JP2002134361A - 固体電解コンデンサおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 面実装型の固体電解コンデンサにおいて、端
子に施すめっき処理が複雑で、かつ半田濡れ性や耐熱密
着性が悪いという課題を解決し、簡単なめっき構成で優
れた性能を発揮することができる固体電解コンデンサお
よびその製造方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 コンデンサ素子１に接続される陽極／陰
極端子３、４を、銅または銅合金からなる板状部材に下
地無しで直接錫めっき層を形成し、これをリフロー処理
することにより板状金属部材と錫めっき層の間に錫−銅
の金属間化合物層を設けた構成とすることにより、簡単
なめっき構成で半田濡れ性や耐熱密着性に優れた固体電
解コンデンサおよびその製造方法を提供することができ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は各種電子機器に使用
される電解コンデンサの中で、特に外部接続用の端子を
有した面実装型の固体電解コンデンサおよびその製造方
法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来のこの種の外部接続用の端子を有す
る固体電解コンデンサとしては面実装型のタンタル固体
電解コンデンサが代表的に挙げられ、各種電子機器に大
量に使用されており、以下の説明はこのタンタル固体電
解コンデンサを例にして説明する。

【０００３】このようなタンタル固体電解コンデンサの
構成はコンデンサ素子部とリードフレーム部とに大別さ
れ、このリードフレーム部の材料としてはニッケル系金
属または銅系金属を用いたものが主流となっている。そ
して、リードフレーム部に形成された端子の繰り返し曲
げ強度、またはデバイスの実装時に耐えることができる
端子強度等の機械的強度が要求される用途についてはニ
ッケル系金属（４２アロイ等）が使用されている。ま
た、リードフレーム部に厳しい加工性を要求される用途
については銅系金属（銅−ニッケル−錫合金等）が使用
されている。

【０００４】以下、この種の従来のタンタル固体電解コ
ンデンサについて図１２〜図１４を用いて説明する。

【０００５】図１２は従来のタンタル固体電解コンデン
サの構成を示す断面図であり、同図において、１２はコ
ンデンサ素子、１３は陽極導出線を示し、このコンデン
サ素子１２は上記陽極導出線１３をその一端が表出する
ように埋設したタンタル粉末からなる成形体を焼結した
多孔質の陽極体の外表面に誘電体酸化皮膜層、固体電解
質層、陰極層（共に図示せず）を順次形成することによ
り構成されたものである。

【０００６】１４は陽極端子であり、一端が上記コンデ
ンサ素子１２の陽極導出線１３に溶接などの手段により
接合され、他端が後述する外装樹脂１７から表出して外
装樹脂１７に沿って折り曲げられることにより外部接続
用の端子となるものである。１５は陰極端子であり、一
端が導電性接着剤１６を介して上記コンデンサ素子１２
の陰極層に接続され、他端が後述する外装樹脂１７から
表出して外装樹脂１７に沿って折り曲げられることによ
り外部接続用の端子となるものである。１７は上記陽極
端子１４と陰極端子１５の一部が夫々外部に露呈する状
態で上記コンデンサ素子１２を被覆した絶縁性の外装樹
脂である。

【０００７】図１３は上記陽極／陰極端子１４、１５を
形成するリードフレームを示した平面図、図１４は図１
３のＡ−Ａ線における断面図であり、同図において、１
８はニッケル系（４２アロイ等）または銅系（銅−ニッ
ケル−錫合金等）の帯板状の金属部材からなるリードフ
レーム、１４と１５はこのリードフレーム１８に形成さ
れた陽極端子と陰極端子である。１９は素子固定部であ
り、この素子固定部１９には銀めっき層２０が設けられ
ている。２１は搬送用のガイドホールである。また、上
記陽極端子１４と陰極端子１５には下地層２２として厚
さ０．３μｍ以上の銅または銅合金めっき層が設けら
れ、更にこの上にデバイス実装時の半田接合のために錫
または錫−鉛合金めっきからなる半田用めっき層２３が
設けられている。

【０００８】次に、このように構成された従来のタンタ
ル固体電解コンデンサの製造方法について説明すると、
まず、リードフレーム１８の相対向する位置に突設され
た陽極端子１４と陰極端子１５の間の素子固定部１９に
コンデンサ素子１２を配置し、このコンデンサ素子１２
の陽極導出線１３とリードフレーム１８に形成された陽
極端子１４を溶接等により接続すると共に、コンデンサ
素子１２の陰極層とリードフレーム１８に形成された陰
極端子１５に設けられた銀めっき層２０を銀ペーストか
らなる導電性接着剤１６を介して接合する。なお、この
導電性接着剤１６は加熱硬化させることによって電気的
な接続が得られるものであり、この時の加熱硬化条件と
しては１７０〜１８０℃の温度で約１時間行うものであ
る。

【０００９】次に、上記陽極端子１４と陰極端子１５の
一部が夫々外部に露呈する状態で上記コンデンサ素子１
２を絶縁性の外装樹脂１７で被覆した後、この外装樹脂
１７の完全硬化を行うために１７０〜１８０℃の温度で
約６時間の熱処理を行う。これにより外装樹脂１７の架
橋率が向上してタンタル固体電解コンデンサの耐湿性等
が向上する。その後、ユーザーにおけるリフロー炉等の
半田実装時の不具合となる漏れ電流大やショート不良を
取り除くために２４０〜２６０℃の雰囲気炉等で約６０
秒間の熱スクリーニングを行い、リードフレーム１８の
不要部分を除去した後、特性・外観検査等の検査を行っ
て出荷されるものである。

【００１０】このような製造方法によって製造される従
来のタンタル固体電解コンデンサは、その組み立て工程
において過酷な熱履歴が大気中で加わるため、この熱履
歴が加わった後でもめっき被膜の耐熱密着性およびユー
ザーでのリフロー炉等の半田実装時に優れた半田濡れ性
が要求されるものである。

【００１１】また、このようにめっき被膜の耐熱密着性
や優れた半田濡れ性を実現するために、上記従来の陽極
／陰極端子１４、１５の下地層２２として設けられる銅
または銅合金めっき層は０．３μｍ以上の厚みを必要と
し、この上に設けられる半田用めっき層２３としての錫
または錫−鉛合金めっき層の耐熱密着性に大きく影響す
るものである。また、この錫または錫−鉛合金めっき層
の密着性は下地層２２である銅または銅合金めっき層と
の熱拡散層の形成量に依存しており、上記銅または銅合
金めっき層にはこの熱拡散層の形成を促進する作用があ
るものである。

【００１２】このように下地層２２として設けられる銅
または銅合金めっき層は耐熱密着性に寄与していること
から緻密なめっき被膜状態が好ましいものであり、適正
な電流密度とめっき浴管理の条件下でめっきを行い、め
っき厚さとして０．３μｍ以上の厚みを必要とするもの
である。従って、このような適正な条件から外れた、例
えば高電流密度の条件でめっきが行われた場合には、ポ
ーラスなめっき状態の銅または銅合金めっき層が形成さ
れるために密着性が不足し、また、銅または銅合金めっ
き層のめっき被膜が緻密な状態でもめっき厚みが０．３
μｍ未満の場合には耐熱密着性が不足することになる。
なお、上記銅または銅合金めっき層におけるめっき厚み
の上限は特に限定されないが、４μｍ程度までで十分で
ある。

【００１３】従って、従来のリードフレーム１８に優れ
ためっき被膜を形成するための方法としては、以下に示
す２つの方法のいずれかを用いて行っているものであっ
た。

【００１４】第１の方法としては、板状金属部材の材質
がニッケル系金属または銅系金属からなる場合には、板
状金属部材に半田または錫めっき被膜の密着強度が得ら
れるように緻密な下地めっき層２２を形成する。この下
地めっき層２２としては、ニッケルめっきまたは銅めっ
き、あるいはニッケルめっき及び銅めっきを順次施す。

【００１５】次に、リードフレーム１８のコンデンサ素
子１２の陰極層と接続される陰極端子１５の表面の所望
部分に電解めっき法により銀めっき層２０をストライプ
状に施す。この処理により形成された銀めっき層２０
は、陰極端子１５との馴染みを良くするためのものであ
る。この銀めっき層２０以外のリードフレーム１８の表
裏面全体に半田または錫めっき被膜からなる半田用めっ
き層２３を形成した後、金型による打ち抜き加工を行
い、陽極端子１４および陰極端子１５を作製するように
した方法である。即ち、第１の方法とは、板状金属部材
にめっき被膜を形成した後、これに打ち抜き加工を行う
ことにより陽極端子１４と陰極端子１５を作製するとい
う方法である。

【００１６】また、第２の方法は、予め板状金属部材を
打ち抜き加工して陽極端子１４と陰極端子１５をフープ
状のリードフレーム１８に連続的に作製した後、上記第
１の方法と同様のめっき処理を行うことによってめっき
被膜を形成するという方法である。

【００１７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の固体電解コンデンサでは、陽極端子１４ならびに陰極
端子１５が板状金属部材からなるリードフレーム１８に
ニッケルの下地めっきを施した後、更に錫または半田め
っきをしたものの場合には、製造工程中の負荷される過
酷な熱履歴によって錫とニッケルとの金属間化合物層の
生成が起こって表面の錫または半田層が失われ、半田濡
れ性が低下するという欠点があり、このために、熱履歴
後も良好な半田濡れ性を得るために錫または半田めっき
層を厚く形成する必要があり、結果的に製品コストの上
昇に繋がるために採用し難いという課題を有したもので
あった。

【００１８】また、陽極端子１４ならびに陰極端子１５
が板状金属部材からなるリードフレーム１８に銅めっ
き、あるいはニッケルめっき及び銅めっきを順次施し、
更に錫または半田めっきをしたものの場合にも、過酷な
熱履歴によって錫と銅との金属間化合物層の生成が起こ
って表面の錫または半田層が失われ、半田濡れ性が低下
するという欠点があると共に、錫と銅との金属間化合物
層と銅めっき層との間で剥離が発生するという課題を有
したものであった。

【００１９】そこで、これらの課題を解決するために、
ニッケルまたはニッケル合金からなるリードフレームの
基材の上に０．１〜１．０μｍの厚さの銅下地めっき層
を形成し、更にこの銅下地めっき層の上に錫または半田
めっき層を形成した後、リフロー処理または錫または半
田の溶融めっきを施すことにより、ニッケルまたはニッ
ケル合金からなる基材と錫または半田めっき層との間に
厚さが０．２〜２．０μｍの錫と銅の金属間化合物層を
形成するという方法が特開平５−９８４６４号公報に提
案されている。

【００２０】また、銅または銅合金からなるリードフレ
ームの基材の上にニッケルめっき層を形成し、このニッ
ケルめっき層の上に０．１〜１．０μｍの厚さの銅下地
めっき層を形成し、この銅下地めっき層の上に錫または
半田めっき層を形成した後にリフロー処理を施すか、あ
るいは上記銅下地めっき層の上に錫または半田の溶融め
っきを施すことにより、ニッケルめっき層上に厚さが
０．２〜２．０μｍの錫と銅の金属間化合物層を形成す
るという方法が特開平６−１９６３４９号公報に提案さ
れている。

【００２１】しかしながら、このように提案された技術
を固体電解コンデンサのリードフレームとして用いよう
とする場合には、錫と銅の金属間化合物層を形成するた
めの銅下地めっき層の形成が必要不可欠なものであるた
め、製品コストに与える影響が大きくて採用できないと
いう課題を有したものであった。

【００２２】本発明はこのような従来の課題を解決し、
簡単な構成のめっき被膜で良好な半田濡れ性を長期間に
亘り発揮できると共に、優れた半田濡れ性と耐熱密着性
を有する端子を備えた固体電解コンデンサおよびその製
造方法を提供することを目的とするものである。

【００２３】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明の請求項１に記載の発明は、特に、コンデンサ
素子に接続された陽極端子ならびに陰極端子の一部が夫
々外部に露呈した状態で上記コンデンサ素子を外装樹脂
で被覆した固体電解コンデンサにおいて、上記陽極端子
ならびに陰極端子が銅または鉄合金からなる板状金属部
材に下地無しで直接錫めっき層を形成し、これをリフロ
ー処理することにより板状金属部材と錫めっき層の間に
錫−銅の金属間化合物層を設けた構成としたものであ
り、これにより、下地めっき層を無くした簡単な構成の
めっき被膜であるにもかかわらず錫めっき層が良好な耐
熱密着性を発揮することができるという作用効果が得ら
れる。

【００２４】本発明の請求項２に記載の発明は、請求項
１に記載の発明において、陽極端子および／または陰極
端子が、板状金属部材のコンデンサ素子と接合される側
の面にニッケルの下地めっき層と、この下地めっき層上
のコンデンサ素子と接合される部分に銀めっき層を形成
し、他方の面に下地無しで直接錫めっき層を形成し、こ
れをリフロー処理することにより板状金属部材と錫めっ
き層の間に錫−銅の金属間化合物層を設けた構成とした
ものであり、これにより、請求項１に記載の発明により
得られる作用効果に加え、両めっき層の厚みにより良好
な電気的特性と実装時の半田濡れ性を確保することがで
きるという作用効果が得られる。

【００２５】本発明の請求項３に記載の発明は、請求項
１に記載の発明において、陽極端子および／または陰極
端子が、板状金属部材のコンデンサ素子と接合される側
の面のコンデンサ素子と接合される部分にニッケルの下
地めっき層と、この下地めっき層上に銀めっき層を形成
し、これ以外の部分には上記銀めっき層と少なくとも
０．５mmの隙間を設けて下地無しで直接錫めっき層を形
成し、他方の面に下地無しで直接錫めっき層を形成し、
これをリフロー処理することにより板状金属部材と錫め
っき層の間に錫−銅の金属間化合物層を設けた構成とし
たものであり、これにより、請求項１に記載の発明によ
り得られる作用効果に加え、電気的特性をより向上させ
ることができるという作用効果が得られる。

【００２６】本発明の請求項４に記載の発明は、請求項
１に記載の発明において、陽極端子および／または陰極
端子が、板状金属部材のコンデンサ素子と接合される側
の面のコンデンサ素子と接合される部分にニッケルの下
地めっき層と、この下地めっき層上に銀めっき層を形成
し、これ以外の部分には上記銀めっき層と少なくとも
０．５mmの隙間を設けて下地無しで直接錫めっき層を形
成し、これをリフロー処理することにより板状金属部材
と錫めっき層の間に錫−銅の金属間化合物層を設けた構
成としたものであり、これにより、請求項１に記載の発
明により得られる作用効果に加え、板状金属部材の片面
のみにめっき処理を施せば良いため製造工程の簡素化を
図ってコストダウンを図ることができるという作用効果
が得られる。

【００２７】本発明の請求項５に記載の発明は、請求項
２に記載の発明において、陽極端子および／または陰極
端子に下地無しで直接形成された錫めっき層の厚さが
４．０μｍ以上、ニッケルの下地めっき層上に形成され
た銀めっき層の厚さが０．３μｍ以上である構成とした
ものであり、これにより、請求項３または４に記載の発
明により得られる作用効果に加え、金属間化合物層の最
適な厚みを確保して錫めっき層のより高い耐熱密着性を
得ることができるという作用効果が得られる。

【００２８】本発明の請求項６に記載の発明は、請求項
１に記載の発明において、陽極端子ならびに陰極端子に
設けられた錫−銅の金属間化合物層の厚さが０．４〜
２．０μｍである構成としたものであり、これにより、
請求項１に記載の発明により得られる作用効果に加え、
錫めっき層のより高い耐熱密着性を安定して得ることが
できるという作用効果が得られる。

【００２９】本発明の請求項７に記載の発明は、請求項
１に記載の発明において、陽極端子ならびに陰極端子の
外装樹脂から露呈した部分の錫めっき層の厚さが同外装
樹脂に被覆された部分の錫めっき層の厚さより０．２〜
１．０μｍ薄く形成された構成としたものであり、これ
により、請求項１に記載の発明により得られる作用効果
に加え、外装樹脂でモールドした後の陽極／陰極端子を
折り曲げ加工する際に、曲げ応力を緩和して漏れ電流を
小さくすることができるという作用効果が得られる。

【００３０】本発明の請求項８に記載の発明は、請求項
１に記載の発明において、陽極端子ならびに陰極端子に
形成する錫めっき層に代えて、錫−銀めっき、錫−ビス
マスめっき、錫−亜鉛めっき、錫−銅めっきのいずれか
の錫系合金めっき層を形成した構成のものであり、これ
により、請求項１に記載の発明により得られる作用効果
と同様の作用効果が得られる。

【００３１】本発明の請求項９に記載の発明は、請求項
１に記載の発明において、コンデンサ素子が、陽極導出
線をその一端が表出するように埋設した弁作用金属粉末
からなる成形体を焼結した多孔質の陽極体の外表面に誘
電体酸化皮膜層、固体電解質層、陰極層を順次形成して
構成されたものであり、これにより、請求項１に記載の
発明により得られる作用効果と同様の作用効果が得られ
る。

【００３２】本発明の請求項１０に記載の発明は、請求
項１に記載の発明において、コンデンサ素子が、弁作用
金属の表面に誘電体酸化皮膜層、導電性高分子からなる
固体電解質層、陰極層を順次形成して構成されたもので
あり、これにより、請求項１に記載の発明により得られ
る作用効果と同様の作用効果が得られる。

【００３３】本発明の請求項１１に記載の発明は、特
に、銅または銅合金からなる板状金属部材のコンデンサ
素子と接合される面に電解めっきによるニッケルの下地
めっき層と、この上のコンデンサ素子と接合される部分
に電解めっきによる銀めっき層を形成し、続いて他方の
面に下地無しで直接電解めっきによる錫めっき層または
錫系合金めっき層を形成した後、これを酸素濃度が２０
０ｐｐｍ以下の低酸素濃度雰囲気中で４００〜８００℃
に加熱するリフロー処理を行って上記錫めっき層または
錫系合金めっき層を溶融させることにより板状金属部材
と錫めっき層または錫系合金めっき層の間に錫−銅の金
属間化合物層を形成した後、これを所望の形状に打ち抜
き・折り曲げ加工して陽極端子ならびに陰極端子を作製
し、この陽極端子ならびに陰極端子を用いて組み立てを
行うようにした固体電解コンデンサの製造方法というも
のであり、この方法により、製造工程が簡略化されるた
めに低コストで固体電解コンデンサを製造することがで
きるという作用効果が得られる。

【００３４】本発明の請求項１２に記載の発明は、請求
項１１に記載の発明において、特に、板状金属部材のコ
ンデンサ素子と接合される面のコンデンサ素子と接合さ
れる部分に電解めっきによるニッケルの下地めっき層
と、この上に電解めっきによる銀めっき層を形成し、続
いてこの銀めっき層と少なくとも０．５mmの隙間を設け
て下地無しで直接電解めっきによる錫めっき層または錫
系合金めっき層を形成した後、他方の面に下地無しで直
接電解めっきによる錫めっき層または錫系合金めっき層
を形成し、これをリフロー処理して陽極端子ならびに陰
極端子を作製するようにした製造方法というものであ
り、この方法により、請求項１１に記載の発明により得
られる作用効果に加え、半田濡れ性と電気特性に優れた
固体電解コンデンサを安定して製造することができると
いう作用効果が得られる。

【００３５】本発明の請求項１３に記載の発明は、請求
項１１に記載の発明において、特に、板状金属部材を所
望の形状に打ち抜き加工した後でめっき処理を行うよう
にした製造方法というものであり、この方法により、請
求項１１に記載の発明により得られる作用効果と同様の
作用効果が得られる。

【００３６】本発明の請求項１４に記載の発明は、請求
項１２に記載の発明において、特に、板状金属部材を所
望の形状に打ち抜き加工した後でめっき処理を行うよう
にした製造方法というものであり、この方法により、請
求項１２に記載の発明により得られる作用効果と同様の
作用効果が得られる。

【００３７】本発明の請求項１５に記載の発明は、請求
項１１に記載の発明において、外装樹脂から表出した陽
極端子ならびに陰極端子の錫めっき層または錫系合金め
っき層をブラスト処理することにより表層部の厚みを
０．２〜１．０μｍ薄くするようにした製造方法という
ものであり、この方法により、請求項１１に記載の発明
により得られる作用効果に加え、外装樹脂でモールドし
た後の陽極／陰極端子を折り曲げ加工する際に曲げ応力
を緩和することができ、これにより漏れ電流が小さく、
電気特性に優れた固体電解コンデンサを安定して製造す
ることができるという作用効果が得られる。

【００３８】

【発明の実施の形態】（実施の形態１）以下、実施の形
態１を用いて、本発明の特に請求項１、２、５、６、
８、９、１０に記載の発明について説明する。

【００３９】図１は本発明の実施の形態１による固体電
解コンデンサとしてのタンタル固体電解コンデンサの構
成を示す断面図であり、同図において１はコンデンサ素
子を示し、このコンデンサ素子１は陽極導出線２をその
一端が表出するように埋設したタンタル粉末からなる成
形体を焼結した多孔質の陽極体の外表面に誘電体酸化皮
膜層、固体電解質層、陰極層（共に図示せず）を順次積
層して形成することにより構成されたものである。３は
陽極端子であり、一端が上記コンデンサ素子１の陽極導
出線２に溶接などの手段により接合され、他端が後述す
る外装樹脂６から表出して外装樹脂６に沿って折り曲げ
られることにより外部接続用の端子となるものである。
４は陰極端子であり、一端が導電性接着剤５を介して上
記コンデンサ素子１の陰極層に接合され、他端が後述す
る外装樹脂６から表出して外装樹脂６に沿って折り曲げ
られることにより外部接続用の端子となるものである。
６は上記陽極端子３と陰極端子４の一部が夫々外部に露
呈する状態で上記コンデンサ素子１を被覆した絶縁性の
外装樹脂である。

【００４０】図２（ａ），（ｂ）は同タンタル固体電解
コンデンサに用いられる上記陽極／陰極端子３、４を形
成するリードフレームを示す平面図とＡ−Ａ線における
断面図であり、同図において、１１は銅または銅合金
（銅−ニッケル−錫合金等）の帯板状の金属部材からな
るリードフレームであり、３と４はこのリードフレーム
１１に形成された陽極／陰極端子である。上記リードフ
レーム１１の一方（図１に示す折り曲げ後の外表面側
で、基板への半田付け面となる側）の面には上記金属部
材の表面に下地無しで直接錫めっき層７（厚さ４．０〜
９．０μｍ）が形成され、これをリフロー処理すること
により金属部材と錫めっき層７との間に錫−銅の金属間
化合物層（厚さ０．４〜２．０μｍ、図示せず）が形成
されている。

【００４１】また、上記リードフレーム１１の他方（コ
ンデンサ素子１と接合される側）の面のコンデンサ素子
１と接合される部分には上記金属部材の表面にニッケル
の下地めっき層８（厚さ０．３μｍ）が形成され、更に
この下地めっき層８上に銀めっき層９（厚さ１．０μ
ｍ）が形成され、これにより素子固定部１０が形成され
ているものである。

【００４２】次に、このように構成される本実施の形態
１のタンタル固体電解コンデンサについて、リードフレ
ーム１１を構成する帯板状の金属部材として鉄−ニッケ
ル−錫合金（９％Ｎｉ−２．３％Ｓｎ−残部Ｃｕ）を用
い、これに下地めっき無しで直接錫めっき層７をその厚
みを変化させて形成し、これを５００℃の温度で酸素濃
度を変化させてリフロー処理することにより上記金属部
材と錫めっき層７との間に錫−銅の金属間化合物層を形
成した実施例１〜２０のタンタル固体電解コンデンサを
夫々１００個作製し、これらのタンタル固体電解コンデ
ンサの耐湿試験（６０℃、９０〜９５％Ｒ．Ｈ、２４０
ｈ）後の半田濡れ性について評価した結果を（表１）に
示す。

【００４３】

【表１】

【００４４】この（表１）から明らかなように、金属部
材に下地めっき無しで直接形成する錫めっき層７の厚み
は４．０μｍ以上、またリフロー炉内の酸素濃度は２０
０ｐｐｍ以下であることが必要な条件であることがわか
る。

【００４５】なお、上記リフロー炉内の温度は５００℃
一定でタンタル固体電解コンデンサの作製を行ったが、
リフロー炉内の温度としては錫の融点（２３１．９℃）
以上であれば錫が溶融するために問題はない。但し、実
際の量産工程を考慮すると、生産タクトを短くする目的
で短時間で溶融させるために更に高温で処理する方が良
く、このためには４００〜８００℃の温度範囲が最適で
あり、本実施の形態１ではこのような理由から５００℃
という温度に設定した。

【００４６】また、上記と同様に下地めっき無しで直接
錫めっき層７（６．０μｍに設定した）を形成した際の
金属部材の種類により形成される錫−銅の金属間化合物
層の厚みと、これらの錫めっき層の耐熱密着性を比較し
た結果を（表２）に示す。

【００４７】

【表２】

【００４８】この（表２）から明らかなように、良好な
錫めっき層の耐熱密着性を得るためには、錫−銅の金属
間化合物層の厚みが０．４μｍ以上必要であることがわ
かると共に、金属部材に占める銅の割合が多い銅−ニッ
ケル−錫合金Ｂや１００％銅やリフロー温度を高くした
方がより厚みの厚い錫−銅の金属間化合物層を安定して
得られることがわかるものである。

【００４９】また、図３は上記素子固定部１０に設けた
銀めっき層９の厚みによるＥＳＲ特性の関係を調べた結
果を示したものであり、この図３から明らかなように、
銀めっき層９の厚みは０．３μｍ以上必要であることが
わかる。

【００５０】このように本実施の形態１によるタンタル
固体電解コンデンサは、陽極／陰極端子３、４を構成す
る金属部材に下地無しで直接錫めっき層７を形成し、こ
れをリフロー処理することにより金属部材と錫めっき層
７との間に錫−銅の金属間化合物層を形成した構成とし
ているため、めっき処理を簡素化して低コスト化を図る
ことができるばかりでなく、良好な半田濡れ性を長期間
に亘り発揮できると共に、優れた耐熱密着性を有する端
子を備えたタンタル固体電解コンデンサを提供すること
ができるものである。

【００５１】なお、本実施の形態１ではコンデンサ素子
１として陽極導出線２を埋設したタンタル粉末をプレス
成形して焼結したタンタル固体電解コンデンサ用の素子
について説明したが、本発明はこれに限定されるもので
はなく、弁作用金属箔からなる固体電解コンデンサ用の
素子を用いた場合でも同様の効果を得られるものであ
る。

【００５２】また、陽極／陰極端子に形成する錫めっき
層に代えて、錫−銀めっき、錫−ビスマスめっき、錫−
亜鉛めっき、錫−銅めっきのいずれかの錫系合金めっき
層を用いても同様の効果が得られるものである。

【００５３】（実施の形態２）以下、実施の形態２を用
いて、本発明の特に請求項２に記載の発明について説明
する。

【００５４】本実施の形態２は上記実施の形態１におけ
る陽極／陰極端子に施すめっき処理の構成が異なるもの
であり、これ以外の構成と製造方法は実施の形態１と同
じであるために同一部分には同一の符号を付与してその
説明は省略し、異なる部分についてのみ以下に説明す
る。

【００５５】図４は本発明の実施の形態２によるタンタ
ル固体電解コンデンサの構成を示す断面図、図５は同タ
ンタル固体電解コンデンサに用いられる陽極／陰極端子
を形成するリードフレームの断面図である。同図におい
て、３Ａは陽極端子、４Ａは陰極端子であり、この陽極
／陰極端子３Ａ、４Ａの一方（基板への半田付け面とな
る側）の面には金属部材の表面に下地無しで直接錫めっ
き層７（厚さ４．０〜９．０μｍ）が形成され、これを
リフロー処理することにより金属部材と錫めっき層７と
の間に錫−銅の金属間化合物層（厚さ０．４〜２．０μ
ｍ、図示せず）が形成されている。

【００５６】また、上記陽極／陰極端子３Ａ、４Ａの他
方（コンデンサ素子１と接合される側）の面の全面に上
記金属部材の表面にニッケルの下地めっき層８（厚さ
０．３μｍ）が形成され、さらにこの下地めっき層８上
のコンデンサ素子１と接合される部分に銀めっき層９
（厚さ１．０μｍ）が形成され、これにより素子固定部
１０が形成されているものである。即ち、上記ニッケル
の下地めっき層８が上記実施の形態１では陰極端子のコ
ンデンサ素子１との接合部分のみに施されていたのに対
して、本実施の形態２では陽極／陰極端子３Ａ、４Ａ両
方の全面に施すようにしたものであり、部分的にめっき
処理を行う場合にはマスキング等の準備工程が必要であ
るが、本実施の形態２のように全面にめっき処理を行う
場合にはそれらの工程が不要になって製造工程の更なる
簡素化を図ることができるという新たな効果が得られる
ものである。

【００５７】（実施の形態３）以下、実施の形態３を用
いて、本発明の特に請求項７、１５に記載の発明につい
て説明する。

【００５８】本実施の形態３は上記実施の形態２におけ
る陽極／陰極端子の外装樹脂から露呈した部分の錫めっ
き層の厚みを薄くしたものであり、これ以外の構成と製
造方法は実施の形態２と同じであるために同一部分には
同一の符号を付与してその説明は省略し、異なる部分に
ついてのみ以下に説明する。

【００５９】図６は本発明の実施の形態３によるタンタ
ル固体電解コンデンサの構成を示す要部断面図であり、
同図において４Ａは陰極端子を示し、この陰極端子４Ａ
（陽極端子３Ａも同様）の一方（基板への半田付け面と
なる側）の面には金属部材の表面に下地無しで直接錫め
っき層７（厚さ４．０〜９．０μｍ）が形成され、これ
をリフロー処理することにより金属部材と錫めっき層７
との間に錫−銅の金属間化合物層（厚さ０．４〜２．０
μｍ、図示せず）が形成されている。

【００６０】また、上記陽極／陰極端子３Ａ、４Ａの他
方（コンデンサ素子１と接合される側）の面の全面に上
記金属部材の表面にニッケルの下地めっき層８（厚さ
０．３μｍ）が形成され、さらにこの下地めっき層８上
のコンデンサ素子１と接合される部分に銀めっき層９
（厚さ１．０μｍ）が形成され、これにより素子固定部
１０が形成されているのは上記実施の形態２と同様のも
のである。

【００６１】また、上記錫めっき層７の厚さｔ１は４．
０〜９．０μｍの範囲で形成されて外装樹脂６でモール
ドされ、この外装樹脂６から露呈した部分の錫めっき層
７の厚さｔ２はブラスト処理等の機械的な処理を加えら
れることによって上記厚さｔ１より０．２〜１．０μｍ
薄い厚さに形成されているものである。

【００６２】図７は上記ブラスト処理の研削量による漏
れ電流の関係を示した特性図であり、同図から明らかな
ように、ｔ１＝０．２μｍ以上、即ち、０．２μｍ以上
の研削を行うことにより漏れ電流を小さくして安定させ
ることができるものである。

【００６３】このように陽極／陰極端子３Ａ、４Ａの外
装樹脂６から露呈した部分の錫めっき層７の厚さｔ２
を、外装樹脂６でモールドされた部分の錫めっき層７の
厚さｔ１より０．２〜１．０μｍ薄い厚さに形成する
（特に、折り曲げ後の外側となる半田付け面側を薄くす
ることによってより大きな効果が得られるものである）
ことにより、陽極／陰極端子３Ａ、４Ａを外装樹脂６に
沿って折り曲げ加工した際に、この折り曲げ加工による
曲げ応力を緩和することができるようになり、これによ
りタンタル固体電解コンデンサの重要な特性の一つであ
る漏れ電流（ＬＣ）を小さくすることができるようにな
るものである。

【００６４】（実施の形態４）以下、実施の形態４を用
いて、本発明の特に請求項３、１２、１４に記載の発明
について説明する。

【００６５】本実施の形態４は上記実施の形態１におけ
る陽極／陰極端子に施すめっき処理の構成が異なるもの
であり、これ以外の構成と製造方法は実施の形態１と同
じであるために同一部分には同一の符号を付与してその
説明は省略し、異なる部分についてのみ以下に説明す
る。

【００６６】図８は本発明の実施の形態４によるタンタ
ル固体電解コンデンサの構成を示す断面図であり、同図
において、３Ｂは陽極端子、４Ｂは陰極端子である。こ
の陽極／陰極端子３Ｂ、４Ｂの一方（基板への半田付け
面となる側）の面には金属部材の表面に下地無しで直接
錫めっき層７（厚さ４．０〜９．０μｍ）が形成されて
いる。

【００６７】また、上記陰極端子４Ｂの他方（コンデン
サ素子１と接合される側）の面のコンデンサ素子１と接
続される部分に上記金属部材の表面にニッケルの下地め
っき層８（厚さ０．３μｍ）が形成され、さらにこの下
地めっき層８上に銀めっき層９（厚さ１．０μｍ）が形
成され、さらにこの銀めっき層９と少なくとも０．５mm
の隙間を設けて下地無しで直接錫めっき層７が形成され
（陽極端子３Ｂにも同様に錫めっき層７が形成されてい
る）、これをリフロー処理することにより金属部材と錫
めっき層７との間に錫−銅の金属間化合物層（厚さ０．
４〜２．０μｍ、図示せず）が形成されており、これに
より素子固定部が形成されているものである。

【００６８】このように本実施の形態４によるタンタル
固体電解コンデンサは、陽極／陰極端子３Ｂ、４Ｂの両
面に錫−銅の金属間化合物層が形成されているため、電
気的特性をさらに安定させることができるものである。

【００６９】（実施の形態５）以下、実施の形態５を用
いて、本発明の特に請求項４に記載の発明について説明
する。

【００７０】本実施の形態５は上記実施の形態１におけ
る陽極／陰極端子に施すめっき処理の構成と折り曲げ後
の形状が異なるものであり、これ以外の構成と製造方法
は実施の形態１と同じであるために同一部分には同一の
符号を付与してその説明は省略し、異なる部分について
のみ以下に説明する。

【００７１】図９は本発明の実施の形態５によるタンタ
ル固体電解コンデンサの構成を示す断面図であり、同図
において、３Ｃは陽極端子、４Ｃは陰極端子である。こ
の陰極端子４Ｃの一方（基板への半田付け面となる側）
の面のコンデンサ素子１と接続される部分には金属部材
の表面にニッケルの下地めっき層８（厚さ０．３μｍ）
が形成され、さらにこの下地めっき層８上に銀めっき層
９（厚さ１．０μｍ）が形成され、これにより素子固定
部１０が形成されている。また、この銀めっき層９と少
なくとも０．５mmの隙間を設けて金属部材の表面に下地
無しで直接錫めっき層７が形成され（陽極端子３Ｃにも
同様に錫めっき層７が形成されている）、これをリフロ
ー処理することにより金属部材と錫めっき層７との間に
錫−銅の金属間化合物層（厚さ０．４〜２．０μｍ、図
示せず）が形成されているものである。

【００７２】このように本実施の形態５によれば、陽極
／陰極端子３Ｃ、４Ｃの折り曲げ形状を変更することに
より陽極／陰極端子３Ｃ、４Ｃの一方の面のみにめっき
処理を施せば良いようになり、上記実施の形態１〜４の
ように両面にめっき処理を行う必要が無くなるために製
造工程の更なる簡素化を図ってコストダウンを図ること
ができるという新たな効果が得られるものである。

【００７３】（実施の形態６）以下、実施の形態６を用
いて、本発明の特に請求項１１〜１４に記載の発明につ
いて説明する。

【００７４】本実施の形態６は上記実施の形態１〜５に
おけるタンタル固体電解コンデンサに使用される陽極／
陰極端子を作製する製造方法に関するものであり、図１
０（ａ）〜（ｅ）と図１１（ａ）〜（ｅ）を用いて以下
に説明する。

【００７５】図１０（ａ）〜（ｅ）は本発明の実施の形
態６によるタンタル固体電解コンデンサの陽極／陰極端
子を作製する製造方法の中で、先めっき・後プレス方式
による製造方法を示した製造工程図であり、まず図１０
（ａ）に示す銅また銅合金（銅−ニッケル−錫合金等）
の帯板状の金属部材（リードフレーム）１１の一方（図
中の裏面側）の面の表面に下地無しで直接錫めっき層
（図示せず）を形成し、これをリフロー処理することに
より金属部材１１と錫めっき層との間に錫−銅の金属間
化合物層を形成する。

【００７６】また、上記金属部材１１の他方（図中の表
面側）の面のコンデンサ素子１と接続される部分にニッ
ケルの下地めっき層（図示せず）を形成し、さらにこの
下地めっき層上に銀めっき層９を形成することにより素
子固定部１０を形成して図１０（ｂ）に示すようなめっ
き処理品を得る。次に、図１０（ｃ）に示すように所定
の形状に打ち抜き加工を行った後、図１０（ｄ）に示す
ようにプレス加工を行って陽極端子３と陰極端子４を作
製するようにしたものである。

【００７７】この後、このようにして作製された陰極端
子４の素子固定部１０上に導電性接着剤５を塗布した
後、図１０（ｅ）に示すように上記導電性接着剤５上に
コンデンサ素子１（の陰極層）を載置して接合すると共
に、コンデンサ素子１から導出された陽極導出線２を陽
極端子３に溶接等によって接合することによりタンタル
固体電解コンデンサの組み立てを行い、その後リードフ
レーム１１の不要部分を除去するようにしたものであ
る。

【００７８】図１１（ａ）〜（ｅ）は本発明の実施の形
態６によるタンタル固体電解コンデンサの陽極／陰極端
子を作製する製造方法の中で、先プレス・後めっき方式
による製造方法を示した製造工程図であり、まず図１１
（ａ）に示す銅または銅合金（銅−ニッケル−錫合金
等）の帯板状の金属部材（リードフレーム）１１を図１
１（ｂ）に示すように所定の形状に打ち抜き加工を行
う。

【００７９】次に、図１１（ｃ）に示すように金属部材
１１の一方（図中の裏面側）の面の表面に下地無しで直
接錫めっき層（図示せず）を形成し、これをリフロー処
理することにより金属部材１１と錫めっき層との間に錫
−銅の金属間化合物層を形成する。また、上記金属部材
１１の他方（図中の表面側）の面のコンデンサ素子１と
接続される部分にニッケルの下地めっき層（図示せず）
を形成し、さらにこの下地めっき層上に銀めっき層９を
形成することにより素子固定部１０を形成して図１１
（ｃ）に示すようなめっき処理品を得た後、図１１
（ｄ）に示すようにプレス加工を行って陽極端子３と陰
極端子４を作製するようにしたものである。

【００８０】この後、このようにして作製された陰極端
子４の素子固定部１０上に導電性接着剤５を塗布した
後、図１１（ｅ）に示すように上記導電性接着剤５上に
コンデンサ素子１（の陰極層）を載置して接合すると共
に、コンデンサ素子１から導出された陽極導出線２を陽
極端子３に溶接等によって接合することによりタンタル
固体電解コンデンサの組み立てを行い、その後リードフ
レーム１１の不要部分を除去するようにしたものであ
る。

【００８１】なお、先めっき・後プレス方式、あるいは
先プレス・後めっき方式のいずれの製造方法を用いるか
は、夫々の特徴を考慮して適宜決定すれば良いものであ
る。

【００８２】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、陽極／陰
極端子を構成する銅または銅合金からなる金属部材に下
地無しで直接錫めっき層を形成し、これをリフロー処理
することにより金属部材と錫めっき層との間に錫−銅の
金属間化合物層を形成した構成としているため、めっき
処理を簡素化して低コスト化を図ることができるばかり
でなく、良好な半田濡れ性を長期間に亘り発揮できると
共に、優れた耐熱密着性を有する端子を備えた固体電解
コンデンサが得られ、これにより環境汚染物質とされて
いる鉛の使用を無くした環境に優しい製品を提供するこ
とができるものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態１によるタンタル固体電解
コンデンサの構成を示す断面図

【図２】（ａ）同コンデンサに用いられる陽極／陰極端
子を形成するリードフレームの平面図 （ｂ）同Ａ−Ａ線における断面図

【図３】同銀めっき層の厚みによるＥＳＲ特性の関係を
示す特性図

【図４】本発明の実施の形態２によるタンタル固体電解
コンデンサの構成を示す断面図

【図５】同コンデンサに用いられる陽極／陰極端子を形
成するリードフレームの断面図

【図６】本発明の実施の形態３によるタンタル固体電解
コンデンサの構成を示す要部断面図

【図７】同ブラスト処理の研削量による漏れ電流の関係
を示す特性図

【図８】本発明の実施の形態４によるタンタル固体電解
コンデンサの構成を示す断面図

【図９】本発明の実施の形態５によるタンタル固体電解
コンデンサの構成を示す断面図

【図１０】（ａ）〜（ｅ）本発明の実施の形態６による
先めっき・後プレス方式によるタンタル固体電解コンデ
ンサの陽極／陰極端子の製造方法を示した製造工程図

【図１１】（ａ）〜（ｅ）本発明の実施の形態６による
先プレス・後めっき方式によるタンタル固体電解コンデ
ンサの陽極／陰極端子の製造方法を示した製造工程図

【図１２】従来のタンタル固体電解コンデンサの構成を
示す断面図

【図１３】同コンデンサに用いられる陽極／陰極端子を
形成するリードフレームの平面図

【図１４】図１３のＡ−Ａ線における断面図

【符号の説明】

１ コンデンサ素子 ２ 陽極導出線 ３，３Ａ，３Ｂ，３Ｃ 陽極端子 ４，４Ａ，４Ｂ，４Ｃ 陰極端子 ５ 導電性接着剤 ６ 外装樹脂 ７ 錫めっき層 ８ ニッケルの下地めっき層 ９ 銀めっき層 １０ 素子固定部 １１ 金属部材（リードフレーム）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 富田 修 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 大門 悟 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 森山 博通 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 喜多 広志 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内

Claims (15)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 陽極取り出し部ならびに陰極取り出し部
   が形成されたコンデンサ素子と、上記陽極取り出し部な
   らびに陰極取り出し部に夫々接合された陽極端子ならび
   に陰極端子と、この陽極端子ならびに陰極端子の一部が
   夫々外部に露呈した状態で上記コンデンサ素子を被覆し
   た絶縁性の外装樹脂からなり、上記陽極端子ならびに陰
   極端子が銅または銅合金からなる板状金属部材に下地無
   しで直接錫めっき層を形成し、これをリフロー処理する
   ことにより板状金属部材と錫めっき層の間に錫−銅の金
   属間化合物層を設けたものである固体電解コンデンサ。
2. 【請求項２】 陽極端子および／または陰極端子が、板
   状金属部材のコンデンサ素子と接合される側の面にニッ
   ケルの下地めっき層と、この下地めっき層上のコンデン
   サ素子と接合される部分に銀めっき層を形成し、他方の
   面に下地無しで直接錫めっき層を形成し、これをリフロ
   ー処理することにより板状金属部材と錫めっき層の間に
   錫−銅の金属間化合物層を設けたものである請求項１に
   記載の固体電解コンデンサ。
3. 【請求項３】 陽極端子および／または陰極端子が、板
   状金属部材のコンデンサ素子と接合される側の面のコン
   デンサ素子と接合される部分にニッケルの下地めっき層
   と、この下地めっき層上に銀めっき層を形成し、これ以
   外の部分には上記銀めっき層と少なくとも０．５mmの隙
   間を設けて下地無しで直接錫めっき層を形成し、他方の
   面に下地無しで直接錫めっき層を形成し、これをリフロ
   ー処理することにより板状金属部材と錫めっき層の間に
   錫−銅の金属間化合物層を設けたものである請求項１に
   記載の固体電解コンデンサ。
4. 【請求項４】 陽極端子および／または陰極端子が、板
   状金属部材のコンデンサ素子と接合される側の面のコン
   デンサ素子と接合される部分にニッケルの下地めっき層
   と、この下地めっき層上に銀めっき層を形成し、これ以
   外の部分には上記銀めっき層と少なくとも０．５mmの隙
   間を設けて下地無しで直接錫めっき層を形成し、これを
   リフロー処理することにより板状金属部材と錫めっき層
   の間に錫−銅の金属間化合物層を設けたものである請求
   項１に記載の固体電解コンデンサ。
5. 【請求項５】 陽極端子および／または陰極端子に下地
   無しで直接形成された錫めっき層の厚さが４．０μｍ以
   上、ニッケルの下地めっき層上に形成された銀めっき層
   の厚さが０．３μｍ以上である請求項２に記載の固体電
   解コンデンサ。
6. 【請求項６】 陽極端子ならびに陰極端子に設けられた
   錫−銅の金属間化合物層の厚さが０．４〜２．０μｍで
   ある請求項１に記載の固体電解コンデンサ。
7. 【請求項７】 陽極端子ならびに陰極端子の外装樹脂か
   ら露呈した部分の錫めっき層の厚さが同外装樹脂に被覆
   された部分の錫めっき層の厚さより０．２〜１．０μｍ
   薄く形成された請求項１に記載の固体電解コンデンサ。
8. 【請求項８】 陽極端子ならびに陰極端子に形成する錫
   めっき層に代えて、錫−銀めっき、錫−ビスマスめっ
   き、錫−亜鉛めっき、錫−銅めっきのいずれかの錫系合
   金めっき層を形成した請求項１に記載の固体電解コンデ
   ンサ。
9. 【請求項９】 コンデンサ素子が、陽極導出線をその一
   端が表出するように埋設した弁作用金属粉末からなる成
   形体を焼結した多孔質の陽極体の外表面に誘電体酸化皮
   膜層、固体電解質層、陰極層を順次形成して構成された
   ものである請求項１に記載の固体電解コンデンサ。
10. 【請求項１０】 コンデンサ素子が、弁作用金属の表面
    に誘電体酸化皮膜層、導電性高分子からなる固体電解質
    層、陰極層を順次形成して構成されたものである請求項
    １に記載の固体電解コンデンサ。
11. 【請求項１１】 陽極端子ならびに陰極端子を構成する
    銅または銅合金からなる板状金属部材のコンデンサ素子
    と接合される側の面に電解めっきによるニッケルの下地
    めっき層と、この下地めっき層上のコンデンサ素子と接
    合される部分に電解めっきによる銀めっき層を形成し、
    続いてこの板状金属部材の他方の面に下地無しで直接電
    解めっきによる錫めっき層または錫系合金めっき層を形
    成した後、これを酸素濃度が２００ｐｐｍ以下の低酸素
    濃度雰囲気中で４００〜８００℃に加熱するリフロー処
    理を行って上記錫めっき層または錫系合金めっき層を溶
    融させることにより板状金属部材と錫めっき層または錫
    系合金めっき層の間に錫−銅の金属間化合物層を形成し
    た後、これを所望の形状に打ち抜き・折り曲げ加工する
    ことにより陽極端子ならびに陰極端子を作製し、続いて
    この陽極端子ならびに陰極端子にコンデンサ素子を接合
    し、上記陽極端子ならびに陰極端子の一部が夫々外部に
    露呈する状態で上記コンデンサ素子を絶縁性の外装樹脂
    で被覆した後、外装樹脂から表出した陽極端子ならびに
    陰極端子を外装樹脂に沿って折り曲げるようにした固体
    電解コンデンサの製造方法。
12. 【請求項１２】 陽極端子ならびに陰極端子を構成する
    板状金属部材のコンデンサ素子と接合される側の面のコ
    ンデンサ素子と接合される部分に電解めっきによるニッ
    ケルの下地めっき層と、この下地めっき層上に電解めっ
    きによる銀めっき層を形成し、続いてこの銀めっき層と
    少なくとも０．５mmの隙間を設けて下地無しで直接電解
    めっきによる錫めっき層または錫系合金めっき層を形成
    した後、この板状金属部材の他方の面に下地無しで直接
    電解めっきによる錫めっき層または錫系合金めっき層を
    形成し、これをリフロー処理して陽極端子ならびに陰極
    端子を作製するようにした請求項１１に記載の固体電解
    コンデンサの製造方法。
13. 【請求項１３】 陽極端子ならびに陰極端子を構成する
    板状金属部材を所望の形状に打ち抜き加工した後でめっ
    き処理を行うようにした請求項１１に記載の固体電解コ
    ンデンサの製造方法。
14. 【請求項１４】 陽極端子ならびに陰極端子を構成する
    板状金属部材を所望の形状に打ち抜き加工した後でめっ
    き処理を行うようにした請求項１２に記載の固体電解コ
    ンデンサの製造方法。
15. 【請求項１５】 外装樹脂から表出した陽極端子ならび
    に陰極端子の錫めっき層または錫系合金めっき層をブラ
    スト処理することにより表層部の厚みを０．２〜１．０
    μｍ薄くするようにした請求項１１に記載の固体電解コ
    ンデンサの製造方法。