JPH11283870A - チップ状電子部品 - Google Patents
チップ状電子部品Info
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- JPH11283870A JPH11283870A JP10080746A JP8074698A JPH11283870A JP H11283870 A JPH11283870 A JP H11283870A JP 10080746 A JP10080746 A JP 10080746A JP 8074698 A JP8074698 A JP 8074698A JP H11283870 A JPH11283870 A JP H11283870A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electronic component
- lead frame
- chip
- layer
- shaped electronic
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Manufacturing Cores, Coils, And Magnets (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 電子部品素子を支持する強度を従来と同程度
に維持しつつ、電気抵抗を減少させたリードフレームを
提供する。 【解決手段】 電子部品素子と、該素子を支持し、且
つ、素子と素子外部の回路を電気的に接続するリードフ
レームとを具えるチップ状電子部品に於て、本発明は、
リードフレームにおける表面の一部又は全部に対し、素
子の接続部と回路の接続部に亘って、リードフレームの
基材よりも導電率の高い材料からなる高導電層が形成さ
れることを特徴とする。
に維持しつつ、電気抵抗を減少させたリードフレームを
提供する。 【解決手段】 電子部品素子と、該素子を支持し、且
つ、素子と素子外部の回路を電気的に接続するリードフ
レームとを具えるチップ状電子部品に於て、本発明は、
リードフレームにおける表面の一部又は全部に対し、素
子の接続部と回路の接続部に亘って、リードフレームの
基材よりも導電率の高い材料からなる高導電層が形成さ
れることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、チップ状コンデン
サ、チップ状抵抗器、チップ状コイル、ＩＣ等のチップ
状電子部品に関するものである。特に、本発明は、チッ
プ状電子部品におけるリードフレームの構造に関するも
のである。
サ、チップ状抵抗器、チップ状コイル、ＩＣ等のチップ
状電子部品に関するものである。特に、本発明は、チッ
プ状電子部品におけるリードフレームの構造に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】前記チップ状電子部品には、小型化およ
び製造工程の簡略化のために、電子部品素子を支持する
機能、及び、該素子と素子外部の回路を電気的に接続す
るリード線の機能を有するリードフレームが使用されて
いる。前記リードフレームには、導電性が良い、電子部
品素子を支持する強度が強い、錆難い、等の理由からニ
ッケルの含有率が42％程度であるニッケル−鉄系合金
（以下、「４２合金」と言う）が多用されている。
び製造工程の簡略化のために、電子部品素子を支持する
機能、及び、該素子と素子外部の回路を電気的に接続す
るリード線の機能を有するリードフレームが使用されて
いる。前記リードフレームには、導電性が良い、電子部
品素子を支持する強度が強い、錆難い、等の理由からニ
ッケルの含有率が42％程度であるニッケル−鉄系合金
（以下、「４２合金」と言う）が多用されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】近時、電子部品素子に
おける内部抵抗の減少が進むと共に、リードフレームの
電気抵抗を減少することが要求されている。しかしなが
ら、４２合金よりも導電率の高い金や銅をリードフレー
ムとして使用する場合では、電子部品素子を支持する強
度が４２合金に比べて劣るから、リードフレームの厚さ
を増加する必要があり、チップ状電子部品が大型化する
ことになる。本発明は、電子部品素子を支持する強度を
従来と同程度に維持しつつ、電気抵抗を減少させたリー
ドフレームを提供することを目的とする。
おける内部抵抗の減少が進むと共に、リードフレームの
電気抵抗を減少することが要求されている。しかしなが
ら、４２合金よりも導電率の高い金や銅をリードフレー
ムとして使用する場合では、電子部品素子を支持する強
度が４２合金に比べて劣るから、リードフレームの厚さ
を増加する必要があり、チップ状電子部品が大型化する
ことになる。本発明は、電子部品素子を支持する強度を
従来と同程度に維持しつつ、電気抵抗を減少させたリー
ドフレームを提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明は、電子部品素子と、該素子を支持し、且
つ、素子と素子外部の回路を電気的に接続するリードフ
レームとを具えるチップ状電子部品に於て、リードフレ
ームにおける表面の一部又は全部に対し、素子の接続部
と回路の接続部に亘って、リードフレームの基材よりも
導電率の高い材料からなる高導電層が形成されることを
特徴とする。
め、本発明は、電子部品素子と、該素子を支持し、且
つ、素子と素子外部の回路を電気的に接続するリードフ
レームとを具えるチップ状電子部品に於て、リードフレ
ームにおける表面の一部又は全部に対し、素子の接続部
と回路の接続部に亘って、リードフレームの基材よりも
導電率の高い材料からなる高導電層が形成されることを
特徴とする。
【０００５】
【作用及び効果】本発明が上記のように構成されること
により、リードフレームの強度は、リードフレームの基
材に依存するが、リードフレームを流れる電流の大部分
は高導電層を流れるから、リードフレームの電気抵抗は
高導電層に依存することになる。従って、リードフレー
ムの強度は、従来と同程度に維持でき、リードフレーム
の電気抵抗は、従来よりも減少することになる。
により、リードフレームの強度は、リードフレームの基
材に依存するが、リードフレームを流れる電流の大部分
は高導電層を流れるから、リードフレームの電気抵抗は
高導電層に依存することになる。従って、リードフレー
ムの強度は、従来と同程度に維持でき、リードフレーム
の電気抵抗は、従来よりも減少することになる。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
説明する。図１は、本発明の一実施形態である有機固体
電解コンデンサ(１)を示している。有機固体電解コンデ
ンサ(１)において電子部品素子に相当するコンデンサ素
子(２)は、その断面を図２に示すように、Ｔa、Ａl、Ｎ
b等の弁金属によって形成される陽極体(20)に陽極リー
ド線(21)を取り付け、該陽極体(20)の表面に、電解酸化
処理にて誘電体酸化皮膜(22)を形成し、該誘電体酸化皮
膜(22)上に、ポリピロール、ポリアニリン、ＴＣＮＱ
（７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン）錯塩、
等の導電性有機材料を用いて陰極層(23)を形成せしめ、
該陰極層(23)上にカーボン及び銀ペースト層(24)を形成
したものである。有機固体電解コンデンサ(１)は、コン
デンサ素子(２)における陽極リード線(21)とカーボン及
び銀ペースト層(24)とに、それぞれ板状のリードフレー
ム(３)(30)を取り付け、射出成形により、コンデンサ素
子(２)とリードフレーム(３)(30)の一部とを樹脂にて封
止して封止体(４)を形成し、封止体(４)から露出したリ
ードフレーム(３)(30)を封止体(４)に沿って折り曲げ、
それから、エージング処理を行なうことにより完成す
る。
説明する。図１は、本発明の一実施形態である有機固体
電解コンデンサ(１)を示している。有機固体電解コンデ
ンサ(１)において電子部品素子に相当するコンデンサ素
子(２)は、その断面を図２に示すように、Ｔa、Ａl、Ｎ
b等の弁金属によって形成される陽極体(20)に陽極リー
ド線(21)を取り付け、該陽極体(20)の表面に、電解酸化
処理にて誘電体酸化皮膜(22)を形成し、該誘電体酸化皮
膜(22)上に、ポリピロール、ポリアニリン、ＴＣＮＱ
（７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン）錯塩、
等の導電性有機材料を用いて陰極層(23)を形成せしめ、
該陰極層(23)上にカーボン及び銀ペースト層(24)を形成
したものである。有機固体電解コンデンサ(１)は、コン
デンサ素子(２)における陽極リード線(21)とカーボン及
び銀ペースト層(24)とに、それぞれ板状のリードフレー
ム(３)(30)を取り付け、射出成形により、コンデンサ素
子(２)とリードフレーム(３)(30)の一部とを樹脂にて封
止して封止体(４)を形成し、封止体(４)から露出したリ
ードフレーム(３)(30)を封止体(４)に沿って折り曲げ、
それから、エージング処理を行なうことにより完成す
る。
【０００７】有機固体電解コンデンサは、他の電解コン
デンサに比べてＥＳＲ（equivalentseries resistanc
e：等価直列抵抗）が数十ｍΩ（ミリオーム）と極めて
低く、さらにＥＳＲを小さくするために、リードフレー
ムの電気抵抗を下げる要求が強く、従って、本発明は有
機固体電解コンデンサに好適である。しかしながら、本
発明は、有機固体電解コンデンサに限定されることな
く、リードフレームの電気抵抗を下げることが要求され
ている、その他のチップ状電子部品にも適用できる。
デンサに比べてＥＳＲ（equivalentseries resistanc
e：等価直列抵抗）が数十ｍΩ（ミリオーム）と極めて
低く、さらにＥＳＲを小さくするために、リードフレー
ムの電気抵抗を下げる要求が強く、従って、本発明は有
機固体電解コンデンサに好適である。しかしながら、本
発明は、有機固体電解コンデンサに限定されることな
く、リードフレームの電気抵抗を下げることが要求され
ている、その他のチップ状電子部品にも適用できる。
【０００８】図３は、前記有機固体電解コンデンサ(１)
のリードフレーム(３)(30)に使用される金属板(６)の構
造を示す断面図であり、図４は、図３に対応する従来の
金属板(９)の構造を示す断面図である。なお、リードフ
レームは、金属板に対しエッチングまたは打抜きを行な
うことにより形成される。
のリードフレーム(３)(30)に使用される金属板(６)の構
造を示す断面図であり、図４は、図３に対応する従来の
金属板(９)の構造を示す断面図である。なお、リードフ
レームは、金属板に対しエッチングまたは打抜きを行な
うことにより形成される。
【０００９】従来の金属板(９)は、図４に示すように、
４２合金を基材とし、４２合金(90)の表面には、下地層
として、ニッケルのメッキによるニッケル層(91)が形成
され、該ニッケル層(91)の表面には、リードフレームの
ハンダ付け性を良くするために、ハンダ（Ｐb−Ｓn合
金）のメッキによるハンダ層(92)が形成されている。有
機固体電解コンデンサのリードフレームとして使用され
ている従来の金属板(９)の厚さは、４２合金(90)が約0.
1ｍｍ（ミリメートル）、ニッケル層(91)が0.1μｍ（マ
イクロメートル）のオーダ、ハンダ層(92)が１μｍのオ
ーダである。
４２合金を基材とし、４２合金(90)の表面には、下地層
として、ニッケルのメッキによるニッケル層(91)が形成
され、該ニッケル層(91)の表面には、リードフレームの
ハンダ付け性を良くするために、ハンダ（Ｐb−Ｓn合
金）のメッキによるハンダ層(92)が形成されている。有
機固体電解コンデンサのリードフレームとして使用され
ている従来の金属板(９)の厚さは、４２合金(90)が約0.
1ｍｍ（ミリメートル）、ニッケル層(91)が0.1μｍ（マ
イクロメートル）のオーダ、ハンダ層(92)が１μｍのオ
ーダである。
【００１０】本実施形態に使用される金属板(６)は、図
３に示すように、４２合金を基材とし、４２合金(60)の
表面には、銅のメッキによる銅層(61)が形成される。４
２合金の導電率が常温で約1.5×106Ｓ（ジーメンス）・
ｍ-1であるのに比べて、銅の導電率は、常温で約58×10
6Ｓ・ｍ-1であり、４２合金よりも著しく高い。従っ
て、４２合金(60)の表面に形成された銅層(61)は、高導
電層となる。
３に示すように、４２合金を基材とし、４２合金(60)の
表面には、銅のメッキによる銅層(61)が形成される。４
２合金の導電率が常温で約1.5×106Ｓ（ジーメンス）・
ｍ-1であるのに比べて、銅の導電率は、常温で約58×10
6Ｓ・ｍ-1であり、４２合金よりも著しく高い。従っ
て、４２合金(60)の表面に形成された銅層(61)は、高導
電層となる。
【００１１】リードフレームには、ハンダ付け性を良く
する材料を配備することが望ましい。しかしながら、前
記材料を銅層(61)の表面に配備すると、銅が前記材料に
拡散して、導電率が低下することになる。これを防止す
るため、銅層(61)の表面に対し、ニッケルのメッキによ
るニッケル層(62)が下地層として形成され、ニッケル層
(62)の表面に対し、ハンダ付け性の良い材料が配備され
る。ハンダ付け性の良い材料には、ハンダ、金、銀、パ
ラジウム等が挙げられるが、本実施形態では、ニッケル
層(62)の表面に、パラジウムのメッキによるパラジウム
層(63)が形成され、パラジウム層(63)の表面に、金のメ
ッキによる金層(64)が形成される。
する材料を配備することが望ましい。しかしながら、前
記材料を銅層(61)の表面に配備すると、銅が前記材料に
拡散して、導電率が低下することになる。これを防止す
るため、銅層(61)の表面に対し、ニッケルのメッキによ
るニッケル層(62)が下地層として形成され、ニッケル層
(62)の表面に対し、ハンダ付け性の良い材料が配備され
る。ハンダ付け性の良い材料には、ハンダ、金、銀、パ
ラジウム等が挙げられるが、本実施形態では、ニッケル
層(62)の表面に、パラジウムのメッキによるパラジウム
層(63)が形成され、パラジウム層(63)の表面に、金のメ
ッキによる金層(64)が形成される。
【００１２】有機固体電解コンデンサ(１)のリードフレ
ーム(３)(30)として使用される本実施形態の金属板(６)
の厚さは、４２合金(60)が約0.1ｍｍ、銅層(61)が１μ
ｍのオーダ、ニッケル層(62)およびパラジウム層(63)が
0.1μｍのオーダ、金層(64)が0.01μｍのオーダであ
り、従来の金属板(９)の厚さと同程度である。
ーム(３)(30)として使用される本実施形態の金属板(６)
の厚さは、４２合金(60)が約0.1ｍｍ、銅層(61)が１μ
ｍのオーダ、ニッケル層(62)およびパラジウム層(63)が
0.1μｍのオーダ、金層(64)が0.01μｍのオーダであ
り、従来の金属板(９)の厚さと同程度である。
【００１３】本実施形態の有機固体電解コンデンサを制
作して、ＥＳＲを測定したところ、ＥＳＲの平均値が4
0.9ｍΩであった。一方、従来のリードフレームを使用
し、その他の条件は本実施形態と同一にして有機固体電
解コンデンサを制作し、ＥＳＲを測定したところ、ＥＳ
Ｒの平均値が50.0ｍΩであった。従って、本発明によ
り、従来よりもＥＳＲの低いコンデンサを製造できるこ
とが分かる。
作して、ＥＳＲを測定したところ、ＥＳＲの平均値が4
0.9ｍΩであった。一方、従来のリードフレームを使用
し、その他の条件は本実施形態と同一にして有機固体電
解コンデンサを制作し、ＥＳＲを測定したところ、ＥＳ
Ｒの平均値が50.0ｍΩであった。従って、本発明によ
り、従来よりもＥＳＲの低いコンデンサを製造できるこ
とが分かる。
【００１４】また、本実施形態のリードフレームと従来
のリードフレームのハンダ付け性を、株式会社タムラ製
作所製のデジタルソルダーグラフを用いて調べた。この
測定装置は、試料にハンダを付けた際に、ハンダにより
試料に働く力を時系列的に測定することにより、ハンダ
付け性を判定するものである。図５は、前記測定の結果
を示すグラフであり、（ａ）は本実施形態のリードフレ
ームに関するグラフであり、（ｂ）は従来のリードフレ
ームに関するグラフである。グラフの横軸は時間の経過
を示し、縦軸はハンダにより試料に働く力を示す。縦軸
の値が正のときには、ハンダにより試料を押す力が働
き、負のときには、ハンダにより試料を引っ張る力が働
く。すなわち、縦軸の値がゼロより下がるほど、前記引
張り力が大きく、ハンダ付け性が良好となる。図５
（ａ）および（ｂ）を参照すると、従来のリードフレー
ムよりも本実施形態のリードフレームの方が、短時間で
引張り力が大きくなり、ハンダ付け性が良好となること
が分かる。
のリードフレームのハンダ付け性を、株式会社タムラ製
作所製のデジタルソルダーグラフを用いて調べた。この
測定装置は、試料にハンダを付けた際に、ハンダにより
試料に働く力を時系列的に測定することにより、ハンダ
付け性を判定するものである。図５は、前記測定の結果
を示すグラフであり、（ａ）は本実施形態のリードフレ
ームに関するグラフであり、（ｂ）は従来のリードフレ
ームに関するグラフである。グラフの横軸は時間の経過
を示し、縦軸はハンダにより試料に働く力を示す。縦軸
の値が正のときには、ハンダにより試料を押す力が働
き、負のときには、ハンダにより試料を引っ張る力が働
く。すなわち、縦軸の値がゼロより下がるほど、前記引
張り力が大きく、ハンダ付け性が良好となる。図５
（ａ）および（ｂ）を参照すると、従来のリードフレー
ムよりも本実施形態のリードフレームの方が、短時間で
引張り力が大きくなり、ハンダ付け性が良好となること
が分かる。
【００１５】また、ハンダ付け性を良くするためにハン
ダ（Ｐb−Ｓn合金）層(92)を形成する従来の場合、近
時、鉛（Ｐb）の使用による環境への影響が懸念され、
さらには、コンデンサ素子を樹脂にて封止する際にハン
ダ屑が発生して、所定の規格を満たさない不良品を発生
させる一因となっていた。本実施形態では、ハンダ付け
性を良くするために、ハンダ層(92)の代わりにパラジウ
ム層(63)および金層(64)を形成しているから、ハンダ層
(92)を形成することによる前記問題点を回避できる。ま
た、金の導電率は常温で約46×106Ｓ・ｍ-1であり、パ
ラジウムの導電率は常温で約10×106Ｓ・ｍ-1であっ
て、共に４２合金の導電率よりも高いから、パラジウム
層(63)および金層(64)、特に金層(64)は、高導電層とし
ても機能する。
ダ（Ｐb−Ｓn合金）層(92)を形成する従来の場合、近
時、鉛（Ｐb）の使用による環境への影響が懸念され、
さらには、コンデンサ素子を樹脂にて封止する際にハン
ダ屑が発生して、所定の規格を満たさない不良品を発生
させる一因となっていた。本実施形態では、ハンダ付け
性を良くするために、ハンダ層(92)の代わりにパラジウ
ム層(63)および金層(64)を形成しているから、ハンダ層
(92)を形成することによる前記問題点を回避できる。ま
た、金の導電率は常温で約46×106Ｓ・ｍ-1であり、パ
ラジウムの導電率は常温で約10×106Ｓ・ｍ-1であっ
て、共に４２合金の導電率よりも高いから、パラジウム
層(63)および金層(64)、特に金層(64)は、高導電層とし
ても機能する。
【００１６】また、従来のリードフレームでは、導電率
を向上するために４２合金が基材として使用されている
が、本発明では、高導電層により導電率が向上するか
ら、鉄のような、適当な強度を有し且つ４２合金よりも
安価な材料が基材として使用されることができる。ま
た、本実施形態のリードフレームは、厚さが従来のリー
ドフレームと同程度であるので、有機固体電解コンデン
サを大型化することはない。
を向上するために４２合金が基材として使用されている
が、本発明では、高導電層により導電率が向上するか
ら、鉄のような、適当な強度を有し且つ４２合金よりも
安価な材料が基材として使用されることができる。ま
た、本実施形態のリードフレームは、厚さが従来のリー
ドフレームと同程度であるので、有機固体電解コンデン
サを大型化することはない。
【００１７】上記実施形態の説明は、本発明を説明する
ためのものであって、特許請求の範囲に記載の発明を限
定し、或いは範囲を減縮する様に解すべきではない。
又、本発明の各部構成は上記実施形態に限らず、特許請
求の範囲に記載の技術的範囲内で種々の変形が可能であ
ることは勿論である。例えば、本実施形態では、リード
フレームの表面全体に高導電層が形成されているが、リ
ードフレームの表面の一部のみに高導電層が形成されて
いる場合でも、該高導電層が電子部品素子の接続部と外
部回路の接続部に亘って形成されていれば、リードフレ
ームの電気抵抗を減少させることができる。
ためのものであって、特許請求の範囲に記載の発明を限
定し、或いは範囲を減縮する様に解すべきではない。
又、本発明の各部構成は上記実施形態に限らず、特許請
求の範囲に記載の技術的範囲内で種々の変形が可能であ
ることは勿論である。例えば、本実施形態では、リード
フレームの表面全体に高導電層が形成されているが、リ
ードフレームの表面の一部のみに高導電層が形成されて
いる場合でも、該高導電層が電子部品素子の接続部と外
部回路の接続部に亘って形成されていれば、リードフレ
ームの電気抵抗を減少させることができる。
【図１】本発明の実施形態である有機固体電解コンデン
サの断面図である。
サの断面図である。
【図２】図１のコンデンサ素子の断面図である。
【図３】本実施形態のリードフレームに使用される金属
板を示す要部断面図である。
板を示す要部断面図である。
【図４】従来のリードフレームに使用される金属板を示
す要部断面図である。
す要部断面図である。
【図５】ハンダの濡れ性を示すグラフであり、（ａ）は
本実施形態のリードフレームを用いた場合であり、
（ｂ）は従来のリードフレームを用いた場合である。
本実施形態のリードフレームを用いた場合であり、
（ｂ）は従来のリードフレームを用いた場合である。
(１) 有機固体電解コンデンサ (２) コンデンサ素子 (３)(30) リードフレーム (６) 金属板 (60) ４２合金 (61) 銅層 (62) ニッケル層 (63) パラジウム層 (64) 金層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 23/50 Ｈ０１Ｇ 9/05 Ｆ (72)発明者 薬井 博 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 小島 洋一 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 高松 武史 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内
Claims (5)
- 【請求項１】 電子部品素子と、該素子を支持し、且
つ、素子と素子外部の回路を電気的に接続するリードフ
レームとを具えるチップ状電子部品に於て、 リードフレームにおける表面の一部又は全部には、素子
の接続部と回路の接続部に亘って、リードフレームの基
材よりも導電率の高い材料からなる高導電層が形成され
ることを特徴とするチップ状電子部品。 - 【請求項２】 高導電層は銅により形成されている、請
求項１に記載のチップ状電子部品。 - 【請求項３】 高導電層の表面にはニッケル層が形成さ
れ、ニッケル層の表面にはパラジウム層が形成されてい
る、請求項２に記載のチップ状電子部品。 - 【請求項４】 パラジウム層の表面には金からなる層が
形成されている、請求項３に記載のチップ状電子部品。 - 【請求項５】 チップ状電子部品は有機固体電解コンデ
ンサ(１)である、請求項１乃至請求項４の何れかに記載
のチップ状電子部品。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10080746A JPH11283870A (ja) | 1998-03-27 | 1998-03-27 | チップ状電子部品 |
| US09/168,383 US6036734A (en) | 1997-10-14 | 1998-10-08 | Forming solid electrolyte capacitor with apparatus that vibrates capacitor element while coating with silver paste |
| CNB981243150A CN1154132C (zh) | 1997-10-14 | 1998-10-14 | 固体电解电容器及其制造方法和制造设备 |
| CNB2004100085612A CN100440402C (zh) | 1997-10-14 | 1998-10-14 | 一种固体电解电容器 |
| US09/498,649 US6362950B1 (en) | 1997-10-14 | 2000-02-07 | Solid electrolyte capacitor, and process and apparatus for producing same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10080746A JPH11283870A (ja) | 1998-03-27 | 1998-03-27 | チップ状電子部品 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006155451A Division JP4489054B2 (ja) | 2006-06-02 | 2006-06-02 | 有機固体電解コンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11283870A true JPH11283870A (ja) | 1999-10-15 |
Family
ID=13726980
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10080746A Pending JPH11283870A (ja) | 1997-10-14 | 1998-03-27 | チップ状電子部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11283870A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8059390B2 (en) | 2008-06-18 | 2011-11-15 | Sanyo Electric Co., Ltd | Electrolytic capacitor |
| WO2022114047A1 (ja) * | 2020-11-30 | 2022-06-02 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 固体電解コンデンサ |
-
1998
- 1998-03-27 JP JP10080746A patent/JPH11283870A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8059390B2 (en) | 2008-06-18 | 2011-11-15 | Sanyo Electric Co., Ltd | Electrolytic capacitor |
| WO2022114047A1 (ja) * | 2020-11-30 | 2022-06-02 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 固体電解コンデンサ |
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