JPH02239608A - コンデンサ用リードフレーム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 く産業上の利用分野〉 本発明は、コンデンサ用リードフレームに関する。

く従来の技術〉 一般に、表面実装用のチップ部品を製造する場合は、例
えば第４図に示すような打抜き後のパターン例からなる
リードフレーム１を用いて行なわれる。

第４図において、２および３はそれぞれ樹脂封止される
素子固定部および対抗電極端子部、４はこれらから延長
する外部端子部、５はＡｇめっき層、６はガイドホール
である。

前記Ａｇめっき層５は、第５図に示すように素子固定部
２の下面に設けられ、第６図に示すようにＡｇペースト
７を用いてコンデンサ素子８を固定し、対極９を溶接し
たのち、樹脂１０をモールドしている。

前記Ａｇめつき層５を設けるのは、リードフレーム１は
銅系（ＣＡ１９４、りん青銅等》、鉄系（４２合金、コ
バール、ステンレス等）などの金属基体から形成されて
おり、この金属基体のままではＡｇペースト７との固着
性が悪く、接着が不良となることがあるためで、接続性
の良い貴金属を部分的にめっきしている（Ａｇめつき層
５）。

樹脂１０をモールドしたのち、プリント基板等に取付け
る際の接着性を付与するため外郎端子郎４に錫一鉛合金
等の完成品めっき層１１が設けられる。　最後に外枠部
を切り落して、外部端子郎４を第７図に示すように曲げ
加工して完成品とする． しかし、このようなコンデンサ用リードフレーム１では
、プラスチック樹脂１０でモールドしたのちに、完成品
めっき層１１を設けるための前処理として酸、アルカリ
等で金属基体を活性化するため、樹脂１０とリードフレ
ーム１の隙間に塩類が侵入して腐食性塩類が残留するこ
とになる．　このため、コンデンサの信頼性を低下させ
る要因となっている。

そこでこれを解決するため、一般的な半導体用リードフ
レームでは、ポンデイング性の良いＡｇめつき層を部分
的に設けたリードフレームに、予めそのアウターリード
部に錫一鉛合金層を設けたものが提案されている（例え
ば、特開昭５１−１１５７７５号公報参照）． く発明が解決しようとする課題〉 しかし、この方法をコンデンサ用のリードフレームに用
いると、次の問題を有している。

コンデンサ用リードフレームの場合は、半導体用リード
フレームの場合と比較して、一般に樹脂モールド時の温
度管理があらく、例えば使用樹脂との関係からその温度
範囲を１６５〜１７０℃に設定しても、半導体用リード
フレームの場合にはその範囲を外れることはなレλが、
コンデンサ用リードフレームの場合には上下に±１０℃
ぐらいの範囲で変動することｂ｛ある。

このため、コンデンサ用リードフレームの場合には、モ
ールド金型が半田の融点近傍の１８０℃に加熱されるこ
とがあり、この場合金型封止圧力が高いために、予め外
部端子部４に設けた半田めっミ層１１が金型に付着して
持ち去られ、外部端子部４にはほとんど残らないという
問題が生じると共に、金型に付着した半田の除去作業に
多大な労力を要するという問題が生じる。

これに対しては、樹脂モールド時の温度を、予め低く設
定しておけば、半田が溶融化して金型に付着して持ち去
られるという問題は生じないが、その代わり、例えば樹
脂モールド時の温度を１０℃下げれば樹脂モールド作業
が時間にして倍以上かかるというように、著しく作業性
が悪くなる。　また、そールド温度が低くなると樹脂の
架橋率が著しく低下し，．コンデンサの耐湿性低下の大
きな要因ともなる。

一方、半導体用リードフレームにおいて、そのアウター
リード部に半田めっきを設ける場合には、スポット状の
部分めっきが行われる。

これは、半田めっき層が軟かいためモールド金型が当る
と半田層が変形したりあるいはガイドホール部では半田
が削れるなどの問題があり、これを防止するためできる
だけめっき面積を小さくする必要があるからである。

しかし、この方法をコンデンサ用のリードフレームに用
いる場合には、製造装置が複雑であり、生産性が低くな
るという欠点があった。

本発明は、上記欠点を解消し、コンデンサの生産性と信
頼性を大幅に向上させることがで籾るコンデンサ用リー
ドフレームを提供することを目的としている． く課題を解決するための手段〉 上記目的を達成するために本発明によれば、樹脂封止さ
れる素子固定部および対抗電極端子部ならびに素子固定
部および対抗電極端子部から延長する外部端子部を有す
るコンデンサ用リードフレームにおいて、前記素子固定
部にＡｇめつき層を設け、前記外部端子部に厚さ０．３
μｍ以上の銅または銅合金めっき層を設け、前記銅また
は銅合金めっき層の表面に厚さ３μｍ以上の錫または錫
一鉛合金層を設けたことを特徴とするコンデンサ用リー
ドフレームが｝是イ共される。

前記錫または錫一鉛合金層は、ストライプ状に設けられ
るのが好ましい。

以下に、本発明を添付の図面を参照しながらさらに詳細
に説明する。

第１図は、本発明の一実施例を示すコンデンサ用リード
フレームの平面図、第２図は、第１図のＩＩ　一ＩＩ線
での断面図、第３図はこのリードフレームを用いたコン
デンサの一例を示す断面図である。

このリードフレーム１は、銅系、鉄系などの金属板をプ
レス加工により打ち抜き、素子固定郎２、対抗電極端子
部３、これらから延長する外部端子部４およびガイドホ
ール６を所定のバターンで形成している（第１図参照）
．素子固定部２の下面にはＡｇめっき層５が設けられる
。

外部端子部４（第１図に斜線で示す部分）には下地とし
て厚さ０．３μｍ以上の銅または銅合金めっき層１２が
設けられ、さらにその上に厚さ３μｍ以上の錫または錫
一鉛合金層１３が設けられている（第２図参照）。

錫または錫一鉛合金層１３の下地として設ける銅または
銅合金層１２の厚さは、錫または錫一鉛合金層１３の耐
熱密着性に大きく影響する。

錫または錫一鉛合金層の密着性は素材との熱拡散層の形
成量に依存しており、下地として設ける銅または銅合金
層にはこの拡散層の形成を促進する作用がある。　この
ように耐熱密着性に寄与していることから、下地銅また
は銅合金層１２の厚さは０．３μｍ以上を必要とするこ
ととなる。　従って、０．３μｍ未満の場合、耐熱密着
性が不足することとなる。　上限は特に限定されないが
、５μｍ程度までで十分である。

また、錫または錫一鉛合金層１３の厚さは、３μｍ未満
の場合、経時的に半田付性が低下するから、半田めっき
層としては３μｍ以上とする必要がある。　上限は特に
限定しないが、１２μｍ程度までで十分である。

前記錫または錫一鉛合金層１３は従来のようなスポット
状でなく適宜の幅および間隔をもったストライプ状に設
けるのが好ましい。　ストライプ状とすることにより、
形状が簡単なことから錫一鉛合金層を部分的に設けるた
めのマスク形成が容易となり、また、テープマスクなど
の方式も採用でき、製造装置が簡易でよく生産性も向上
する。

また、第２図では下地銅または銅合金層１２のめっき域
と錫または錫一鉛合金層！３のめつき域が全く重なった
状態を示しているが、下地銅または銅合金層１２のめつ
ぎ域がこれにより広い範囲であってもよい。　ただし、
逆の場合は本発明の主旨からずれるので好ましくない。

上記構成のリードフレーム１を用いてコンデンサに組立
てるには、第３図に示すように素子固定部２のＡｇめっ
きＮ５の部分にＡｇペースト７を介してコンデンサ素子
８を設け、対８ｉ９を溶接法により固定し、樹脂１０で
モールドし、外部端子部４を所定の長さに切断したのち
、曲げ加工されてチップ部品となる。

Ｂ　記コンデンサ素子８はタンタル素子が好ましい。

前記樹脂モールド時において、外部端子部４の錫または
錫一鉛合金層１３の下地として銅または銅合金層１２を
設けることにより、外部端子部４と錫または錫一鉛合金
層１３との密着強度が金型と錫または錫一鉛合金との密
着強度を上回ることになるから樹脂モールド時に錫また
は錫一鉛合金が溶融しても金型に付着して持っていかれ
るようなことがなくなり、また持っていかれてもその量
はきわめて少なくなる。

く実施例〉 以下に、本発明を実施例に基づき具体的に説明する。

（実施例１） 洋自からなる銅合金の金属板をプレス加工により打ち抜
き、第１図および第２図に示すリードフレームを作成し
た。

素子固定部２には厚さ３μｍのＡｇめっき層５を設け、
外部端子部４には厚さ０．３〜１．０μｍの銅めっき層
１２とその表面に錫９０％を含む錫一鉛合金層１３を厚
さ８μｍでストライプ状に設けた。

このリードフレームを用いて第３図に示すようにコンデ
ンサを組立てタンタルコンデンサを作成した《本発明例
１〜３》。

比較のため、上記リードフレームにおいてその外部端子
部４に銅めっき層１２を設けないもの（比較例１）、厚
さ０．１μｍの銅めフき層としたもの（比較例２）、銅
めっき層１２を設けず錫９０％を含む錫一鉛合金層を厚
さ８μｍでスポット状に設けたもの（比較例３）および
第６図に示す従来例において外部端子に厚さ８μｍの完
成品めっきを設けたもの（比較例４）について実施例と
同じタンタルコンデンサを作成した。

上記本発明例および比較例の各タンタルコンデンサにつ
いて下記により耐熱密着性、チップコンデンサ信頼性お
よび生産性を調べた。　その結果を第１表に示す。

（１）耐熱密着性 樹脂モールド金型の温度を１６０℃、１６５℃、１７０
℃、１７５℃にセットし、そールド後金型への半田付着
の状態により判定した。

Ｏ：全ての温度で半田付着なし Δ：１７０℃または１７５℃で半田付着発生Ｘ：１６５
℃以下で牛田付着発生 《２》チップコンデンサ信頼性 ＰＣＴ（１２１℃、２気圧、１００％ＲＨ）の条件で時
間を変えて劣化後１００ＫＨｚでのインピーダンスを測
定し、インピーダンスが初期値の１０倍以上になるに要
するＰＣＴの時間により判定した。

Ｏ：　ＰＣＴ２００ｈ超 △　：　　ＰＣＴ５０　〜２　０　０　ｈＸ　：　ＰＣ
Ｔ５０ｈ未満 （３）生産性 Ｏ；めっき作業性が従来と変らす Ｘ：めっき作業性が複雑となる く発明の効果〉 本発明は以上説明したように構成されているので、金属
基体上に０．３μｍ以上の厚さからなる銅または銅合金
の下地めっぎ層を設け、その上に錫または錫一鉛合金の
第２層を好ましくはストライプ状に形成したことにより
、生産性を向上させるとともに、半田めっき層の耐熱密
着性を大きく向上させることができ、リードフレームの
コスト低減を図ることができた。

また、完成品半田めっきを無くして、リードフレームの
時点で半田めっき層を設けたことにより、コンデンサの
信頼性を向上することができた。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の一実施例を示すコンデサ用リードフ
レームの平面図である。 第２図は、第１図のＩＩ　−　Ｉｔ線断面図である。 第３図は、本発明のリードフレームを用いて組立てたコ
ンデンサの断面図である。 第４図は、従来例のコンデンサ用リードフレームの平面
図である。 第５図は、第４図のＶ−Ｖ線断面図である。 第６図は、従来例のコンデンサ用リートフレームを用い
てコンデンサを組立てた樹脂封止、半田めっき後の断面
図である。 第７図は、従来例のコンデンサの断面図である。 符号の説明 １・・・リードフレーム、 ２・・・素子固定部、 ３・・・対抗電極端子部、 ４・・・外部端子部、 ５・・・Ａｇめっき層、 ６・・・ガイドホール、 ７・・・Ａｇペースト、 ８・・・コンデンサ素子、 ９・・・対極、 １０・・・樹脂、 １１・・・半田めっき層（完成品めっき層）、１２・・
・銅下地層、 ｌ３・・・ストライプ状錫または錫一鉛合金層ＦＩＧ．
１

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）樹脂封止される素子固定部および対抗電極端子部
   ならびに素子固定部および対抗電極端子部から延長する
   外部端子部を有するコンデンサ用リードフレームにおい
   て、前記素子固定部にＡｇめっき層を設け、前記外部端
   子部に厚さ０．３μｍ以上の銅または銅合金めっき層を
   設け、前記銅または銅合金めっき層の表面に厚さ３μｍ
   以上の錫または錫−鉛合金層を設けたことを特徴とする
   コンデンサ用リードフレー ム。
2. （２）前記錫または錫−鉛合金層は、ストライプ状に設
   けられる請求項１記載のコンデンサ用リードフレーム。