JPS6160570B2 - - Google Patents
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- JPS6160570B2 JPS6160570B2 JP21488881A JP21488881A JPS6160570B2 JP S6160570 B2 JPS6160570 B2 JP S6160570B2 JP 21488881 A JP21488881 A JP 21488881A JP 21488881 A JP21488881 A JP 21488881A JP S6160570 B2 JPS6160570 B2 JP S6160570B2
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Landscapes
- Conductive Materials (AREA)
- Primary Cells (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半田の流れ出さない耐熱性の向上した
チツプ状固体電解コンデンサの製造法に関する。
チツプ状固体電解コンデンサの製造法に関する。
最近電子機器の小形化、多機能化の傾向からチ
ツプ部品を用い厳密度実装する方式が活発化して
おり、その半田付についてもチツプ部品本体を
200〜260℃の半田浴に浸漬する方法また、先の温
度の雰囲気に長時間置かれる方法など、チツプ部
品の耐熱性が要求されるようになつてきた。特に
チツプタンタル固体電解コンデンサの場合タンタ
ル、アルミニウムなどの弁作用を有する金属を電
極とし、この表面に誘電体性酸化皮膜を形成し、
更に二酸化マンガンなどの電解質層を形成し更に
カーボン層、陰極層を順次積層形成したコンデン
サ素子の陰極部と外部端子とが、半田で接続され
ていることから180℃以上の温度に長時間置かれ
た場合内部に用いている半田が溶融し内部端子の
面を伝わつて流れ出してくる現象および薄板状金
属板にメツキされている半田が溶融し同様に流れ
出してくる現象および樹脂の膨張により溶接部が
離れる現象などがある。これを第３図に断面図で
示す。なお第１図は斜視図、第２図は断面図を示
す。
ツプ部品を用い厳密度実装する方式が活発化して
おり、その半田付についてもチツプ部品本体を
200〜260℃の半田浴に浸漬する方法また、先の温
度の雰囲気に長時間置かれる方法など、チツプ部
品の耐熱性が要求されるようになつてきた。特に
チツプタンタル固体電解コンデンサの場合タンタ
ル、アルミニウムなどの弁作用を有する金属を電
極とし、この表面に誘電体性酸化皮膜を形成し、
更に二酸化マンガンなどの電解質層を形成し更に
カーボン層、陰極層を順次積層形成したコンデン
サ素子の陰極部と外部端子とが、半田で接続され
ていることから180℃以上の温度に長時間置かれ
た場合内部に用いている半田が溶融し内部端子の
面を伝わつて流れ出してくる現象および薄板状金
属板にメツキされている半田が溶融し同様に流れ
出してくる現象および樹脂の膨張により溶接部が
離れる現象などがある。これを第３図に断面図で
示す。なお第１図は斜視図、第２図は断面図を示
す。
１はコンデンサ素子、２は陽極導出線、３は陽
極端子、４は陰極端子（外部端子）、５は素子固
定部、６は半田部、７は樹脂、Ｍ１，Ｍ２は流れ
出した半田、を示す。260℃で加熱したとき半田
の流れ出した状態および溶接部がはずれた状態
図、３−２，４−１は半田またはメツキ部を示
す。
極端子、４は陰極端子（外部端子）、５は素子固
定部、６は半田部、７は樹脂、Ｍ１，Ｍ２は流れ
出した半田、を示す。260℃で加熱したとき半田
の流れ出した状態および溶接部がはずれた状態
図、３−２，４−１は半田またはメツキ部を示
す。
そのために流れ出した半田が近接する他の部品
に接触することによる短絡不良などの発生原因と
なつたり、オープン不良になつたりすることがあ
つた。
に接触することによる短絡不良などの発生原因と
なつたり、オープン不良になつたりすることがあ
つた。
本発明は従来の欠点を除去し、コンデンサ素子
を接続する内部半田の流れ出し、および金属板端
子の表面にメツキされている半田の流れ出しを防
止し、かつ溶接部の信頼性を向上し、耐熱性のあ
るチツプ状固体電解コンデンサの製造法を得るこ
とを目的とする。
を接続する内部半田の流れ出し、および金属板端
子の表面にメツキされている半田の流れ出しを防
止し、かつ溶接部の信頼性を向上し、耐熱性のあ
るチツプ状固体電解コンデンサの製造法を得るこ
とを目的とする。
高温度にした時、半田の流れ出す原因はコンデ
ンサ素子と、陰極端子を接続するために用いる半
田量が多い場合にはこの流れ出し現象は顕著では
あるがその半田量が少なくとも薄板状コム金属端
子全面に半田メツキしているために半田を流れ易
くしていること、および該金属にメツキしている
半田が溶融して流れ出してくることが明らかとな
つた。
ンサ素子と、陰極端子を接続するために用いる半
田量が多い場合にはこの流れ出し現象は顕著では
あるがその半田量が少なくとも薄板状コム金属端
子全面に半田メツキしているために半田を流れ易
くしていること、および該金属にメツキしている
半田が溶融して流れ出してくることが明らかとな
つた。
これは内部にコンデンサ素子を半田付けせずメ
ツキされた端子のみで加熱した時該表面の半田が
流れ出し、端子と樹脂の境界部に半田の塊が発生
することを確認された。
ツキされた端子のみで加熱した時該表面の半田が
流れ出し、端子と樹脂の境界部に半田の塊が発生
することを確認された。
そこでメツキ厚み高温半田etc.についての検討
を試みたが、厚みについてはコントロールが非常
に難しいこと、余り薄くなると半田付性を悪化さ
せる原因となり、また高温半田接続にはコンデン
サ素子の関係から高いものが使用できないなどの
制約があり、また陽極導出線との溶接には半田メ
ツキ層は悪影響を与えるものである。
を試みたが、厚みについてはコントロールが非常
に難しいこと、余り薄くなると半田付性を悪化さ
せる原因となり、また高温半田接続にはコンデン
サ素子の関係から高いものが使用できないなどの
制約があり、また陽極導出線との溶接には半田メ
ツキ層は悪影響を与えるものである。
そこで半田メツキをほどこした金属薄板端子を
用いてこの問題を解決することは難かしく、メツ
キをほどこさない生地のNi板を用いて初期から
各工程の作業を行い、すなわちコム状端子の打抜
を行いコンデンサ素子固定接続部の接曲げ加工を
行い、次にコンデンサ素子の陽極導出線と陽極薄
板状端子の接続を行い次いで陰極部の接続を行つ
た後、樹脂モールド外装を行う。
用いてこの問題を解決することは難かしく、メツ
キをほどこさない生地のNi板を用いて初期から
各工程の作業を行い、すなわちコム状端子の打抜
を行いコンデンサ素子固定接続部の接曲げ加工を
行い、次にコンデンサ素子の陽極導出線と陽極薄
板状端子の接続を行い次いで陰極部の接続を行つ
た後、樹脂モールド外装を行う。
その後樹脂の外部に露出する外部端子のみに半
田メツキまたは錫メツキなどの容易に半田付け可
能なメツキ層を形成することが本発明の要旨であ
る。
田メツキまたは錫メツキなどの容易に半田付け可
能なメツキ層を形成することが本発明の要旨であ
る。
本発明を図面に基いて説明する。
第４図は本発明のチツプ状固体電解コンデンサ
の製造法により製造されたチツプ状固体電解コン
デンサ、ａ図は斜視図、ｂ図は断面図（外部端子
を折り曲げ後に半田コートした場合）、ｃ図は断
面図（外部端子を折り曲げ前に半田コートした場
合）、を示す。
の製造法により製造されたチツプ状固体電解コン
デンサ、ａ図は斜視図、ｂ図は断面図（外部端子
を折り曲げ後に半田コートした場合）、ｃ図は断
面図（外部端子を折り曲げ前に半田コートした場
合）、を示す。
第１図〜第３図と同一符号は同一部品を示す。
１３は陽極端子、１３−２は半田部またはメツキ
部、１４は陰極端子、１４−１は半田部またはメ
ツキ部、１６は導電性接着剤、を示す。
１３は陽極端子、１３−２は半田部またはメツキ
部、１４は陰極端子、１４−１は半田部またはメ
ツキ部、１６は導電性接着剤、を示す。
本発明は陽極端子１３、陰極端子１４となる金
属薄板にNiを用いるのが好ましく（Feでもよい
がさびが発生し易い。）、陽極端子１３の樹脂７内
の部分にはメツキ層がないために更に容易に信頼
性高く接続することができる。
属薄板にNiを用いるのが好ましく（Feでもよい
がさびが発生し易い。）、陽極端子１３の樹脂７内
の部分にはメツキ層がないために更に容易に信頼
性高く接続することができる。
一方、本発明においては陰極端子１４とコンデ
ンサ素子２の接続は導電性接着剤１６を用いて加
圧しながら加熱することにより容易に接続するこ
とが可能である。
ンサ素子２の接続は導電性接着剤１６を用いて加
圧しながら加熱することにより容易に接続するこ
とが可能である。
半田メツキしている場合よりも端子板との接着
力は強固である。それは加熱しても溶融し流れる
半田がないためである。
力は強固である。それは加熱しても溶融し流れる
半田がないためである。
したがつてこのメツキをほどこさないNi板を
端子として用いる場合には陽極の溶接が非常に容
易となり、また陰極の接続は導電性接着剤を用い
るのに、より好都合となり、樹脂モールド外装し
て完成品にした後、チツプ部品の温度を、260℃
に上げても内部に溶融する半田、錫などを全く用
いていないので、非常に耐熱性の優れたチツプ状
固体電解コンデンサを製造することができる。
端子として用いる場合には陽極の溶接が非常に容
易となり、また陰極の接続は導電性接着剤を用い
るのに、より好都合となり、樹脂モールド外装し
て完成品にした後、チツプ部品の温度を、260℃
に上げても内部に溶融する半田、錫などを全く用
いていないので、非常に耐熱性の優れたチツプ状
固体電解コンデンサを製造することができる。
また陰極の接続は導電性接着剤の代りに半田を
用いても接続することは可能である。すなわち
Ni材は本質的には半田etcのメツキを行わなくと
も半田付け可能な金属であるが半田付性が悪いと
いう理由から、これまで一般的には半田etcメツ
キなしには使用されていない。しかし本発明のチ
ツプ固体電解コンデンサのようにコンデンサ陰極
部と部分的に半田付けする場合は少し強い塩素分
を含むフラツクスを用いて加圧しながら加熱する
方法をとることによつて半田付けすることも可能
である。
用いても接続することは可能である。すなわち
Ni材は本質的には半田etcのメツキを行わなくと
も半田付け可能な金属であるが半田付性が悪いと
いう理由から、これまで一般的には半田etcメツ
キなしには使用されていない。しかし本発明のチ
ツプ固体電解コンデンサのようにコンデンサ陰極
部と部分的に半田付けする場合は少し強い塩素分
を含むフラツクスを用いて加圧しながら加熱する
方法をとることによつて半田付けすることも可能
である。
陰極の接続に導電性接着剤を用いて行う時の例
を第５図、第６図に示す。すなわち予めコンデン
サ素子の陰極部を抱き込み固定するコ字部の内側
に導電性銀接着剤をスポツト的にのせておくか、
またはコンデンサ素子側に該接着剤をスポツト的
にのせておくかしておいて所定の位置にコンデン
サ素子を配置し、その後先づ陽極部の溶接を行
う、その後、コンデンサ素子の下側を支えコ字部
上側から加圧しながら加熱することにより接着剤
を硬化させる。
を第５図、第６図に示す。すなわち予めコンデン
サ素子の陰極部を抱き込み固定するコ字部の内側
に導電性銀接着剤をスポツト的にのせておくか、
またはコンデンサ素子側に該接着剤をスポツト的
にのせておくかしておいて所定の位置にコンデン
サ素子を配置し、その後先づ陽極部の溶接を行
う、その後、コンデンサ素子の下側を支えコ字部
上側から加圧しながら加熱することにより接着剤
を硬化させる。
これは高温度で行えば数秒で硬化することがで
きるし、また光硬化導電性接着剤を用いる場合は
加熱、加圧しながら光をあてることにより同様数
秒間で硬化することが可能である。
きるし、また光硬化導電性接着剤を用いる場合は
加熱、加圧しながら光をあてることにより同様数
秒間で硬化することが可能である。
その後第６図に示すように樹脂モールド外装す
ることにより一定形状の本体が完成し、その後樹
脂モールドの外部に露出したNi板端子に塩素分
を若干含む、やゝ強めのフラツクスをつけて200
〜260℃の溶融半田に浸漬することにより、外部
端子のみに半田層を形成することができる。
ることにより一定形状の本体が完成し、その後樹
脂モールドの外部に露出したNi板端子に塩素分
を若干含む、やゝ強めのフラツクスをつけて200
〜260℃の溶融半田に浸漬することにより、外部
端子のみに半田層を形成することができる。
本発明は前記のように生地のNi板を用いてチ
ツプ状固体電解コンデンサを順次組立てモールド
外装後、外部端子のみに半田層を形成することに
よつて、半田付性が良くなる、オーブン不良が少
くなる、半田の流れ出しがなくなる、信頼性の高
い耐熱性にすることができる、などの作用効果を
生ずる。
ツプ状固体電解コンデンサを順次組立てモールド
外装後、外部端子のみに半田層を形成することに
よつて、半田付性が良くなる、オーブン不良が少
くなる、半田の流れ出しがなくなる、信頼性の高
い耐熱性にすることができる、などの作用効果を
生ずる。
第１図は従来例のチツプ状固定電解コンデンサ
の斜視図、第２図は同じく断面図、第３図は高温
において半田の流れ出しと、溶接部の離れ状態を
示す断面図、第４図は本発明の製造法により製造
されたチツプ状固体電解コンデンサ、ａ図は斜視
図、ｂ図は外部端子を折り曲げ後半田コートした
場合、ｃ図は外部端子を折り曲げる前半田コート
した場合の断面図、第５図は陰極端子とコンデン
サ素子を導電性接着剤で接着する工程図、第６図
は第５図の陰極端子とコンデンサ素子を着したも
のを樹脂で外装した斜視図、を示す。 １……コンデンサ素子、２……陽極導出線、７
……樹脂、１３……陽極端子、１４……陰極端
子、１３−１……溶接部、１３−２，１４−１…
…半田部またはメツキ部、１５……素子固定部、
１６……導電性接着剤。
の斜視図、第２図は同じく断面図、第３図は高温
において半田の流れ出しと、溶接部の離れ状態を
示す断面図、第４図は本発明の製造法により製造
されたチツプ状固体電解コンデンサ、ａ図は斜視
図、ｂ図は外部端子を折り曲げ後半田コートした
場合、ｃ図は外部端子を折り曲げる前半田コート
した場合の断面図、第５図は陰極端子とコンデン
サ素子を導電性接着剤で接着する工程図、第６図
は第５図の陰極端子とコンデンサ素子を着したも
のを樹脂で外装した斜視図、を示す。 １……コンデンサ素子、２……陽極導出線、７
……樹脂、１３……陽極端子、１４……陰極端
子、１３−１……溶接部、１３−２，１４−１…
…半田部またはメツキ部、１５……素子固定部、
１６……導電性接着剤。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 陽極導出線を具備するタンタル、アルミニウ
ムなどの弁作用を有する金属を電極として、この
表面に誘電体性酸化皮膜を形成し、更に二酸化マ
ンガンなどの電解質層を形成し、更にカーボン
層、陰極層などを順次積層形成して得られるコン
デンサ素子（以下単にコンデンサ素子という。）
の陽極、陰極のそれぞれに薄板状コム金属端子を
接続すると共にコンデンサ素子を樹脂モールドに
より外装し、前記薄板状コム金属端子の一部を前
記樹脂モールド外側端面より導出し、側端面から
底面部に沿わせて折り曲げ加工するチツプ状固体
電解コンデンサの製造法において、前記薄板状金
属端子に鉄、Niまたは鉄−ニツケル合金などの
地金（半田メツキ、錫メツキなどの表面処理をほ
どこさないもの）を用い、前記陰極との接続には
極少量の半田または導電性接着剤で行い、しかる
後樹脂モールド外装をし、樹脂モールド外側端面
より導出した薄板状コム金属端子部に半田または
錫などのコーテイングを行うチツプ状固体電解コ
ンデンサの製造法。 ２ 前記コンデンサ素子の陰極面に内面のみ、ま
たは内面の一部にスポツト的に導電性接着剤を設
けた前記薄板状コム金属端子を接触させ加圧しな
がら加熱して前記導電性接着剤を短時間で硬化さ
せて接続する特許請求の範囲第１項記載のチツプ
状固体電解コンデンサの製造法。 ３ 前記コンデンサ素子の陰極面に、内面のみま
たは内面の一部にスポツト的に半田層または半田
盛部を設けた前記薄板状コム金属端子を接触させ
加圧しながら加熱溶融半田付けするチツプ状固体
電解コンデンサの製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21488881A JPS58112321A (ja) | 1981-12-25 | 1981-12-25 | チツプ状固体電解コンデンサの製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21488881A JPS58112321A (ja) | 1981-12-25 | 1981-12-25 | チツプ状固体電解コンデンサの製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58112321A JPS58112321A (ja) | 1983-07-04 |
| JPS6160570B2 true JPS6160570B2 (ja) | 1986-12-22 |
Family
ID=16663222
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21488881A Granted JPS58112321A (ja) | 1981-12-25 | 1981-12-25 | チツプ状固体電解コンデンサの製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58112321A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6116501A (ja) * | 1984-07-03 | 1986-01-24 | 松下電器産業株式会社 | チツプバリスタ |
| JPH01100430U (ja) * | 1987-12-22 | 1989-07-05 | ||
| JPH01261813A (ja) * | 1988-04-13 | 1989-10-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | モールドチップタンタル固体電解コンデンサ |
| US7808773B2 (en) | 2005-02-04 | 2010-10-05 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Electronic part and process for producing the same |
| JP5057926B2 (ja) * | 2007-10-19 | 2012-10-24 | 三洋電機株式会社 | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
| WO2022191029A1 (ja) * | 2021-03-12 | 2022-09-15 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 固体電解コンデンサ |
-
1981
- 1981-12-25 JP JP21488881A patent/JPS58112321A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58112321A (ja) | 1983-07-04 |
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