JPH01206587A - チップ型部品の塔載方法 - Google Patents
チップ型部品の塔載方法Info
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Classifications
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- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3431—Leadless components
-
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Landscapes
- Manufacturing Of Electrical Connectors (AREA)
- Connections Effected By Soldering, Adhesion, Or Permanent Deformation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
チップ型部品の搭載方法に関し、
半田ペーストに悪影響を与えずに融点を高くすることを
目的とし、 チップ型部品と基板とを半田により接合した後、該半田
の上から金属膜を形成し、次に、上記′、１６田と上記
金属膜を加熱して上記半田と金属１１りとを融合するこ
とを含み構成する。
目的とし、 チップ型部品と基板とを半田により接合した後、該半田
の上から金属膜を形成し、次に、上記′、１６田と上記
金属膜を加熱して上記半田と金属１１りとを融合するこ
とを含み構成する。
本発明は、チップ型部品の搭載方法に関し、より詳しく
は、半田によりチップ部品を基板上に接合するチップ型
部品の搭載方法に関する。
は、半田によりチップ部品を基板上に接合するチップ型
部品の搭載方法に関する。
絶縁性基板上に形成した配線にチップ型の部品を取付け
る場合には、半田付け、導電性樹脂接着剤による接着、
又はワイヤボンディングが一般に行われている。
る場合には、半田付け、導電性樹脂接着剤による接着、
又はワイヤボンディングが一般に行われている。
しかし、導電性樹脂接着剤は経年変化が大きいために信
頼性が低く、また、ワイヤボンディングは接続エリアの
ために基板が大型化するといった不都合がある。
頼性が低く、また、ワイヤボンディングは接続エリアの
ために基板が大型化するといった不都合がある。
このため、第５図に見られるように、共晶半田ａ（スズ
を６２％、鉛を３８％とした合金）を用いた半田付けに
より、チップ型部品すを基板Ｃ上の導体配線ｄに取付け
ることが多い。
を６２％、鉛を３８％とした合金）を用いた半田付けに
より、チップ型部品すを基板Ｃ上の導体配線ｄに取付け
ることが多い。
しかし、共晶半田ａは融点が１８３°Ｃと低いため、チ
ップ型部品すを取付けた基板ａをモールド外装後これ自
身をｐｔ仮等へ表面実装する場合に、外装済みの基板ａ
をリフロー加熱すると、共晶半田ａが溶融してチップ型
部品すの位置がズして接触不良になるといった不都合が
ある。
ップ型部品すを取付けた基板ａをモールド外装後これ自
身をｐｔ仮等へ表面実装する場合に、外装済みの基板ａ
をリフロー加熱すると、共晶半田ａが溶融してチップ型
部品すの位置がズして接触不良になるといった不都合が
ある。
もとより、半田を構成するスズと鉛の割合を変えて融点
を高くすることは可能であるが、半田付けの際に半田ペ
ーストに含まれているフラックスが焼き付くといった別
の問題が発生する。
を高くすることは可能であるが、半田付けの際に半田ペ
ーストに含まれているフラックスが焼き付くといった別
の問題が発生する。
本発明はこのような問題に鑑みてなされたものであって
、半田ペーストに悪影響を与えずに融点を高くすること
ができる、チップ型部品の搭載方法を提供することを目
的とする。
、半田ペーストに悪影響を与えずに融点を高くすること
ができる、チップ型部品の搭載方法を提供することを目
的とする。
〔課題を解決するための手段］
上記問題点は、チップ型部品６と基板ｌを半田７により
接合した後、該半田７の上から金属膜１０を形成し、次
に、上記半田７と上記金属膜１０を加熱して上記半田７
と金属膜１０とを融合することを特徴とするチップ型部
品の搭載方法により達成する。
接合した後、該半田７の上から金属膜１０を形成し、次
に、上記半田７と上記金属膜１０を加熱して上記半田７
と金属膜１０とを融合することを特徴とするチップ型部
品の搭載方法により達成する。
部ち本発明は、半田７を加熱溶融してチップ型部品６と
基板１とを接合した後、基板１をメツキ液に浸して半田
７の表面に金属膜１０を形成して２層構造にする。次に
、上記半田７と上記金属膜１０を加熱し、これらを融合
する。
基板１とを接合した後、基板１をメツキ液に浸して半田
７の表面に金属膜１０を形成して２層構造にする。次に
、上記半田７と上記金属膜１０を加熱し、これらを融合
する。
これにより、半田ペーストに悪影響を与えずに、チップ
型部品６と基板１との接合部の溶融温度や、機械的強度
を高めることができる。
型部品６と基板１との接合部の溶融温度や、機械的強度
を高めることができる。
次に本発明による、チップ型部品の取付は方法を図面に
基づいて説明する。
基づいて説明する。
第１．２図は、本発明の一実施例を示すものであって、
図中符号１は、アルミナよりなるＩｆＴｈｌ性の基板で
、その上には銀パラジュウムよりなる薄膜状の導体配線
２が形成されている。また、この導体配線２のうち、部
品接続位置２ａや端子形成部分２ｂを除いた領域は、例
えばオーバーグレーズのような絶縁膜３により覆われて
いて、導体配線２の耐湿性や、機械的強度を高めるよう
に構成されている（第１図口）。
図中符号１は、アルミナよりなるＩｆＴｈｌ性の基板で
、その上には銀パラジュウムよりなる薄膜状の導体配線
２が形成されている。また、この導体配線２のうち、部
品接続位置２ａや端子形成部分２ｂを除いた領域は、例
えばオーバーグレーズのような絶縁膜３により覆われて
いて、導体配線２の耐湿性や、機械的強度を高めるよう
に構成されている（第１図口）。
この７ｓ仮１には、導体配線２や絶縁１１’２３を、ス
クリーン印刷により形成した厚膜型や、スパッタや蒸着
により形成した薄膜型がある。
クリーン印刷により形成した厚膜型や、スパッタや蒸着
により形成した薄膜型がある。
次に、半田ペースト４をスクリーン印刷により導体配線
２の部品接続位置２ａに塗布する（同図ｂ）、半田ペー
スト４は、半田７（共晶半田）にフラックス８を混入し
たものを使用する。
２の部品接続位置２ａに塗布する（同図ｂ）、半田ペー
スト４は、半田７（共晶半田）にフラックス８を混入し
たものを使用する。
そして、この半田ペースト４の上にセラミックコンデン
サのようなチップ型部品６をａ＆Ｈしく同図ｃ）、約１
２０°Ｃで３０秒間予備加熱した後、熱を２００°Ｃに
上げて半田ペースト４を溶融し、半田７によりチップ型
部品６を岱仮１上に固定する（同図ｄ）。
サのようなチップ型部品６をａ＆Ｈしく同図ｃ）、約１
２０°Ｃで３０秒間予備加熱した後、熱を２００°Ｃに
上げて半田ペースト４を溶融し、半田７によりチップ型
部品６を岱仮１上に固定する（同図ｄ）。
この半田溶融工程において、半田ペースト４に含まれた
フラックス８が表面に滲み出るため、トリクレン、ＩＰ
Ａ（イソプロピルアルコール）、純水を順に用いて洗浄
し、表面に露出したフラックス８を除去する（同口ｅ）
。
フラックス８が表面に滲み出るため、トリクレン、ＩＰ
Ａ（イソプロピルアルコール）、純水を順に用いて洗浄
し、表面に露出したフラックス８を除去する（同口ｅ）
。
以上の工程は一般的に行われる半田付は工程であり（第
２図イ）、これによりチップ型部品６は電気的及び機械
的に導体配線２に接続される。
２図イ）、これによりチップ型部品６は電気的及び機械
的に導体配線２に接続される。
次に、チップ型部品６を装着した後、基板ｌの表面を硝
酸系の洗浄液により洗浄し、さらに純水により洗浄液を
除去する（第１図ｆ）。
酸系の洗浄液により洗浄し、さらに純水により洗浄液を
除去する（第１図ｆ）。
この洗浄処理を終えた基板ｌを、連続して第３図に示す
ように、スルファミン酸系ｐｂメツキ液９に浸し、電解
メツキによって導体配線２と半田７の表面にＰｂよりな
る金属層１０を形成する。
ように、スルファミン酸系ｐｂメツキ液９に浸し、電解
メツキによって導体配線２と半田７の表面にＰｂよりな
る金属層１０を形成する。
この状態では半田７と金属層１０は２層構造となってい
る（第１図ｇ、第２図口）。
る（第１図ｇ、第２図口）。
金属層形成工程の後、基板１表面を３５０°Ｃの高温で
約１０分間再び加熱すると、半田７と金属層１０は融合
してスズ・鉛・ｐｂ合金１１となる（第１図ｈ、第２図
ハ）。これにより、チンブ型部品６の搭載工程が終了す
る。
約１０分間再び加熱すると、半田７と金属層１０は融合
してスズ・鉛・ｐｂ合金１１となる（第１図ｈ、第２図
ハ）。これにより、チンブ型部品６の搭載工程が終了す
る。
なお、第３図中符号１２は電極、１３は直流電源を示し
ている。
ている。
第４図は、共晶半田だけを使用してチップ型部品４と導
体配線２とを接続した場合と、その共晶半田の上にｐｂ
をメツキした後に熱を加えて合金とした場合のそれぞれ
の横方向強度を比較したグラフである。
体配線２とを接続した場合と、その共晶半田の上にｐｂ
をメツキした後に熱を加えて合金とした場合のそれぞれ
の横方向強度を比較したグラフである。
このグラフから、スズ・鉛・合金１１の融点は２６０
’Ｃとなり、チップ型部品６接続部の溶融温度が高くな
り耐熱性が向上したことがわかる。
’Ｃとなり、チップ型部品６接続部の溶融温度が高くな
り耐熱性が向上したことがわかる。
なお、前記した実施例においては共晶半田を使用したが
、その他の半田を使用することもでき、また、半田７上
の金属膜１０として恨、金、スズ、Ｎｉ等を用い、メツ
キ、その他の方法により付着させることもできる。そし
て、半田と金属膜とを加熱して融合させ、半田の性質を
変える。
、その他の半田を使用することもでき、また、半田７上
の金属膜１０として恨、金、スズ、Ｎｉ等を用い、メツ
キ、その他の方法により付着させることもできる。そし
て、半田と金属膜とを加熱して融合させ、半田の性質を
変える。
〔発明の効果］
以上述べたように、本発明は、半田表面に金属を形成し
て２層構造にした後、半田と金属を加熱してこれらを融
合し半田の性質を変えるようにしたので、チップ部品と
基板との接合部の溶融温度や、機械的強度を高くするこ
とができる。
て２層構造にした後、半田と金属を加熱してこれらを融
合し半田の性質を変えるようにしたので、チップ部品と
基板との接合部の溶融温度や、機械的強度を高くするこ
とができる。
第１図は、本発明の一実施例の工程を示す基板の断面図
、 第２図は、本発明の一実施例を示すフローチャート図、 第３図は、本発明の一実施例に使用するメツキ工程の一
例を示す断面図、 第４図は、本発明と従来方法による温度特性を示すグラ
フ、 第５図は、従来方法により形成した基板の断面図である
。 （符号の説明） １ ・・・基１反、 ２・・・導体配線、 ３・・・絶縁膜、 ４・・・半田ペースト、 ６・・・チップ部品、 ７・・・半田、 ８・・・フラックス、 ９・・・スルファミン酸系ｐｂメツキ液、ｌＯ・・・金
属層。 第１図 （ぞの１） 本発明ψ−を叱俸１の１乞元て４板ψ硝咥２第１図 （
で０２） １く溺ご５月の一亥施づレリ乞方り−１−フロー’ｒ、
４ 斗、１第２図 糸１方ジと１てごソｆｆ多べし゛日基」ｑつ新曲〔ｑ第
５図 本宅Ｕ恥従ネオシ云１コｘが払曵絢十笠名乍す）潰フ第
４図
、 第２図は、本発明の一実施例を示すフローチャート図、 第３図は、本発明の一実施例に使用するメツキ工程の一
例を示す断面図、 第４図は、本発明と従来方法による温度特性を示すグラ
フ、 第５図は、従来方法により形成した基板の断面図である
。 （符号の説明） １ ・・・基１反、 ２・・・導体配線、 ３・・・絶縁膜、 ４・・・半田ペースト、 ６・・・チップ部品、 ７・・・半田、 ８・・・フラックス、 ９・・・スルファミン酸系ｐｂメツキ液、ｌＯ・・・金
属層。 第１図 （ぞの１） 本発明ψ−を叱俸１の１乞元て４板ψ硝咥２第１図 （
で０２） １く溺ご５月の一亥施づレリ乞方り−１−フロー’ｒ、
４ 斗、１第２図 糸１方ジと１てごソｆｆ多べし゛日基」ｑつ新曲〔ｑ第
５図 本宅Ｕ恥従ネオシ云１コｘが払曵絢十笠名乍す）潰フ第
４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 チップ型部品（６）と基板（１）とを半田（７）により
接合した後、該半田（７）の上から金属膜（１０）を形
成し、 次に、上記半田（７）と上記金属膜（１０）を加熱して
上記半田（７）と金属（１０）とを融合することを特徴
とするチップ型部品の搭載方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63031341A JPH01206587A (ja) | 1988-02-12 | 1988-02-12 | チップ型部品の塔載方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63031341A JPH01206587A (ja) | 1988-02-12 | 1988-02-12 | チップ型部品の塔載方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01206587A true JPH01206587A (ja) | 1989-08-18 |
Family
ID=12328534
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63031341A Pending JPH01206587A (ja) | 1988-02-12 | 1988-02-12 | チップ型部品の塔載方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01206587A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110137094A (zh) * | 2019-05-17 | 2019-08-16 | 同辉电子科技股份有限公司 | 一种SiC芯片的固晶方法 |
-
1988
- 1988-02-12 JP JP63031341A patent/JPH01206587A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110137094A (zh) * | 2019-05-17 | 2019-08-16 | 同辉电子科技股份有限公司 | 一种SiC芯片的固晶方法 |
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