JPH0736373B2 - チツプインダクタの製造方法 - Google Patents

チツプインダクタの製造方法

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JPH0736373B2
JPH0736373B2 JP59080452A JP8045284A JPH0736373B2 JP H0736373 B2 JPH0736373 B2 JP H0736373B2 JP 59080452 A JP59080452 A JP 59080452A JP 8045284 A JP8045284 A JP 8045284A JP H0736373 B2 JPH0736373 B2 JP H0736373B2
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copper wire
coated copper
metal plate
plate terminal
electrode
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智子 石水
博正 山本
幹夫 田岡
幸弘 北野
直 今井
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Panasonic Holdings Corp
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F41/00Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
    • H01F41/02Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets
    • H01F41/04Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets for manufacturing coils
    • H01F41/10Connecting leads to windings

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は各種電子機器に利用されるチップインダクタの
製造方法に関するものである。
従来例の構成とその問題点 各種電子機器の小型,薄型化が半導体技術の進展と種々
のチップ部品の出現及び高密度実装技術の進展により実
現されており、今後ますます小型化が重要視され、あら
ゆる電子部品が、レードレスチップ部品に置き替えられ
る傾向にある。従って電子部品業界等では従来のリード
端子を用いた部品の接続方法に代わる各種チップ部品の
形態に適した新しい接合方法の確率が望まれている。
ここで、被膜銅線を接合するものとして、小型の固定イ
ンダクタを例にとり、以下図面を参照しながら従来の被
膜銅線の接合工法について説明する。
第1図は、固定インダクタのリード端子にコイルの被膜
銅線をディップ半田付けにより接合する様子を示す斜視
図である。同図中、1はフェライトよりなるドラムコ
ア、2はドラムコア1に被膜導線を巻回したコイル、3
はドラムコア1の端面に一端を固定したリード端子、4
は半田ディップ槽、5は溶融半田である。
このような構成の固定インダクタではリード端子3にコ
イル2の被膜銅線の両端部をそれぞれ数回巻き付け、約
400℃付近の高温で溶融された溶融半田5の中へリード
端子3と共に前記被膜銅線の巻付部を数秒間浸漬させる
ことにより被膜銅線の絶縁被膜を高温の溶融半田5の熱
で焼散すると共に銅線とリード端子3を半田接続してい
る。
しかしながら、上記のような方法においては、被膜銅線
の線径が細い場合、高温の半田ディップ槽4の中に浸漬
させると溶融半田5中に被膜銅線の芯線の銅が析出し、
線径が細くなるという現象が起こることやチップ部品で
は接合場所を超小型化を達成するための構造上の制約に
より半田ディップ槽4の中に浸漬させることが困難であ
るという問題点を有していた。
発明の目的 本発明は上記従来の欠点を除去し細い線径の被膜銅線と
金属板端子とを微少面積でかつ高信頼性をもって接続
し、合わせて量産性に富むチップインダクタの製造方法
を提供することを目的とするものである。
発明の構成 上記目的を達成するために本発明のチップインダクタの
製造方法は、被膜銅線を巻回したコイル部分を一対の表
面に半田メッキを施した金属板端子に固着するととも
に、前記被膜銅線の端末を金属板端子の接続箇所に沿わ
し、この接続箇所を一対の溶接電極で挾み、被膜銅線に
接した側の溶接電極を加熱させ、その熱により被膜銅線
の絶縁被膜を破壊するとともに接合箇所の半田メッキを
溶融除去して金属板端子に被膜銅線の芯線を接触させた
後、溶接電極間に溶接電流を流すことにより溶接を行う
とともに半田の溶融により被膜銅線と金属板端子とを接
合するものである。
実施例の説明 以下、本発明の一実施例について図面を参照しながら説
明する。
第2図(a)は本発明の一実施例における被膜銅線を巻
回したドラムコアを金属板端子上に固着し、前記被膜銅
線の端末を金属板端子に設けた接続箇所に溶接接続して
いる状態図であり第2図(b)は溶接接続後の構造図を
示す。
第2図(a),(b)において、6は磁芯としてのフェ
ライトからなるドラムコア、7は被膜銅線12を巻回した
コイル部、8は表面に半田メッキを施した金属板端子、
9は一対の溶接電極のうち被膜銅線12側に位置した片側
の電極(以下第一電極と記す)、10は金属板端子8側に
位置し前記第一電極9と対をなす他側電極(以下第二電
極と記す)、11は被膜銅線12と金属板端子8の接続部を
示したものである。
また、第3図は第2図の被膜銅線12と金属板端子8の接
続部11の接続方法を示す詳細図である。
第3図において、12は被膜銅線、13は金属板端子8の断
面、14は第一電極9の両端に接続し、第一電極9を加熱
させるための電気エネルギーを与えるトランスを示す。
15は第一電極9,第二電極10間に被膜銅線12と金属板端子
8を接続するための電気エネルギーを与えるトランス、
16は第一電極9を加熱させるために流す電流の方向を示
し、17は被膜銅線12と金属板端子8を接続する溶接電流
の方向を示すものである。
また第4図(a)〜(c)は接続の状態変遷を順を追っ
て示した接続箇所の断面図であり、第4図(a)は第一
電極9を加熱直後の状態、第4図(b)は溶接電流通電
直後の状態、第4図(c)は接合終了の状態を示したも
のである。
第4図において、9,10,12〜17は前記記載内容と同一で
あり、18は被膜銅線12の芯線、19は第一電極9の加熱に
より溶融除去された被膜銅線12の絶縁被膜部、20は金属
板端子8の基材部、21は金属板端子8の表面に形成され
た半田メッキ層を示している。
以上のように構成した本実施例の被膜銅線12と金属板端
子8との接続方法について以下に説明する。
第二電極10の上に接触するように金属板端子8を配置
し、その金属板端子8の接続部位に被膜銅線12を沿わ
せ、第一電極9を被膜銅線12に接触させ一定の圧力を加
える。その状態で保持し、第一電極9に加熱電流16を流
すことにより第一電極9を加熱させ、その熱で被膜銅線
12の絶縁皮膜19を破壊するとともに、接合部位の金属板
端子8の表面半田メッキ層21を溶融除去させる(第4図
(a)参照)。ただし、被膜銅線12が自然な状態でだん
だんつぶれていくようにコイル側に位置する第一電極9
に少しアールを取る(第2図(a)参照)。
次に第一電極9と第二電極10の間に溶接電流17を流して
金属板端子8と被膜銅線12の芯線18を溶接接続させる。
またこの時、溶接電流17により半田メッキ層21が再度溶
融し、芯線18を一部被うようにして半田付けも同時に行
われる(第4図(b)参照)。最後に第1電極9により
接合部に加えていた圧力を除去する(第4図(c)参
照)。
以上のように本実施例によれば、被膜銅線12に接した第
一電極9を通電加熱し、被膜銅線12の絶縁被膜19を破壊
後、芯線18と金属板端子8に溶接電流を流すことによ
り、被膜銅線12と金属板端子8の溶接接続と半田による
接続を実現している。この後、接続部を含むように外装
樹脂でモールドすることによりチップインダクタが完成
する。
次に、本発明の他の実施例について説明する。前記の第
一電極9は加熱電流16を流すことにより加熱し被膜銅線
12の絶縁被膜19を破壊する方法を取っているが、これに
限定されるものではなく、常時加熱している発熱体を第
一電極9に接触させることにより加熱し被膜銅線12の絶
縁皮膜19を破壊する等第一電極9を加熱させる機能を有
するものであれば何であってもよい。
発明の効果 以上の説明から明らかなように、本発明はチップインダ
クタの製造方法において被膜銅線と表面に半田メッキを
施した金属板端子を接続する際、金属板端子に被膜銅線
を沿わし一対の溶接電極で挾み、被膜銅線に接した電極
を加熱することにより絶縁被膜を破壊し接合箇所の半田
メッキを溶融除去して芯線と金属板端子を接触させた状
態で溶接接続するとともに表面の半田メッキを溶融して
半田接続する方法であるので微少面積で接合が可能で、
金属板端子の形状に左右されず、任意の箇所で接続がで
きること及び被膜銅線の芯線である銅の半田中への析出
現象も無いため極細線の接合が可能であり溶接による接
続も強固に行える上半田による接続もされているため、
接続の信頼性も向上し金属板端子を有するチップ部品の
接合に適している。また金属板端子は回路基盤の実装時
に半田付が必要なことから、かなり厚い半田メッキを施
す場合が多く、この半田メッキ層は溶接接続の信頼性を
低下させるものであるが、本発明では被膜銅線の絶縁被
膜破壊時に、その半田メッキ層の半田を一部除去してい
るため溶接接合の信頼性も高い。合わせて、接合部位に
おいて、被膜銅線を金属板端子に巻き付ける必要はなく
沿わせるのみで良いという利点を有しているので極めて
生産性が良いという効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の固定インダクタのリード端子にコイルの
被膜銅線をディップ半田付けにより接合する様子を示し
た斜視図、第2図(a),(b)は本発明の一実施例の
チップインダクタの製造方法における被膜銅線を巻回し
たコイル部と金属板端子とを溶接接続する工程の斜視
図、第3図は第2図の接続方法を示す詳細図、第4図
(a)〜(c)は接続の状態変遷を順を追って示した接
続箇所の断面図である。 6……ドラムコア、7……コイル部、8……金属板端
子、9……第一電極、10……第二電極、11……接続部、
12……被膜銅線、13……金属板端子の断面、14……トラ
ンス、15……トランス、16……電流の方向、17……溶接
電流の方向、18……芯線、19……絶縁被膜部、20……基
材部、21……半田メッキ層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 北野 幸弘 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 今井 直 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭53−10053(JP,A) 特開 昭55−38072(JP,A) 特開 昭57−1213(JP,A) 特開 昭54−11487(JP,A) 特公 昭48−31078(JP,B1)

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】磁芯に被膜銅線を巻回したコイル部分を一
    対の表面に半田メッキを施した金属板端子に固着すると
    ともに、前記被膜銅線の端末を金属板端子の接合箇所に
    沿わし、この接合箇所を一対の溶接電極で挟み、被膜銅
    線に接した側の溶接電極を加熱させ、その熱により被膜
    銅線の絶縁被膜を破壊するとともに接合箇所の半田メッ
    キを溶融除去して金属板端子に被膜銅線の芯線を接触さ
    せた後、溶接電極間に溶接電流を流すことにより溶接を
    行うとともに半田の溶融により金属板端子と被膜銅線と
    を接合するチップインダクタの製造方法。
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