JPH023601Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本考案はチツプ抵抗器に係り、詳しくはその端
部に形成される電極の構造に関するものである。

〈従来の技術〉 従来のチツプ抵抗器の電極は、第４図に示すよ
うに絶縁性基板１０の端部にまず、銀またはパラ
ジウム・銀を主体とする導電性ペーストを塗布し
これを焼成することによつて第１電極層２０を形
成し、その表面に半田食われを防止するためニツ
ケルをメツキして第２電極層３０を形成し、この
第２電極層３０の表面に半田付け性を良くするた
めに錫をメツキして第３電極層４０を形成したも
ので、第１電極層２０の上にはメツキ膜が２層積
層されている。

〈考案が解決しようとする問題点〉 ところで、上記のように錫のメツキ膜である第
３電極層４０が電極の最外層を構成しこれが直接
外部に露出していると、年月を経るに従い、錫の
メツキ膜から錫の単結晶が針状に析出し、いわゆ
るホイスカを生じることがある。このホイスカの
発生は、いうまでもなく電子部品には好ましくな
い事態で、該ホイスカにより電極どうしの短絡や
他の導体との不要な導通が生じるおそれがある。
本件考案者が観測したところでは、前記ホイスカ
は１か月で１〜２mm程度の長さに達することがあ
る。

〈問題点を解決するための手段〉 上記の問題点に対して本考案が提案しようとす
る手段の第１の要点は、錫の電極層の表面を半田
のメツキ膜で被覆することである。

しかしながら、本件考案者が実際に前記の通り
錫のメツキ膜の表面を半田のメツキ膜で被覆する
実験を行なつたところ、半田自体が他の金属に比
べて柔らかいため、バレルによるメツキ工程の最
中にメツキ途中の部品どうしが半田メツキ膜の個
所で互いに付着する不都合が発生した。このよう
に部品どうしが付着すると、これらを支障なく分
離することは到底困難となり、付着し合つた部品
は不良品となる。

ところが本件考案者がさらに実験を繰り返し検
討した結果、メツキ途中の部品の付着現象は、半
田メツキのメツキ膜厚が一定値を越えると発生す
ることが判明した。

そこで、従来の上記問題点に対して本考案が提
案しようとする手段の第２の要点は、半田メツキ
の膜厚を、部品どうしの付着が生じない値に設定
することにある。

〈作用〉 錫の電極層を被覆した半田メツキ層中の鉛が錫
の電極層中に熱拡散することにより錫の中に鉛が
不純物として混じる結果、錫の単結晶析出、いわ
ゆるホイスカの発生が抑制される。

〈実施例〉 以下、本考案を図面に示す実施例に基づき詳細
に説明する。

第１図は本考案が適用されたチツプ抵抗器の断
面図、第２図はその一部の拡大断面図であつて、
同図中、符号１はチツプ抵抗器の本体である絶縁
性基板、２は第１電極層であり、酸化ルテニウム
系ペーストの焼成により形成された抵抗体６と電
気的親和性の良い銀またはパラジウム・銀を主体
とする導電性ペーストの焼成により形成される。
３はニツケルのメツキ膜からなる第２電極層で、
該チツプ抵抗器をプリント基板に半田付けする
際、前記第１電極層２の銀の溶解流出、いわゆる
半田食われを防止するためのもので、ニツケルの
ほか銅のメツキ膜で構成してもよく、半田に対し
て非溶解性でかつ半田付け可能な金属のメツキ膜
で構成されていればよい。しかしニツケルあるい
は銅にしても容易に空気中の酸素と結合しその表
面に酸化膜をつくり、半田付けが不可能となる。
そこで、符号４で示す錫のメツキ膜で構成された
第３電極層により、前記第２電極層３の表面を覆
つている。

これまでの構成は従来のチツプ抵抗器の電極の
構造と変わるところはないが、ここで留意すべき
点は、錫のメツキ膜の第３電極層４は、その厚み
が最低でも2μｍ必要であることである。なぜな
らば、異種金属の多層構造にすると固相拡散とい
う現象を生じ、本実施例では第２電極層３のニツ
ケルが第３電極層４の錫の中に拡散し、この拡散
が第３電極層４の表面に達すると錫の溶解温度が
上がり、該チツプ抵抗器をプリント基板に実装す
る場合に半田付けしにくくなるからである。その
ため第３電極層４はより厚い方が望ましいが、本
考案者の経験的観測では該チツプ抵抗器の平均貯
蔵日数からみてその厚みが2μｍあれば第２電極
層３の金属拡散が第３電極層４の表面に達するこ
とはない。

５は第３電極層４に半田メツキ膜により形成さ
れた第４電極層であり、その厚さＳは1μｍであ
ることが望ましく、メツキ条件の変動を考慮する
と、0.8〜1.2μｍの範囲に収まることが望ましい。

上記のように第４電極層５の厚さＳを限定する
理由を第３図の特性図に基づいて説明する。同特
性図は、本件考案者が実験を繰り返すことによつ
てバーナ筒を得て作成したもので、半田メツキの
膜厚Ｓと部品相互間の付着発生率Ｆの関係を示し
ており、ここで用いた半田の成分比は、錫97に対
し鉛３である。

しかして半田メツキの膜厚Ｓはメツキ時間に正
比例して増大するが、前記特性図において明らか
なように、半田メツキの膜厚Ｓが1μｍを越えた
時点で部品相互の付着が発生し始める。即ち、部
品相互の付着が発生しない状態で形成できるメツ
キ膜の最大膜厚は約1μｍである。半田の成分比
の違い等、メツキ条件の違いを考慮すると、部品
相互の付着が生じない半田メツキ膜の最大膜厚は
0.8〜1.2μｍの範囲に収まるものと考えられる。
なお、0.8μｍ以下の膜厚の半田メツキ膜でも、メ
ツキの困難性を無視すれば、部品相互の付着は生
じないので、このメツキ膜を第４電極層５とする
ことも可能である。そしてこの半田メツキ膜の第
４電極層５と第３電極層４の錫メツキ膜の間でも
上述の固相拡散、およびメツキ工程の後に通常行
なわれる加熱乾燥工程での熱拡散がおこり、半田
メツキ膜中の鉛成分が第３電極層４の中に拡散す
ることは明らかである。

〈考案の効果〉 以上のように本考案のチツプ抵抗器によれば、
錫のメツキ膜からなる第３電極層が半田のメツキ
膜に覆われているから、長年月を経ても該錫メツ
キ膜からホイスカが発生するようなことがなく、
ホイスカによる不要な導通が起こらず、長期にわ
たつて安心して使用することができる。

しかも、その半田のメツキ膜厚を0.8〜1.2μｍ
に抑えてあるので、製造工程中に相互付着による
不良品が出ない。

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案の実施例のチツプ抵抗器の断面
図、第２図はその一部の拡大断面図、第３図は半
田のメツキ膜厚と部品相互の付着発生率の関係を
示す特性図、第４図は従来のチツプ抵抗器の断面
図である。 １……絶縁性基板、２……第１電極層、３……
第２電極層（ニツケル）、４……第３電極層
（錫）、５……第４電極層（半田）。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 絶縁性基板の端部に銀またはパラジウム・銀を
   主体とする導電性ペーストにより形成された第１
   電極層の表面に、ニツケルのメツキ膜にて第２電
   極層を形成し、この第２電極層の表面に錫のメツ
   キ膜にて第３電極層を形成し、さらに第３電極層
   の表面に膜厚0.8〜1.2μｍの半田のメツキ膜より
   なる第４電極層を形成したチツプ抵抗器。