WO2022114047A1 - 固体電解コンデンサ - Google Patents

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WO2022114047A1
WO2022114047A1 PCT/JP2021/043139 JP2021043139W WO2022114047A1 WO 2022114047 A1 WO2022114047 A1 WO 2022114047A1 JP 2021043139 W JP2021043139 W JP 2021043139W WO 2022114047 A1 WO2022114047 A1 WO 2022114047A1
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WO
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lead terminal
solid electrolytic
electrolytic capacitor
layer
copper
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PCT/JP2021/043139
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English (en)
French (fr)
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克泰 小笠原
篤志 田中
Original Assignee
パナソニックＩｐマネジメント株式会社
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Publication date
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Priority to US18/252,053 priority patent/US20230411084A1/en
Priority to JP2022565401A priority patent/JPWO2022114047A1/ja
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/004—Details
    • H01G9/008—Terminals
    • H01G9/012—Terminals specially adapted for solid capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/004—Details
    • H01G9/08—Housing; Encapsulation
    • H01G9/10—Sealing, e.g. of lead-in wires
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/15—Solid electrolytic capacitors

Definitions

  • This disclosure relates to solid electrolytic capacitors.
  • the solid electrolytic capacitor includes a capacitor element provided with a solid electrolyte layer, a lead terminal electrically connected to the capacitor element, and an exterior body for sealing the capacitor element.
  • the exterior body suppresses the deterioration of the condenser element by the oxygen and moisture in the atmosphere reaching the condenser element.
  • the adhesion between the lead terminal and the exterior body is low, oxygen and moisture easily enter from the interface, and the solid electrolytic capacitor deteriorates.
  • Patent Document 1 Japanese Unexamined Patent Publication No. 4-253314 states that "an oxide film, a conductive material layer, a conductive polymer film, and a conductor layer are sequentially formed on the surface of a valve metal to form a capacitor element, and this capacitor element is formed.
  • the lead frame In a solid electrolytic capacitor in which a lead frame serving as a lead-out terminal is connected to the valve metal portion and the conductor layer portion of the above, and the capacitor element and a part of the lead frame are covered with a mold resin, the lead frame has a copper metal layer on the surface.
  • the solid electrolytic capacitor according to one aspect of the present disclosure is electrically connected to at least one capacitor element including an anode portion and a cathode portion, an anode lead terminal electrically connected to the anode portion, and the cathode portion.
  • a lead terminal including a cathode lead terminal and an exterior body covering the condenser element are included, and the anode lead terminal and the cathode lead terminal are connected to an embedded portion embedded in the exterior body and the embedded portion, respectively.
  • the embedded portion of the anode lead terminal has a contact surface p that comes into contact with the exterior body, and the embedded portion of the cathode lead terminal includes an exposed portion that is exposed from the exterior body.
  • the contact surface n that comes into contact with the exterior body is provided, and at least one contact surface selected from the contact surface p and the contact surface n has a rough surface having a developed area ratio of the interface of 0.4 or more.
  • a solid electrolytic capacitor capable of particularly suppressing deterioration due to intrusion of oxygen or the like can be obtained.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing an example solid electrolytic capacitor according to the embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 2 is an image of an example showing the state of the rough surface of the capacitor C2.
  • FIG. 3 is an image of an example showing the state of the rough surface of the capacitor A2.
  • one of the objects of the present disclosure is to provide a novel solid electrolytic capacitor capable of particularly suppressing deterioration due to intrusion of oxygen or the like.
  • the present disclosure provides an electrolytic capacitor and a paste for forming a conductive layer of the electrolytic capacitor in order to provide a solid electrolytic capacitor capable of particularly suppressing deterioration due to intrusion of oxygen or the like.
  • the solid electrolytic capacitor according to the present embodiment includes at least one capacitor element including an anode portion and a cathode portion, an anode lead terminal electrically connected to the anode portion, and a cathode electrically connected to the cathode portion.
  • a lead terminal including a lead terminal and an exterior body covering the capacitor element are included.
  • the anode lead terminal and the cathode lead terminal each include an embedded portion embedded in the exterior body and an exposed portion connected to the embedded portion and exposed from the exterior body.
  • the embedded portion of the anode lead terminal has a contact surface p that comes into contact with the exterior body.
  • the embedded portion of the cathode lead terminal has a contact surface n that comes into contact with the exterior body.
  • At least one contact surface selected from the contact surface p and the contact surface n has a rough surface having an interface development area ratio of 0.4 or more.
  • a rough surface having an interface development area ratio of 0.4 or more may be referred to as a "rough surface (R)" below.
  • the developed area ratio of the interface can be measured by the method described later.
  • the rough surface (R) is formed from the boundary between the embedded portion and the exposed portion to the inside of the exterior body.
  • the rough surface (R) may be formed from the embedded portion to the exposed portion so as to be formed on at least a part of the exposed portion.
  • the position of the outer surface of the exterior body may shift.
  • the length L of the rough surface (R) from the boundary between the embedded portion and the exposed portion is preferably 0.3 mm or more, even if it is 0.5 mm or more. good.
  • the length L is a length along the surface of the exposed portion, and is an apparent length when the surface of the exposed portion is assumed to be smooth.
  • the upper limit of the length L is not particularly limited, and the entire surface of the exposed portion may be a rough surface (R).
  • At least one selected from the contact surface p and the contact surface n has a rough surface (R).
  • each of the contact surface p and the contact surface n has a rough surface (R).
  • the effect of the present disclosure can be enhanced by increasing the ratio of the rough surface (R) to the contact surface.
  • the ratio of the area of the rough surface (R) to the area of the contact surface p is preferably 50% or more, more preferably 80% or more (for example, 90% or more).
  • the ratio of the area of the rough surface (R) to the area of the contact surface n is preferably 50% or more, more preferably 80% or more (for example, 90% or more). All of the contact surface p and the contact surface n may be rough surfaces (R).
  • the area here is an apparent area, which is an area assuming that the surface is smooth.
  • the surface of the lead terminal may have a rough surface (R) on a surface other than the contact surface in contact with the exterior body.
  • the surface electrically connected to the cathode portion may be a rough surface (R) having a developed area ratio of the interface of 0.4 or more.
  • the ratio of the area of the rough surface (R) to the area of the surface of the embedded portion may be 50% or more, 80% or more, or 90% or more.
  • the entire surface of the embedded portion may be a rough surface (R).
  • the developed area ratio of the interface of the rough surface (R) is 0.4 or more.
  • the lead terminal can be easily manufactured by setting the developed area ratio to a certain value or less.
  • the developed area ratio of the interface of the rough surface (R) may be 10.0 or less, 6.0 or less, 4.0 or less, 2.0 or less, 1.0 or less, or 0.6 or less.
  • the developed area ratio of the interface may be in the range specified by any of the upper limit described here and the lower limit (0.4 or more).
  • the developed area ratio of the interface of the rough surface (R) is in the range of 0.4 to 10.0, the range of 0.4 to 6.0, the range of 0.4 to 4.0, and 0.4 to 4.0. It may be in the range of 2.0, 0.4 to 1.0, or 0.4 to 0.6.
  • a preferable example of the solid electrolytic capacitor according to the present disclosure may satisfy the following conditions (1) and (2), and further satisfy the condition (3).
  • the ratio of the area of the rough surface (R) to the area of the contact surface p and the ratio of the area of the rough surface (R) to the area of the contact surface n are 50% or more and 80% or more (for example). 90% or more). All of the contact surface p and the contact surface n may be rough surfaces (R). In this condition (1), the area of the contact surface p and the area of the contact surface n may be read as the area of the embedded portion of the anode lead terminal and the area of the embedded portion of the cathode lead terminal, respectively.
  • the developed area ratio of the interface of the rough surface (R) is 0.4 or more.
  • the developed area ratio of the interface may be 10.0 or less, and may be within the above-exemplified range.
  • the rough surface (R) is formed from the boundary between the embedded portion and the exposed portion to the inside of the exterior body.
  • the rough surface (R) may be formed from the embedded portion to the exposed portion so as to be formed on at least a part of the exposed portion.
  • At least one base material selected from the base material of the anode lead terminal and the base material of the cathode lead terminal may be a copper base material. In that case, at least a part of the copper base material in the exposed portion may be covered with the copper plating layer.
  • both the base material of the anode lead terminal and the base material of the cathode lead terminal are copper base materials. In that case, at least a part of both copper substrates may be coated with a copper plating layer. The entire surface of the exposed portion may be covered with a copper plating layer.
  • a rolled copper plate can be used as the copper base material (lead frame).
  • the rolled copper plate has a structure extending along the rolling direction.
  • the direction of the ridge line at the bending position of the lead terminal and the direction in which the structure extends may be substantially parallel depending on the direction in which the rolled copper plate is punched.
  • the space between the tissues is widened by bending, and cracks may occur.
  • the plating layer (for example, the tin plating layer) formed on the copper base material receives tensile stress and cracks are generated in the plating layer, which may reduce the wettability of the solder.
  • an alloy layer of copper and tin is formed between the copper base material and the tin-plated layer due to the heat at the time of mounting. Since the alloy layer of copper and tin is harder and harder to extend than copper and tin, the stress generated by the cracks in the copper substrate cannot be relaxed, and the alloy layer is liable to crack. As a result, the tin-plated layer may also be cracked, and the wettability of the solder may be reduced. By forming the copper plating layer on the copper base material, the stress due to cracks in the copper base material can be relieved by the copper plating layer having excellent ductility.
  • the copper plating layer has a good affinity with a copper base material containing copper as a main component, and easily fills irregularities caused by cracks in the copper base material. As a result, the generation of cracks in the copper plating layer and the plating layer covering the copper plating layer is suppressed, and the deterioration of the wettability of the solder is suppressed. Therefore, the reliability of the electrical connection between the solid electrolytic capacitor and the external substrate can be improved. Since the copper plating layer has a structure perpendicular to the spreading direction of the copper base material, for example, the copper base material and the copper plating layer covering the copper base material can be distinguished by microscopic observation, and the copper base material and the copper plating layer can be distinguished. The boundary with and can be identified.
  • the thickness of the copper plating layer is preferably 2 ⁇ m or more.
  • the thickness of the copper plating layer may be, for example, 10 ⁇ m or less or 15 ⁇ m or less.
  • the copper base material may have a bent portion that is bent along the outer surface of the exterior body in the exposed portion.
  • the outer surface of the bent portion may be covered with a copper plating layer. Since high stress is applied to the bent portion, it is preferable to cover the bent portion with a copper plating layer.
  • the solid electrolytic capacitor (more specifically, the lead terminal) may further include a tin-plated layer covering the copper-plated layer.
  • the solid electrolytic capacitor (more specifically, the lead terminal) may further include another layer arranged between the copper-plated layer and the tin-plated layer.
  • the other layer may be an alloy layer of copper and tin or a nickel-plated layer.
  • the tin-plated layer can enhance the wettability of the solder and enhance the reliability of the electrical connection between the solid electrolytic capacitor and the external substrate.
  • tin (Sn) in the tin-plated layer diffuses into the copper-plated layer due to the heat at the time of mounting, and copper and copper are formed between the copper-plated layer and the tin-plated layer.
  • An alloy layer with tin may be formed.
  • a nickel plating layer may be formed between the copper plating layer and the tin plating layer.
  • the solid electrolytic capacitor (more specifically, the lead terminal) according to the present embodiment may further include a noble metal plating layer covering the copper plating layer.
  • the noble metal plating layer may contain at least one selected from the group consisting of gold, platinum, and palladium.
  • the solid electrolytic capacitor (more specifically, the lead terminal) according to the present embodiment may further include a nickel plating layer arranged between the copper plating layer and the noble metal plating layer.
  • the layer formed on the base material of the lead terminal (such as the plating layer described above) may be referred to as a “coating layer”.
  • Examples of components of capacitor elements An example of a component of a capacitor element (solid electrolytic capacitor element) will be described below.
  • Known constituent members may be applied to the constituent members other than the portions characteristic of the present disclosure.
  • the capacitor element is not particularly limited as long as the effect of the present disclosure can be obtained, and a capacitor element other than the capacitor element described below (for example, a known capacitor element) may be used.
  • the anode portion includes an anode body.
  • the anode body can include a valve acting metal, an alloy containing a valve acting metal, a compound containing a valve acting metal, and the like. These materials may be used alone or in combination of two or more.
  • As the valve acting metal for example, aluminum, tantalum, niobium, and titanium are preferably used.
  • the anode body having a porous portion on the surface is obtained, for example, by roughening the surface of a metal foil containing a valve acting metal. The roughening may be performed by electrolytic etching or the like. The entire anode may be porous.
  • the anode includes a porous portion arranged on both main surfaces and a core portion arranged between the porous portions.
  • the porosity of the core portion is lower than the porosity of the porous portion.
  • the porous portion is a region having a large number of fine pores.
  • the core portion is, for example, a region that has not been electrolytically etched.
  • the capacitor element includes a dielectric layer disposed between the anode portion and the cathode portion.
  • the dielectric layer is an insulating layer that functions as a dielectric.
  • the dielectric layer may be formed by anodizing the valvening metal on the surface of the anode (eg, metal leaf).
  • the dielectric layer may be formed so as to cover at least a part of the anode body (anode portion).
  • the dielectric layer is usually formed on the surface of the anode. Since the dielectric layer is formed on the surface of the porous portion of the anode body, it is formed along the inner wall surface of holes and depressions (also referred to as pits) on the surface of the anode body.
  • a typical dielectric layer contains an oxide of a valvening metal.
  • a typical dielectric layer when tantalum is used as the valve acting metal contains Ta 2 O 5
  • a typical dielectric layer when aluminum is used as the valve acting metal contains Al 2 O 3 .
  • the dielectric layer is not limited to this, and may be any one that functions as a dielectric.
  • the cathode portion includes a solid electrolyte layer that covers at least a part of the dielectric layer, and may further include a cathode extraction layer that covers at least a part of the solid electrolyte layer.
  • a cathode extraction layer that covers at least a part of the solid electrolyte layer.
  • Solid electrolyte layer As the solid electrolyte layer, for example, a layer containing a conductive polymer can be used.
  • the solid electrolyte layer may optionally contain at least one selected from the group consisting of dopants and other additives, in addition to the conductive polymer.
  • dopant include, but are not limited to, paratoluenesulfonic acid, naphthalenesulfonic acid, and polystyrene sulfonic acid (PSS).
  • the conductive polymer for example, a ⁇ -conjugated polymer can be used.
  • the conductive polymer include polymers having polypyrrole, polythiophene, polyaniline, polyfuran, polyacetylene, polyphenylene, polyphenylene vinylene, polyacene, and polythiophene vinylene as basic skeletons.
  • the above polymers also include homopolymers, copolymers of two or more monomers, and derivatives thereof (such as substituents having substituents).
  • polythiophene includes poly (3,4-ethylenedioxythiophene) and the like. However, these are just examples, and conductive polymers are not limited to these examples.
  • a conductive layer can be used as the cathode extraction layer.
  • a layer containing conductive particles, a metal foil, or the like may be used as the cathode extraction layer.
  • conductive particles include conductive carbon and metal particles.
  • the cathode extraction layer may include a first layer and a second layer laminated in order from the side of the solid electrolyte layer.
  • a layer containing conductive carbon may be used as the first layer, and a layer containing metal particles or a metal foil may be used as the second layer.
  • Examples of conductive carbon include graphite (artificial graphite, natural graphite, etc.).
  • metal particles include silver particles and the like.
  • the layer containing the conductive particles may be formed by using a composition containing the conductive particles and a resin (binder resin), or may be formed by using a metal paste (for example, silver paste).
  • the solid electrolytic capacitor according to this embodiment includes at least one capacitor element.
  • the number of capacitor elements included in the solid electrolytic capacitor may be in the range of 1 to 20 (for example, the range of 2 to 10).
  • the capacitor elements may be laminated.
  • the ends of the anodes of the laminated capacitor elements are electrically connected to each other.
  • the ends of those anodes may be joined by welding.
  • Anode lead terminals may be connected to the ends of those anodes.
  • a cathode lead terminal may be bonded to the cathode lead-out layer of at least one capacitor element.
  • the cathode lead terminal may be bonded to the cathode lead-out layer via a conductive adhesive or solder.
  • the cathode lead terminal may be joined to the cathode lead-out layer by welding (resistance welding, laser welding, etc.).
  • the conductive adhesive is, for example, a mixture of a curable resin and carbon particles or metal particles.
  • the solid electrolytic capacitor includes an exterior body that covers the capacitor element.
  • the exterior body also covers a part of the anode lead terminal (embedded part) and a part of the cathode lead terminal (embedded part).
  • the exterior body preferably contains a cured product of a curable resin composition, and may contain a thermoplastic resin or a composition containing the same.
  • the curable resin composition may contain a curable resin and a filler.
  • a thermosetting resin is preferable.
  • the curable resin composition may contain a filler, a curing agent, a polymerization initiator, a catalyst and the like in addition to the curable resin.
  • curable resins include epoxy resins, phenolic resins, urea resins, polyimides, polyamideimides, polyurethanes, diallyl phthalates, unsaturated polyesters and the like.
  • the curable resin composition may contain a plurality of curable resins.
  • fillers include insulating particles (inorganic particles, organic particles), insulating fibers, and the like.
  • insulating materials constituting the filler include, for example, insulating compounds such as silica and alumina (oxides and the like), glass, mineral materials (talc, mica, clay and the like) and the like.
  • the type of the filler contained in the exterior body may be only one type, or may be two or more types.
  • the content of the filler in the exterior body may be in the range of 10 to 90% by mass.
  • thermoplastic resin for example, polyphenylene sulfide (PPS), polybutylene terephthalate (PBT), or the like can be used.
  • the composition containing the thermoplastic resin may contain the above-mentioned filler and the like in addition to the thermoplastic resin.
  • the solid electrolytic capacitor according to the present embodiment may further include a case arranged outside the exterior body (resin composition).
  • resin composition a case arranged outside the exterior body
  • the resin material constituting the case include a thermoplastic resin or a composition containing the same.
  • the metal material constituting the case include metals such as aluminum, copper, and iron, or alloys thereof (including stainless steel and brass).
  • the anode lead terminal and the cathode lead terminal include an embedded portion and an exposed portion, respectively.
  • the anode lead terminal and the cathode lead terminal can be formed by a known material and a known method except for the rough surface (R) portion.
  • the anode lead terminal and the cathode lead terminal may be formed by processing a metal sheet (including a metal plate and a metal foil) made of a metal (copper, copper alloy, etc.), respectively. That is, examples of the material of the base material of the anode lead terminal and the cathode lead terminal include copper, copper alloy, and the like.
  • One end of the anode lead terminal (the end of the embedded part) is connected to the anode part.
  • One end of the cathode lead terminal (the end of the embedded portion) is connected to the cathode portion (for example, the cathode extraction layer).
  • the exposed portion of the anode lead terminal and the exposed portion of the cathode lead terminal can each function as terminal portions to be soldered or the like when a solid electrolytic capacitor is mounted.
  • the method for manufacturing the solid electrolytic capacitor according to the present embodiment is not particularly limited.
  • a known production method may be applied to these production methods, except for the method of forming the rough surface (R), or a part of the known production method may be modified and applied.
  • the solid electrolytic capacitor according to this embodiment may be manufactured by a method other than the method described below. Since the matters described about the solid electrolytic capacitor can be applied to the following manufacturing methods, duplicate description may be omitted. Further, the matters described about the following manufacturing method can be applied to the solid electrolytic capacitor according to the present embodiment.
  • a capacitor element, an anode lead terminal, and a cathode lead terminal are manufactured (step (i)).
  • the method for manufacturing the capacitor element is not particularly limited, and the capacitor element can be formed by a known method.
  • a solid electrolytic capacitor including a plurality of laminated capacitor elements a plurality of capacitor elements are laminated. In that case, if necessary, the anode portions of the plurality of capacitor elements are connected to each other by welding or the like. Further, if necessary, the cathode portions of the plurality of capacitor elements are connected to each other by a conductive paste or the like.
  • the anode lead terminal is electrically connected to the anode portion of the capacitor element, and the cathode lead terminal is electrically connected to the cathode portion of the capacitor element (step (ii)).
  • connection methods are not particularly limited, and known connection methods may be applied.
  • the anode portion and the anode lead terminal may be connected by welding or the like.
  • the cathode portion and the cathode lead terminal may be connected by a conductive paste or the like.
  • the exterior body can be formed by using molding techniques such as injection molding, insert molding, and compression molding.
  • This manufacturing method includes a step (I) of manufacturing a lead terminal (anode lead terminal and / or cathode lead terminal) having a rough surface (R).
  • the step (I) includes a step (a) of processing the metal sheet (base material) into a predetermined shape by press working or the like, and a step (b) of forming a rough surface (R).
  • the step (I) may further include a step (c) of forming a coating layer (plating layer or the like) on the substrate. Either step (a) or step (b) may come first.
  • the steps (a), the step (b), and the step (c) are particularly in this order.
  • the steps (a), the step (b), and the step (c) are particularly in this order.
  • the coating layer is formed on the surface having the rough surface (R) after the rough surface (R) is formed, the developed area ratio of the interface of the rough surface (R) may decrease.
  • the step (b) may be performed after the step (c) is performed.
  • the step (c) may be performed in which the coating layer is formed only in the region that does not have to be the rough surface (R).
  • step (c) may be performed before the step (iii) of covering the embedded portion of the capacitor element and the lead terminal with the exterior body. Alternatively, step (c) may be performed after step (iii) to form a coating layer only on the exposed portion of the lead terminal.
  • the step (a) of processing a metal sheet (base material) into a predetermined shape by press working or the like can be performed by a known method.
  • the step (b) for forming the rough surface (R) may be performed by, for example, a sandblasting method, a roughened plating method, a roughened etching method, or the like.
  • the sandblasting method is preferable because it enables quick processing and is excellent in cost performance.
  • the rough plating method is preferable in that the cost is low.
  • the rough etching method is preferable in that it has less unevenness and can form fine roughness. Further, the rough plating method and the rough etching method have an advantage that beads (projection material) do not remain, unlike the sandblast method.
  • the method of roughening the surface of the lead terminal by the sandblast method or the like has been conventionally performed. However, under the conventional conditions, the adhesion between the exterior body and the lead terminal is not sufficient. In the method of the present disclosure, roughening is performed under the condition that the developed area ratio of the interface of the rough surface is 0.4 or more.
  • the particle size of the particles (projecting material) By reducing the particle size of the particles (projecting material) (for example, increasing the count), it is possible to increase the developed area ratio of the interface of the sandblasted surface. Therefore, in this method, sandblasting is usually performed using particles smaller than the particles conventionally used for roughening the lead terminal. Further, by increasing the number of shots of sandblasting, the ratio of the developed area of the interface of the sandblasted surface can be increased to some extent. If the particle size of the particles (projecting material) is made too small, the developed area ratio of the interface may become small, but the condition that the developed area ratio of the interface on the rough surface is 0.4 or more can be easily determined by experiment.
  • the particles (projection material) used for sandblasting are not particularly limited, and alumina particles or garnet particles may be used.
  • the Sdr can be set to 0.4 or more by, for example, forming needle-shaped or particle-shaped plating to increase the surface area.
  • the proportion of needle-like or particle-like plating may be increased.
  • the difference between the etching rate of the crystal grain boundaries and the etching rate of the crystal grains (the crystal grain boundaries have a high etching rate) is used for roughening.
  • the surface area can be increased by forming the shape, and as a result, the Sdr can be 0.4 or more.
  • the ratio of the crystal grain boundaries to the crystal grains in the metal may be changed by selecting the metal as the material of the lead terminal, or the difference in the etching rate may be changed by changing the etching conditions.
  • a rough surface (R) having an interface development area ratio of 0.4 or more is formed on the lead terminal.
  • the coating layer (layer on the substrate) formed in the step (c) may be formed by a known method (for example, a known plating method). In this way, a solid electrolytic capacitor can be manufactured.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a solid electrolytic capacitor according to the first embodiment.
  • the solid electrolytic capacitor 10 shown in FIG. 1 includes a capacitor element 100, a lead terminal 20, and an exterior body 30.
  • the lead terminal 20 includes an anode lead terminal 21 electrically connected to the anode portion (anode body) 111 of the capacitor element 100 and a cathode lead terminal 22 electrically connected to the cathode portion 113 of the capacitor element 100. ..
  • the capacitor element 100 includes an anode portion (anode body) 111, a dielectric layer 112 that covers at least a part of the anode portion 111, and a cathode portion 113 that covers at least a part of the dielectric layer 112.
  • the cathode portion 113 includes a solid electrolyte layer 113a that covers at least a part of the dielectric layer 112, and a cathode extraction layer 113b that covers at least a part of the solid electrolyte layer 113a.
  • the anode lead terminal 21 includes an embedded portion 21a embedded in the exterior body 30 and an exposed portion 21b exposed from the exterior body 30.
  • the cathode lead terminal 22 includes an embedded portion 22a embedded in the exterior body 30 and an exposed portion 22b exposed from the exterior body 30.
  • FIG. 1 shows a boundary 21x between the embedded portion 21a and the exposed portion 21b, and a boundary 22x between the embedded portion 22a and the exposed portion 22b.
  • the cathode portion 113 (specifically, the cathode extraction layer 113b) of the capacitor element 100 is electrically connected to the embedded portion 22a of the cathode lead terminal 22 by the conductive paste 23.
  • the embedded portion 21a has a contact surface p that comes into contact with the exterior body 30.
  • the embedded portion 22a has a contact surface n that comes into contact with the exterior body 30.
  • the contact surface p and / or the contact surface n has the above-mentioned rough surface (R).
  • R rough surface
  • the adhesion between the exterior body 30 and the lead terminal 20 is enhanced. Therefore, it is possible to suppress the intrusion of oxygen or the like from the interface between the exterior body 30 and the lead terminal 20. As a result, deterioration of the capacitor element 100 can be suppressed, and long-term reliability of the solid electrolytic capacitor 10 can be enhanced.
  • the anode lead terminal 21 and / or the cathode lead terminal 22 may include the coating layer described above.
  • the covering layer is preferably formed so as to cover the bent portions 21d and 22d that are bent along the outer surface of the exterior body 30 in the exposed portions 21b and 22b.
  • An example electrolytic capacitor according to this embodiment may include a plurality of stacked capacitor elements 100.
  • one end of the anode portion 111 of the plurality of capacitor elements 100 is joined by welding or the like, and at least one anode portion 111 is connected to the anode lead terminal 21.
  • the cathode portion 113 of the plurality of capacitor elements 100 is connected by a conductive paste or the like, and at least one cathode portion 113 is connected to the cathode lead terminal 22 by a conductive paste or the like. That is, the plurality of capacitor elements 100 are connected in parallel.
  • the contact surface p and / or the contact surface n has a rough surface (R).
  • Each solid electrolytic capacitor contains one capacitor element.
  • the solid electrolytic capacitor and the capacitor element have a structure similar to that of the solid electrolytic capacitor 10 and the capacitor element 100 shown in FIG. 1, respectively.
  • an anode body (anode portion) was produced by roughening both surfaces of an aluminum foil (thickness: 100 ⁇ m) by etching.
  • a dielectric layer (aluminum oxide layer) was formed on the anode body by anodizing a part of the anode body in a state of being immersed in the chemical conversion solution.
  • a solid electrolyte layer was formed on the dielectric layer by the following method.
  • an aqueous solution containing a pyrrole monomer and p-toluenesulfonic acid was prepared.
  • the anode body on which the dielectric layer was formed and the counter electrode were immersed in the obtained aqueous solution, and electrolytic polymerization was performed. By this electrolytic polymerization, a solid electrolyte layer was formed.
  • the graphite particles and the dispersant were wet-ground together with water using a bead mill to obtain a dispersion liquid.
  • This dispersion was applied to the surface of the solid electrolyte layer, and then dried. In this way, a carbon layer was formed on the surface of the solid electrolyte layer.
  • a silver paste containing silver particles and a binder resin epoxy resin
  • a cathode extraction layer including a carbon layer and a metal paste layer was formed. In this way, the capacitor element was manufactured.
  • a copper sheet (thickness: 100 ⁇ m) for forming the anode lead terminal and the cathode lead terminal was prepared.
  • a rough surface was formed by roughening the portion to be the embedded portion of the anode lead terminal and the portion to be the embedded portion of the cathode lead terminal.
  • the metal sheet was processed to form the shape of the anode lead terminal and the shape of the cathode lead terminal.
  • Roughening was performed by the sandblasting method, the roughened plating method, and the roughened etching method.
  • Sdr was changed by changing the average particle size of the blast beads (projecting materials such as alumina particles and garnet particles).
  • Sdr was increased by the above-mentioned method.
  • the arithmetic mean height Sa and the developed area ratio Sdr of the interface were measured for the formed rough surface.
  • the capacitor C1 which was not roughened the arithmetic average height Sa and the developed area ratio Sdr of the interface were measured for the surface roughness of the surface of the lead terminal.
  • the developed area ratio Sdr of the interface was measured according to ISO25178.
  • the arithmetic mean height Sa was measured according to ISO 25178.
  • anode part of the capacitor element was connected to the anode lead terminal. Further, the cathode portion of the capacitor element was connected to the cathode lead terminal with a conductive paste. Next, the capacitor element, a part of the anode lead terminal (embedded part), and a part of the cathode lead terminal (embedded part) were covered by molding. In this way, an electrolytic capacitor having a structure similar to that of the electrolytic capacitor shown in FIG. 1 was manufactured.
  • capacitors C1, C2, A1 to A5 seven types of solid electrolytic capacitors (capacitors C1, C2, A1 to A5) were manufactured 100 by 100 by changing the rough surface forming method (roughening method).
  • Table 1 shows the roughening method used.
  • the average particle size of the blast beads (projecting material) used was changed as shown in Table 1 below to change the developed area ratio of the interface.
  • the average particle size of the blast beads used in the sandblasting of the capacitor C2 was used as a reference, and the ratio of the average particle size to the average particle size was changed as shown in Table 1.
  • the average particle size of the blast beads used in the sand blasting of the capacitor A1 is half the average particle size of the blast beads used in the sand blasting of the capacitor C2.
  • the condition for sandblasting the capacitor C2 is the condition for sandblasting that has been conventionally used.
  • the produced capacitor was heat-treated under the same conditions as the solder reflow process (peak temperature was 260 ° C. for 10 seconds). Then, the airtightness defect rate was evaluated for the capacitor after the heat treatment.
  • the airtightness defect rate was evaluated by the gross leak test. Specifically, a capacitor was placed inside the small capsule, and a minute pressure drop generated by the internal pressure inside the small capsule leaking into the outer body of the capacitor was measured. Then, the capacitor having a large pressure change was determined to have poor airtightness. Table 1 shows some of the capacitor manufacturing conditions and the evaluation results.
  • the airtightness defect rate after the heat treatment could be significantly reduced. It can be seen that the arithmetic average height Sa of the surface of the capacitor C2 subjected to the sandblasting treatment is significantly increased as compared with the capacitor C1 and the surface is roughened by the sandblasting treatment. However, the airtightness defect rate of the capacitor C2 after the heat treatment was still high. Although the arithmetic mean height Sa of the rough surface of the capacitors A1 to A5 was lower than that of the capacitor C2, the airtightness failure rate of the capacitors A1 to A5 was significantly lower than that of the capacitor C2. .. This indicates that the evaluation method conventionally used has not been able to perform an appropriate evaluation.
  • FIG. 2 An image of an example showing the state of unevenness of the rough surface portion of the capacitor C2 is shown in FIG. 2, and that of the capacitor A2 is shown in FIG. As shown in FIG. 2, on the rough surface of the capacitor C2, the area of one concave portion and the area of one convex portion are large, and the concave portion and the convex portion are biased. On the other hand, on the rough surface of the capacitor A2, fine irregularities are uniformly dispersed.
  • the present disclosure can be used for solid electrolytic capacitor elements and solid electrolytic capacitors.
  • Solid electrolytic capacitor 20 Lead terminal 21: Anode lead terminal 21a, 22a: Embedded portion 21b, 22b: Exposed portion 22: Cathode lead terminal 22a: Embedded portion 22b: Exposed portion 30: Exterior 100: Capacitor element 111: Anode Part 112: Dielectric layer 113: Cathode part 113a: Solid electrolyte layer 113b: Cathode extraction layer p, n: Contact surface

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Abstract

陽極部１１１と陰極部１１３とを含む少なくとも１つのコンデンサ素子１００と、陽極リード端子２１および陰極リード端子２２とを含むリード端子２０とコンデンサ素子１００を覆う外装体３０とを含む。陽極リード端子２１および陰極リード端子２２はそれぞれ、外装体３０に埋め込まれた埋め込み部２１ａおよび２２ａを含む。埋め込み部２１ａは、外装体３０と接触する接触面ｐを有し、埋め込み部２２ａは、外装体３０と接触する接触面ｎを有する。接触面ｐおよび接触面ｎから選択される少なくとも一方の接触面は、界面の展開面積比が０．４以上である粗面を有する固体電解コンデンサを用いることで、酸素などの侵入による劣化を特に抑制できる固体電解コンデンサを提供する。

Description

固体電解コンデンサ
　本開示は、固体電解コンデンサに関する。
　固体電解コンデンサは、固体電解質層を備えるコンデンサ素子と、コンデンサ素子と電気的に接続されたリード端子と、コンデンサ素子を封止する外装体とを備える。
　外装体は、大気中の酸素や水分がコンデンサ素子に到達してコンデンサ素子を劣化させることを抑制する。しかし、リード端子と外装体との界面の密着性が低いと、当該界面から酸素や水分が侵入しやすくなり、固体電解コンデンサが劣化する。
　特許文献１（特開平４－２５３３１４号公報）は、「弁金属の表面に酸化皮膜，導電物質層，導電性高分子膜，導体層を順次形成してコンデンサ素子を構成するとともに、このコンデンサ素子の弁金属部と導体層部に導出端子となるリードフレームを接続し、さらに前記コンデンサ素子とリードフレームの一部をモールド樹脂で外装する固体電解コンデンサにおいて、前記リードフレームは表面に銅金属層を有し、かつその表面が粗面化されていることを特徴とする固体電解コンデンサ。」を開示している。
特開平４－２５３３１４号公報
　本開示の一局面に係る固体電解コンデンサは、陽極部と陰極部とを含む少なくとも１つのコンデンサ素子と、前記陽極部に電気的に接続された陽極リード端子と前記陰極部に電気的に接続された陰極リード端子とを含むリード端子と、前記コンデンサ素子を覆う外装体とを含み、前記陽極リード端子および前記陰極リード端子はそれぞれ、前記外装体に埋め込まれた埋め込み部と、前記埋め込み部とつながっており且つ前記外装体から露出している露出部とを含み、前記陽極リード端子の前記埋め込み部は、前記外装体と接触する接触面ｐを有し、前記陰極リード端子の前記埋め込み部は、前記外装体と接触する接触面ｎを有し、前記接触面ｐおよび前記接触面ｎから選択される少なくとも一方の接触面は、界面の展開面積比が０．４以上である粗面を有する。
　本開示によれば、酸素などの侵入による劣化を特に抑制できる固体電解コンデンサが得られる。
図１は、本開示の実施形態に係る一例の固体電解コンデンサを模式的に示す断面図である。 図２は、コンデンサＣ２の粗面の状態を示す一例の画像である。 図３は、コンデンサＡ２の粗面の状態を示す一例の画像である。
　実施形態の説明に先立って、従来技術における課題について簡単に以下に示す。
　現在、酸素などの侵入による劣化をさらに抑制することが求められている。このような状況において、本開示の目的の１つは、酸素などの侵入による劣化を特に抑制できる新規な固体電解コンデンサを提供することである。
　上記課題を鑑み、本開示は、酸素などの侵入による劣化を特に抑制できる固体電解コンデンサを提供するための、電解コンデンサおよび電解コンデンサの導電層形成用ペーストを提供する。
　以下、本開示の実施形態の例について説明する。なお、以下の説明では、本開示の実施形態について例を挙げて説明するが、本開示は以下で説明する例に限定されない。以下の説明では、具体的な数値や材料を例示する場合があるが、本開示の効果が得られる限り、他の数値や他の材料を適用してもよい。この明細書において、「数値Ａ～数値Ｂ」という場合、当該範囲には数値Ａおよび数値Ｂが含まれる。
　（固体電解コンデンサ）
　本実施形態に係る固体電解コンデンサは、陽極部と陰極部とを含む少なくとも１つのコンデンサ素子と、前記陽極部に電気的に接続された陽極リード端子と前記陰極部に電気的に接続された陰極リード端子とを含むリード端子と、前記コンデンサ素子を覆う外装体とを含む。前記陽極リード端子および前記陰極リード端子はそれぞれ、前記外装体に埋め込まれた埋め込み部と、前記埋め込み部とつながっており且つ前記外装体から露出している露出部とを含む。陽極リード端子の埋め込み部は、外装体と接触する接触面ｐを有する。陰極リード端子の埋め込み部は、外装体と接触する接触面ｎを有する。接触面ｐおよび前記接触面ｎから選択される少なくとも一方の接触面は、界面の展開面積比が０．４以上である粗面を有する。界面の展開面積比が０．４以上である粗面を、以下では「粗面（Ｒ）」と称する場合がある。界面の展開面積比は、後述する方法で測定できる。
　リード端子と外装体との密着性を向上させる方法として、サンドブラスト法などの方法でリード端子の表面を粗面化する方法が従来から用いられてきた。しかし、検討の結果、従来の方法でリード端子の表面を粗面化しても充分な効果が得られない場合があることを本願発明者らは新たに見出した。本開示は、この新たな知見に基づく。
　接触面と外装体との密着性が低いと、接触面と外装体との界面から酸素などが侵入しやすくなる。従来は全く知られていなかったが、実施例で示すように、接触面が粗面（Ｒ）を有することによって、接触面と外装体との界面から酸素などが侵入することを抑制できる。これは、接触面が粗面（Ｒ）を有することによって、接触面と外装体との密着性が向上するためであると考えられる。
　大気中の酸素などは、外装体の表面から外装体の内部に侵入する。そのため、粗面（Ｒ）は、埋め込み部と露出部との境界から外装体の内部にわたって形成されていることが好ましい。
　粗面（Ｒ）は、露出部の少なくとも一部にも形成されるように、埋め込み部から露出部にまたがって形成されていてもよい。外装体で封止する場合に、外装体の外表面の位置がずれる場合がある。埋め込み部から露出部にまたがるように粗面（Ｒ）を形成することによって、埋め込み部が確実に粗面（Ｒ）を有するようにできる。
　露出部にも粗面（Ｒ）が形成される場合、粗面（Ｒ）がどの範囲まで形成されるかは特に限定はない。埋め込み部と露出部との境界（すなわち露出部と外装体との接触部）からの粗面（Ｒ）の長さＬは、好ましくは０．３ｍｍ以上であり、０．５ｍｍ以上であってもよい。ここで、長さＬは、露出部の表面に沿った長さであり、露出部の表面が滑らかであると仮定したときの見かけの長さである。長さＬの上限は特に限定はなく、露出部の表面のすべてが粗面（Ｒ）であってもよよい。
　接触面ｐおよび接触面ｎから選択される少なくとも一方は、粗面（Ｒ）を有する。好ましい一例では、接触面ｐおよび接触面ｎのそれぞれが、粗面（Ｒ）を有する。
　接触面に占める粗面（Ｒ）の割合が高くすることによって、本開示の効果を高めることができる。接触面ｐの面積に占める粗面（Ｒ）の面積の割合は、好ましくは５０％以上であり、より好ましくは８０％以上（例えば９０％以上）である。接触面ｎの面積に占める粗面（Ｒ）の面積の割合は、好ましくは５０％以上であり、より好ましくは８０％以上（例えば９０％以上）である。接触面ｐおよび接触面ｎのすべてが粗面（Ｒ）であってもよい。なお、ここでの面積とは、見かけの面積であって、表面が滑らかであると仮定したときの面積である。
　なお、リード端子の表面は、外装体と接触している接触面以外の表面にも粗面（Ｒ）を有してもよい。例えば、陰極リード端子の表面のうち、陰極部と電気的に接続される表面が、界面の展開面積比が０．４以上である粗面（Ｒ）であってもよい。埋め込み部の表面の面積に占める粗面（Ｒ）の面積の割合は、５０％以上、８０％以上、または９０％以上であってもよい。埋め込み部の表面のすべてが粗面（Ｒ）であってもよい。
　上述したように、粗面（Ｒ）の界面の展開面積比は０．４以上である。粗面（Ｒ）の界面の展開面積比に特に上限はないが、当該展開面積比を一定値以下とすることによって、リード端子の製造を容易にできる。粗面（Ｒ）の界面の展開面積比は、１０．０以下、６．０以下、４．０以下、２．０以下、１．０以下、または０．６以下であってもよい。当該界面の展開面積比は、ここで記載した上限のいずれかと下限（０．４以上）とで規定される範囲にあってもよい。例えば、粗面（Ｒ）の界面の展開面積比は、０．４～～１０．０の範囲、０．４～６．０の範囲、０．４～４．０の範囲、０．４～２．０の範囲、０．４～１．０の範囲、または０．４～０．６の範囲にあってもよい。
　本開示に係る固体電解コンデンサの好ましい一例は、以下の条件（１）および（２）を満たし、条件（３）をさらに満たしてもよい。
（１）接触面ｐの面積に占める粗面（Ｒ）の面積の割合および接触面ｎの面積に占める粗面（Ｒ）の面積の割合はそれぞれ、５０％以上であり、８０％以上（例えば９０％以上）であってもよい。接触面ｐおよび接触面ｎのすべてが粗面（Ｒ）であってもよい。この条件（１）において、接触面ｐの面積および接触面ｎの面積をそれぞれ、陽極リード端子の埋め込み部の面積、および、陰極リード端子の埋め込み部の面積と読み替えてもよい。
（２）粗面（Ｒ）の界面の展開面積比は０．４以上である。当該界面の展開面積比は、１０．０以下であってもよく、上記例示の範囲にあってもよい。
（３）粗面（Ｒ）は、埋め込み部と露出部との境界から外装体の内部にわたって形成されている。粗面（Ｒ）は、露出部の少なくとも一部にも形成されるように、埋め込み部から露出部にまたがって形成されていてもよい。
　陽極リード端子の基材および陰極リード端子の基材から選択される少なくとも一方の基材は銅基材であってもよい。その場合、露出部における銅基材の少なくとも一部が銅めっき層で被覆されていてもよい。好ましい一例では、陽極リード端子の基材および陰極リード端子の基材の両方が銅基材である。その場合、両方の銅基材の少なくとも一部が銅めっき層で被覆されていてもよい。露出部の表面全体が、銅めっき層で被覆されていてもよい。
　銅基材（リードフレーム）として、圧延銅板を用いることができる。しかしながら、圧延銅板は、圧延方向に沿って延びる組織を有する。圧延銅板を打ち抜きリードフレームを作製する際、圧延銅板を打ち抜く方向によっては、リード端子の屈曲位置における稜線の方向と組織の延びる方向が略平行になり得る。この場合、屈曲位置の山側では、組織間の間隔が屈曲により広がり、亀裂が発生する場合がある。結果、銅基材上に形成されためっき層（例えば、錫めっき層）が引っ張り応力を受けて亀裂がめっき層に発生し、はんだの濡れ性が低下する場合がある。
　銅基材の表面を直接、錫めっき層で被覆する場合、実装時の熱により銅基材と錫めっき層の間に銅と錫との合金層が形成される。銅と錫との合金層は、銅および錫と比べて硬く、延びにくいため、銅基材の亀裂によって生じた応力を緩和できず、合金層に亀裂が生じ易い。その結果、錫めっき層にも亀裂が生じ、はんだの濡れ性が低下し得る。銅基材上に銅めっき層を形成することによって、延展性に優れる銅めっき層により銅基材の亀裂による応力を緩和することができる。また、銅めっき層は、同じく銅を主成分とする銅基材との親和性がよく、銅基材の亀裂により生じた凹凸を埋めやすい。これにより、銅めっき層および銅めっき層を被覆するめっき層の亀裂の発生が抑制され、はんだの濡れ性の低下が抑制される。よって、固体電解コンデンサと外部基板との電気的接続の信頼性を高めることができる。なお、銅めっき層は銅基材の延展方向と垂直に組織が存在するため、例えば顕微鏡観察により、銅基材と銅基材を覆う銅めっき層とを区別でき、銅基材と銅めっき層との境界を識別可能である。
　銅めっき層の厚さは、好ましくは２μｍ以上である。厚さを２μｍ以上とすることによって、銅基材の亀裂により発生する引っ張り応力を効果的に緩和でき、銅めっき層および銅めっき層を被覆するめっき層の亀裂の発生を効果的に抑制できる。その結果、はんだの濡れ性の低下の抑制効果を高めることができる。銅めっき層の厚さは、例えば１０μｍ以下または１５μｍ以下であってもよい。
　銅基材は、露出部において外装体の外表面に沿って屈曲している屈曲部を有してもよい。その場合、屈曲部の外側の表面が銅めっき層で被覆されていてもよい。屈曲部には高い応力が加わるため、その部分を銅めっき層で被覆することが好ましい。
　本実施形態に係る固体電解コンデンサ（より詳細にはリード端子）は、上記銅めっき層を覆う錫めっき層をさらに含んでもよい。この場合、固体電解コンデンサ（より詳細にはリード端子）は、銅めっき層と錫めっき層との間に配置された他の層をさらに含んでもよい。当該他の層は、銅と錫との合金層またはニッケルめっき層であってもよい。錫めっき層によって、はんだの濡れ性を高めることができ、固体電解コンデンサと外部基板との電気的接続の信頼性を高めることができる。なお、銅めっき層上に錫めっき層を形成する場合、実装時の熱によって錫めっき層中の錫（Ｓｎ）が銅めっき層に拡散し、銅めっき層と錫めっき層との間に銅と錫との合金層が形成される場合がある。銅めっき層と錫めっき層との間に、ニッケルめっき層を形成してもよい。
　本実施形態に係る固体電解コンデンサ（より詳細にはリード端子）は、上記銅めっき層を覆う貴金属めっき層をさらに含んでもよい。貴金属めっき層は、金、白金、およびパラジウムからなる群より選択される少なくとも１種を含んでもよい。
　本実施形態に係る固体電解コンデンサ（より詳細にはリード端子）は、上記銅めっき層と上記貴金属めっき層との間に配置されたニッケルめっき層をさらに含んでもよい。
　以下では、リード端子の基材上に形成された層（上述しためっき層など）を、「被覆層」と称する場合がある。
　（コンデンサ素子の構成部材の例）
　コンデンサ素子（固体電解コンデンサ素子）の構成部材の例について、以下に説明する。本開示に特徴的な部分以外の構成部材には、公知の構成部材を適用してもよい。なお、本開示の効果が得られる限りコンデンサ素子に特に限定はなく、以下で説明するコンデンサ素子以外の他のコンデンサ素子（例えば公知のコンデンサ素子）を用いてもよい。
　（陽極部）
　陽極部は、陽極体を含む。陽極体は、弁作用金属、弁作用金属を含む合金、および弁作用金属を含む化合物などを含むことができる。これらの材料は、一種を単独で使用してもよいし、二種以上を組み合わせて使用してもよい。弁作用金属としては、例えば、アルミニウム、タンタル、ニオブ、チタンが好ましく使用される。表面に多孔質部を備える陽極体は、例えば、弁作用金属を含む金属箔の表面を粗面化することによって得られる。粗面化は、電解エッチング等によって行ってもよい。陽極体全体が多孔質であってもよい。ただし、強度の観点から、陽極体は、両方の主面に配置された多孔質部と、それら多孔質部の間に配置された芯部とを含むことが好ましい。芯部の多孔度は、多孔質部の多孔度よりも低い。多孔質部は、多数の微細な孔を有する領域である。芯部は、例えば、電解エッチングされていない領域である。
　（誘電体層）
　コンデンサ素子は、陽極部と陰極部との間に配置された誘電体層を含む。誘電体層は、誘電体として機能する絶縁性の層である。誘電体層は、陽極体（例えば金属箔）の表面の弁作用金属を、陽極酸化することによって形成してもよい。誘電体層は、陽極体（陽極部）の少なくとも一部を覆うように形成されていればよい。誘電体層は、通常、陽極体の表面に形成される。誘電体層は、陽極体の多孔質部の表面に形成されるため、陽極体の表面の孔や窪み（ピットとも称する）の内壁面に沿って形成される。
　典型的な誘電体層は、弁作用金属の酸化物を含む。例えば、弁作用金属としてタンタルを用いた場合の典型的な誘電体層はＴａ２Ｏ５を含み、弁作用金属としてアルミニウムを用いた場合の典型的な誘電体層はＡｌ２Ｏ３を含む。尚、誘電体層はこれに限らず、誘電体として機能するものであればよい。
　（陰極部）
　陰極部は、誘電体層の少なくとも一部を覆う固体電解質層を含み、固体電解質層の少なくとも一部を覆う陰極引出層をさらに含んでもよい。以下、固体電解質層および陰極引出層について以下に説明する。
　（固体電解質層）
　固体電解質層には、例えば、導電性高分子を含む層を用いることができる。固体電解質層は、必要に応じて、導電性高分子に加えて、ドーパントおよび他の添加剤からなる群より選択される少なくとも一種を含んでもよい。ドーパントとしては、例えば、パラトルエンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸、ポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
　導電性高分子としては、例えば、π共役系高分子を用いることができる。導電性高分子としては、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリフラン、ポリアセチレン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン、ポリアセン、およびポリチオフェンビニレンを基本骨格とする高分子が挙げられる。上記の高分子には、単独重合体、二種以上のモノマーの共重合体、およびこれらの誘導体（置換基を有する置換体など）も含まれる。例えば、ポリチオフェンには、ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）などが含まれる。しかし、これらは単なる例であり、導電性高分子はこれらの例に限定されない。
　（陰極引出層）
　陰極引出層には、導電性を有する層を用いることができる。例えば、陰極引出層には、導電性粒子を含む層、金属箔などを用いてもよい。導電性粒子の例には、導電性カーボンおよび金属粒子などが含まれる。陰極引出層は、固体電解質層の側から順に積層された第１の層と第２の層とを含んでもよい。一例では、第１の層に導電性カーボンを含む層を用
い、第２の層に金属粒子を含む層または金属箔を用いてもよい。導電性カーボンの例には、黒鉛（人造黒鉛、天然黒鉛など）などが含まれる。金属粒子の例には、銀粒子などが含まれる。導電性粒子を含む層は、導電性粒子と樹脂（バインダ樹脂）とを含む組成物を用いて形成してもよく、金属ペースト（例えば銀ペースト）を用いても形成してもよい。
　（固体電解コンデンサ）
　本実施形態に係る固体電解コンデンサは、少なくとも１つのコンデンサ素子を含む。固体電解コンデンサに含まれるコンデンサ素子の数は、１～２０の範囲（例えば２～１０の範囲）にあってもよい。
　電解コンデンサが複数のコンデンサ素子を含む場合、当該コンデンサ素子は積層されていてもよい。通常、積層されたコンデンサ素子の陽極体の端部は互いに電気的に接続される。例えば、それらの陽極体の端部は、溶接によって接合されていてもよい。それらの陽極体の端部に、陽極リード端子が接続されてもよい。
　通常、積層されたコンデンサ素子の陰極引出層同士は、電気的に接続されている。少なくとも１つのコンデンサ素子の陰極引出層に、陰極リード端子が接合されてもよい。陰極リード端子は、導電性接着剤やはんだを介して陰極引出層に接合されてもよい。あるいは、陰極リード端子は、溶接（抵抗溶接やレーザ溶接など）によって陰極引出層に接合されてもよい。導電性接着剤は、例えば、硬化性樹脂と炭素粒子や金属粒子との混合物である。
　上述したように、固体電解コンデンサは、コンデンサ素子を覆う外装体を含む。外装体は、陽極リード端子の一部（埋め込み部）および陰極リード端子の一部（埋め込み部）も覆っている。外装体は、硬化性樹脂組成物の硬化物を含むことが好ましく、熱可塑性樹脂またはそれを含む組成物を含んでもよい。硬化性樹脂組成物は、硬化性樹脂とフィラーとを含んでもよい。硬化性樹脂としては、熱硬化性樹脂が好ましい。
　硬化性樹脂組成物は、硬化性樹脂に加え、フィラー、硬化剤、重合開始剤、および触媒などを含んでもよい。硬化性樹脂の例には、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリウレタン、ジアリルフタレート、および不飽和ポリエステルなどが含まれる。硬化性樹脂組成物は、複数の硬化性樹脂を含んでもよい。
　フィラーの例には、絶縁性の粒子（無機粒子、有機粒子）、絶縁性の繊維などが含まれる。フィラーを構成する絶縁性材料の例には、例えば、シリカ、アルミナなどの絶縁性の化合物（酸化物など）、ガラス、鉱物材料（タルク、マイカ、クレーなど）などが含まれる。外装体に含まれるフィラーの種類は一種のみであってもよいし、二種以上であってもよい。外装体におけるフィラーの含有率は、１０～９０質量％の範囲にあってもよい。
　熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）などを用いることができる。熱可塑性樹脂を含む組成物は、熱可塑性樹脂に加え、上記のフィラーなどを含んでもよい。
　本実施形態に係る固体電解コンデンサは、外装体（樹脂組成物）の外側に配置されたケースをさらに含んでもよい。ケースを構成する樹脂材料としては、熱可塑性樹脂もしくはそれを含む組成物などが挙げられる。ケースを構成する金属材料としては、例えば、アルミニウム、銅、鉄などの金属あるいはその合金（ステンレス鋼、真鍮なども含む）が挙げられる。
　（リード端子）
　上述したように、陽極リード端子および陰極リード端子はそれぞれ、埋め込み部と露出部とを含む。陽極リード端子および陰極リード端子は、粗面（Ｒ）の部分を除いて公知の材料および公知の方法で形成できる。上述したように、陽極リード端子および陰極リード端子はそれぞれ、金属（銅、銅合金など）からなる金属シート（金属板および金属箔を含む）を加工することによって形成してもよい。すなわち、陽極リード端子および陰極リード端子の基材の材質の例には、銅や銅合金などが含まれる。
　陽極リード端子の一端（埋め込み部の端部）は、陽極部に接続される。陰極リード端子の一端（埋め込み部の端部）は、陰極部（例えば陰極引出層）に接続される。陽極リード端子の露出部および陰極リード端子の露出部はそれぞれ、固体電解コンデンサが実装される際にはんだ付けなどが行われる端子部として機能しうる。
　（固体電解コンデンサ素子および固体電解コンデンサの製造方法）
　本実施形態に係る固体電解コンデンサの製造方法に特に限定はない。それらの製造方法には、粗面（Ｒ）を形成する方法を除いて、公知の製造方法を適用してもよいし、公知の製造方法の一部を修正して適用してもよい。
　本実施形態に係る固体電解コンデンサの製造方法の例を以下に説明する。ただし、本実施形態に係る固体電解コンデンサは、以下で説明する方法以外の方法で製造してもよい。固体電解コンデンサについて説明した事項は以下の製造方法にも適用できるため、重複する説明を省略する場合がある。また、以下の製造方法について説明した事項は、本実施形態に係る固体電解コンデンサに適用できる。
　まず、コンデンサ素子、陽極リード端子、および陰極リード端子を作製する（工程（ｉ））。コンデンサ素子の作製方法に特に限定はなく、公知の方法で形成できる。積層された複数のコンデンサ素子を含む固体電解コンデンサを製造する場合には、複数のコンデンサ素子を積層する。その場合、必要に応じて、複数のコンデンサ素子の陽極部同士を溶接などによって接続する。また、必要に応じて、複数のコンデンサ素子の陰極部同士を、導電性ペーストなどによって接続する。
　次に、コンデンサ素子の陽極部に陽極リード端子を電気的に接続し、コンデンサ素子の陰極部に陰極リード端子を電気的に接続する（工程（ii））。これらの接続方法に特に限定はなく、公知の接続方法を適用してもよい。例えば、陽極部と陽極リード端子とは、溶接などによって接続してもよい。陰極部と陰極リード端子とは、導電性ペーストなどによって接続してもよい。
　次に、コンデンサ素子、陽極リード端子の埋め込み部、陰極リード端子の埋め込み部を外装体で覆う（工程（iii））。外装体は、射出成形、インサート成形、圧縮成形などの成形技術を用いて形成できる。
　この製造方法は、粗面（Ｒ）を有するリード端子（陽極リード端子および／または陰極リード端子）を作製する工程（Ｉ）を含む。工程（Ｉ）は、金属シート（基材）をプレス加工などによって所定の形状に加工する工程（ａ）と、粗面（Ｒ）を形成する工程（ｂ）とを含む。工程（Ｉ）は、基材上に被覆層（めっき層など）を形成する工程（ｃ）をさらに含んでもよい。工程（ａ）と工程（ｂ）とはどちらが先であってもよい。
　工程（Ｉ）が工程（ｃ）を含む場合、最終的に粗面（Ｒ）が所定の領域に形成される限り、工程（ａ）、工程（ｂ）、および工程（ｃ）の順番に特に限定はない。ただし、粗面（Ｒ）を形成した後に粗面（Ｒ）を有する表面の上に被覆層を形成すると、粗面（Ｒ）の界面の展開面積比が低下する場合がある。その場合には、工程（ｃ）を行った後に工程（ｂ）を行えばよい。あるいは、工程（ｂ）で粗面（Ｒ）を形成した後、粗面（Ｒ）ではなくてもよい領域のみに被覆層を形成する工程（ｃ）を行ってもよい。工程（ｃ）は、コンデンサ素子およびリード端子の埋め込み部を外装体で覆う工程（iii）の前に行ってもよい。あるいは、工程（iii）の後に工程（ｃ）を行い、リード端子の露出部のみに被覆層を形成してもよい。
　金属シート（基材）をプレス加工などによって所定の形状に加工する工程（ａ）は、公知の方法で行うことができる。
　粗面（Ｒ）を形成する工程（ｂ）は、例えば、サンドブラスト法、粗化めっき法、粗化エッチング法などによって行ってもよい。サンドブラスト法は、素早い処理が可能でコストパフォーマンスに優れる点で好ましい。粗化めっき法は、コストが低い点で好ましい。粗化エッチング法は、ムラが少なく、目が細かい粗さを形成できる点で好ましい。また、粗化めっき法および粗化エッチング法は、サンドブラスト法とは異なり、ビーズ（投射材）が残存しないという利点を有する。
　サンドブラスト法などによってリード端子の表面を粗面化する方法は従来から行われている。しかし、従来の条件では、外装体とリード端子との密着性が充分ではなかった。本開示の方法では、粗面の界面の展開面積比０．４以上となるような条件で粗面化が行われる。
　粒子（投射材）の粒径を小さくすること（例えば、番手を大きくすること）によって、サンドブラスト処理された面の界面の展開面積比を大きくすることが可能である。そのため、この方法では、通常、リード端子の粗面化に従来から用いられてきた粒子よりも小さい粒子を用いてサンドブラストが行われる。また、サンドブラストのショット数を大きくすることによっても、サンドブラスト処理された面の界面の展開面積比をある程度大きくすることができる。粒子（投射材）の粒径を小さくしすぎると界面の展開面積比が小さくなる場合があるが、粗面の界面の展開面積比が０．４以上となる条件は実験で簡単に決定できる。サンドブラストに用いる粒子（投射材）に特に限定はなく、アルミナの粒子やガーネットの粒子を用いてもよい。
　粗面（Ｒ）を粗化めっき法で形成する場合には、例えば、針状や粒子状のめっきを形成して表面積を増やすことによって、Ｓｄｒを０．４以上とすることができる。例えば、針状や粒子状のめっきの割合を増やしてもよい。
　粗面（Ｒ）を粗化エッチング法で形成する場合には、例えば、結晶粒界のエッチング速度と結晶粒のエッチング速度との差(結晶粒界はエッチング速度が高い)を利用して粗化形状を形成することによって表面積を増やすことができ、その結果、Ｓｄｒを０．４以上とすることができる。例えば、リード端子の材料となる金属を選択することによって当該金属における結晶粒界と結晶粒との割合を変えたり、エッチング条件を変えることによってエッチング速度の差を変化させたりしてもよい。
　以上のようにして、界面の展開面積比が０．４以上である粗面（Ｒ）がリード端子に形成される。工程（ｃ）で形成される被覆層（基材上の層）は、公知の方法（例えば公知のめっき法）で形成してもよい。このようにして、固体電解コンデンサを製造できる。
　本開示に係る実施形態の例について、図面を参照して以下に具体的に説明する。以下で説明する例の構成要素には、上述した構成要素を適用できる。また、以下で説明する例は、上述した記載に基づいて変更できる。また、以下で説明する事項を、上記の実施形態に適用してもよい。また、以下で説明する実施形態において、本開示の固体電解コンデンサに必須ではない構成要素は省略してもよい。以下で説明する固体電解コンデンサは、上述した方法で製造してもよい。
　（実施形態１）
　図１は、実施形態１に係る固体電解コンデンサを模式的に示す断面図である。図１に示す固体電解コンデンサ１０は、コンデンサ素子１００と、リード端子２０と、外装体３０とを含む。リード端子２０は、コンデンサ素子１００の陽極部（陽極体）１１１に電気的に接続された陽極リード端子２１と、コンデンサ素子１００の陰極部１１３に電気的に接続された陰極リード端子２２とを含む。
　コンデンサ素子１００は、陽極部（陽極体）１１１と、陽極部１１１の少なくとも一部を覆う誘電体層１１２と、誘電体層１１２の少なくとも一部を覆う陰極部１１３とを含む。陰極部１１３は、誘電体層１１２の少なくとも一部を覆う固体電解質層１１３ａと、固体電解質層１１３ａの少なくとも一部を覆う陰極引出層１１３ｂと、を含む。
　陽極リード端子２１は、外装体３０に埋め込まれた埋め込み部２１ａと、外装体３０から露出している露出部２１ｂとを含む。陰極リード端子２２は、外装体３０に埋め込まれた埋め込み部２２ａと、外装体３０から露出している露出部２２ｂとを含む。図１には、埋め込み部２１ａと露出部２１ｂとの境界２１ｘ、および、埋め込み部２２ａと露出部２２ｂとの境界２２ｘを示す。
　陽極部１１１の一端は、陽極リード端子２１の埋め込み部２１ａに、溶接などによって電気的に接続されている。コンデンサ素子１００の陰極部１１３（具体的には陰極引出層１１３ｂ）は、導電性ペースト２３によって陰極リード端子２２の埋め込み部２２ａに電気的に接続されている。
　埋め込み部２１ａは、外装体３０と接触する接触面ｐを有する。埋め込み部２２ａは、外装体３０と接触する接触面ｎを有する。接触面ｐおよび／または接触面ｎは、上述した粗面（Ｒ）を有する。粗面（Ｒ）の部分では、外装体３０とリード端子２０との密着性が高まる。そのため、外装体３０とリード端子２０との界面から酸素などが侵入することを抑制できる。その結果、コンデンサ素子１００の劣化を抑制でき、固体電解コンデンサ１０の長期的な信頼性を高めることができる。
　陽極リード端子２１および／または陰極リード端子２２は、上述した被覆層を含んでもよい。被覆層は、露出部２１ｂおよび２２ｂにおいて外装体３０の外表面に沿って屈曲している屈曲部２１ｄおよび２２ｄを覆うように形成されていることが好ましい。
　本実施形態に係る一例の電解コンデンサは、積層された複数のコンデンサ素子１００を含んでもよい。その場合、複数のコンデンサ素子１００の陽極部１１１の一端は溶接などによって接合され、少なくとも１つの陽極部１１１は陽極リード端子２１に接続される。複数のコンデンサ素子１００の陰極部１１３は、導電性ペーストなどによって接続され、さらに、少なくとも１つの陰極部１１３は導電性ペーストなどによって陰極リード端子２２に接続される。すなわち、複数のコンデンサ素子１００は、並列に接続される。この場合も、接触面ｐおよび／または接触面ｎは、粗面（Ｒ）を有する。
　本開示に係る固体電解コンデンサについて、実施例によってさらに詳細に説明する。
　［固体電解コンデンサの作製および評価］
　以下で説明する方法によって、複数種の固体電解コンデンサを作製した。それぞれの固体電解コンデンサは、１つのコンデンサ素子を含む。固体電解コンデンサおよびコンデンサ素子はそれぞれ、図１に示した固体電解コンデンサ１０およびコンデンサ素子１００と類似の構造を有する。
　まず、アルミニウム箔（厚さ：１００μｍ）の両方の表面をエッチングによって粗面化することによって、陽極体（陽極部）を作製した。次に、陽極体の一部を化成液に浸漬した状態で陽極酸化することによって、陽極体上に誘電体層（酸化アルミニウム層）を形成した。
　次に、以下の方法で、誘電体層上に固体電解質層を形成した。まず、ピロールモノマーとｐ－トルエンスルホン酸とを含む水溶液を調製した。得られた水溶液に、誘電体層が形成された陽極体と、対電極とを浸漬し、電解重合を行った。この電解重合によって、固体電解質層を形成した。
　次に、黒鉛粒子および分散材（セルロース誘導体等）を、水とともに、ビーズミルを用いて湿式粉砕することによって、分散液を得た。この分散液を固体電解質層の表面に分散液を塗布した後、乾燥した。このようにして、固体電解質層の表面にカーボン層を形成した。次に、カーボン層の表面に、銀粒子とバインダ樹脂（エポキシ樹脂）とを含む銀ペーストを塗布した後、加熱することによって金属ペースト層を形成した。これらの工程によって、カーボン層と金属ペースト層とを含む陰極引出層を形成した。このようにして、コンデンサ素子を作製した。
　陽極リード端子と陰極リード端子とを形成するための銅シート（厚さ：１００μｍ）を準備した。次に、陽極リード端子の埋め込み部となる部分、および、陰極リード端子の埋め込み部となる部分を粗面化することによって粗面を形成した。その後、金属シートを加工して、陽極リード端子の形状と陰極リード端子の形状とを形成した。
　粗面化は、サンドブラスト法、粗化めっき法、および粗化エッチング法で行った。サンドブラスト法においては、ブラストビーズ（アルミナ粒子やガーネット粒子などの投射材）の平均粒径を変えることによってＳｄｒを変化させた。粗化めっき法および粗化エッチング法においては、上述した方法でＳｄｒを大きくした。形成された粗面の粗さを評価するために、形成された粗面について、算術平均高さＳａと、界面の展開面積比Ｓｄｒとを測定した。なお、粗面化を行わなかったコンデンサＣ１では、リード端子の表面の面粗さについて、算術平均高さＳａと界面の展開面積比Ｓｄｒとを測定した。
　界面の展開面積比Ｓｄｒは、ＩＳＯ２５１７８に準拠して測定した。同様に、算術平均高さＳａは、ＩＳＯ２５１７８に準拠して測定した。
　次に、コンデンサ素子の陽極部の一端を、陽極リード端子に接続した。また、コンデンサ素子の陰極部を、導電性ペーストによって陰極リード端子に接続した。次に、モールド成形によって、コンデンサ素子、陽極リード端子の一部（埋め込み部）、および陰極リード端子の一部（埋め込み部）を覆った。このようにして、図１に示した電解コンデンサと類似の構造を有する電解コンデンサを作製した。
　この実施例では、粗面の形成方法（粗面化方法）を変えて、７種類の固体電解コンデンサ（コンデンサＣ１、Ｃ２、Ａ１～Ａ５）を、１００個ずつ作製した。用いた粗面化方法を表１に示す。コンデンサＣ２、およびＡ１～Ａ３のサンドブラストでは、用いるブラストビーズ（投射材）の平均粒径を、後掲する表１に示すように変えることによって、界面の展開面積比を変化させた。具体的には、コンデンサＣ２のサンドブラストで用いたブラストビーズの平均粒径を基準とし、それに対する平均粒径の比を表１のように変化させた。例えば、コンデンサＡ１のサンドブラストで用いたブラストビーズの平均粒径は、コンデンサＣ２のサンドブラストで用いたブラストビーズの平均粒径の２分の１である。なお、コンデンサＣ２のサンドブラストの条件は、従来用いられてきたサンドブラストの条件である。
　作製したコンデンサを、はんだリフロー工程と同様の条件（ピーク温度は２６０℃で１０秒間）で熱処理した。そして、熱処理後のコンデンサについて、気密不良率を評価した。
　気密不良率は、グロスリークテストで評価した。具体的には、小型カプセル内にコンデンサを配置し、小型カプセル内の内圧がコンデンサの外装体内に漏れ込むことによって発生する微小な圧力降下を計測した。そして、圧力変化が大きかったコンデンサを、気密不良と判定した。コンデンサの製造条件の一部および評価結果を表１に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　表１に示すように、界面の展開面積比Ｓｄｒを０．４以上とすることによって、熱処理後の気密不良率を大幅に低下できた。サンドブラスト処理を行ったコンデンサＣ２は、コンデンサＣ１と比較して、表面の算術平均高さＳａが大幅に増大しており、サンドブラスト処理によって粗面化がなされていることが分かる。しかし、コンデンサＣ２の熱処理後の気密不良率は、依然として高かった。コンデンサＡ１～Ａ５の粗面の算術平均高さＳａは、コンデンサＣ２のそれよりも低かったにもかかわらず、コンデンサＡ１～Ａ５の気密不良率は、コンデンサＣ２の気密不良率よりも大幅に低かった。これは、従来用いられてきた評価方法では、適正な評価ができていなかったことを示している。
　コンデンサＣ２の粗面の部分の凹凸の状態を示す一例の画像を図２に示し、コンデンサＡ２のそれを図３に示す。図２に示すように、コンデンサＣ２の粗面では、１つの凹部の面積と１つの凸部の面積とが大きく、凹部と凸部とが偏っている。一方、コンデンサＡ２の粗面では、細かい凹凸が一様に分散している。
　本開示は、固体電解コンデンサ素子および固体電解コンデンサに利用できる。
１０　　　：固体電解コンデンサ
２０　　　：リード端子
２１　　　：陽極リード端子
２１ａ、２２ａ　　：埋め込み部
２１ｂ、２２ｂ　　：露出部
２２　　　：陰極リード端子
２２ａ　　：埋め込み部
２２ｂ　　：露出部
３０　　　：外装体
１００　　：コンデンサ素子
１１１　　：陽極部
１１２　　：誘電体層
１１３　　：陰極部
１１３ａ　：固体電解質層
１１３ｂ　：陰極引出層
ｐ、ｎ　　：接触面
 

Claims (10)

  1. 　陽極部と陰極部とを含む少なくとも１つのコンデンサ素子と、
    　前記陽極部に電気的に接続された陽極リード端子と前記陰極部に電気的に接続された陰極リード端子とを含むリード端子と、
    　前記コンデンサ素子を覆う外装体とを含み、
    　前記陽極リード端子および前記陰極リード端子はそれぞれ、前記外装体に埋め込まれた埋め込み部と、前記埋め込み部とつながっており且つ前記外装体から露出している露出部とを含み、
    　前記陽極リード端子の前記埋め込み部は、前記外装体と接触する接触面ｐを有し、
    　前記陰極リード端子の前記埋め込み部は、前記外装体と接触する接触面ｎを有し、
    　前記接触面ｐおよび前記接触面ｎから選択される少なくとも一方の接触面は、界面の展開面積比が０．４以上である粗面を有する、固体電解コンデンサ。
  2. 　前記粗面は、前記露出部の少なくとも一部にも形成されるように、前記埋め込み部から前記露出部にまたがって形成されている、請求項１に記載の固体電解コンデンサ。
  3. 　前記接触面ｐおよび前記接触面ｎのそれぞれが前記粗面を有する、請求項１または２に記載の固体電解コンデンサ。
  4. 　前記粗面の界面の展開面積比が１０．０以下である、請求項１～３のいずれか１項に記載の固体電解コンデンサ。
  5. 　前記陽極リード端子の基材および前記陰極リード端子の基材から選択される少なくとも一方の基材が銅基材であり、
    　前記露出部における前記銅基材の少なくとも一部が銅めっき層で被覆されている、請求項１～４のいずれか１項に記載の固体電解コンデンサ。
  6. 　前記銅基材は、前記露出部において前記外装体の外表面に沿って屈曲している屈曲部を有し、
    　前記屈曲部の外側の表面が前記銅めっき層で被覆されている、請求項５に記載の固体電解コンデンサ。
  7. 　前記銅めっき層を覆う錫めっき層をさらに含む、請求項５または６に記載の固体電解コンデンサ。
  8. 　前記銅めっき層と前記錫めっき層との間に配置された他の層をさらに含み、
    　前記他の層は、銅と錫との合金層またはニッケルめっき層である、請求項７に記載の固体電解コンデンサ。
  9. 　前記銅めっき層を覆う貴金属めっき層をさらに含み、
    　前記貴金属めっき層は、金、白金、およびパラジウムからなる群より選択される少なくとも１種を含む、請求項５または６に記載の固体電解コンデンサ。
  10. 　前記銅めっき層と前記貴金属めっき層との間に配置されたニッケルめっき層をさらに含む、請求項９に記載の固体電解コンデンサ。
     
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