JPH02244530A - 基板型温度ヒューズ及びその製造方法 - Google Patents
基板型温度ヒューズ及びその製造方法Info
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- JPH02244530A JPH02244530A JP6694289A JP6694289A JPH02244530A JP H02244530 A JPH02244530 A JP H02244530A JP 6694289 A JP6694289 A JP 6694289A JP 6694289 A JP6694289 A JP 6694289A JP H02244530 A JPH02244530 A JP H02244530A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H37/00—Thermally-actuated switches
- H01H37/74—Switches in which only the opening movement or only the closing movement of a contact is effected by heating or cooling
- H01H37/76—Contact member actuated by melting of fusible material, actuated due to burning of combustible material or due to explosion of explosive material
- H01H2037/768—Contact member actuated by melting of fusible material, actuated due to burning of combustible material or due to explosion of explosive material characterised by the composition of the fusible material
-
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- H01H37/761—Contact member actuated by melting of fusible material, actuated due to burning of combustible material or due to explosion of explosive material with a fusible element forming part of the switched circuit
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、基板型温度ヒユーズ及びその製造方法に関し
、更に詳しくは超極薄のアルミナ基板を使用することに
より迅速に作動する、即ち応答速度が速いと共に、小型
化かつ薄型化した基板型温度ヒユーズ及びその製造方法
に関するものである。
、更に詳しくは超極薄のアルミナ基板を使用することに
より迅速に作動する、即ち応答速度が速いと共に、小型
化かつ薄型化した基板型温度ヒユーズ及びその製造方法
に関するものである。
［従来の技術］
基板型温度ヒユーズは、電気機器のＡ＋を流により発生
する熱又は異常に発生した熱等により電気ａ器を損傷す
るのを防止するために、電気機器に２首されるものであ
るが、従来の基板型温度ヒユーズは、一般に絶縁基板に
設けられた電極間に低融点金属体を設け、この上にフラ
ックス層を設けた後、全面に樹脂の被覆層を設けたもの
である。
する熱又は異常に発生した熱等により電気ａ器を損傷す
るのを防止するために、電気機器に２首されるものであ
るが、従来の基板型温度ヒユーズは、一般に絶縁基板に
設けられた電極間に低融点金属体を設け、この上にフラ
ックス層を設けた後、全面に樹脂の被覆層を設けたもの
である。
この基板型温度ヒユーズは、電気機器の発生熱によって
フラックス層は溶融しており、更に機器が過熱状態にな
ると、その熱により低融点金属休が溶断する。
フラックス層は溶融しており、更に機器が過熱状態にな
ると、その熱により低融点金属休が溶断する。
このような基板型温度ヒユーズは、種々開発されている
が、例えば実開昭６３−１０６０４０号の明細書には、
低融点金属のヒユーズエレメントをセラミック基板上に
設け、その上に硬化樹脂層を設けた温度ヒユーズにおい
て、セラミック基板の厚みを０．３〜１．５）とするこ
とにより基板型温度ヒユーズの作動迅速性を向上させる
ことができることが記載されている。
が、例えば実開昭６３−１０６０４０号の明細書には、
低融点金属のヒユーズエレメントをセラミック基板上に
設け、その上に硬化樹脂層を設けた温度ヒユーズにおい
て、セラミック基板の厚みを０．３〜１．５）とするこ
とにより基板型温度ヒユーズの作動迅速性を向上させる
ことができることが記載されている。
またフラックス上に設けられる樹脂層は、二重構造とな
っており、フラックスに接する側の樹脂は、フラックス
に対して耐腐食性を有するものからなっている。
っており、フラックスに接する側の樹脂は、フラックス
に対して耐腐食性を有するものからなっている。
［発明が解決しようとする問題点］
しかしながら、前記の明ＩＢ書に開示された基板型温度
ヒユーズは、低融点金属体を被覆する絶縁層が樹脂から
なるために、特に外部から受ける熱が、この樹脂層から
は十分伝達されず、したがって熱が低融点金属体へ伝帳
する主経路はセラミック基板側になる。しかし、このセ
ラミック基板もその厚さが０３〜１．５＋ｎｍと厚いた
め、熱の伝帳に時間がかかり、その応答が遅くなり最近
の高機能化した電気機器には十分対応することができな
いという問題がある。
ヒユーズは、低融点金属体を被覆する絶縁層が樹脂から
なるために、特に外部から受ける熱が、この樹脂層から
は十分伝達されず、したがって熱が低融点金属体へ伝帳
する主経路はセラミック基板側になる。しかし、このセ
ラミック基板もその厚さが０３〜１．５＋ｎｍと厚いた
め、熱の伝帳に時間がかかり、その応答が遅くなり最近
の高機能化した電気機器には十分対応することができな
いという問題がある。
またフラックス上に設けられる樹脂層が、二重構造とな
っている場合は、厚さが厚く熱の伝帳が不十分であるば
かりでなく、薄型化できないという問題があり、更に樹
脂層であるため耐熱性、耐燃性に問題がある。
っている場合は、厚さが厚く熱の伝帳が不十分であるば
かりでなく、薄型化できないという問題があり、更に樹
脂層であるため耐熱性、耐燃性に問題がある。
そこで、本発明者は、前記の問題点に鑑みて、種々研究
を続けた結果、超極薄のアルミナ基板を使用すると共に
それを使用した製造方法によって、前記の問題点が解決
されることを見出し、本発明はこれに基づいて発明され
たものである。
を続けた結果、超極薄のアルミナ基板を使用すると共に
それを使用した製造方法によって、前記の問題点が解決
されることを見出し、本発明はこれに基づいて発明され
たものである。
したがって、本発明の第１の目的は、熱の伝帳経路が限
定されることなく、また熱の伝帳経路の短い、したがっ
て応答速度に優れた小型化かつ薄型化し、更に耐熱性及
び耐燃性の優れた基板型温度ヒユーズを提供することに
ある。
定されることなく、また熱の伝帳経路の短い、したがっ
て応答速度に優れた小型化かつ薄型化し、更に耐熱性及
び耐燃性の優れた基板型温度ヒユーズを提供することに
ある。
また本発明の第２の目的は、アルミナ基板を使用して簡
単に形成できる、応答速度に優れた小型化かつ薄型化し
た基板型温度ヒユーズの製造方法を提供することにある
。
単に形成できる、応答速度に優れた小型化かつ薄型化し
た基板型温度ヒユーズの製造方法を提供することにある
。
［問題点を解決するための手段］
したがって、本発明の前記目的は、
１）極めて薄くかつ緻密な構造を有するアルミナ基板の
中空部に、電極間が低融点金属体で接続されている１対
の電極を有する基板型温度ヒユーズ。
中空部に、電極間が低融点金属体で接続されている１対
の電極を有する基板型温度ヒユーズ。
２）請求項１記載の中空部は、フラックスにより充填さ
れていることを特徴とする基板型温度ヒユーズ。
れていることを特徴とする基板型温度ヒユーズ。
３）超極薄かつ緻密な構造を有するアルミナ基板上に設
けられている電極間に低融点金属体を接続し、ついでこ
の低融点金属体の周囲に渡って中空部が形成されるよう
に欠除部分を有するアルミナ基板からなる枠体を設け、
更に超極薄かつ緻密な構造を有するアルミナ基板からな
る蓋を設け、これらアルミナ基板、枠体及び蓋を順次又
は同時に接着することを特徴とする基板型温度ヒユーズ
の製造方法よってそれぞれ達成された。
けられている電極間に低融点金属体を接続し、ついでこ
の低融点金属体の周囲に渡って中空部が形成されるよう
に欠除部分を有するアルミナ基板からなる枠体を設け、
更に超極薄かつ緻密な構造を有するアルミナ基板からな
る蓋を設け、これらアルミナ基板、枠体及び蓋を順次又
は同時に接着することを特徴とする基板型温度ヒユーズ
の製造方法よってそれぞれ達成された。
［発明の詳細な説明］
次に本発明を更に具体的に説明する。
本発明において、「極めて薄く」、「超極薄」とは、通
常この技術分野において用いられる基板よりもずっと薄
く、０．０５＋ｎ１１１〜０．２ａＩＩｎの厚さで、し
かも強度の大きいものを意味する。
常この技術分野において用いられる基板よりもずっと薄
く、０．０５＋ｎ１１１〜０．２ａＩＩｎの厚さで、し
かも強度の大きいものを意味する。
本発明に用いられる電極が形成される基板としては、超
極薄かつ緻密な構造を有するアルミナ基板が好ましく、
例えばゾル−ゲル法によって製造されるアルミナセラミ
ックを意味しており、得られたアルミナ基板は、厚さが
０．０５ｍｍ〜０．２ｍｍ 、好ましくは０，１１〜０
．２ｍｍの９６％アルミナ基板及び９９％アルミナ基板
を含むものである。
極薄かつ緻密な構造を有するアルミナ基板が好ましく、
例えばゾル−ゲル法によって製造されるアルミナセラミ
ックを意味しており、得られたアルミナ基板は、厚さが
０．０５ｍｍ〜０．２ｍｍ 、好ましくは０，１１〜０
．２ｍｍの９６％アルミナ基板及び９９％アルミナ基板
を含むものである。
本発明に用いられる電極には、銅、金、銀、白金、パラ
ジウム、ニッケル、タングステン等の通常この技術分野
で用いられる金属が挙げられ、使用目的に合わせて適宜
選択される。
ジウム、ニッケル、タングステン等の通常この技術分野
で用いられる金属が挙げられ、使用目的に合わせて適宜
選択される。
またこれらの金属は、導体ペーストとしてスクリーン印
刷するか、エツチング技術を用いて腐食液によるエツチ
ング又はスパッタエツチング、更には金属蒸着等の電極
形成技術によって形成される。
刷するか、エツチング技術を用いて腐食液によるエツチ
ング又はスパッタエツチング、更には金属蒸着等の電極
形成技術によって形成される。
電極には、低融点金属体が接続されるが、この接続には
、溶接、半田付は等が用いられる。
、溶接、半田付は等が用いられる。
またこの低融点金属体としては、銀、銅、錫、鉛等の車
体或はこれらの合金が使用される。
体或はこれらの合金が使用される。
本発明に用いられるアルミナ基板の中空部の形成は、成
形又はレーザーによる切除等の方法により製造される。
形又はレーザーによる切除等の方法により製造される。
またこの中空部の形状は、低融点金属体の形状にも関係
するが、一般には任意の形状が用いられ、好ましくは方
形または円形がよく、更に好ましくは楕円形がよい。
するが、一般には任意の形状が用いられ、好ましくは方
形または円形がよく、更に好ましくは楕円形がよい。
この中空部には、フラックスが充填されていても、充填
されていなくてもよいが、好ましくはフラックスが充填
されていた方がよく、この場合には、好ましいフラック
スとしては、ロジン、活性ロジン等のロジン誘導体を含
む樹脂系フラックス、またスレアリン酸、オレイン酸等
、塩酸アニリン等の有機へロデン化合物等の有機酸系フ
ラックス、更に塩酸等の酸、塩化亜鉛等の塩等の無機酸
系フラックスが用いられるが、好ましくは樹脂系及び有
機酸系フラックスである。
されていなくてもよいが、好ましくはフラックスが充填
されていた方がよく、この場合には、好ましいフラック
スとしては、ロジン、活性ロジン等のロジン誘導体を含
む樹脂系フラックス、またスレアリン酸、オレイン酸等
、塩酸アニリン等の有機へロデン化合物等の有機酸系フ
ラックス、更に塩酸等の酸、塩化亜鉛等の塩等の無機酸
系フラックスが用いられるが、好ましくは樹脂系及び有
機酸系フラックスである。
本発明に用いられる基板型温度ヒユー・ズは、超極薄か
つ緻密な構造を有するアルミナ基板上に少なくとも１対
の電極を前述の導体形成技術を用いて形成し、ついでこ
の電極間に前記低融点金属体を接続することにより形成
される。次に別のアルミナ基板の、前記電極部に相当す
る部分を欠除して枠体を形成する。これを前記の電極を
有する基板に重ねて接着剤で接着し、更にこの上に封止
するための超極薄かつ緻密な構造を有するアルミナ基板
からなる蓋を重ねて接着する。この場合接着剤としては
、耐熱性接着剤が用いられる。
つ緻密な構造を有するアルミナ基板上に少なくとも１対
の電極を前述の導体形成技術を用いて形成し、ついでこ
の電極間に前記低融点金属体を接続することにより形成
される。次に別のアルミナ基板の、前記電極部に相当す
る部分を欠除して枠体を形成する。これを前記の電極を
有する基板に重ねて接着剤で接着し、更にこの上に封止
するための超極薄かつ緻密な構造を有するアルミナ基板
からなる蓋を重ねて接着する。この場合接着剤としては
、耐熱性接着剤が用いられる。
好ましい耐熱性接着剤は、ガラス等の無機系、ポリイミ
ド系、ポリアミドイミド系あるいはポリベンズイミダゾ
ール系等の有機系の接着剤が挙げられる。
ド系、ポリアミドイミド系あるいはポリベンズイミダゾ
ール系等の有機系の接着剤が挙げられる。
接着はこれらアルミナ基板、枠体及び蓋を順次接着して
も良く、また同時に接着してもよい。
も良く、また同時に接着してもよい。
［実施例］
以下、実施例を示して本発明を更に具体的に説明するが
、これは本発明の一実施態様であり、本発明は、この例
に限定されない。
、これは本発明の一実施態様であり、本発明は、この例
に限定されない。
第１図は、本発明の基板型温度ヒユーズの構成を示す平
面図である。
面図である。
第２図は、第１図の１−１’ によって切断された部分
を示す断面図である。
を示す断面図である。
第１図において、アルミナ基板１には、熱伝導性の良好
なゾル−ゲル法によって製造された、厚さが０．２ｍｍ
アルミナ基板１を使用し、このアルミナ基板１上に一対
の電Ｖｉ３．３を有し、これらの電極にはリード端子４
．４が設けられている。この電極は、導電性ペースト用
いてスクリーン印刷する。このようにして得られた電極
間に低融点金属体２を溶接する。この低融点金属体２は
Ａｇ−Ｃｕ合金が用いられ、ヒユーズエレメントとして
動作するもので、いわゆる高温で溶融して切断される。
なゾル−ゲル法によって製造された、厚さが０．２ｍｍ
アルミナ基板１を使用し、このアルミナ基板１上に一対
の電Ｖｉ３．３を有し、これらの電極にはリード端子４
．４が設けられている。この電極は、導電性ペースト用
いてスクリーン印刷する。このようにして得られた電極
間に低融点金属体２を溶接する。この低融点金属体２は
Ａｇ−Ｃｕ合金が用いられ、ヒユーズエレメントとして
動作するもので、いわゆる高温で溶融して切断される。
前記の低融点金属体２をフラックスで被覆した後、アル
ミナ基板をレーザーにより繰り抜いて作った枠１２を重
ね、その上にアルミナ基板からなるＭｌｌを設ける。こ
の枠１２内には低融点金属体２を覆ってフラックス（第
１図の点線内）が充填されているが、フラックスは低融
点金属体２に枠１２を設けた後、その中へ充填してもよ
い。
ミナ基板をレーザーにより繰り抜いて作った枠１２を重
ね、その上にアルミナ基板からなるＭｌｌを設ける。こ
の枠１２内には低融点金属体２を覆ってフラックス（第
１図の点線内）が充填されているが、フラックスは低融
点金属体２に枠１２を設けた後、その中へ充填してもよ
い。
ついでこれらの基板、枠、蓋は、それぞれ耐熱性接着剤
として、低融点ガラスを用いて接着される。
として、低融点ガラスを用いて接着される。
以上のように形成された基板型温度ヒユーズは、電気機
器全般に使用される電子部品を保護するため使用され、
例えば半導体素子の保護、パワーモジュールの爆発に対
するの保護、ＭＯＳ−ＦＥＴの保護、その他トランジス
タ等の電子部品の保護が挙げられる。
器全般に使用される電子部品を保護するため使用され、
例えば半導体素子の保護、パワーモジュールの爆発に対
するの保護、ＭＯＳ−ＦＥＴの保護、その他トランジス
タ等の電子部品の保護が挙げられる。
［発明の効果コ
以十述べた説明から明らかなように、本発明においては
、基板型温度ヒユーズを超極薄のアルミナ基板を使用し
たので、熱の伝帳経路が限定されることなく、また熱の
伝帳経路の短い、したがって応答速度に優れた小型化か
つ薄型化し、更に耐熱性及び耐燃性の優れた基板型温度
ヒユーズが得られる。
、基板型温度ヒユーズを超極薄のアルミナ基板を使用し
たので、熱の伝帳経路が限定されることなく、また熱の
伝帳経路の短い、したがって応答速度に優れた小型化か
つ薄型化し、更に耐熱性及び耐燃性の優れた基板型温度
ヒユーズが得られる。
また１種類の、しかも超極薄のアルミナ基板を使用して
製造したので、応答速度に優れた小型化かつ薄型化した
基板型温度ヒユーズを筒中に製造できるという優れた効
果を有する。
製造したので、応答速度に優れた小型化かつ薄型化した
基板型温度ヒユーズを筒中に製造できるという優れた効
果を有する。
第１図は、本発明の基板型温度ヒユーズの平面図である
。 第２図は、第１図の基板型温度ヒユーズのＩ−１’ に
よって切断された部分を示す断面図である。 符号の説明 １・・・アルミナ基板 １１・・・超極薄のアルミナ基板 １２・・・枠 １３・・・超極薄のアルミナ基板 ２・・・低融点金属体（ヒユーズエレメント）３．３・
・・電極、 ４．４・・・端子。
。 第２図は、第１図の基板型温度ヒユーズのＩ−１’ に
よって切断された部分を示す断面図である。 符号の説明 １・・・アルミナ基板 １１・・・超極薄のアルミナ基板 １２・・・枠 １３・・・超極薄のアルミナ基板 ２・・・低融点金属体（ヒユーズエレメント）３．３・
・・電極、 ４．４・・・端子。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）極めて薄くかつ緻密な構造を有するアルミナ基板の
中空部に、電極間が低融点金属体で接続されている１対
の電極を有する基板型温度ヒューズ。 ２）請求項１記載の中空部は、フラックスにより充填さ
れていることを特徴とする基板型温度ヒューズ。 ３）超極薄かつ緻密な構造を有するアルミナ基板上に設
けられている電極間に低融点金属体を接続し、ついでこ
の低融点金属体の周囲に渡って中空部が形成されるよう
に欠除部分を有するアルミナ基板からなる枠体を設け、
更に超極薄かつ緻密な構造を有するアルミナ基板からな
る蓋を設け、これらアルミナ基板、枠体及び蓋を順次又
は同時に接着することを特徴とする基板型温度ヒューズ
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1066942A JPH0622092B2 (ja) | 1989-03-17 | 1989-03-17 | 基板型温度ヒューズ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1066942A JPH0622092B2 (ja) | 1989-03-17 | 1989-03-17 | 基板型温度ヒューズ及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02244530A true JPH02244530A (ja) | 1990-09-28 |
| JPH0622092B2 JPH0622092B2 (ja) | 1994-03-23 |
Family
ID=13330566
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1066942A Expired - Lifetime JPH0622092B2 (ja) | 1989-03-17 | 1989-03-17 | 基板型温度ヒューズ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0622092B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6556122B2 (en) | 2000-07-21 | 2003-04-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Thermal fuse, battery pack, and method of manufacturing thermal fuse |
| US7106165B2 (en) | 2003-07-01 | 2006-09-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Fuse, battery pack using the fuse, and method of manufacturing the fuse |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3331911B2 (ja) * | 1997-06-23 | 2002-10-07 | 松下電器産業株式会社 | 温度ヒューズ及びその製造方法並びにそれを用いた温度ヒューズ部、電池及び電源機器 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5553401A (en) * | 1978-10-16 | 1980-04-18 | Jiyuichirou Ozawa | Fuse resistor |
| JPS55142874U (ja) * | 1979-03-31 | 1980-10-13 | ||
| JPS6039730A (ja) * | 1983-07-15 | 1985-03-01 | ノーザン・テレコム・リミテツド | ヒユーズ |
| JPS6241641U (ja) * | 1985-08-30 | 1987-03-12 | ||
| JPS6251628U (ja) * | 1985-09-20 | 1987-03-31 | ||
| JPS6369344U (ja) * | 1986-10-21 | 1988-05-10 | ||
| JPS63112732U (ja) * | 1987-01-16 | 1988-07-20 |
-
1989
- 1989-03-17 JP JP1066942A patent/JPH0622092B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5553401A (en) * | 1978-10-16 | 1980-04-18 | Jiyuichirou Ozawa | Fuse resistor |
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| JPS6251628U (ja) * | 1985-09-20 | 1987-03-31 | ||
| JPS6369344U (ja) * | 1986-10-21 | 1988-05-10 | ||
| JPS63112732U (ja) * | 1987-01-16 | 1988-07-20 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6556122B2 (en) | 2000-07-21 | 2003-04-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Thermal fuse, battery pack, and method of manufacturing thermal fuse |
| US7106165B2 (en) | 2003-07-01 | 2006-09-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Fuse, battery pack using the fuse, and method of manufacturing the fuse |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0622092B2 (ja) | 1994-03-23 |
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