JPH01206587A - チップ型部品の塔載方法 - Google Patents
チップ型部品の塔載方法Info
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Classifications
-
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- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3431—Leadless components
-
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Landscapes
- Manufacturing Of Electrical Connectors (AREA)
- Connections Effected By Soldering, Adhesion, Or Permanent Deformation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
チップ型部品の搭載方法に関し、
半田ペーストに悪影響を与えずに融点を高くすることを
目的とし、 チップ型部品と基板とを半田により接合した後、該半田
の上から金属膜を形成し、次に、上記′、16田と上記
金属膜を加熱して上記半田と金属11りとを融合するこ
とを含み構成する。
目的とし、 チップ型部品と基板とを半田により接合した後、該半田
の上から金属膜を形成し、次に、上記′、16田と上記
金属膜を加熱して上記半田と金属11りとを融合するこ
とを含み構成する。
本発明は、チップ型部品の搭載方法に関し、より詳しく
は、半田によりチップ部品を基板上に接合するチップ型
部品の搭載方法に関する。
は、半田によりチップ部品を基板上に接合するチップ型
部品の搭載方法に関する。
絶縁性基板上に形成した配線にチップ型の部品を取付け
る場合には、半田付け、導電性樹脂接着剤による接着、
又はワイヤボンディングが一般に行われている。
る場合には、半田付け、導電性樹脂接着剤による接着、
又はワイヤボンディングが一般に行われている。
しかし、導電性樹脂接着剤は経年変化が大きいために信
頼性が低く、また、ワイヤボンディングは接続エリアの
ために基板が大型化するといった不都合がある。
頼性が低く、また、ワイヤボンディングは接続エリアの
ために基板が大型化するといった不都合がある。
このため、第5図に見られるように、共晶半田a(スズ
を62%、鉛を38%とした合金)を用いた半田付けに
より、チップ型部品すを基板C上の導体配線dに取付け
ることが多い。
を62%、鉛を38%とした合金)を用いた半田付けに
より、チップ型部品すを基板C上の導体配線dに取付け
ることが多い。
しかし、共晶半田aは融点が183°Cと低いため、チ
ップ型部品すを取付けた基板aをモールド外装後これ自
身をpt仮等へ表面実装する場合に、外装済みの基板a
をリフロー加熱すると、共晶半田aが溶融してチップ型
部品すの位置がズして接触不良になるといった不都合が
ある。
ップ型部品すを取付けた基板aをモールド外装後これ自
身をpt仮等へ表面実装する場合に、外装済みの基板a
をリフロー加熱すると、共晶半田aが溶融してチップ型
部品すの位置がズして接触不良になるといった不都合が
ある。
もとより、半田を構成するスズと鉛の割合を変えて融点
を高くすることは可能であるが、半田付けの際に半田ペ
ーストに含まれているフラックスが焼き付くといった別
の問題が発生する。
を高くすることは可能であるが、半田付けの際に半田ペ
ーストに含まれているフラックスが焼き付くといった別
の問題が発生する。
本発明はこのような問題に鑑みてなされたものであって
、半田ペーストに悪影響を与えずに融点を高くすること
ができる、チップ型部品の搭載方法を提供することを目
的とする。
、半田ペーストに悪影響を与えずに融点を高くすること
ができる、チップ型部品の搭載方法を提供することを目
的とする。
〔課題を解決するための手段]
上記問題点は、チップ型部品6と基板lを半田7により
接合した後、該半田7の上から金属膜10を形成し、次
に、上記半田7と上記金属膜10を加熱して上記半田7
と金属膜10とを融合することを特徴とするチップ型部
品の搭載方法により達成する。
接合した後、該半田7の上から金属膜10を形成し、次
に、上記半田7と上記金属膜10を加熱して上記半田7
と金属膜10とを融合することを特徴とするチップ型部
品の搭載方法により達成する。
部ち本発明は、半田7を加熱溶融してチップ型部品6と
基板1とを接合した後、基板1をメツキ液に浸して半田
7の表面に金属膜10を形成して2層構造にする。次に
、上記半田7と上記金属膜10を加熱し、これらを融合
する。
基板1とを接合した後、基板1をメツキ液に浸して半田
7の表面に金属膜10を形成して2層構造にする。次に
、上記半田7と上記金属膜10を加熱し、これらを融合
する。
これにより、半田ペーストに悪影響を与えずに、チップ
型部品6と基板1との接合部の溶融温度や、機械的強度
を高めることができる。
型部品6と基板1との接合部の溶融温度や、機械的強度
を高めることができる。
次に本発明による、チップ型部品の取付は方法を図面に
基づいて説明する。
基づいて説明する。
第1.2図は、本発明の一実施例を示すものであって、
図中符号1は、アルミナよりなるIfThl性の基板で
、その上には銀パラジュウムよりなる薄膜状の導体配線
2が形成されている。また、この導体配線2のうち、部
品接続位置2aや端子形成部分2bを除いた領域は、例
えばオーバーグレーズのような絶縁膜3により覆われて
いて、導体配線2の耐湿性や、機械的強度を高めるよう
に構成されている(第1図口)。
図中符号1は、アルミナよりなるIfThl性の基板で
、その上には銀パラジュウムよりなる薄膜状の導体配線
2が形成されている。また、この導体配線2のうち、部
品接続位置2aや端子形成部分2bを除いた領域は、例
えばオーバーグレーズのような絶縁膜3により覆われて
いて、導体配線2の耐湿性や、機械的強度を高めるよう
に構成されている(第1図口)。
この7s仮1には、導体配線2や絶縁11’23を、ス
クリーン印刷により形成した厚膜型や、スパッタや蒸着
により形成した薄膜型がある。
クリーン印刷により形成した厚膜型や、スパッタや蒸着
により形成した薄膜型がある。
次に、半田ペースト4をスクリーン印刷により導体配線
2の部品接続位置2aに塗布する(同図b)、半田ペー
スト4は、半田7(共晶半田)にフラックス8を混入し
たものを使用する。
2の部品接続位置2aに塗布する(同図b)、半田ペー
スト4は、半田7(共晶半田)にフラックス8を混入し
たものを使用する。
そして、この半田ペースト4の上にセラミックコンデン
サのようなチップ型部品6をa&Hしく同図c)、約1
20°Cで30秒間予備加熱した後、熱を200°Cに
上げて半田ペースト4を溶融し、半田7によりチップ型
部品6を岱仮1上に固定する(同図d)。
サのようなチップ型部品6をa&Hしく同図c)、約1
20°Cで30秒間予備加熱した後、熱を200°Cに
上げて半田ペースト4を溶融し、半田7によりチップ型
部品6を岱仮1上に固定する(同図d)。
この半田溶融工程において、半田ペースト4に含まれた
フラックス8が表面に滲み出るため、トリクレン、IP
A(イソプロピルアルコール)、純水を順に用いて洗浄
し、表面に露出したフラックス8を除去する(同口e)
。
フラックス8が表面に滲み出るため、トリクレン、IP
A(イソプロピルアルコール)、純水を順に用いて洗浄
し、表面に露出したフラックス8を除去する(同口e)
。
以上の工程は一般的に行われる半田付は工程であり(第
2図イ)、これによりチップ型部品6は電気的及び機械
的に導体配線2に接続される。
2図イ)、これによりチップ型部品6は電気的及び機械
的に導体配線2に接続される。
次に、チップ型部品6を装着した後、基板lの表面を硝
酸系の洗浄液により洗浄し、さらに純水により洗浄液を
除去する(第1図f)。
酸系の洗浄液により洗浄し、さらに純水により洗浄液を
除去する(第1図f)。
この洗浄処理を終えた基板lを、連続して第3図に示す
ように、スルファミン酸系pbメツキ液9に浸し、電解
メツキによって導体配線2と半田7の表面にPbよりな
る金属層10を形成する。
ように、スルファミン酸系pbメツキ液9に浸し、電解
メツキによって導体配線2と半田7の表面にPbよりな
る金属層10を形成する。
この状態では半田7と金属層10は2層構造となってい
る(第1図g、第2図口)。
る(第1図g、第2図口)。
金属層形成工程の後、基板1表面を350°Cの高温で
約10分間再び加熱すると、半田7と金属層10は融合
してスズ・鉛・pb合金11となる(第1図h、第2図
ハ)。これにより、チンブ型部品6の搭載工程が終了す
る。
約10分間再び加熱すると、半田7と金属層10は融合
してスズ・鉛・pb合金11となる(第1図h、第2図
ハ)。これにより、チンブ型部品6の搭載工程が終了す
る。
なお、第3図中符号12は電極、13は直流電源を示し
ている。
ている。
第4図は、共晶半田だけを使用してチップ型部品4と導
体配線2とを接続した場合と、その共晶半田の上にpb
をメツキした後に熱を加えて合金とした場合のそれぞれ
の横方向強度を比較したグラフである。
体配線2とを接続した場合と、その共晶半田の上にpb
をメツキした後に熱を加えて合金とした場合のそれぞれ
の横方向強度を比較したグラフである。
このグラフから、スズ・鉛・合金11の融点は260
’Cとなり、チップ型部品6接続部の溶融温度が高くな
り耐熱性が向上したことがわかる。
’Cとなり、チップ型部品6接続部の溶融温度が高くな
り耐熱性が向上したことがわかる。
なお、前記した実施例においては共晶半田を使用したが
、その他の半田を使用することもでき、また、半田7上
の金属膜10として恨、金、スズ、Ni等を用い、メツ
キ、その他の方法により付着させることもできる。そし
て、半田と金属膜とを加熱して融合させ、半田の性質を
変える。
、その他の半田を使用することもでき、また、半田7上
の金属膜10として恨、金、スズ、Ni等を用い、メツ
キ、その他の方法により付着させることもできる。そし
て、半田と金属膜とを加熱して融合させ、半田の性質を
変える。
〔発明の効果]
以上述べたように、本発明は、半田表面に金属を形成し
て2層構造にした後、半田と金属を加熱してこれらを融
合し半田の性質を変えるようにしたので、チップ部品と
基板との接合部の溶融温度や、機械的強度を高くするこ
とができる。
て2層構造にした後、半田と金属を加熱してこれらを融
合し半田の性質を変えるようにしたので、チップ部品と
基板との接合部の溶融温度や、機械的強度を高くするこ
とができる。
第1図は、本発明の一実施例の工程を示す基板の断面図
、 第2図は、本発明の一実施例を示すフローチャート図、 第3図は、本発明の一実施例に使用するメツキ工程の一
例を示す断面図、 第4図は、本発明と従来方法による温度特性を示すグラ
フ、 第5図は、従来方法により形成した基板の断面図である
。 (符号の説明) 1 ・・・基1反、 2・・・導体配線、 3・・・絶縁膜、 4・・・半田ペースト、 6・・・チップ部品、 7・・・半田、 8・・・フラックス、 9・・・スルファミン酸系pbメツキ液、lO・・・金
属層。 第1図 (ぞの1) 本発明ψ−を叱俸1の1乞元て4板ψ硝咥2第1図 (
で02) 1く溺ご5月の一亥施づレリ乞方り−1−フロー’r、
4 斗、1第2図 糸1方ジと1てごソff多べし゛日基」qつ新曲〔q第
5図 本宅U恥従ネオシ云1コxが払曵絢十笠名乍す)潰フ第
4図
、 第2図は、本発明の一実施例を示すフローチャート図、 第3図は、本発明の一実施例に使用するメツキ工程の一
例を示す断面図、 第4図は、本発明と従来方法による温度特性を示すグラ
フ、 第5図は、従来方法により形成した基板の断面図である
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属層。 第1図 (ぞの1) 本発明ψ−を叱俸1の1乞元て4板ψ硝咥2第1図 (
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4 斗、1第2図 糸1方ジと1てごソff多べし゛日基」qつ新曲〔q第
5図 本宅U恥従ネオシ云1コxが払曵絢十笠名乍す)潰フ第
4図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 チップ型部品(6)と基板(1)とを半田(7)により
接合した後、該半田(7)の上から金属膜(10)を形
成し、 次に、上記半田(7)と上記金属膜(10)を加熱して
上記半田(7)と金属(10)とを融合することを特徴
とするチップ型部品の搭載方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63031341A JPH01206587A (ja) | 1988-02-12 | 1988-02-12 | チップ型部品の塔載方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63031341A JPH01206587A (ja) | 1988-02-12 | 1988-02-12 | チップ型部品の塔載方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01206587A true JPH01206587A (ja) | 1989-08-18 |
Family
ID=12328534
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63031341A Pending JPH01206587A (ja) | 1988-02-12 | 1988-02-12 | チップ型部品の塔載方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01206587A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110137094A (zh) * | 2019-05-17 | 2019-08-16 | 同辉电子科技股份有限公司 | 一种SiC芯片的固晶方法 |
-
1988
- 1988-02-12 JP JP63031341A patent/JPH01206587A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110137094A (zh) * | 2019-05-17 | 2019-08-16 | 同辉电子科技股份有限公司 | 一种SiC芯片的固晶方法 |
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