデンサ特性値が劣化することなく、安定したコンデン
サ特性の固体電解コンデンサを提供できるという優れた
効果が得られる。
体電解コンデンサ素子の陰極部及び陽極部に接続する外
部陰極電極端子及び外部陽極電極端子の表面に、銅又は
銅と錫との合金とカップリング剤とのメッキ液により、
メッキ処理された複合メッキ膜層を形成することによ
り、ハンダ付け等で実装しても絶縁性樹脂モールドの外
装と外部陰極電極端子及び外部陽極電極端子の間の機密
性が悪化することなく、実装後に高温状態においてもコ
ンデンサ特性値が劣化することなく、安定したコンデン
サ特性の固体電解コンデンサを提供できるという優れた
効果が得られる。
【図１】本発明の固体電解コンデンサの構成を示す図で
ある。
ある。
【図２】本発明と従来例の固体電解コンデンサの高温状
態における静電容量変化率の経過時変化を示す図であ
る。
態における静電容量変化率の経過時変化を示す図であ
る。
【図３】本発明と従来例の固体電解コンデンサの高温状
態における等価直列抵抗（ＥＳＲ）値の経過時変化を示
す図である。
態における等価直列抵抗（ＥＳＲ）値の経過時変化を示
す図である。
【図４】本発明と従来例の固体電解コンデンサのオイル
試験の結果を示す図である。
試験の結果を示す図である。
【図５】本発明の固体電解コンデンサの製造方法に用い
るアルミニウム箔の構造を示す図である。
るアルミニウム箔の構造を示す図である。
【図６】本発明の固体電解コンデンサの製造方法に用い
る電解酸化重合装置の概略構成を示す図である。
る電解酸化重合装置の概略構成を示す図である。
【図７】本発明の固体電解コンデンサの製造方法で製造
した固体電解コンデンサ素子の構成を示す図である。
した固体電解コンデンサ素子の構成を示す図である。
【図８】従来のチップ形の固体電解コンデンサの構成例
を示す図である。
を示す図である。
１ 陽極酸化皮膜層 ２ 絶縁性樹脂のレジスト層 ３ アルミニウム箔 ４ 導電性機能高分子膜層 ５ 水溶液の電解液 ６ 対向電極 ７ 導電体層 ８ コンデンサ素子 ９ 陽極部 １０ 陰極部 １１ 外部陽極電極端子 １１ａ 複合メッキ膜層 １２ 外部陰極電極端子 １２ａ 複合メッキ膜層 １３ 絶縁性樹脂モールドの外装 １４ 容器 １５ 直流安定化電源
Claims (5)
- 【請求項１】 弁作用金属の表面に陽極酸化皮膜層を形
成し、該陽極酸化皮膜層上の所定の部分に導電性機能高
分子膜層を形成し、該導電性機能高分子膜層上に導電体
層を形成し、該導電体層上を陰極部として外部陰極電極
端子を接続すると共に、前記弁作用金属を陽極部として
外部陽極電極端子を接続し、更に絶縁性樹脂材の外装を
施してなる固体電解コンデンサにおいて、 前記外部陰極電極端子及び外部陽極電極端子の表面に、
銅又は銅と錫との合金とカップリング剤とのメッキ液に
より、メッキ処理された複合メッキ膜層が形成されてい
ることを特徴とする固体電解コンデンサ。 - 【請求項２】 前記カップリング剤がシランカップリン
グ剤又は金属アルコキシドであることを特徴とする請求
項１に記載の固体電解コンデンサ。 - 【請求項３】 前記シランカップリング剤がγ−グリシ
ドキシプロピルトリメトキシシラン又はγ−アミノプロ
ピルトリエトキシシランであることを特徴とする請求項
２に記載の固体電解コンデンサ。 - 【請求項４】 前記金属アルコキシドがアルミニウムイ
ソプロピレート又はチタンイソプロピレートであること
を特徴とする請求項２に記載の固体電解コンデンサ。 - 【請求項５】 前記外部陰極電極端子及び外部陽極電極
端子の表面が粗面化されており、該粗面化された表面に
前記複合メッキ膜層を形成したことを特徴とする請求項
１に記載の固体電解コンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9113555A JPH10289838A (ja) | 1997-04-15 | 1997-04-15 | 固体電解コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9113555A JPH10289838A (ja) | 1997-04-15 | 1997-04-15 | 固体電解コンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10289838A true JPH10289838A (ja) | 1998-10-27 |
Family
ID=14615268
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9113555A Pending JPH10289838A (ja) | 1997-04-15 | 1997-04-15 | 固体電解コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10289838A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002289478A (ja) * | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
| KR100452469B1 (ko) * | 2000-10-24 | 2004-10-08 | 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 | 고체 전해 콘덴서 및 그 제조 방법 |
| JP2007067065A (ja) * | 2005-08-30 | 2007-03-15 | Sanyo Electric Co Ltd | コンデンサおよびその製造方法 |
| JP2007300123A (ja) * | 2006-04-28 | 2007-11-15 | Avx Corp | 固体電解コンデンサー組立体 |
| US7595235B2 (en) | 2004-02-20 | 2009-09-29 | Nec Tokin Corporation | Solid electrolytic capacitor, transmission-line device, method of producing the same, and composite electronic component using the same |
-
1997
- 1997-04-15 JP JP9113555A patent/JPH10289838A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100452469B1 (ko) * | 2000-10-24 | 2004-10-08 | 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 | 고체 전해 콘덴서 및 그 제조 방법 |
| JP2002289478A (ja) * | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
| JP4706115B2 (ja) * | 2001-03-23 | 2011-06-22 | パナソニック株式会社 | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
| US7595235B2 (en) | 2004-02-20 | 2009-09-29 | Nec Tokin Corporation | Solid electrolytic capacitor, transmission-line device, method of producing the same, and composite electronic component using the same |
| JP2007067065A (ja) * | 2005-08-30 | 2007-03-15 | Sanyo Electric Co Ltd | コンデンサおよびその製造方法 |
| JP2007300123A (ja) * | 2006-04-28 | 2007-11-15 | Avx Corp | 固体電解コンデンサー組立体 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7688571B2 (en) | Solid electrolytic capacitor | |
| US20090116173A1 (en) | Solid electrolytic capacitor | |
| EP1398807B1 (en) | Solid electrolytic capacitor | |
| KR20030069886A (ko) | 고체 전해질 캐패시터 및 그 제조방법 | |
| JPH0817686A (ja) | パッケージ型固体電解コンデンサの構造 | |
| JP2003045753A (ja) | 積層型固体電解コンデンサ | |
| JPH10289838A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JP2009224688A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JP2007013043A (ja) | 電子素子搭載用電極アセンブリ及びこれを用いた電子部品、並びに固体電解コンデンサ | |
| JPH08273983A (ja) | アルミ固体コンデンサ | |
| JP4285346B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JP3433478B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JP2972304B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JPH10289839A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JP3168584B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JP4104803B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製法 | |
| JP2004289139A (ja) | チップ状固体電解コンデンサ | |
| JP3433479B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JP4735251B2 (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
| JPH10125558A (ja) | 導電性機能高分子膜を固体電解質とする固体コンデンサ | |
| JP3123313B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JP2526281Y2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JP2902715B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JP3505763B2 (ja) | チップ状固体電解コンデンサ | |
| JPH11283870A (ja) | チップ状電子部品 |