JPS6350850B2 - - Google Patents
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- JPS6350850B2 JPS6350850B2 JP58139043A JP13904383A JPS6350850B2 JP S6350850 B2 JPS6350850 B2 JP S6350850B2 JP 58139043 A JP58139043 A JP 58139043A JP 13904383 A JP13904383 A JP 13904383A JP S6350850 B2 JPS6350850 B2 JP S6350850B2
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- electrolytic capacitor
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- core material
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Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、リードフレームについて電解コン
デンサ素子に含浸された電解液との関係や半田付
けの容易性などを改善した電解コンデンサに関す
る。
デンサ素子に含浸された電解液との関係や半田付
けの容易性などを改善した電解コンデンサに関す
る。
電解コンデンサは、電解液を含浸した電解コン
デンサ素子をリードフレーム上に接続するととも
に、合成樹脂を以て外装を施しているが、リード
フレームの構成金属によつては電解液と化学反応
を起こし、リードフレームが腐食する恐れがあ
る。そこで、リードフレームは、電解液と反応し
ない金属材料で形成することが必要であり、その
ため、形成材料が限定される。しかも、電解コン
デンサでは外装部材の気密性は耐湿性等と関連
し、電気的な性能に直接影響することから、エポ
キシ樹脂等の外装樹脂との密着性が問題となる。
さらに、リードフレームと外装樹脂の線膨張係数
が大きく異なると、熱的ストレスが発生し、長時
間使用に伴う外装部材の気密性を阻害することも
ある。
デンサ素子をリードフレーム上に接続するととも
に、合成樹脂を以て外装を施しているが、リード
フレームの構成金属によつては電解液と化学反応
を起こし、リードフレームが腐食する恐れがあ
る。そこで、リードフレームは、電解液と反応し
ない金属材料で形成することが必要であり、その
ため、形成材料が限定される。しかも、電解コン
デンサでは外装部材の気密性は耐湿性等と関連
し、電気的な性能に直接影響することから、エポ
キシ樹脂等の外装樹脂との密着性が問題となる。
さらに、リードフレームと外装樹脂の線膨張係数
が大きく異なると、熱的ストレスが発生し、長時
間使用に伴う外装部材の気密性を阻害することも
ある。
従来、この種のリードフレームには心材の表面
にアルミニウム層を形成したアルミクラツド材を
使用し、電解コンデンサ素子のアルミニウムで形
成されたリードとの溶接を可能にし、且つ電解液
との接触による腐食を防止している。
にアルミニウム層を形成したアルミクラツド材を
使用し、電解コンデンサ素子のアルミニウムで形
成されたリードとの溶接を可能にし、且つ電解液
との接触による腐食を防止している。
しかしながら、このようにアルミニウム層で覆
つたリードフレームは半田付けが困難であるの
で、半田付けによる電気的な接続を行うため、外
装部材より引き出されたリード部に対し、半田付
け可能な金属を鍍金する処理(後鍍金処理)が必
要である。このような、鍍金処理は、製造工程の
増加を伴い、製造時間を増加し、製造価格を高く
するものである。
つたリードフレームは半田付けが困難であるの
で、半田付けによる電気的な接続を行うため、外
装部材より引き出されたリード部に対し、半田付
け可能な金属を鍍金する処理(後鍍金処理)が必
要である。このような、鍍金処理は、製造工程の
増加を伴い、製造時間を増加し、製造価格を高く
するものである。
また、このような、完成品に対する半田付け可
能な金属の後鍍金処理とは別に、部分的にアルミ
ニウム層を形成した所謂アルミニウムストライプ
クラツド材を以て、素子リードに接続される部分
に選択的にアルミニウム層を設置するものもある
が、このものでも、リードフレームに対して半田
付け可能な金属の鍍金処理が必要となるので、そ
の鍍金処理によつてアルミニウム層が浸される場
合があり、その結果、性能が不安定化するととも
に、その場合の鍍金処理価格が高く、しかも、鍍
金処理は、本来のリードフレームの成形加工等と
は別に製造工程を中断して行わなければならない
等の欠点がある。
能な金属の後鍍金処理とは別に、部分的にアルミ
ニウム層を形成した所謂アルミニウムストライプ
クラツド材を以て、素子リードに接続される部分
に選択的にアルミニウム層を設置するものもある
が、このものでも、リードフレームに対して半田
付け可能な金属の鍍金処理が必要となるので、そ
の鍍金処理によつてアルミニウム層が浸される場
合があり、その結果、性能が不安定化するととも
に、その場合の鍍金処理価格が高く、しかも、鍍
金処理は、本来のリードフレームの成形加工等と
は別に製造工程を中断して行わなければならない
等の欠点がある。
そこで、この発明は、製造工程の簡略化を図る
とともに、安定した性能を持つリードフレームを
備えた電解コンデンサの提供を目的とする。
とともに、安定した性能を持つリードフレームを
備えた電解コンデンサの提供を目的とする。
即ち、この発明の電解コンデンサは、素子リー
ドが接続される第1の領域と、素子を被覆する外
装部材から引き出されて半田付けされる第2の領
域とに区分し、第1の領域を形成する心材の表面
には溶接可能な金属層を形成し、第2の領域を形
成する心材の表面には半田付け可能な金属層を形
成したリードフレームを用いたものである。
ドが接続される第1の領域と、素子を被覆する外
装部材から引き出されて半田付けされる第2の領
域とに区分し、第1の領域を形成する心材の表面
には溶接可能な金属層を形成し、第2の領域を形
成する心材の表面には半田付け可能な金属層を形
成したリードフレームを用いたものである。
以下、この発明を図面に示した実施例を参照し
て詳細に説明する。
て詳細に説明する。
第1図及び第2図は、この発明の電解コンデン
サに用いるリードフレームを示す。
サに用いるリードフレームを示す。
リードフレーム2には電解コンデンサ素子等の
素子から直接引き出される素子リードを溶接する
第1の領域Aを設定するとともに、この領域Aの
両側に半田付けを可能にした第2の領域Bを設定
する。そして、このリードフレーム2には対向し
てリード部4A,4Bが形成され、各リード部4
A,4Bはアーム部6で支持されている。各リー
ドフレーム4A,4Bの前縁部は、領域Aに含ま
れ、その後部は領域Bに含まれる。透孔部8は、
接続に際して電解コンデンサ素子を挿入するため
に形成された空間部である。また、各リード部4
A,4Bの先端部分には、外装樹脂の流動を助
け、外装樹脂との密着性を向上させるため透孔1
0が形成されている。
素子から直接引き出される素子リードを溶接する
第1の領域Aを設定するとともに、この領域Aの
両側に半田付けを可能にした第2の領域Bを設定
する。そして、このリードフレーム2には対向し
てリード部4A,4Bが形成され、各リード部4
A,4Bはアーム部6で支持されている。各リー
ドフレーム4A,4Bの前縁部は、領域Aに含ま
れ、その後部は領域Bに含まれる。透孔部8は、
接続に際して電解コンデンサ素子を挿入するため
に形成された空間部である。また、各リード部4
A,4Bの先端部分には、外装樹脂の流動を助
け、外装樹脂との密着性を向上させるため透孔1
0が形成されている。
このリードフレーム2の各側辺部には、連続し
て移送するためのスプロケツトに係合するスプロ
ケツトホール12,14が一定の間隔で形成され
ている。
て移送するためのスプロケツトに係合するスプロ
ケツトホール12,14が一定の間隔で形成され
ている。
このリードフレーム2の心材16には、第2図
に示すように半導体素子、電解コンデンサ素子等
の素子に応じて鉄、銅、42アロイ、コバール、ス
テンレススチール等の金属材料からその1つを選
択し、その心材16の領域Aの表面部には溶接可
能なアルミニウム、金、銀等の金属層18が形成
され、領域Bに含まれる心材16の表面には半田
付け可能な錫、半田等の金属層20が形成されて
いる。即ち、リードフレーム2の第1の領域Aは
素子リードとの溶接が可能なクラツド材構成と
し、領域Bは半田付け可能なクラツド材構成とす
る。このようなクラツド処理は、リードフレーム
2を成形する前にその心材16の表面に形成する
ものとする。
に示すように半導体素子、電解コンデンサ素子等
の素子に応じて鉄、銅、42アロイ、コバール、ス
テンレススチール等の金属材料からその1つを選
択し、その心材16の領域Aの表面部には溶接可
能なアルミニウム、金、銀等の金属層18が形成
され、領域Bに含まれる心材16の表面には半田
付け可能な錫、半田等の金属層20が形成されて
いる。即ち、リードフレーム2の第1の領域Aは
素子リードとの溶接が可能なクラツド材構成と
し、領域Bは半田付け可能なクラツド材構成とす
る。このようなクラツド処理は、リードフレーム
2を成形する前にその心材16の表面に形成する
ものとする。
このように処理されたリードフレーム2には、
第3図に示すように、リード部4A,4Bの表面
に電解コンデンサ素子24の素子リード26A,
26Bを重ねて溶接する。次に、リードフレーム
2からリード部4A,4Bをプレス加工等によつ
て切り離し、電解液を含浸した後、合成樹脂で外
装を施す。なお、電解液は合成樹脂で外装を形成
した後、小孔を外装部材に形成しておき、その小
孔から注入しても良い。
第3図に示すように、リード部4A,4Bの表面
に電解コンデンサ素子24の素子リード26A,
26Bを重ねて溶接する。次に、リードフレーム
2からリード部4A,4Bをプレス加工等によつ
て切り離し、電解液を含浸した後、合成樹脂で外
装を施す。なお、電解液は合成樹脂で外装を形成
した後、小孔を外装部材に形成しておき、その小
孔から注入しても良い。
次に、第4図は、リードフレーム2を用いた電
解コンデンサの実施例を示す。
解コンデンサの実施例を示す。
素子リード26A,26Bが引き出された電解
コンデンサ素子24は、PPS樹脂等で形成された
第1の外装部材30の内部空間32に密封され、
この第1の外装部材30の表面部にはエポキシ樹
脂等で形成される第2の外装部材34が積層形成
されている。
コンデンサ素子24は、PPS樹脂等で形成された
第1の外装部材30の内部空間32に密封され、
この第1の外装部材30の表面部にはエポキシ樹
脂等で形成される第2の外装部材34が積層形成
されている。
そして、リード部4Aと素子リード26Aとの
溶接部、並びにリード部4Bと素子リード26B
との溶接部は、外装部材30,34の側壁内に埋
込まれ、外装部材34の側壁部から露出している
リード部4A,4Bは側壁部に沿つて曲げられ、
その先端は外装部材34の下面部に配置されてい
る。
溶接部、並びにリード部4Bと素子リード26B
との溶接部は、外装部材30,34の側壁内に埋
込まれ、外装部材34の側壁部から露出している
リード部4A,4Bは側壁部に沿つて曲げられ、
その先端は外装部材34の下面部に配置されてい
る。
このように心材16の表面層を2つの領域A,
Bに設定し、その表面に溶接可能な金属層18及
び半田付け可能な金属層20を選択的に形成した
ので、従来の製造工程における後鍍金処理等を省
略できるとともに、電解コンデンサ等の電子部品
の製造工程を簡略化でき、しかも製造工程の中断
等がなく、連続処理が可能になることから、製造
価格を低減することができる。
Bに設定し、その表面に溶接可能な金属層18及
び半田付け可能な金属層20を選択的に形成した
ので、従来の製造工程における後鍍金処理等を省
略できるとともに、電解コンデンサ等の電子部品
の製造工程を簡略化でき、しかも製造工程の中断
等がなく、連続処理が可能になることから、製造
価格を低減することができる。
特に、従来必要としていた露出リード部に対す
る半田付け可能な金属の鍍金処理は、処理液に強
酸、強アルカリの薬品を使用するため、外装内部
の素子への影響が問題となるが、この発明にかか
るリードフレームではそのような処理を伴わない
ので、製品の安定化が図れるとともに、性能低下
等の不都合を解消できる。
る半田付け可能な金属の鍍金処理は、処理液に強
酸、強アルカリの薬品を使用するため、外装内部
の素子への影響が問題となるが、この発明にかか
るリードフレームではそのような処理を伴わない
ので、製品の安定化が図れるとともに、性能低下
等の不都合を解消できる。
また、前記実施例の場合、第1の領域Aの溶接
可能な金属層18は、外装部材30,34の内部
に設定したが、第5図に示すように、外装部材3
0,34の側壁部の中間部分まで、第1の領域A
に設定し、その領域Aに溶接可能な金属層18を
形成しても、第2の領域Bを十分に取ることがで
きるので、半田付けを阻害することはない。この
実施例のように、外装部材30,34の合成樹脂
を通過する部分の金属層18にアルミニウムクラ
ツド材を用いると、合成樹脂との密着性が高ま
り、耐湿性を改善することができる。
可能な金属層18は、外装部材30,34の内部
に設定したが、第5図に示すように、外装部材3
0,34の側壁部の中間部分まで、第1の領域A
に設定し、その領域Aに溶接可能な金属層18を
形成しても、第2の領域Bを十分に取ることがで
きるので、半田付けを阻害することはない。この
実施例のように、外装部材30,34の合成樹脂
を通過する部分の金属層18にアルミニウムクラ
ツド材を用いると、合成樹脂との密着性が高ま
り、耐湿性を改善することができる。
なお、実施例ではチツプ型電解コンデンサを例
に取つて説明したが、この発明はチツプ型以外の
電解コンデンサにも適用できるものである。
に取つて説明したが、この発明はチツプ型以外の
電解コンデンサにも適用できるものである。
以上説明したように、この発明によれば、製造
工程の簡略化を図ることできるとともに、製品の
完成後に鍍金処理に伴う薬品に触れさせることが
ないので、特性の安定化を図ることができる。
工程の簡略化を図ることできるとともに、製品の
完成後に鍍金処理に伴う薬品に触れさせることが
ないので、特性の安定化を図ることができる。
第1図はこの発明の電解コンデンサに用いるリ
ードフレームの実施例を示す平面図、第2図は第
1図に示したリードフレームの―線断面図、
第3図は第1図に示したリードフレームに電解コ
ンデンサ素子を取り付けたものを示す平面図、第
4図はこの発明の電解コンデンサの実施例を示す
縦断面図、第5図はこの発明の電解コンデンサの
他の実施例を示す縦断面図である。 2…リードフレーム、A…第1の領域、B…第
2の領域、4A,4B…リード部、16…心材、
18,20…金属層、26A,26B…素子リー
ド、30,34…外装部材。
ードフレームの実施例を示す平面図、第2図は第
1図に示したリードフレームの―線断面図、
第3図は第1図に示したリードフレームに電解コ
ンデンサ素子を取り付けたものを示す平面図、第
4図はこの発明の電解コンデンサの実施例を示す
縦断面図、第5図はこの発明の電解コンデンサの
他の実施例を示す縦断面図である。 2…リードフレーム、A…第1の領域、B…第
2の領域、4A,4B…リード部、16…心材、
18,20…金属層、26A,26B…素子リー
ド、30,34…外装部材。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 素子リードが接続される第1の領域と、素子
を被覆する外装部材から引き出されて半田付けさ
れる第2の領域とに区分し、第1の領域を形成す
る心材の表面には溶接可能な金属層を形成し、第
2の領域を形成する心材の表面には半田付け可能
な金属層を形成したリードフレームを用いた電解
コンデンサ。 2 前記第1の領域には心材の表面にアルミニウ
ム箔をクラツド処理し、前記第2の領域には前記
心材の表面に半田付け可能な金属箔をクラツド処
理した特許請求の範囲第1項に記載の電解コンデ
ンサ。 3 前記第2の領域には心材の表面に半田層をク
ラツド処理した特許請求の範囲第1項に記載の電
解コンデンサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13904383A JPS6030118A (ja) | 1983-07-28 | 1983-07-28 | 電解コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13904383A JPS6030118A (ja) | 1983-07-28 | 1983-07-28 | 電解コンデンサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6030118A JPS6030118A (ja) | 1985-02-15 |
JPS6350850B2 true JPS6350850B2 (ja) | 1988-10-12 |
Family
ID=15236119
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13904383A Granted JPS6030118A (ja) | 1983-07-28 | 1983-07-28 | 電解コンデンサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6030118A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0229775A (ja) * | 1988-06-10 | 1990-01-31 | Arysearch Arylan Ag | 硬貨、メダル等の安全ケース |
JPH0396333U (ja) * | 1990-01-23 | 1991-10-02 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4910672A (ja) * | 1972-05-24 | 1974-01-30 | ||
JPS5151281A (ja) * | 1974-10-31 | 1976-05-06 | Tokyo Shibaura Electric Co | |
JPS56122156A (en) * | 1980-03-03 | 1981-09-25 | Shinko Electric Ind Co Ltd | Lead frame for semiconductor device |
-
1983
- 1983-07-28 JP JP13904383A patent/JPS6030118A/ja active Granted
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4910672A (ja) * | 1972-05-24 | 1974-01-30 | ||
JPS5151281A (ja) * | 1974-10-31 | 1976-05-06 | Tokyo Shibaura Electric Co | |
JPS56122156A (en) * | 1980-03-03 | 1981-09-25 | Shinko Electric Ind Co Ltd | Lead frame for semiconductor device |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0229775A (ja) * | 1988-06-10 | 1990-01-31 | Arysearch Arylan Ag | 硬貨、メダル等の安全ケース |
JPH0396333U (ja) * | 1990-01-23 | 1991-10-02 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6030118A (ja) | 1985-02-15 |
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