WO2021171866A1

WO2021171866A1 - コンデンサ素子、電解コンデンサおよび絶縁材料、ならびに実装基板の製造方法

Info

Publication number: WO2021171866A1
Application number: PCT/JP2021/002533
Authority: WO
Inventors: 斉福井; 勝久石崎; 正理井上; 大輔宇佐; 慎人長嶋; 博美小澤
Original assignee: パナソニックＩｐマネジメント株式会社
Priority date: 2020-02-26
Filing date: 2021-01-26
Publication date: 2021-09-02
Also published as: JPWO2021171866A1; US20230076194A1; CN115136268A

Abstract

コンデンサ素子は、陽極体と、前記陽極体の表面に形成された誘電体層と、前記誘電体層の少なくとも一部を覆う固体電解質層と、前記固体電解質層の少なくとも一部を覆う陰極引出層と、を備える。前記陰極引出層の最表面から０．００１μｍ以上の深さにわたって、絶縁部材が配置されている。

Description

コンデンサ素子、電解コンデンサおよび絶縁材料、ならびに実装基板の製造方法

　本開示は、コンデンサ素子、電解コンデンサおよび絶縁材料、ならびに実装基板の製造方法に関する。

　電解コンデンサは、固体電解質層を備えるコンデンサ素子と、コンデンサ素子と電気的に接続されたリードフレームと、コンデンサ素子を封止する外装体とを備える。コンデンサ素子は、例えば、表層に多孔質部を備えた陽極体と、陽極体の表面の少なくとも一部に形成された誘電体層と、誘電体層の少なくとも一部を覆う固体電解質層と、固体電解質層の少なくとも一部を覆う陰極引出層とを備える。

　特許文献１では、表面に酸化膜層が形成された弁作用金属からなる陽極部と、該表面の所定の領域に固体電解質層を有して層状に形成され最外層は導電性材料からなる陰極部と、該陽極部と該陰極部とを電気的に絶縁するレジスト部とにより構成されるコンデンサ素子を複数備える電解コンデンサが提案されている。

　特許文献２では、表面に多孔質層を有する電解コンデンサ用基材の陽極部領域と陰極部領域を分離する領域に遮蔽層を有する電解コンデンサが提案されている。

　特許文献３では、誘電体皮膜中に浸透しかつ浸透部の上にマスキング層を形成するマスキング材溶液を塗布する工程を有する電解コンデンサの製造方法が提案されている。

　特許文献４では、弁作用金属の表面に形成したエッチング層に、固体電解質材料の浸透を防止するレジスト層を設けることで、陽極部と陰極部を区分するとともに、レジスト層の陰極部側に第一の溝を形成すること、第一の溝よりも陽極部側に第二の溝を形成し、第二の溝にレジスト層を形成することが提案されている。

特開２００７－１６５７７７号公報国際公開第２００７／０６１００５号パンフレット国際公開第２０００／０６７２６７号パンフレット特開２００７－３０５６６１号公報

　本開示の第一の局面に係るコンデンサ素子は、陽極体と、前記陽極体の表面に形成された誘電体層と、前記誘電体層の少なくとも一部を覆う固体電解質層と、前記固体電解質層の少なくとも一部を覆う陰極引出層と、備える。前記陰極引出層の最表面から０．００１μｍ以上の深さにわたって、絶縁部材が配置されている。

　本開示の第二の局面に係るコンデンサ素子は、陽極体と、前記陽極体の表面に形成された誘電体層と、前記誘電体層の少なくとも一部を覆う固体電解質層と、前記固体電解質層の少なくとも一部を覆う陰極引出層と、を備える。前記コンデンサ素子の表面および内部のいずれかの少なくとも一部に、絶縁部材が配置されている。前記絶縁部材の少なくとも一部は、２３０℃以上で流動性を有する。

　本開示の第三の局面に係る電解コンデンサは、上記コンデンサ素子と、上記コンデンサ素子を封止する外装体と、を備える。

　本開示の第四の局面に係る電解コンデンサ用の絶縁材料は、第１硬化性樹脂を含み、前記第１硬化性樹脂の硬化物のガラス転移温度は、１５０℃以下である。

　本開示の第五の局面に係る実装基板の製造方法は、上記電解コンデンサが搭載された基板を準備する工程と、前記電解コンデンサを２３０℃以上で加熱する工程と、を備える。

　本開示によれば、電解コンデンサの耐熱信頼性を向上することができる。

本開示の一実施形態に係るコンデンサ素子を模式的に示す断面図である。本開示の一実施形態に係るコンデンサ素子の要部を模式的に示す断面図である。本開示の一実施形態に係るコンデンサ素子の一部を模式的に示す断面図である。本開示の一実施形態に係る電解コンデンサを模式的に示す断面図である。本開示の一実施形態に係るコンデンサ素子の製造方法を示すフローチャートである。本開示の一実施形態に係る電解コンデンサの製造方法を示すフローチャートである。本開示の一実施形態に係る実装基板の製造方法を示すフローチャートである。

　実施形態の説明に先立って、従来技術における課題について簡単に以下に示す。

　電解コンデンサでは、リードフレームに接続された陽極体の多孔質部を通じて空気が内部に侵入することがある。侵入した空気中の酸素とコンデンサ素子に含まれる固体電解質層とが接触すると、高温下で固体電解質層が劣化し、電解コンデンサの静電容量が低下したり、ＥＳＲ（等価直列抵抗）が増大する。

　また、電解コンデンサは、通常、リフロー工程を経て基板にはんだ接合される。このリフロー工程の際、外装体に微小なクラックが発生する場合がある。酸素がクラックから侵入すると、高温下で固体電解質層は劣化する。

　上記課題を鑑み、本開示は、電解コンデンサの耐熱信頼性を向上することができるコンデンサ素子、電解コンデンサおよび絶縁材料、ならびに実装基板の製造方法を提供する。

　［コンデンサ素子］
　本実施形態に係るコンデンサ素子は、陽極体と、陽極体の表面に形成された誘電体層と、誘電体層の少なくとも一部を覆う固体電解質層と、固体電解質層の少なくとも一部を覆う陰極引出層と、を有するコンデンサ素子を備え、陰極引出層の最表面から０．００１μｍ以上の深さにわたって、絶縁部材が配置されている。

　また、本実施形態に係るコンデンサ素子は、陽極体と、陽極体の表面に形成された誘電体層と、誘電体層の少なくとも一部を覆う固体電解質層と、固体電解質層の少なくとも一部を覆う陰極引出層と、を有する。コンデンサ素子の表面および内部のいずれかの少なくとも一部に、絶縁部材が配置されている。絶縁部材の少なくとも一部は、２３０℃以上で流動性を有する。

　通常、リフロー工程のピーク温度は、２３０℃以上である。絶縁部材の少なくとも一部が、２３０℃以上で流動性を有することは、リフロー工程において、絶縁部材の少なくとも一部が流動することと同義である。

　すなわち、本実施形態に係る絶縁部材は、リフロー時に外装体中に分散するように流動し、外装体に生じた微小なクラックを塞ぐことができる。これにより、電解コンデンサの酸素遮断性が向上し、結果的に耐熱性が向上する。なお、外装体の材料は、その目的から陰極引出層の内部には浸透し難い。

　流動性を有するとは、メルトフローレート（ＭＦＲ）が１ｇ／１０分以上であることと同義である。絶縁部材のＭＦＲは、１０ｇ／１０分以上であることが好ましい。ＭＦＲは、ＩＳＯ　１１３３に準じて、温度２３０℃、荷重２．１６ｋｇの条件で測定される。

　絶縁部材が外装体中に分散する場合、絶縁部材は、外装体との密着性に優れることが好ましい。例えば、絶縁部材と外装体とは、相溶性のよい樹脂（例えば、分子構造の類似した樹脂）を含むことが好ましい。

　絶縁部材は、第１硬化性樹脂を含んでいてもよい。この場合、第１硬化性樹脂の硬化物のガラス転移温度（Ｔｇ）は、１５０℃以下であることが好ましい。第１硬化性樹脂のＴｇが２３０℃よりも十分に低いことにより、絶縁部材の少なくとも一部は、２３０℃以上で流動することができる。第１硬化性樹脂の硬化物のＴｇは、１４０℃以下がより好ましく、１３０℃以下がより好ましく、１２０℃以下が特に好ましい。

　Ｔｇは、ＪＩＳ　Ｋ　０１２９に準じて評価される示差熱分析（ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ　ｔｈｅｒｍａｌ　ａｎａｌｙｓｉｓ：ＤＴＡ）により求められる。示差熱分析は、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ：Ａｔｏｍｉｃ　Ｆｏｒｃｅ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を備える装置により行われてもよい。ＡＦＭにより、微小な範囲の示差熱分析が可能となる。

　絶縁部材は、第１硬化性樹脂を、硬化物として含んでいてもよいし、半硬化物として含んでいてもよいし、未硬化物として含んでいてもよい。絶縁部材は、例えば、第１硬化性樹脂の硬化物、半硬化物および未硬化物の少なくとも１種と、硬化剤と、その他の添加剤との混合物であってもよい。

　第１硬化性樹脂は、これを含む絶縁部材が２３０℃以上で流動性を有する限り、特に限定されない。第１硬化性樹脂は、熱硬化性および光硬化性のいずれであってもよい。光硬化性樹脂は、可視光または紫外線により硬化するものであってもよい。第１硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド、ケイ素樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル、フラン樹脂、ポリウレタン、ケイ素樹脂（シリコーン）、硬化性アクリル樹脂など、フォトレジスト等が挙げられる。第１硬化性樹脂は、一種を単独で用いてもよく、二種以上併用してもよい。

　Ｔｇが低くなり易い点で、第１硬化性樹脂は、２官能型エポキシ樹脂を含むことが好ましい。第１硬化性樹脂は、２官能型エポキシ樹脂以外の硬化性樹脂を含んでもよいが、その割合は小さいことが望ましい。第１硬化性樹脂に占める２官能型エポキシ樹脂の割合は、９５質量％以上であることが望ましい。２官能型エポキシ樹脂は、１種を単独で、あるいは、複数種を組み合わせて用いられる。

　２官能型エポキシ樹脂以外のエポキシ樹脂としては、例えば、ナフタレン型エポキシ樹脂等の多環芳香族型エポキシ樹脂；およびノボラック型エポキシ樹脂が挙げられる。

　なかでも、第１硬化性樹脂は、ビスフェノール型エポキシ樹脂を含むことが好ましい。これにより、絶縁部材は、電解コンデンサの他の部材、例えば外装体、リードフレームに接着し易くなって、酸素遮断性はさらに向上する。ビスフェノール型エポキシ樹脂は、２つのフェニル基が炭化水素基等を介して結合した基本骨格を有する。

　ビスフェノール型エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＤ型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂などが挙げられる。

　ビスフェノール型エポキシ樹脂のエポキシ当量は特に限定されず、例えば１００以上であってよく、５００以下であってよい。エポキシ当量が上記の範囲内であると、絶縁部材の接着性がさらに高くなり易い。ビスフェノール型エポキシ樹脂の分子量（重量平均分子量）は特に限定されず、例えば２８０以上であってよく、１０００以下であってよい。エポキシ樹脂の分子量が上記の範囲であると、エポキシ当量が上記の範囲になり易い。

　リフロー時の流動性および接着性の観点から、第１硬化性樹脂は、ビスフェノール型エポキシ樹脂としてビスフェノールＡ型エポキシ樹脂またはビスフェノールＦ型エポキシ樹脂を含むことが好ましい。第１硬化性樹脂に占めるビスフェノール型エポキシ樹脂の割合は、９５質量％以上であることが望ましい。ビスフェノール型エポキシ樹脂は、１種を単独で、あるいは、複数種を組み合わせて用いられる。

　絶縁部材は、第１硬化性樹脂を含む樹脂組成物であってもよい。樹脂組成物は、例えば、第１硬化性樹脂、硬化剤、硬化促進剤、難燃剤、フィラー、カップリング剤、着色剤、離型剤、無機イオン捕捉剤を含みうる。

　硬化剤としては、例えば、テトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、ナジック酸無水物、メチルナジック酸無水物、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルシクロヘキセンテトラカルボン酸二無水物、水素化メチルナジック酸無水物、無水フタル酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、エチレングリコールビスアンヒドロトリメリテート、グリセリルビス(アンヒドロトリメリテート)モノアセテート、ドデセニル無水コハク酸、脂肪族二塩基酸ポリ無水物、トリアルキルテトラ無水フタル酸、無水クロレンド酸等の酸無水物系硬化剤；２－エチル－４－メチルイミダゾール、２－フェニルイミダゾール、１－（２－シアノエチル）－２－エチル－４－メチルイミダゾール、２，４－ジアミノ－６－［２－メチルイミダゾリル－（１）］エチル－ｓ－トリアジン、２－フェニルイミダゾリン、２，３－ジヒドロ－１Ｈ－ピロロ［１，２－ａ］ベンズイミダゾール等のイミダゾール系硬化剤；ノボラックフェノール樹脂；芳香族アミンが挙げられる。

　硬化促進剤としては、例えば、トリフェニルホスフィンなどの３級ホスフィン、および、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラフェニルホスホニウムテトラパラメチルフェニルボレート、テトラフェニルホスホニウムチオシアネート、テトラブチルホスホニウムデカン酸塩などの４級ホスホニウム塩に代表されるリン系硬化促進剤；ジアザビシクロウンデセン、ジアザビシクロウンデセン、イミダゾール化合物、ジシアンジアミドに代表される窒素系硬化促進剤が挙げられる。

　フィラーとしては、例えば、溶融シリカなどのシリカ、タルク、炭酸カルシウム、酸化アルミニウム等が挙げられる。フィラーの表面は、シランカップリング剤で処理されていてもよい。

　無機イオン捕捉剤としては、Ｚｒ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｍｇ、Ａｌ等の金属イオンを補足するイオントラップ剤が挙げられる。

　絶縁部材に含まれ得る第１硬化性樹脂以外の樹脂としては、熱可塑性樹脂（例えば、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリオレフィン、ポリエステル、熱可塑性ポリイミド）等が挙げられる。

　絶縁部材は、コンデンサ素子の表面および内部のいずれかの少なくとも一部に配置されている。絶縁部材の少なくとも一部は、陰極引出層の表面に配置されていてもよい。絶縁部材の少なくとも一部は、陰極引出層の内部に配置されていてもよい。

　陰極引出層は通常、緻密でなく、空隙を有する。そのため、陰極引出層から酸素が侵入し、固体電解質層が劣化する場合がある。絶縁部材を陰極引出層の表面または内部に配置することにより、効果的に酸素の侵入経路を塞ぐことができる。以下、陰極引出層の表面および内部の少なくとも一部に配置された絶縁部材を、第１絶縁部材と称す。

　第１絶縁部材は、陰極引出層の最表面から０．００１μｍ以上の深さにわたって配置されることが好ましい。これにより、酸素の侵入はより効果的に防止される。第１絶縁部材は、陰極引出層の最表面から０．０１μｍ以上の深さにわたって配置されることが好ましく、０．１μｍ以上の深さにわたって配置されることがより好ましい。第１絶縁部材の浸透深さは、最表面から陰極引出層の厚みの８０％までであればよい。この範囲であれば、酸素遮断性は十分に発揮される。

　陰極引出層は、最表面に金属材料を含む金属ペースト層を備えてもよい。この場合、第１絶縁部材は、金属ペースト層の内部、例えば、金属材料同士の隙間を充填するように配置される。酸素遮断性の観点から、金属ペースト層において、金属材料に由来する元素に対する第１絶縁部材に由来する元素の割合は、６５原子％以上であることが好ましく、６６原子％以上であることがより好ましく、６７原子％以上であることが特に好ましい。電気抵抗の観点から、金属材料に由来する元素に対する第１絶縁部材に由来する元素の割合は、３００原子％以下であることが好ましく、２９０原子％以下であることがより好ましい。

　第１絶縁部材の位置は、電子線マイクロアナライザ（ＥＰＭＡ）を用いた元素分析や、蛍光Ｘ線分析法、ラマン分光分析法、フーリエ変換赤外分光光度法（ＦＴ－ＩＲ）、原子吸光分析法等の分析法によって評価することができる。第１絶縁部材が樹脂組成物により形成されている場合、上記方法により、コンデンサ素子の断面における樹脂組成物に由来する元素（例えば、Ｃ、Ｏ、Ｃｌ、Ｎ、Ｓ等）の分布を確認すればよい。

　金属ペースト層における、金属材料に由来する元素に対する第１絶縁部材に由来する元素の割合も、上記分析方法により評価することができる。金属ペースト層がバインダ樹脂を含む場合、分析結果にはバインダ樹脂に由来する元素も含まれ得る。バインダ樹脂は微量であるため、樹脂組成物に由来する元素を評価した上記分析結果は、第１絶縁部材に由来する元素を評価した結果であるとみなすことができる。

　金属ペースト層は、バインダ樹脂を含む場合がある。この場合であっても、第１絶縁部材の有無は確認できる。まず、金属ペースト層の厚みを、固体電解質層側の表面から、金属ペースト層の厚みの２０％までの第１領域と、それ以外の第２領域にわける。バインダ樹脂は、通常、金属ペースト層全体に薄く略均一に配置されており、その濃度は小さく均一である。一方、第１絶縁部材は金属ペースト層の表面近傍に偏在しており、その濃度は金属ペースト層の表面から内部に向かって小さくなる。そのため、金属ペースト層の断面において樹脂組成物に由来する元素をマッピングしたとき、第１領域にて確認される元素は、バインダ樹脂由来であるとみなすことができる。第１絶縁部材の濃度は、この第１領域における上記元素の濃度よりも高い。つまり、上記元素の濃度が第１領域における濃度より大きい領域には、第１絶縁部材が配置されているとみなすことができる。

　第１絶縁部材の浸透深さは、陰極引出層の最表面の任意の点から、当該任意の点を始点として陰極引出層の厚み方向に引いた直線上にあり、かつ、上記により決定された第１絶縁部材が配置されている領域の陰極引出層の最表面から最も遠い地点までの長さである。上記の長さを任意の５点について計測し、これらの平均値を第１絶縁部材の浸透深さとする。

　第１絶縁部材が第１硬化性樹脂を含む場合、陰極引出層の表面近傍には、第１硬化性樹脂の硬化物が配置されていることが好ましい。酸素の侵入が、より効果的に抑制されるためである。陰極引出層の最表面から０．００１μｍ以上の深さ、さらには０．０１μｍ以上の深さ、特には０．５μｍ以上の深さにわたって、第１硬化性樹脂の硬化物が配置されていることが好ましい。

　第１硬化性樹脂の硬化の程度は、例えば、ＦＴ－ＩＲにより評価できる。例えば、第１硬化性樹脂がエポキシ樹脂の未硬化物を含む場合、９００ｃｍ^－１以上１０００ｃｍ^－１以下に未硬化物由来の強いピークがみられる。

　酸素遮断性の観点から、第１絶縁部材は、陰極引出層の表面の少なくとも一部を覆っていることが好ましい。第１絶縁部材は、陰極引出層の表面全体を覆っていてもよい。コンデンサ素子の一方の主面を見たとき、第１絶縁部材は、陰極引出層の面積の８０％以上を占めていることが好ましい。

　陰極引出層の表面を覆う第１絶縁部材の厚みは特に限定されない。酸素遮断性の観点から、陰極引出層の表面を覆う第１絶縁部材の厚みは、０．０１μｍ以上であることが好ましく、０.０５μｍ以上であることがより好ましく、１μｍ以上であることが特に好ましい。陰極引出層の表面を覆う第１絶縁部材は、第１硬化性樹脂の硬化物であることが好ましい。

　陰極引出層の表面を覆う第１絶縁部材の厚みは、陰極引出層の最表面の任意の５点における第１絶縁部材の厚みの平均値である。

　陽極体は、固体電解質層が形成されていない陽極部と、固体電解質層が形成される陰極形成部と、陽極部と陰極形成部との間の分離部とを有する。陰極形成部には、固体電解質層および陰極引出層が順次形成されている。陽極体は、主面側に多孔質部を備える。

　酸素遮断性の観点から、絶縁部材の少なくとも一部は、陽極部の表面に配置されていてもよい。絶縁部材の少なくとも一部は、陽極部の内部に配置されていてもよい。以下、陽極部の表面および内部の少なくとも一部に配置された絶縁部材を、第２絶縁部材と称す。

　第２絶縁部材は、陽極部の最表面から０．００１μｍ以上、さらには０．０１μｍ以上、特には１μｍ以上の深さにわたって配置されていることが好ましい。

　第２絶縁部材は、陽極部の表面の少なくとも一部を覆っていることが好ましい。第２絶縁部材は、陽極部の表面全体を覆っていてもよい。コンデンサ素子の一方の主面を見たとき、第２絶縁部材は、陽極部の面積の８０％以上を占めていることが好ましい。陽極部の表面を覆う第２絶縁部材の厚みは特に限定されない。酸素遮断性の観点から、陽極部の表面を覆う第２絶縁部材の厚みは、０．０１μｍ以上であることが好ましく、０．０５μｍ以上であることがより好ましく、１μｍ以上であることがより好ましい。

　酸素遮断性の観点から、絶縁部材の少なくとも一部は、分離部の表面に配置されていてもよい。絶縁部材の少なくとも一部は、分離部の内部に配置されていてもよい。以下、分離部の表面および内部の少なくとも一部に配置された絶縁部材を、第３絶縁部材と称す。

　第３絶縁部材は、分離部の最表面から０．００１μｍ以上、さらには０．０１μｍ以上、特には１μｍ以上の深さにわたって配置されていることが好ましい。

　第３絶縁部材は、分離部の表面の少なくとも一部を覆っていることが好ましい。第３絶縁部材は、分離部の表面全体を覆っていてもよい。コンデンサ素子の一方の主面を見たとき、第３絶縁部材は、分離部の面積の８０％以上を占めていることが好ましい。分離部の表面を覆う第３絶縁部材の厚みは特に限定されない。酸素遮断性の観点から、分離部の表面を覆う第３絶縁部材の厚みは、０．０１μｍ以上であることが好ましく、０．０５μｍ以上であることがより好ましく、１μｍ以上であることがより好ましい。

　分離部の表面の少なくとも一部は、第３絶縁部材に替えてあるいは第３絶縁部材とともに、絶縁性の分離部材により覆われていてもよい。これにより、陽極部と陰極引出層との短絡が防止され易くなる。分離部材の厚みは特に限定されないが、例えば、０．５μｍ以上１００μｍ以下であってよく、１０μｍ以上５０μｍ以下であってよい。

　絶縁部材は、陰極引出層の表面および陽極部の表面に配置されることが好ましい。これにより、酸素の外部からの侵入が抑制され易くなる。絶縁部材は、陰極引出層の内部、陽極部の内部および分離部の内部に配置されることが好ましい。これにより、酸素のコンデンサ素子内部での移動が抑制され易くなる。絶縁部材は、コンデンサ素子の表面であって、後述するリードフレームとの接合部に配置されることが好ましい。これにより、リードフレームと外装体との間の隙間が生じ難くなって、酸素の外部からの侵入が抑制され易くなる。

　第２および第３絶縁部材の位置も同様に、ＥＰＭＡを用いた元素分析や、蛍光Ｘ線分析法、ラマン分光分析法、ＦＴ－ＩＲ、原子吸光分析法等の分析法によって評価することができる。上記方法により、各絶縁部材に由来する元素（例えば、Ｃ、Ｏ、Ｃｌ、Ｎ、Ｓ等）の分布を確認すればよい。

　第２絶縁部材の浸透深さも、第１絶縁部材の浸透深さと同様に求めることができる。すなわち、陽極部の最表面の任意の点から、当該任意の点を始点として陽極部の厚み方向に引いた直線上にあり、かつ、第２絶縁部材が配置されている領域の陽極部の最表面から最も遠い地点までの長さである。上記の長さを任意の５点について計測し、これらの平均値を第２絶縁部材の浸透深さとする。第３絶縁部材の浸透深さも、陽極部を分離部に替えて、同様にして求めることができる。陽極部の表面を覆う第２絶縁部材の厚みは、陽極部の最表面の任意の５点における第２絶縁部材の厚みの平均値である。分離部の表面を覆う第３絶縁部材の厚みも、陽極部を分離部に替えて、同様にして求めることができる。

　第２絶縁部材および第３絶縁部材の組成は、第１絶縁部材の組成と同じであってもよく、異なっていてもよい。

　以下、本実施形態に係るコンデンサ素子について、図面を参照しながら具体的に説明する。ただし、本実施形態はこれに限定されるものではない。

　図１は、本実施形態に係るコンデンサ素子を模式的に示す断面図である。図１では、便宜上、絶縁部材を省略している。

　コンデンサ素子１１０は、例えばシート状である。コンデンサ素子１１０は、陽極体１１と、陽極体１１の少なくとも一部を覆う誘電体層１２と、誘電体層の少なくとも一部を覆う固体電解質層１３と、固体電解質層１３の少なくとも一部を覆う陰極引出層１４と、を備える。陰極引出層１４は、カーボン層１４１と、金属ペースト層１４２とを備える。

　陽極体１１は、陽極部１１ａと分離部１１ｂと陰極形成部１１ｃとを備える。陽極体１１の両方の主面側には図示しない多孔質部が配置されている。２つの多孔質部の間には、図示しない芯部が介在している。分離部１１ｂの一部には、薄肉部が形成されている。薄肉部の表面には分離部材１５が配置されている。

　図２は、本実施形態に係るコンデンサ素子の要部を模式的に示す断面図である。図２では、便宜上、固体電解質層および陰極引出層の一部と、第１絶縁部材とが示されている。

　金属ペースト層１４２の内部および表面に、第１絶縁部材２１（２１ａおよび２１ｂ）が配置されている。陰極引出層１４を構成する金属ペースト層１４２の最表面から深さＴ１ａにわたって、第１絶縁部材２１ａが配置されている。第１絶縁部材２１ａは、金属ペースト層１４２の内部に形成されている空隙を充填するように配置される。金属ペースト層１４２の表面は、さらに、厚みＴ１ｂの第１絶縁部材２１ｂにより覆われている。これにより、陰極引出層への酸素の侵入が抑制されて、固体電解質層の劣化が抑制される。

　図３は、本実施形態に係るコンデンサ素子の一部を模式的に示す断面図である。図３では、便宜上、コンデンサ素子の陽極部側の端部を含む一部が示されている。

　金属ペースト層１４２の内部および表面に、第１絶縁部材２１ａおよび第１絶縁部材２１ｂがそれぞれ配置されている。陽極部１１ａの内部および表面に、第２絶縁部材２２ａおよび第２絶縁部材２２ｂがそれぞれ配置されている。第２絶縁部材２２ａは、誘電体層１２を越えて陽極部１１ａに内部にまで浸透している。陽極部１１ａの表面は、さらに第２絶縁部材２２ｂにより覆われている。分離部１１ｂの薄肉部には分離部材１５が配置されている。第３絶縁部材２３は、分離部材１５の下に入り込んで、分離部１１ｂの内部にまで浸透している。これにより、陽極部、分離部および陰極引出層への酸素の侵入が抑制されて、固体電解質層の劣化がさらに抑制され易くなる。

　（陽極体）
　陽極体は、導電性材料として弁作用金属を含む箔（金属箔）または弁作用金属を含む粒子の成形体または焼結体を含む。成形体または焼結体は、多孔質構造を有する。弁作用金属としては、チタン、タンタル、アルミニウムおよびニオブ等が挙げられる。陽極体は、１種または２種以上の上記弁作用金属を含んでいる。陽極体は、合金または金属間化合物の形態で、上記弁作用金属を含んでいてもよい。陽極体の厚みは特に限定されない。薄肉部以外における陽極体の厚みは、例えば、１５μｍ以上３００μｍ以下であり、８０μｍ以上２５０μｍ以下であってよい。成形体または焼結体である陽極体の厚みは、例えば、１５μｍ以上５ｍｍ以下である。

　陽極体の主面は、電解エッチング等により粗面化処理されている。そのため、陽極体は、その主面側に形成された多孔質部を備える。陽極体全体が多孔質であってもよい。ただし、強度の観点から、陽極体は、両方の主面側に配置された多孔質部と、これら多孔質部の間に介在し、多孔度がより低い芯部とを備えることが好ましい。多孔質部は、多数の微細な孔を有する領域である。芯部は、例えば、電解エッチングされていない領域である。

　（誘電体層）
　誘電体層は、陽極体の表面の少なくとも一部に形成される。誘電体層は、例えば、陽極体の表面を化成処理等により陽極酸化することで形成される。そのため、誘電体層は、弁作用金属の酸化物を含み得る。例えば、弁作用金属としてアルミニウムを用いた場合、誘電体層はＡｌ_２Ｏ_３を含み得る。なお、誘電体層はこれに限らず、誘電体として機能するものであればよい。

　（固体電解質層）
　固体電解質層は、誘電体層の少なくとも一部を覆うように形成されていればよく、誘電体層の表面全体を覆うように形成されていてもよい。

　固体電解質層は、例えば、マンガン化合物や導電性高分子を含む。導電性高分子としては、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリフラン、ポリアニリン、ポリアセチレン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン、ポリアセン、ポリチオフェンビニレン等が挙げられる。これらは単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよく、２種以上のモノマーの共重合体でもよい。

　なお、本明細書では、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリフラン、ポリアニリン等は、それぞれ、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリフラン、ポリアニリン等を基本骨格とする高分子を意味する。したがって、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリフラン、ポリアニリン等には、それぞれの誘導体も含まれ得る。例えば、ポリチオフェンには、ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）等が含まれる。

　導電性高分子は、ドーパントとともに固体電解質層に含まれていてよい。ドーパントは、単分子アニオンであってもよいし、高分子アニオンであってよい。単分子アニオンの具体例としては、パラトルエンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸等が挙げられる。高分子アニオンの具体例としては、ポリビニルスルホン酸、ポリスチレンスルホン酸、ポリアリルスルホン酸、ポリアクリルスルホン酸、ポリメタクリルスルホン酸、ポリ（２－アクリルアミド－２－メチルプロパンスルホン酸）、ポリイソプレンスルホン酸、ポリアクリル酸等が挙げられる。これらは単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。また、これらは単独モノマーの重合体であってもよく、２種以上のモノマーの共重合体であってもよい。なかでも、ポリスチレンスルホン酸由来の高分子アニオンが好ましい。

　（陰極引出層）
　陰極引出層は、固体電解質層の少なくとも一部を覆うように形成されていればよく、固体電解質層の表面全体を覆うように形成されていてもよい。

　陰極引出層は、例えば、カーボン層と、カーボン層の表面に形成された金属（例えば、銀）ペースト層と、を有している。陰極引出層の構成は、これに限られず、集電機能を有する構成であればよい。

　<カーボン層>
　カーボン層は炭素材料を含み、導電性を有する。炭素材料は特に限定されない。炭素材料としては、例えば、グラファイト、カーボンブラック、グラフェン片、カーボンナノチューブが挙げられる。

　カーボン層は、必要に応じて、バインダ樹脂、および／または添加剤などを含んでもよい。バインダ樹脂は特に制限されず、コンデンサ素子の作製に用いられる公知のバインダ樹脂が挙げられる。バインダ樹脂としては、例えば、上記の熱可塑性樹脂または硬化性樹脂が挙げられる。添加剤としては、例えば、分散剤、界面活性剤、酸化防止剤、防腐剤、塩基、および／または酸などが挙げられる。

　<金属ペースト層>
　金属ペースト層は、金属材料を含む。金属材料は特に限定されない。導電性の観点から、金属材料は銀を含んでよい。

　金属材料の形状は特に限定されない。金属材料は、球状および／または鱗片状の金属粒子を含んでいてよい。球状の金属粒子（以下、球状粒子と称す。）の平均アスペクト比は、例えば、１．５未満である。鱗片状の金属材料の平均アスペクト比は、例えば、１．５以上であり、２以上である。第１絶縁部材は、例えば、これら金属粒子同士の隙間を充填するように配置される。

　金属ペースト層に含まれる金属材料の体積割合は、０％を超える限り特に限定されない。抵抗が小さくなり易い点で、上記体積割合は、６０％以上であってよく、７０％以上であってよく、８０％以上であってよい。

　金属ペースト層は、さらにバインダ樹脂を含んでもよい。金属ペースト層に含まれるバインダ樹脂の濃度は、特に限定されない。電気抵抗の観点から、金属ペースト層に含まれるバインダ樹脂の体積割合は、６０％以下であってよく、２０％以下であってよく、１０％以下であってよい。上記体積割合は、０．１％以上であってよい。上記体積割合は、０％であってもよい。金属ペースト層における各成分の体積割合は、例えば、エネルギー分散型Ｘ線分光法（ＳＥＭ－ＥＤＸ）により確認できる。

　金属ペースト層の厚みは特に限定されない。金属ペースト層の厚みは、例えば、０．１μｍ以上５０μｍ以下であってよく、１μｍ以上２０μｍ以下であってよい。金属ペースト層の厚みは、金属ペースト層の厚み方向の断面における任意の５点の平均値である。

　（分離部材）
　分離部材は、絶縁性である。分離部材は、分離部の表面の少なくとも一部を覆っている。これにより、陽極部と陰極引出層との短絡が防止され易くなる。

　分離部材は、従来公知の絶縁テープ（レジストテープ）であってよい。あるいは、分離部材は、第１絶縁部材と同様の絶縁性樹脂を含む組成物を付着させることにより、形成されてもよい。

　［電解コンデンサ］
　本実施形態に係る電解コンデンサは、上記のコンデンサ素子を備える。

　電解コンデンサは、複数のコンデンサ素子を備えてもよい。複数のコンデンサ素子は、積層される。コンデンサ素子の積層数は特に限定されず、例えば、２以上２０以下である。積層されたコンデンサ素子の陽極部同士は、溶接により接合されて電気的に接続している。積層されたコンデンサ素子の陰極引出層同士もまた、電気的に接続している。

　複数のコンデンサ素子のうち、少なくとも１つが本実施形態に係るコンデンサ素子であればよい。その他は、従来公知のコンデンサ素子であってよい。好ましくは、電解コンデンサに配置される複数のコンデンサ素子のすべてが本実施形態に係るコンデンサ素子である。

　（外装体）
　電解コンデンサは、コンデンサ素子を封止する外装体を備えてもよい。外装体は、コンデンサ素子を衝撃や水分等から保護する。

　外装体は、第１封止部材を含む。第１封止部材は、２３０℃以上で流動性を有さないことが好ましい。これにより、リフロー時に第１封止部材が流動することが抑制されて、コンデンサ素子を保護することができる。一方、コンデンサ素子が備える絶縁部材は２３０℃以上で流動するため、リフロー時に外装体に発生するクラックを塞ぐことができる。

　第１封止部材は、第１封止樹脂を含む。第１封止樹脂は特に限定されない。第１封止樹脂としては、例えば、硬化性樹脂、エンジニアリングプラスチックが挙げられる。硬化性樹脂としては、第１硬化性樹脂として例示された各種の硬化性樹脂が挙げられる。エンジニアリングプラスチックには、汎用エンジニアリングプラスチックおよびスーパーエンジニアリングプラスチックが含まれる。エンジニアリングプラスチックとしては、例えば、ポリイミド、ポリアミドイミドが挙げられる。

　なかでも、第１封止部材は硬化性樹脂（以下、第２硬化性樹脂と称す。）を含むことが好ましい。第１封止部材は、第２硬化性樹脂を、硬化物として含んでいてもよいし、半硬化物として含んでいてもよいし、未硬化物として含んでいてもよい。第１封止部材は、第２硬化性樹脂を含む樹脂組成物であってもよい。樹脂組成物は、例えば、第２硬化性樹脂、硬化剤、硬化促進剤、難燃剤、フィラー、カップリング剤、着色剤、離型剤、無機イオン捕捉剤を含みうる。

　第２硬化性樹脂の硬化物のＴｇは、第１硬化性樹脂の硬化物のＴｇより高いことが好ましい。これにより、絶縁部材が流動する条件で加熱する場合にも、第１封止部材の流動は抑制され易くなる。第２硬化性樹脂の硬化物のＴｇは、１４０℃以上がより好ましく、１５０℃以上がより好ましい。このような第２硬化性樹脂としては、ビフェニル型エポキシ樹脂、Ｏ－クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等が好ましく例示される。

　外装体は、２３０℃以上で流動性を有さない第１封止部材とともに、少なくとも一部が２３０℃以上で流動性を有する第２封止部材を含むことが好ましい。このとき、第２封止部材は、第１封止部材に発生したクラックを塞ぐように、第１封止部材中に分散していることが好ましい。

　このような第２封止部材は、コンデンサ素子が備える絶縁部材に由来していてもよい。言い換えれば、第２封止部材は、リフロー工程によって流動して第１封止部材中に分散した絶縁部材の少なくとも一部であってもよい。

　あるいは、第２封止部材は、封止工程の際に第１封止部材に添加されてもよい。この場合、第２封止部材は、第１硬化性樹脂として例示されたのと同様の硬化性樹脂、すなわち２官能型エポキシ樹脂、好ましくはビスフェノール型エポキシ樹脂を含んでいることが好ましい。第２封止部材に含まれる硬化性樹脂（以下、第３硬化性樹脂と称す。）は、硬化物であってもよく、半硬化物であってもよく、未硬化物であってもよい。第２封止部材は、第３硬化性樹脂を含む樹脂組成物であってもよい。樹脂組成物は、例えば、第３硬化性樹脂、硬化剤、硬化促進剤、難燃剤、フィラー、カップリング剤、着色剤、離型剤、無機イオン捕捉剤を含みうる。第２封止部材の組成と絶縁部材の組成とは、同じであってもよいし、異なってもよい。

　（リードフレーム）
　電解コンデンサは、通常、コンデンサ素子に接続されたリードフレームを備える。陽極リードフレームは、例えば、陽極部に溶接される。陰極リードフレームは、導電性接着剤やはんだを介して、あるいは、抵抗溶接やレーザ溶接により、陰極引出層に接合される。導電性接着剤は、例えば硬化性樹脂と炭素粒子や金属粒子との混合物である。

　リードフレームの材質は、電気化学的および化学的に安定であり、導電性を有するものであれば特に限定されず、金属であっても非金属であってもよい。その形状も特に限定されない。リードフレームの厚み（リードフレームの主面間の距離）は、低背化の観点から、２５μｍ以上２００μｍ以下が好ましく、２５μｍ以上１００μｍ以下がより好ましい。

　リードフレームの一部は、コンデンサ素子とともに外装体により封止される。外装体から露出するリードフレームの一部は、はんだを介して基板に接合される。はんだ接合を補助するため、リードフレームは、金属材料で被覆されていてもよい。リフロー工程において、金属材料がはんだとともに溶融することにより、はんだ接合が強固になる。

　リフロー工程では、外装体により封止されているリードフレームを被覆する金属材料もまた、溶融する。溶融した金属材料はリードフレーム上を流動して、外装体の外部に流出する。すると、リードフレームと外装体との間に空隙ができる。この空隙は外部と通じている。そのため、この空隙を通して、酸素が外部から電解コンデンサの内部に侵入することがある。

　本実施形態に係るコンデンサ素子は、リフロー時に流動する絶縁部材を備える。そのため、絶縁部材は、リードフレームと外装体との間に生じた空隙を塞ぐことができる。よって、この空隙からの酸素の侵入は抑制される。

　金属材料は、リフロー工程で溶融する限り、特に限定されない。金属材料は、リフロー工程のピーク温度および第１硬化性樹脂の硬化物のＴｇを考慮して、適宜選択すればよい。金属材料の融点は、例えば２３０℃未満であって、第１硬化性樹脂の硬化物のＴｇより高いことが好ましい。これにより、金属材料が外部に流出する際、絶縁部材は、空隙を埋めるように速やかに移動することができる。

　このような金属材料としては、例えば、Ｓｎ、ＪＩＳ　Ｚ　３２８２－１９９９で規定されているはんだ材料が挙げられる、はんだ材料としては、Ｓｎ－Ｐｂ系、Ｐｂ－Ｓｎ系、Ｓｎ－Ｐｂ－Ｓｂ系、Ｓｎ－Ｐｂ－Ｂｉ系、Ｓｎ－Ｐｂ－Ｃｄ系、Ｓｎ－Ｐｂ－Ｃｕ系、Ｓｎ－Ｐｂ－Ａｇ系、Ｐｂ－Ａｇ系、Ｐｂ－Ａｇ－Ｓｎ系等の鉛含有はんだ；Ｓｎ－Ｓｂ系、Ｓｎ－Ｂｉ系、Ｓｎ－Ｃｕ系、Ｓｎ－Ｃｕ－Ａｇ系、Ｓｎ－Ｉｎ系、Ｓｎ－Ｉｎ－Ａｇ－Ｂｉ系、Ｓｎ－Ａｇ系、Ｓｎ－Ａｇ－Ｃｕ系、Ｓｎ－Ａｇ－Ｂｉ－Ｃｕ系、Ｓｎ－Ｚｎ系、Ｓｎ－Ｂｉ－Ｚｎ系等の鉛フリーはんだが挙げられる。

　酸素遮断性の観点から、金属材料と絶縁部材とは、強く密着することが望ましい。例えば、絶縁部材と金属材料との接合強度は、８．５ＭＰａ以上であることが好ましく、９．０ＭＰａ以上であることがより好ましい。

　上記の接合強度は、樹脂-金属接合特性評価試験方法の国際規格であるＩＳＯ１９０９５－１～４に準拠した試験片形状、試験条件で実施した。具体的には、重ね合わせ試験片（タイプＢ)にて接合面積５０ｍｍ^２で実施した。成型樹脂と絶縁部材との２層構造体の絶縁部材側がリードフレームから剥離したときの強度（すなわち、せん断強度）を、絶縁部材と金属材料との接合強度とする。

　酸素遮断性がさらに高まる点で、絶縁部材を、少なくともコンデンサ素子の表面であってリードフレームとの接合部に配置しておくことが好ましい。絶縁部材と金属材料との流動性は異なっているため、金属材料が移動して生じた空隙は、絶縁部材が移動することにより速やかに塞がれる。

　図４は、本実施形態に係る電解コンデンサを模式的に示す断面図である。電解コンデンサ１００は、１以上のコンデンサ素子１１０と、陽極部１１ａに接合された陽極リードフレーム１２０Ａと、陰極引出層に接合された陰極リードフレーム１２０Ｂと、コンデンサ素子１１０を封止する外装体１３０と、を備える。

　［電解コンデンサ用の絶縁材料］
　本実施形態は、上記の絶縁部材を形成するための絶縁材料を包含する。本実施形態に係る絶縁材料は、上記の第１硬化性樹脂を含む。第１硬化性樹脂の硬化物のガラス転移温度は、１５０℃以下である。第１硬化性樹脂は、２官能型エポキシ樹脂を含むことが好ましい。なかでも、第１硬化性樹脂は、ビスフェノール型エポキシ樹脂を含むことが好ましい。

　［実装基板］
　本実施形態にかかる実装基板は、基板と、これに実装された上記の電解コンデンサとを備える。電解コンデンサは、例えば、基板にはんだ接合される。はんだは特に限定されず、例えば、金属材料として例示されたはんだ材料が用いられる。

　基板は特に限定されない。基板としては、例えば、従来公知のガラス基板、樹脂基板、セラミック基板およびシリコン基板等の他、フレキシブル基板、ストレッチャブル基板等と言われる伸縮性および／または屈曲性を有する基板が挙げられる。

　［コンデンサ素子の製造方法］
　本実施形態にかかるコンデンサ素子は、例えば、多孔質部を有する陽極体を準備する工程と、陽極体の表面の少なくとも一部に、誘電体層を形成する工程と、誘電体層を形成した陽極体を、陽極部と陰極形成部と陽極部および陰極形成部の間の分離部とに区分する区分工程と、固体電解質層の少なくとも一部を覆う陰極引出層を形成して、コンデンサ素子の前駆体を得る工程と、絶縁部材の材料を、前駆体の所定の位置に付与する付与工程と、を備える方法により製造される。

　上記区分工程の後、陰極引出層を形成する工程の前に、分離部における多孔質部の一部を圧縮または除去し、分離部に薄肉部を形成する工程、および、薄肉部の表面の少なくとも一部に分離部材を配置する工程を行ってもよい。

　上記付与工程では、絶縁性樹脂を含む原料液にコンデンサ素子の前駆体全体を浸漬させてもよい。これにより、陰極引出層の内部さらには表面、陽極部の内部さらには表面、および、分離部の内部に絶縁性樹脂を付着させることができる。すなわち、一工程おいて、第１絶縁部材、第２絶縁部材および第３絶縁部材を、所定の位置に配置することができる。この場合、第１絶縁部材、第２絶縁部材および第３絶縁部材は同じ組成を有する。

　さらに、複数のコンデンサ素子の前駆体が積層された積層体の全体を、絶縁性樹脂を含む原料液に浸漬させてもよい。これにより、陰極引出層の内部さらには表面、陽極部の内部さらには表面、および、分離部の内部に加えて、隣接するコンデンサ素子の分離部（あるいは分離部材）同士の間にも絶縁性樹脂を付着させることができる。

　上記以外の方法で各絶縁部材の材料を付与する場合、付与工程は、第１絶縁部材の材料を陰極引出層に付与する工程と、第２絶縁部材の材料を陽極部に付与する工程と、第３絶縁部材の材料を分離部に付与する工程と、を備えてもよい。上記各工程の順序は問わない。

　以下、付与工程において、複数のコンデンサ素子の前駆体を積層し、得られた積層体の全体を、絶縁性樹脂を含む原料液に浸漬させる場合を例に挙げて、本実施形態にかかるコンデンサ素子の製造方法を説明する。図５は、本実施形態に係るコンデンサ素子の製造方法を示すフローチャートである。

　（１）陽極体の準備工程（Ｓ１１）
　陽極体の原料として、例えば、弁作用金属を含む金属箔が用いられる。

　金属箔の少なくとも一方の主面を粗面化する。粗面化により、金属箔の少なくとも主面側に、多数の微細な孔を有する多孔質部が形成される。

　粗面化は、例えば金属箔を電解エッチングすることにより行われる。電解エッチングは、例えば直流電解法や交流電解法により行うことができる。エッチング条件は特に限定されず、多孔質部の深さ、弁作用金属の種類等に応じて適宜設定される。

　（２）誘電体層を形成する工程（Ｓ１２）
　陽極体の表面に誘電体層を形成する。誘電体層の形成方法は特に限定されない。誘電体層は、例えば、陽極体を化成処理することにより形成することができる。化成処理では、例えば、陽極体をアジピン酸アンモニウム溶液等の化成液に浸漬し、熱処理する。陽極体を化成液に浸漬し、電圧を印加してもよい。

　（３）陽極体を区分し、分離部に薄肉部を形成する工程（Ｓ１３）
　誘電体層を形成した陽極体を、陽極部と、陰極形成部と、陽極部および陰極形成部の間の分離部とに区分する。そして、分離部の少なくとも一部に薄肉部を形成する。例えば、分離部の少なくとも一部において、多孔質部を圧縮したり、一部除去したりすることにより薄肉部を形成してもよい。必要に応じて、圧縮と除去とを組み合わせてもよい。圧縮は、プレス加工などにより行うことができる。多孔質部の除去は、切削加工、レーザ加工などにより行うことができる。

　（４）分離部の表面に分離部材を配置する工程（Ｓ１４）
　分離部の表面に分離部材を配置する。分離部材を、固体電解質層を形成する工程に先立って配置することで、固体電解質層を形成する際の導電性高分子の陽極部側への這い上がりを抑制できる。

　分離部材は、例えば、絶縁テープ（レジストテープなど）を分離部の表面に貼り付けることにより配置される。あるいは、分離部材の材料を分離部に付与してもよい。分離部材の材料は、印刷法、ディスペンサーを用いる方法、転写法等により、分離部に付与される。

　（５）固体電解質層を形成する工程（Ｓ１５）
　誘電体層の表面に固体電解質層を形成する。

　固体電解質層は、陽極体の存在下で、原料モノマーもしくはオリゴマーを化学重合および／または電解重合することにより形成することができる。固体電解質層は、導電性高分子が溶解した溶液、または、導電性高分子が分散した分散液を誘電体層に塗布することにより形成してもよい。

　原料モノマーもしくはオリゴマーは、上記導電性高分子の原料となるモノマーもしくはオリゴマーである。例えば、ピロール、アニリン、チオフェン、これらの誘導体等である。化学重合および／または電解重合に用いられる重合液には、原料モノマーもしくはオリゴマーに加えて、上記のドーパントが含まれてよい。

　（６）陰極引出層を形成する工程（Ｓ１６）
　固体電解質層の表面に、例えばカーボンペーストおよび銀ペーストを順次、塗布することにより、陰極引出層を形成する。これによりコンデンサ素子の前駆体が得られる。

　（７）積層体を作製する工程（Ｓ１７）
　複数のコンデンサ素子の前駆体を積層し、陽極部同士を接合して、積層体を作製する。陽極部同士を、溶接および／またはかしめ等により接合し、電気的に接続させる。溶接の方法は特に限定されず、レーザ溶接、抵抗溶接であってよい。

　（８）絶縁部材の原料液に積層体を浸漬する工程（Ｓ１８）
　得られた積層体の全体を、絶縁部材の原料液に浸漬させる。これにより、陰極引出層の内部さらには表面、陽極部の内部さらには表面、分離部の内部さらには表面、および、隣接するコンデンサ素子の前駆体の分離部（あるいは分離部材）同士の間に、上記原料液が付着する。

　その後、必要に応じて、乾燥、熱処理等行うことにより、陰極引出層の内部さらには表面に第１絶縁部材が配置され、陽極部の内部さらには表面に第２絶縁部材が配置され、分離部の内部さらには表面に第３絶縁部材が配置され、隣接するコンデンサ素子の分離部（あるいは分離部材）同士の間に絶縁部材が配置される。このようにして、積層されたコンデンサ素子が得られる。

　原料液の付与量は特に限定されない。原料液の付与量は、例えば、原料液の濃度や粘度、浸漬時間によって調整される。

　原料液の粘度は、過度に高くないことが望ましい。原料液の動的粘弾性測定装置を用いて２５℃で測定される粘度は、６０００ｍＰａ・ｓ以下が好ましく、５５００ｍＰａ・ｓ以下が好ましい。原料液の粘度がこの範囲であると、陰極引出層に浸透し易くなる。原料液の上記粘度は、５ｍＰａ・ｓ以上が好ましく、５０ｍＰａ・ｓ以上が好ましい。上記粘度は、例えば、粘弾性測定装置を用いて、測定温度２５℃、測定時間１８０秒の条件で測定される（以下、同じ）。

　酸素の遮断効果が高まる点で、原料液に含まれる絶縁性樹脂の割合は大きいことが望ましい。原料液に含まれる絶縁性樹脂の割合は、８０質量％以上が好ましく、９０質量％以上が好ましい。特に、原料液は、絶縁性樹脂を溶解あるいは分散させる液状成分を含まないことが望ましい。原料液に含まれる液状成分の割合は、１０質量％未満が好ましく、５質量％未満がより好ましい。液状成分は特に限定されず、硬化性樹脂の種類に応じて適宜選択される。液状成分は、水でもよく、非水溶媒でもよく、これらの混合物でもよい。非水溶媒とは、水を除く液体の総称であり、有機溶媒やイオン性液体が含まれる。

　なお、コンデンサ素子の前駆体に上記原料液を付与してコンデンサ素子を得た後、コンデンサ素子を複数、積層してもよい。

　また、上記原料液を、各種コーターまたはディスペンサーを用いるコーティング方法またはディスペンス方法、転写（ローラ転写など）などにより、コンデンサ素子の前駆体の所定の位置に付与してもよい。このとき、付与する位置に応じて原料液の組成、粘度等を変えてもよい。

　［電解コンデンサの製造方法］
　電解コンデンサは、例えば、上記の方法で得られた１以上のコンデンサ素子を準備する工程と、コンデンサ素子にリードフレームを電気的に接続する工程と、コンデンサ素子およびリードフレームの一部を外装体で封止する工程と、を備える方法により製造される。ここでは、複数の積層されたコンデンサ素子を備える電解コンデンサの製造方法を示す。図６は、本実施形態に係る電解コンデンサの製造方法を示すフローチャートである。
（ａ）コンデンサ素子の準備工程（Ｓ２１）
　上記の（１）から（８）の方法により、積層されたコンデンサ素子を作製する。
（ｂ）リードフレームの接続工程（Ｓ２２）
　少なくとも１つのコンデンサ素子の陽極部に陽極リードフレームを電気的に接続し、陰極引出層に陰極リードフレームを電気的に接続する。陽極部と陽極リードフレームとは、例えば溶接されて、電気的に接続される。陰極引出層と陰極リードフレームとは、例えば、陰極引出層と陰極リードフレームとを導電性接着剤を介して接着させることにより、電気的に接続される。
（ｃ）封止工程（Ｓ２３）
　積層されたコンデンサ素子およびリードフレームの一部を第１封止部材により封止する。封止は、射出成形、インサート成形、圧縮成形等の成形技術を用いて行われる。例えば、所定の金型を用いて、硬化性樹脂または熱可塑性樹脂を含む第１封止部材の材料（封止材料）を積層されたコンデンサ素子およびリードフレームの一端部を覆うように充填した後、加熱等を行う。

　封止材料の粘度は、過度に低くないことが望ましい。封止材料の動的粘弾性測定装置を用いて２５℃で測定される粘度は、通常、４０００ｍＰａ・ｓ以上であり、１００００ｍＰａ・ｓ以上である。封止材料は、２５℃において流動性を有していなくてもよい。言い換えれば、封止材料は、２５℃において、粘度評価が困難な程度に粘稠であるか固体であってもよい。封止材料の粘度がこの範囲であると、電解コンデンサの耐湿性および耐衝撃性が高まり易い。２５℃で流動する封止材料の上記粘度は、例えば、１０００００ｍＰａ・ｓ以下であってよく、６００００ｍＰａ・ｓ以下であってよい。

　［実装基板の製造方法］
　実装基板は、例えば、電解コンデンサが搭載された基板を準備する工程と、電解コンデンサを２３０℃以上で加熱する工程と、を備える方法により製造される。図７は、本実施形態に係る実装基板の製造方法を示すフローチャートである。
（ｉ）電解コンデンサの準備工程（Ｓ３１）
　上記の（ａ）から（ｃ）の方法により、電解コンデンサを作製する。
（ｉｉ）加熱（リフロー）工程（Ｓ３２）
　電解コンデンサを、はんだ材料を介して基板に載置し、２３０℃以上で加熱する。これにより、電解コンデンサは基板に実装される。このとき、絶縁部材は流動して、外装体中に分散し、外装体に生じた微小なクラックを塞ぐ。

　［実施例］
　以下、本開示を実施例および比較例に基づいて具体的に説明するが、本開示は以下の実施例に限定されるものではない。

　《実施例１》
　下記の要領で、コンデンサ素子を７つ積層した積層体を備える電解コンデンサＡ１を作製した。

　（１）コンデンサ素子の作製
　基材としてアルミニウム箔（厚み１００μｍ）を準備し、アルミニウム箔の表面にエッチング処理を施し、多孔質部（アルミニウム箔の一方の主面側における厚み３５μｍ、他方の主面側における厚み３５μｍ）を備える陽極体を得た。陽極体を濃度０．３質量％のリン酸溶液（液温７０℃）に浸して７０Ｖの直流電圧を２０分間印加することにより、陽極体の表面に酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）を含む誘電体層を形成した。

　陽極体を、陽極部と陰極形成部とこれらの間の分離部とに区分し、分離部の一部をプレス加工により圧縮して薄肉部（厚み３５μｍ）を形成した。薄肉部に絶縁性のレジストテープ（分離部材）を貼り付けた。

　誘電体層が形成された陽極体を、導電性材料を含む液状組成物に浸漬し、プレコート層を形成した。

　ピロール（導電性高分子のモノマー）と、ナフタレンスルホン酸（ドーパント）と、水とを含む重合液を調製した。得られた重合液中に、誘電体層およびプレコート層が形成された陽極体を浸漬して、印加電圧３Ｖで電解重合を行い、固体電解質層を形成した。

　固体電解質層に、黒鉛粒子を水に分散した分散液を塗布した後、乾燥して、固体電解質層の表面にカーボン層を形成した。次いで、カーボン層の表面に、銀粒子とバインダ樹脂（エポキシ樹脂）とを含む銀ペーストを塗布した後、加熱してバインダ樹脂を硬化させ、金属ペースト層（銀ペースト層、厚み１５μｍ）を形成した。このようにして、カーボン層と金属ペースト層とで構成される陰極引出層を形成し、コンデンサ素子の前駆体を得た。

　得られた７つの前駆体を積層し、陽極部同士をレーザ溶接により接合して、積層体を得た。

　得られた積層体を二液硬化型のビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（Ｔｇ１００℃）を含む原料液（無溶剤型、粘度（２５℃）１００ｍＰａ・ｓ）に浸漬した。次いで、積層体を熱処理して、含浸させた原料液を硬化させた。このようにして、絶縁部材が配置されたコンデンサ素子を得た。原料液としては、４－ｔｅｒｔブチルフェニルグリシジルエーテル：ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（質量比）＝７５：２５からなるＡ液と、酸無水物系硬化剤およびイミダゾール系硬化促進剤を含むＢ液とを混合して用いた。

　ラマン分光分析、フーリエ変換赤外分光光度法、ＴＥＭ／ＥＤＳ（透過型電子顕微鏡／エネルギー分散型Ｘ線分光法）もしくはＴＥＭ／ＥＥＬＳ（透過型電子顕微鏡／電子線エネルギー損失分光法）により絶縁部材の配置を確認した。積層体において、絶縁部材は、陽極体の内部、分離部の内部、陰極引出層の内部、隣接するコンデンサ素子の分離部材の間に配置されていた。絶縁部材は、陰極引出層の最表面から０．００５μｍの深さにわたって配置されていた。また、陰極引出層の最表面から０．００５μｍの深さにわたって配置される絶縁部材は、硬化物であることが確認された。金属ペースト層において、銀原子に対する、絶縁材料に由来する元素の割合は、６５原子％であった。

　絶縁部材は、陽極部の最表面から０．００５μｍの深さにわたって配置されていた。絶縁部材は、レジストテープの下方であって、分離部の最表面から０．００５μｍの深さにわたって配置されていた。

　（２）電解コンデンサの組み立て
　積層されたコンデンサ素子に２本のリードフレーム（Ｓｎメッキされた銅）を接合した。次いで、積層されたコンデンサ素子と各リードフレームの一部を、ビフェニル型エポキシ樹脂（Ｔｇ１８０℃）を含む封止材料（第１封止部材の材料）で封止することにより外装体を形成し、電解コンデンサＡ１を完成させた。

　《実施例２》
　絶縁部材を、陰極引出層の最表面から０．００５μｍの深さにわたって配置されるように含浸させたこと以外、実施例１と同様にしてコンデンサ素子を作製し、電解コンデンサＡ２を完成させた。

　陰極引出層の内部に配置された絶縁部材は、硬化物であることを確認した。金属ペースト層において、銀原子に対する、絶縁材料に由来する元素の割合は、６５原子％であった。絶縁部材は、陰極引出層の表面にも配置されていた。陰極引出層の表面を覆う絶縁部材の厚みは、４．８μｍであった。

　絶縁部材はまた、陽極部の表面、および、陽極部の最表面から０．００５μｍの深さにわたって配置されていた。陽極部の表面を覆う絶縁部材の厚みは、４．８μｍであった。絶縁部材はさらに、レジストテープの下方であって、分離部の表面および分離部の最表面から０．００５μｍの深さにわたって配置されていた。分離部の表面を覆う絶縁部材の厚みは、４．８μｍであった。

　《実施例３》
　絶縁部材を、陰極引出層の最表面から０．０１μｍの深さにわたって配置されるように含浸させたこと以外、実施例１と同様にしてコンデンサ素子を作製し、電解コンデンサＡ３を完成させた。

　陰極引出層の内部に配置された絶縁部材は、硬化物であることを確認した。金属ペースト層において、銀原子に対する、絶縁材料に由来する元素の割合は、６６原子％であった。

　絶縁部材はまた、陽極部の最表面から０．０１μｍの深さにわたって配置されていた。絶縁部材はさらに、レジストテープの下方であって、分離部の最表面から０．０１μｍの深さにわたって配置されていた。

　《実施例４》
　絶縁部材を、陰極引出層の最表面から０．０１μｍの深さにわたって配置されるように含浸させたこと以外、実施例１と同様にしてコンデンサ素子を作製し、電解コンデンサＡ４を完成させた。

　陰極引出層の内部に配置された絶縁部材は、硬化物であることを確認した。金属ペースト層において、銀原子に対する、絶縁部材に由来する元素の割合は、６６原子％であった。絶縁部材は、陰極引出層の表面にも配置されていた。陰極引出層の表面を覆う絶縁部材の厚みは、５．２μｍであった。

　絶縁部材はまた、陽極部の表面、および、陽極部の最表面から０．０１μｍの深さにわたって配置されていた。陽極部の表面を覆う絶縁部材の厚みは、５．２μｍであった。絶縁部材はさらに、レジストテープの下方であって、分離部の表面および分離部の最表面から０．０１μｍの深さにわたって配置されていた。分離部の表面を覆う絶縁部材の厚みは、５．２μｍであった。

　《実施例５》
　絶縁部材を、陰極引出層の最表面から０．０５μｍの深さにわたって配置されるように含浸させたこと以外、実施例１と同様にしてコンデンサ素子を作製し、電解コンデンサＡ５を完成させた。

　陰極引出層の内部に配置された絶縁部材は、すべて硬化物であることを確認した。金属ペースト層において、銀原子に対する、絶縁部材に由来する元素の割合は、６７原子％であった。

　絶縁部材はまた、陽極部の最表面から０．０５μｍの深さにわたって配置されていた。絶縁部材はさらに、レジストテープの下方であって、分離部の最表面から０．０５μｍの深さにわたって配置されていた。

　《実施例６》
　絶縁部材を、陰極引出層の最表面から０．０５μｍの深さにわたって配置されるように含浸させたこと以外、実施例１と同様にしてコンデンサ素子を作製し、電解コンデンサＡ６を完成させた。

　陰極引出層の内部に配置された絶縁部材は、すべて硬化物であることを確認した。金属ペースト層において、銀原子に対する、絶縁部材に由来する元素の割合は、６７原子％であった。絶縁部材は、陰極引出層の表面にも配置されていた。陰極引出層の表面を覆う絶縁部材の厚みは、５．０μｍであった。

　絶縁部材はまた、陽極部の表面、および、陽極部の最表面から０．０５μｍの深さにわたって配置されていた。陽極部の表面を覆う絶縁部材の厚みは、５．０μｍであった。絶縁部材はさらに、レジストテープの下方であって、分離部の表面および分離部の最表面から０．０５μｍの深さにわたって配置されていた。分離部の表面を覆う絶縁部材の厚みは、５．０μｍであった。

　《実施例７》
　絶縁部材を、陰極引出層の最表面から０．１μｍの深さにわたって配置されるように含浸させたこと以外、実施例１と同様にしてコンデンサ素子を作製し、電解コンデンサＡ７を完成させた。

　陰極引出層の内部に配置された絶縁部材は、すべて硬化物であることを確認した。金属ペースト層において、銀原子に対する、絶縁部材に由来する元素の割合は、６７原子％であった。絶縁部材は、陰極引出層の表面にも配置されていた。陰極引出層の表面を覆う絶縁部材の厚みは、５．１μｍであった。

　絶縁部材はまた、陽極部の表面、および、陽極部の最表面から０．１μｍの深さにわたって配置されていた。陽極部の表面を覆う絶縁部材の厚みは、５．１μｍであった。絶縁部材はさらに、レジストテープの下方であって、分離部の最表面から０．１μｍの深さにわたって配置されていた。

　《実施例８》
　絶縁部材を、陰極引出層の最表面から１．０μｍの深さにわたって配置されるように含浸させたこと以外、実施例１と同様にしてコンデンサ素子を作製し、電解コンデンサＡ８を完成させた。

　陰極引出層の最表面から０．９μｍの深さにわたって配置される絶縁部材は、硬化物であることを確認した。金属ペースト層において、銀原子に対する、絶縁部材に由来する元素の割合は、８５原子％であった。絶縁部材は、陰極引出層の表面にも配置されていた。陰極引出層の表面を覆う絶縁部材の厚みは、５．１μｍであった。

　絶縁部材はまた、陽極部の表面、および、陽極部の最表面から１．０μｍの深さにわたって配置されていた。陽極部の表面を覆う絶縁部材の厚みは、５．１μｍであった。絶縁部材はさらに、レジストテープの下方であって、分離部の表面および分離部の最表面から１.０μｍの深さにわたって配置されていた。分離部の表面を覆う絶縁部材の厚みは、５．１μｍであった。

　《実施例９》
　絶縁部材を、陰極引出層の最表面から５．０μｍの深さにわたって配置されるように含浸させたこと以外、実施例１と同様にしてコンデンサ素子を作製し、電解コンデンサＡ９を完成させた。

　陰極引出層の内部に配置された絶縁部材は、すべて硬化物であることを確認した。金属ペースト層において、銀原子に対する、絶縁部材に由来する元素の割合は、１７０原子％であった。絶縁部材は、陰極引出層の表面にも配置されていた。陰極引出層の表面を覆う絶縁部材の厚みは、５．０μｍであった。

　絶縁部材はまた、陽極部の表面、および、陽極部の最表面から５．０μｍの深さにわたって配置されていた。陽極部の表面を覆う絶縁部材の厚みは、５．０μｍであった。絶縁部材はさらに、レジストテープの下方であって、分離部の表面および分離部の最表面から５．０μｍの深さにわたって配置されていた。分離部の表面を覆う絶縁部材の厚みは、５．０μｍであった。

　《実施例１０》
　絶縁部材を、陰極引出層の最表面から１０.０μｍの深さにわたって配置されるように含浸させたこと以外、実施例１と同様にしてコンデンサ素子を作製し、電解コンデンサＡ１０を完成させた。

　陰極引出層の内部に配置された絶縁部材は、すべて硬化物であることを確認した。金属ペースト層において、銀原子に対する、絶縁部材に由来する元素の割合は、２７６原子％であった。絶縁部材は、陰極引出層の表面にも配置されていた。陰極引出層の表面を覆う絶縁部材の厚みは、４．９μｍであった。

　絶縁部材はまた、陽極部の表面、および、陽極部の最表面から１０．０μｍの深さにわたって配置されていた。陽極部の表面を覆う絶縁部材の厚みは、４．９μｍであった。絶縁部材はさらに、レジストテープの下方であって、分離部の表面および分離部の最表面から１０．０μｍの深さにわたって配置されていた。分離部の表面を覆う絶縁部材の厚みは、４．９μｍであった。

　《実施例１１》
　絶縁部材を、陰極引出層の最表面から１５．０μｍの深さにわたって配置されるように含浸させたこと以外、実施例１と同様にしてコンデンサ素子を作製し、電解コンデンサＡ１１を完成させた。

　陰極引出層の最表面から１２．０μｍの深さにわたって配置される絶縁部材は、硬化物であることを確認した。金属ペースト層において、銀原子に対する、絶縁部材に由来する元素の割合は、２８３原子％であった。絶縁部材は、陰極引出層の表面にも配置されていた。陰極引出層の表面を覆う絶縁部材の厚みは、５．２μｍであった。

　絶縁部材はまた、陽極部の表面、および、陽極部の最表面から１５．０μｍの深さにわたって配置されていた。陽極部の表面を覆う絶縁部材の厚みは、５．２μｍであった。絶縁部材はさらに、レジストテープの下方であって、分離部の表面および分離部の最表面から１５．０μｍの深さにわたって配置されていた。分離部の表面を覆う絶縁部材の厚みは、５．２μｍであった。

　《比較例１》
　前駆体に絶縁部材を含浸させなかったこと以外は、実施例１と同様にして、電解コンデンサＲ１を作製した。

　［評価］
　（１）絶縁部材の分散状態
　上記で作製した電解コンデンサＡ１～Ａ１１を基板に実装するために、最高温度２３５℃のＩＰＣ／ＪＥＤＥＣ　Ｊ－ＳＴＤ－０２０に則ったリフロー処理を実施した。その後、ラマン分光分析法により、絶縁部材の位置を評価した。すべての電解コンデンサＡ１～Ａ１１において、絶縁部材の一部は、第１封止部材中に分散していることが確認できた。

　（２）接着強度試験
　上記の絶縁部材の原料液を用いて、リードフレーム基材表面に絶縁部材の塗膜を形成したのち、成型樹脂を用い、成形接合した接合面積５０ｍｍ^２の試験片を作製した。試験片に対して、荷重を変化させながら印加し、試験片がリードフレームから剥離したときのせん断剥離強度を測定した。成型樹脂及び絶縁部材の２層構造体とリードフレームとの接合強度は、８．５ＭＰａであった。

　（３）静電容量およびＥＳＲ
　上記で作製した電解コンデンサＡ１～Ａ１１およびＲ１について、以下の手順で、静電容量およびＥＳＲの変化率を評価した。

　２０℃の環境下で、４端子測定用のＬＣＲメータを用いて、初期静電容量値Ｃ０（μＦ）、および、電解コンデンサの周波数１００ｋＨｚにおける初期ＥＳＲ値Ｘ０（ｍΩ）をそれぞれ測定した。次に、１４５℃の温度にて、電解コンデンサに定格電圧を５００時間印加した（耐熱試験）。その後、上記と同様の方法で、静電容量値Ｃ１（μＦ）、および、ＥＳＲ値Ｘ１（ｍΩ）をそれぞれ測定した。そして、静電容量値Ｃ１から初期静電容量値Ｃ０を減じた値を初期静電容量値Ｃ０で除し、１００倍することにより静電容量の変化率（％）を求め、ＥＳＲ値Ｘ１から初期ＥＳＲ値Ｘ０を減じた値を初期ＥＳＲ値Ｘ０で除し、１００倍することによりＥＳＲの変化率（％）を求めた。結果を表１に示す。

　電解コンデンサＡ１～Ａ１１では、比較例１と比べて、耐熱試験前後の静電容量およびＥＳＲの変化率が小さくなった。電解コンデンサＡ１～Ａ１１では、絶縁部材（エポキシ樹脂）が陰極引出層の内部にまで含浸されたことにより、固体電解質層への空気の接触が抑制され、導電性高分子の劣化が抑制されたことで電解コンデンサの耐熱性が向上したと考えられる。

　本開示に係る電解コンデンサは、高温雰囲気に晒された場合でも固体電解質層に含まれる導電性高分子の劣化が抑制され、静電容量の低下を抑制できる。また、ＥＳＲの上昇を抑制することもできる。よって、電解コンデンサの低いＥＳＲや高い静電容量が求められる用途、熱に晒されるような用途など、様々な用途に利用できる。これらの用途は単なる例示であり、これらに限定されるものではない。

　１００　電解コンデンサ
　１１０　コンデンサ素子
　　１１　陽極体
　　１２　誘電体層
　　１３　固体電解質層
　　１４　陰極引出層
　１４１　カーボン層
　１４２　金属ペースト層
　　１５　分離部材
　　２１　第１絶縁部材（絶縁部材）
　２１ａ　内部に配置される第１絶縁部材
　２１ｂ　表面に配置される第１絶縁部材
　　２２　第２絶縁部材（絶縁部材）
　２２ａ　内部に配置される第２絶縁部材
　２２ｂ　表面に配置される第２絶縁部材
　　２３　第３絶縁部材（絶縁部材）
１２０Ａ　陽極リードフレーム
１２０Ｂ　陰極リードフレーム
　１３０　外装体

Claims

　陽極体と、
　前記陽極体の表面に形成された誘電体層と、
　前記誘電体層の少なくとも一部を覆う固体電解質層と、
　前記固体電解質層の少なくとも一部を覆う陰極引出層と、を備え、
　前記陰極引出層の最表面から０．００１μｍ以上の深さにわたって、絶縁部材が配置されている、コンデンサ素子。
　前記絶縁部材は、前記陰極引出層の最表面から０．０１μｍ以上の深さにわたって配置されている、請求項１に記載のコンデンサ素子。
　前記絶縁部材は、さらに前記陰極引出層の表面の少なくとも一部を覆っている、請求項１または２に記載のコンデンサ素子。
　陽極体と、
　前記陽極体の表面に形成された誘電体層と、
　前記誘電体層の少なくとも一部を覆う固体電解質層と、
　前記固体電解質層の少なくとも一部を覆う陰極引出層と、を備え、
　前記コンデンサ素子の表面および内部のいずれかの少なくとも一部に、絶縁部材が配置されており、
　前記絶縁部材の少なくとも一部は、２３０℃以上で流動性を有する、コンデンサ素子。
　前記絶縁部材の少なくとも一部は、前記陰極引出層の表面に配置されている、請求項４に記載のコンデンサ素子。
　前記絶縁部材の少なくとも一部は、前記陰極引出層の内部に配置されている、請求項４または５に記載のコンデンサ素子。
　前記絶縁部材は、前記陰極引出層の最表面から０．００１μｍ以上の深さにわたって配置されている、請求項６に記載のコンデンサ素子。
　前記絶縁部材は、前記陰極引出層の最表面から０．０１μｍ以上の深さにわたって配置されている、請求項６または７に記載のコンデンサ素子。
　前記絶縁部材は、第１硬化性樹脂を含み、
　前記第１硬化性樹脂の硬化物が、前記陰極引出層の最表面から０．００１μｍ以上の深さにわたって配置されている、請求項１～８のいずれか一項に記載のコンデンサ素子。
　前記絶縁部材は、第１硬化性樹脂を含み、
　前記第１硬化性樹脂の硬化物のガラス転移温度は、１５０℃以下である、請求項１～８のいずれか一項に記載のコンデンサ素子。
　前記第１硬化性樹脂は、２官能型エポキシ樹脂を含む、請求項９または１０に記載のコンデンサ素子。
　前記第１硬化性樹脂は、ビスフェノール型エポキシ樹脂を含む、請求項９～１１のいずれか一項に記載のコンデンサ素子。
　前記陰極引出層は、最表面に金属材料を含む金属ペースト層を備え、
　前記絶縁部材の少なくとも一部は、前記金属ペースト層の内部に配置されており、
　前記金属ペースト層において、前記金属材料に由来する元素に対する、前記絶縁部材に由来する元素の割合は、６５原子％以上である、請求項１～１２のいずれか一項に記載のコンデンサ素子。
　前記陽極体は、前記固体電解質層が形成されていない陽極部と、前記固体電解質層が形成される陰極形成部と、前記陽極部と前記陰極形成部との間の分離部とを有し、
　前記絶縁部材は、前記陽極部の表面に配置されている、請求項１～１３のいずれか一項に記載のコンデンサ素子。
　前記陽極体は、前記固体電解質層が形成されていない陽極部と、前記固体電解質層が形成される陰極形成部と、前記陽極部と前記陰極形成部との間の分離部とを有し、
　前記絶縁部材は、前記陽極部の内部に配置されている、請求項１～１３のいずれか一項に記載のコンデンサ素子。
　前記陽極体は、前記固体電解質層が形成されていない陽極部と、前記固体電解質層が形成される陰極形成部と、前記陽極部と前記陰極形成部との間の分離部とを有し、
　前記絶縁部材は、前記分離部の表面に配置されている、請求項１～１３のいずれか一項に記載のコンデンサ素子。
　前記陽極体は、前記固体電解質層が形成されていない陽極部と、前記固体電解質層が形成される陰極形成部と、前記陽極部と前記陰極形成部との間の分離部とを有し、
　前記絶縁部材は、前記分離部の内部に配置されている、請求項１～１３のいずれか一項に記載のコンデンサ素子。
　前記陽極体は、前記固体電解質層が形成されていない陽極部と、前記固体電解質層が形成される陰極形成部と、前記陽極部と前記陰極形成部との間の分離部とを有し、
　前記絶縁部材は、前記陰極引出層の表面および前記陽極部の表面に配置される、請求項１～１３のいずれか一項に記載のコンデンサ素子。
　前記陽極体は、前記固体電解質層が形成されていない陽極部と、前記固体電解質層が形成される陰極形成部と、前記陽極部と前記陰極形成部との間の分離部とを有し、
　前記絶縁部材は、前記陰極引出層の内部、前記陽極部の内部および前記分離部の内部に配置される、請求項１～１３のいずれか一項に記載のコンデンサ素子。
　請求項１～１９のいずれか一項に記載のコンデンサ素子と、
　前記コンデンサ素子を封止する外装体と、を備える、電解コンデンサ。
　前記外装体は、第１封止部材を含み、
　前記第１封止部材は、２３０℃以上で流動性を有さない、請求項２０に記載の電解コンデンサ。
　前記外装体は、前記第１封止部材中に分散する第２封止部材をさらに含み、
　前記第２封止部材の少なくとも一部は、２３０℃以上で流動性を有する、請求項２１に記載の電解コンデンサ。
　前記第２封止部材は、前記絶縁部材に由来する、請求項２２に記載の電解コンデンサ。
　前記絶縁部材は、第１硬化性樹脂を含み、
　前記第１封止部材は、第２硬化性樹脂を含み、
　前記第２硬化性樹脂の硬化物のガラス転移温度は、前記第１硬化性樹脂の硬化物のガラス転移温度より高い、請求項２１～２３のいずれか一項に記載の電解コンデンサ。
　さらに、前記コンデンサ素子に接続されたリードフレームを備え、
　前記リードフレームは、金属材料で被覆されている、請求項２０～２３のいずれか一項に記載の電解コンデンサ。
　前記絶縁部材は、第１硬化性樹脂を含み、
　前記金属材料の融点は、前記第１硬化性樹脂の硬化物のガラス転移温度より高い、請求項２５に記載の電解コンデンサ。
　前記絶縁部材と前記金属材料との接合強度は、８．５ＭＰａ以上である、請求項２５または２６に記載の電解コンデンサ。
　前記絶縁部材は、少なくとも前記コンデンサ素子の表面であって前記リードフレームとの接合部に配置されている、請求項２５～２７のいずれか一項に記載の電解コンデンサ。
　第１硬化性樹脂を含み、
　前記第１硬化性樹脂の硬化物のガラス転移温度は、１５０℃以下である、電解コンデンサ用の絶縁材料。
　請求項２１または２２に記載された電解コンデンサが搭載された基板を準備する工程と、
　前記電解コンデンサを２３０℃以上で加熱する工程と、を備える、実装基板の製造方法。