JP2000285777A - 保護素子 - Google Patents

保護素子

Info

Publication number
JP2000285777A
JP2000285777A JP11091491A JP9149199A JP2000285777A JP 2000285777 A JP2000285777 A JP 2000285777A JP 11091491 A JP11091491 A JP 11091491A JP 9149199 A JP9149199 A JP 9149199A JP 2000285777 A JP2000285777 A JP 2000285777A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
fusible alloy
protection element
insulating substrate
electrodes
flux
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP11091491A
Other languages
English (en)
Inventor
Tokihiro Yoshikawa
時弘 吉川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Kansai Nippon Electric Co Ltd
Original Assignee
Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Kansai Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd, Kansai Nippon Electric Co Ltd filed Critical Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Priority to JP11091491A priority Critical patent/JP2000285777A/ja
Publication of JP2000285777A publication Critical patent/JP2000285777A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】 【課題】絶縁基板に形成した電極間に可溶合金を接続固
着し、その上をフラックスで被覆 した保護素子におい
て、可溶合金の溶融時に溶融した可溶合金が迅速に溶断
してスパークが発生せず、溶融した可溶合金が電極に凝
集して確実に回路を遮断でき、しかも動作後の耐電圧が
大きい、信頼性の高い保護素子を提供する。 【解決手段】 絶縁基板1の表面に、この絶縁基板1よ
りも溶融した可溶合金5の濡れ性が小さい下地層2を形
成し、この下地層2の上に電極3,4を形成し、その内
方端部間に可溶合金5を接続固着し、この可溶合金5を
フラックス6にて被覆し、さらにフラックス6の上方か
ら絶縁キャップ11を被せて、接着剤12で固着封止し
た。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、保護素子に関し、
より詳細には、特定温度で溶融する可溶合金を有する温
度ヒューズと称される保護素子や、可溶合金とこの可溶
合金を通電加熱により強制的に溶断させる抵抗体とを有
する保護素子に関する。
【0002】
【従来の技術】電子機器等を過熱損傷から保護する保護
素子として、特定温度で動作して回路を遮断する温度ヒ
ューズが用いられている。この種の温度ヒューズには、
感温材として特定温度で溶融する絶縁性の感温ペレット
を用いて、感温ペレットの溶融時に可動接点を固定接点
から開離する感温ペレットタイプのもの(a)と、感温
材として特定温度で溶融する可溶合金を用いて、この可
溶合金に通電し、可溶合金の溶融時に回路を遮断する可
溶合金タイプ(b)とがある。また、可溶合金と抵抗体
とを具備し、抵抗体の通電加熱により可溶合金を強制的
に溶断させる保護素子(c)もある。前記bタイプの保
護素子としては、例えば実開昭57−141346号公
報に開示されている。また、cタイプの保護素子として
は、例えば実開昭58−52848号公報に開示されて
いる。そして、前記bタイプおよびcタイプの保護素子
を薄型構造にしたものもある。以下、そのような薄型構
造のbタイプの保護素子について、図面を用いて説明す
る。
【0003】図10は従来の薄型構造の保護素子の縦断
面図を示し、図11は前記保護素子の絶縁キャップおよ
びフラックスを除去して内部構造が見えるようにした状
態,すなわちフラックス塗布前の平面図である。図10
および図11において、71はアルミナ等のセラミック
からなる矩形状の絶縁基板で、その一方の面の長手方向
の両端部に銀ペーストや銀−パラジウムペースト等の導
電ペーストの塗布焼成により形成した一対の電極72,
73を有する。前記一対の電極72,73の内方端間に
またがって特定温度で溶融する可溶合金74が接続固着
されており、この可溶合金74はフラックス75で被覆
されている。また、前記一対の電極72,73の各外方
端には板状のリード76,77が半田78,79により
接続固着されている。そして、前記可溶合金74および
フラックス75部分に、セラミックや樹脂等よりなる絶
縁キャップ80を被せて、この絶縁キャップ80の下端
は接着剤81によって絶縁基板71に固着封止されてい
る。
【0004】次に、上記保護素子の使用方法について説
明する。上記保護素子をそのリード76,77を介して
電子機器に直列接続する。すると、周囲温度が正常範囲
内にあれば、可溶合金74を介して電子機器に通電され
る。電子機器の異常等に起因して周囲温度が上昇して可
溶合金74の融点近くになると、フラックス75が軟化
溶融して可溶合金74の表面を活性化して、可溶合金7
4の溶融の準備状態となる。周囲温度がさらに上昇して
可溶合金74の融点に達すると、可溶合金74が溶融し
てその表面張力によって、電極72,73に引き寄せら
れて、中央部から溶断し、通電が遮断される。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記保護素
子においては、電子機器の異常等に起因して可溶合金7
4が溶融したとき、溶融した可溶合金74は絶縁基板7
1と接触しているが、絶縁基板71の材質および/また
はその表面状態によっては、溶融した可溶合金74が表
面張力によって電極72,73に迅速に凝集できずに、
スパークを発生したり、溶断が不十分になったり、動作
後の可溶合金間の距離が不足して耐電圧が小さくなる等
の不都合が生じることがあった。例えば、アルミナセラ
ミックよりなる絶縁基板1は、その表面が微細な凹凸状
のために、溶融した可溶合金の流動性が悪く、上記の不
都合が生じやすい傾向があった。このような不都合は、
上記の可溶合金のみを有する温度ヒューズと称される保
護素子のみならず、可溶合金と通電加熱によりこの可溶
合金を強制的に溶断させる抵抗体とを具備する保護素子
においても、同様に生じることがあった。
【0006】そこで、本発明は、絶縁基板の材質や表面
状態によらず、溶融した可溶合金の電極への凝集動作が
迅速に行われ、スパーク発生がなく、また確実に溶断し
て回路が遮断でき、さらには動作後の可溶合金間に十分
な距離が確保されて大きな耐電圧が得られるという、信
頼性の高い保護素子を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、絶縁基板と、
この絶縁基板の表面に離隔して形成された一対の電極
と、この一対の電極間にまたがって接続された可溶合金
と、前記可溶合金に被着されたフラックスと、前記フラ
ックスを覆う絶縁封止材とを有する保護素子において、
前記可溶合金の形成位置に、前記絶縁基板よりも溶融し
た可溶合金に対する濡れ性の小さい下地層を形成したこ
とを特徴とする保護素子である。
【0008】
【発明の実施の形態】本発明の請求項1記載の発明は、
絶縁基板と、この絶縁基板の表面に離隔して形成された
一対の電極と、この一対の電極間にまたがって接続され
た可溶合金と、前記可溶合金に被着されたフラックス
と、前記フラックスを覆う絶縁封止材とを有する保護素
子において、前記可溶合金の形成位置に、前記絶縁基板
よりも溶融した可溶合金に対する濡れ性の小さい下地層
を形成したことを特徴とする保護素子である。
【0009】本発明の請求項2記載の発明は、前記絶縁
基板がセラミックであることを特徴とする請求項1記載
の保護素子である。
【0010】本発明の請求項3記載の発明は、前記下地
層がガラスであることを特徴とする請求項1記載の保護
素子である。
【0011】本発明の請求項4記載の発明は、前記下地
層がソルダーレジストであることを特徴とする請求項1
記載の保護素子である。
【0012】本発明の請求項5記載の発明は、前記絶縁
封止材が、フラックスの上方を覆う絶縁キャップである
ことを特徴とする請求項1記載の保護素子である。
【0013】本発明の請求項6記載の発明は、前記可溶
合金を通電加熱により強制的に溶断させる抵抗体を具備
することを特徴とする請求項1ないし5記載の保護素子
である。
【0014】本発明の請求項7記載の発明は、前記抵抗
体が、絶縁基板の可溶合金が設けられた側とは反対側面
に設けられていることを特徴とする請求項6記載の保護
素子である。
【0015】本発明の請求項8記載の発明は、前記抵抗
体が、絶縁基板の可溶合金が設けられた側と同一面側に
設けられていることを特徴とする請求項6記載の保護素
子である。
【0016】本発明の請求項9記載の発明は、前記抵抗
体が、絶縁基板の上に形成されており、この抵抗体の上
に下地層が設けられ、この下地層の上に可溶合金が設け
られていることを特徴とする請求項8記載の保護素子で
ある。
【0017】
【実施例】本発明の実施例について、以下、図面を参照
して説明する。図1は本発明の第1実施例の保護素子A
の縦断面図を示し、図2は前記保護素子Aの絶縁キャッ
プおよびフラックスを除去して内部構造が見えるように
した状態,すなわちフラックス塗布前の状態の平面図を
示す。図1および図2に示す保護素子Aにおいて、1は
アルミナセラミック等よりなる絶縁基板で、その一方の
面に、本発明の最大の特徴部分である前記絶縁基板1よ
りも溶融した可溶合金の濡れ性が小さい絶縁材料,例え
ば表面が平滑なガラスよりなる下地層2が形成されてい
る。この下地層2の上の長手方向の両端部には銀ペース
トや銀−パラジウムペースト等よりなる導電ペーストを
塗布焼成して一対の電極3,4が形成されている。この
導電ペーストの焼成温度は、前記下地層2の焼成温度と
同等以下のものを選定する。前記一対の電極3,4の内
方端部には、特定温度で溶融する可溶合金5が接続固着
されている。この可溶合金5は、それよりも若干低い軟
化点を有するフラックス6によって被覆されている。前
記一対の電極3,4の外方端部には、リード7,8が半
田9,10により接続されている。さらに、前記フラッ
クス6の上方からセラミック,樹脂,ガラス等よりなる
絶縁キャップ11が被せられ、接着剤12によって固着
封止されている。なお、電極3,4の表面に、銀層や金
層や半田層を形成して、可溶合金5の接続固着性やリー
ド7,8の半田付け性を改善するようにしてもよい。
【0018】次に、上記実施例の保護素子Aの製造方法
について説明する。図3は、上記保護素子Aの製造工程
を示す工程ブロック図である。以下、この図3を用いて
保護素子Aの製造方法について説明する。まず、絶縁基
板1を用意し[図3(a)]、その一表面にガラスペー
ストを塗布焼成して下地層2を形成する[図3
(b)]。次に、下地層2の表面の長手方向の両端部に
銀ペーストや銀−パラジウムペースト等の導電ペースト
をシルクスクリーン法等により塗布焼成して、一対の電
極3,4を形成する[図3(c)]。なお、電極3,4
は、導電ペーストを塗布焼成した銀や銀−パラジウムの
状態のままでもよいが、前述したように、その上に銀層
や金層や半田層を形成してもよい。
【0019】次に、前記一対の電極3,4の各外方端部
にリード7,8を半田9,10により半田付けする[図
3(d)]。この時、電極3,4の表面が導電ペースト
の構成成分である銀や銀−パラジウムの場合またはその
上に銀層や金層が形成されていると、半田付け部に半田
を供給して半田付けすることが必要であるが、電極3,
4の表面に半田層が形成されていると、半田を供給する
ことなく、半田付けができる。
【0020】次に、前記一対の電極3,4の各内方端部
に可溶合金5を半田付けまたは溶接により接続固着する
[図3(e)]。ここでいう半田付けとは、前記電極
3,4の上に形成されている半田層を利用して行うもの
であり、溶接とは、前述のような半田層が形成されてい
ない場合に、可溶合金5それ自体の電極3,4との接続
部分を溶融させて接続することをいう。
【0021】次に、前記可溶合金5の全面を、それより
も若干低い温度で軟化溶融するフラックス6で被覆する
[図3(f)]。このフラックス6は、可溶合金5の表
面を覆って酸化を防止するとともに、可溶合金5の溶融
前に軟化溶融して、可溶合金5の表面を活性化するため
のものである。
【0022】次に、前記フラックス6の上方から絶縁キ
ャップ11を被せて、その下端を接着剤12により絶縁
基板1に固着封止する[図3(g)]。このようにし
て、保護素子Aが製造できる。この保護素子Aは、その
後外観検査および特性検査を実施し合格品に対して、絶
縁キャップ11の表面に、品名,定格,製造者標等が捺
印表示される。なお、絶縁キャップ11は、その表面に
予め品名,定格,製造者標等が捺印表示されているもの
を固着封止するようにしてもよい。
【0023】上記実施例の保護素子Aによれば、上述の
ように絶縁基板1の可溶合金5の形成位置に、絶縁基板
1よりも溶融した可溶合金5の濡れ性が小さい下地層2
が形成されているので、可溶合金5が溶融したとき、溶
融した可溶合金5が下地層2の表面ではじかれて、迅速
に中央部から溶断して電極3,4に向かって凝集するの
で、溶断途中でスパークが発生することがないばかり
か、確実に溶断して回路を遮断できるし、溶断後の可溶
合金間の距離も大きくできるため耐電圧も高く、信頼性
の高い保護素子Aが提供できるという特有の作用効果を
奏する。
【0024】次に、本発明の第2の実施例の保護素子B
について説明する。図4は、本発明の第2実施例の保護
素子Bの縦断面図であり、図5はその絶縁キャップおよ
びフラックスを除去した状態,すなわちフラックスの塗
布前の状態を示す平面図である。本実施例の保護素子B
は、リードレス構造,換言すれば表面実装構造にしたも
のである。
【0025】本実施例における絶縁基板21は、図1お
よび図2の第1実施例の保護素子Aの絶縁基板1の外形
が矩形状であるのに対して、長手方向の両端部に円弧状
の切り欠き部22,23が設けられている。そして、こ
の絶縁基板21の表面に銀ペーストや銀−パラジウムペ
ースト等の導電ペーストを塗布焼成して形成された電極
24,25が、前記切り欠き部22,23の端面を通っ
て裏面にまで延在して形成され、裏面に銀ペーストや銀
−パラジウムペースト等の導電ペーストを塗布焼成して
形成された端子部26,27に接続されている。
【0026】本実施例においては、絶縁基板21よりも
溶融した可溶合金の濡れ性が小さい下地層28が、前記
電極24,25間に、すなわち下地層28を電極24,
25に重ね合わせることなく形成されている。このよう
に、下地層28を前記電極24,25間に形成する理由
は、第1に、前記電極24,25および端子部26,2
7を形成する導電ペーストとして、前記下地層28形成
用のガラスペースト等の焼成温度よりも高い焼成温度の
導電ペーストの採用が可能になることによる。そのよう
な場合、下地層28の形成前に、絶縁基板21に対して
導電ペーストを十分高温で焼成して形成でき、電極2
4,25および/または端子部26,27の絶縁基板2
1に対する密着強度を大きくできる。その後に電極2
4,25間に下地層28を形成することができる。第2
に、図4からも明らかなように、下地層28を電極2
4,25と同一厚さまたはほぼ同一厚さに形成すること
により、電極24,25と下地層28との段差がなくな
るかまたは小さくなることである。
【0027】前記電極24,25の内方端部には、前記
下地層28に接して特定温度で溶融する可溶合金29が
接続固着されている。ここで、前述のとおり、電極2
4,25と下地層28との段差がないかまたは小さいの
で、可溶合金29と下地層28との間に隙間が形成され
ることがない。それによって、周囲温度に応じた絶縁基
板21からの温度が可溶合金29に正確かつ迅速に伝導
され、より正確な動作を保証できるようになる。
【0028】この可溶合金29は全面がフラックス30
によって被覆されている。前述のとおり、電極24,2
5と下地層28との段差がないか小さいので、可溶合金
29の上面は平坦であり、可溶合金29全体の上に十分
かつ均一な厚さのフラックス30を、容易かつ確実に形
成することができる。
【0029】さらに、前記フラックス30の上方は、セ
ラミックや樹脂やガラス等よりなる絶縁キャップ31に
よって覆われ、その下端部は接着剤32によって、絶縁
基板21の表面に接着固定封止されている。
【0030】なお、前記電極24,25および/または
端子部26,27は、導電ペースト中の導電性成分であ
る銀や銀−パラジウムそのもののままでもよいが、その
上に銀層や金層や半田層を形成して、可溶合金29の接
続固着性や保護素子Bのプリント基板等の取付体への実
装性を向上するようにしてもよい。
【0031】このようなリードレス構成の第2実施例の
保護素子Bによれば、裏面の端子部26,27を利用し
てプリント基板等の取付基板に表面実装できるのみなら
ず、電極24,25にリード線の接続スペースが不要に
なるため、その面積を図1および図2に示すリード線付
き保護素子Aの電極3,4の面積よりも小さくでき、全
体が小型できるし、銀ペーストや銀−パラジウムペース
ト等の高価な導電ペーストの使用量が低減でき、コスト
低減できるという特有の作用効果を奏する。
【0032】次に、本発明の第3の実施例の保護素子C
について説明する。本実施例の保護素子Cは、リードレ
ス構造,換言すれば表面実装構造であって、かつ可溶合
金と通電加熱によりこの可溶合金を強制的に溶断させる
抵抗体とを具備することを特徴とするものである。図6
は、本発明の第3実施例の保護素子Cの縦断面図であ
る。図7はその絶縁キャップ,フラックス,可溶合金お
よび下地層を除去した状態,すなわち下地層形成前の状
態を示す平面図である。図8はその絶縁キャップおよび
フラックスを除去した状態,すなわちフラックスの塗布
前の状態を示す平面図である。図9は本発明の第3実施
例の保護素子Cの下面図である。
【0033】図6ないし図9において、41はアルミナ
セラミック等よりなる略矩形状の絶縁基板で、4隅に円
弧状の切り欠き部42,43,44,45を有する。こ
の絶縁基板41の長手方向の両端部近傍には、銀ペース
トや銀−パラジウムペースト等の導電ペーストの塗布焼
成して一対の抵抗体用の電極46,47が形成されてい
る。これらの電極46,47には、一対の対角に位置す
る円弧状の切り欠き部42,43に向かって延在して形
成されており、さらに円弧状の切り欠き部42,43の
端面を通って、裏面に銀ペーストや銀−パラジウムペー
スト等の導電ペーストを塗布焼成して形成された端子部
48,49に接続されている。
【0034】また、絶縁基板41の表面の他の一対の対
角に位置する円弧状の切り欠き部44,45の近傍部に
は、銀ペーストや銀−パラジウムペースト等の導電ペー
ストを塗布焼成して可溶合金用の電極50,51が形成
されている。これらの電極50,51は円弧状の切り欠
き部44,45の端面を通って、裏面に銀ペーストや銀
−パラジウムペースト等の導電ペーストを塗布焼成して
形成された端子部52,53に接続されている。
【0035】前記抵抗体用の電極46,47にまたがっ
て、例えばガラスペースト中に酸化ルテニウム等の抵抗
体微粒子を混入した抵抗ペーストを塗布焼成してなる抵
抗体54が形成されている。前記電極46,47および
抵抗体54の全面は、例えばガラスペースト等を塗布焼
成して平滑な表面に形成した、絶縁基板41よりも溶融
した可溶合金の濡れ性が小さい下地層55より被覆され
ている。前記下地層55は、導電ペーストの塗布焼成に
より前記電極46,47,50,51および/または端
子部48,49,52,53を形成した後に形成しても
よいし、導電ペーストの塗布により前記電極46,4
7,50,51および/または端子部48,49,5
2,53を形成した後、その焼成前にガラスペースト等
を塗布して下地層55を形成し、その後、前記電極4
6,47および/または端子部48,49,52,53
と同時に焼成して形成するようにしてもよい。
【0036】前記下地層55上には、銀ペーストや銀−
パラジウムペースト等の導電ペーストを塗布焼成して可
溶合金用の電極56,57が形成されている。これらの
電極56,57は、絶縁基板41の他の一対の対角の切
り欠き部44,45に向かって延びて、前記電極50,
51に接続されている延在部を有する。したがって、前
記可溶合金用の電極56,57は、円弧状の切り欠き部
44,45の端面を通って、裏面に形成された端子部5
2,53に接続されている。
【0037】前記可溶合金用の電極56,57にまたが
って、特定温度で溶融する可溶合金58が接続固着され
ている。この可溶合金58は、図1および図2に示す第
1実施例の保護素子Aおよび図4および図5に示す第2
実施例の保護素子Bにおける可溶合金5および29と異
なり、任意の溶融点のものでよい。この可溶合金58は
全面がフラックス59により被覆されている。前記フラ
ックス59の上方からは絶縁キャップ60が被せられ、
その下端は接着剤61によって絶縁基板41の表面に接
着封止されている。
【0038】絶縁基板41の裏面側の前記各端子部4
8,49,52,53は、導電ペースト中の導電成分で
ある銀や銀−パラジウム等のままであってもよいが、表
面実装のためにそれぞれ銀層や金層を形成してもよい
し、半田層62,63,64,65を形成しておいても
よい。
【0039】本実施例の保護素子Cにおいても、本発明
所期の作用効果が得られるのみならず、抵抗体52の通
電加熱により、可溶合金58が強制的に溶断できるの
で、可溶合金58の融点はそれほど厳密な精度が要求さ
れなくなるのみならず、保護素子Cのプリント基板等の
取付基板への表面実装温度に対して十分高い融点の可溶
合金58が採用可能になるため、保護素子Cの実装時の
温度で可溶合金58が誤溶融するといった不都合がなく
なるという特有の作用効果を奏する。
【0040】次に、上記保護素子Cの使用方法例につい
て説明する。上記の保護素子Cにおいて、抵抗体54を
その端子部48,49を利用して、例えば、温度,電
圧,電流等の検知素子の検知動作によって導通状態とな
るスイッチング素子(図示省略)を介して電源に接続し
ておく。また、可溶合金58をその端子部52,53を
利用して、電子機器(図示省略)等に接続して、通電す
るようにしておく。
【0041】すると、検知対象の温度,電圧,電流等が
予め設定された正常範囲内であれば、検知素子が検知動
作することなく、したがって、スイッチング素子が非導
通状態のままであるため、抵抗体54に通電されること
がなく、したがって、可溶合金58は加熱されないの
で、可溶合金58を介して電子機器に継続して通電され
る。
【0042】しかしながら、検知対象の温度,電圧,電
流等が予め設定された正常範囲を超える異常状態になる
と、検知素子がそれを検知して、スイッチング素子を導
通状態にし、抵抗体54に通電を開始する。この抵抗体
54への通電開始によって、抵抗体54が発熱し、その
発生熱で可溶合金58が溶断して、電子機器への通電が
停止される。この可溶合金58の溶断時にも、下地層5
5によって、本発明の所期の作用効果が得られる。
【0043】なお、本発明の上記各実施例は、特定の構
造のものについて説明したが、本発明は上記実施例に示
した構造に限定されるものではなく、本発明の精神を逸
脱しない範囲で、各種の変形が可能であることはいうま
でもない。
【0044】例えば、図1ないし図9に示す各実施例で
は、絶縁基板1,21,41をアルミナセラミックで構
成し、下地層2,28,55をガラスで構成する場合に
ついて説明したが、絶縁基板1,21,41をガラスセ
ラミックまたはガラスで構成し、下地層2,28,55
をそれよりも低融点で、かつ溶融した可溶合金5,2
9,58の濡れ性が小さいガラス,樹脂で構成するよう
にしてもよいし、絶縁基板1,21,41を樹脂で構成
し、下地層2,28,55をそれよりも低融点で、かつ
溶融した可溶合金5,29,58の濡れ性が小さい樹脂
で構成してもよい。
【0045】また、図6ないし図9に示す第3実施例の
保護素子Cでは、抵抗体54を絶縁基板41の可溶合金
58の接続固着面側と同一面側に設ける場合について説
明したが、可溶合金58の固着面側とは反対面側に設け
てもよい。この場合、抵抗体54の上には、絶縁層を形
成することが望ましい。この絶縁層は、抵抗体54がプ
リント基板等の取付基板の配線層や実装部品と短絡また
は耐電圧不良を起こさないようにするためのものであ
る。
【0046】さらに、図6ないし図9に示す第3実施例
の保護素子Cでは、絶縁基板41の表面に抵抗体用の電
極46,47を形成し、これらの電極46,47にまた
がって抵抗体54を形成し、この抵抗体54の上に下地
層55を形成し、この下地層55の上に可溶合金用の電
極56,57を形成する場合について説明したが、絶縁
基板41の4隅の円弧状切り欠き部42,43,44,
45のうち、一対の対角に位置する切り欠き部42,4
3の近傍に抵抗体54用の電極46,47を形成すると
ともに、他の一対の対角に位置する切り欠き部44,4
5の近傍に可溶合金用の電極56,57を形成した後
に、前記電極46,47にまたがって抵抗体54を形成
し、この電極46,47および抵抗体54の上に下地層
55を形成して、この下地層55の上に前記可溶合金用
の電極56,57に接続固着される可溶合金58を設け
るようにしてもよい。
【0047】また、上記各実施例の保護素子A,B,C
は、いずれもフラックス6、30、59の上方に絶縁キ
ャップ11、31、60を被せて接着剤12,32,6
1で固着封止するものについて説明したが、可溶合金
5,29,58を十分な厚さのフラックス6、30、5
9で覆い、その上に直接流動状態の絶縁樹脂等よりなる
絶縁封止材を塗布またはポッティングにより封止するよ
うにしてもよい。
【0048】
【発明の効果】本発明は以上のように、絶縁基板と、こ
の絶縁基板の表面に離隔して形成された一対の電極と、
この一対の電極間にまたがって接続された可溶合金と、
前記可溶合金に被着されたフラックスと、前記フラック
スを覆って前記絶縁基板に接着固定されている絶縁封止
材とを有する保護素子において、前記可溶合金の形成位
置に、前記絶縁基板よりも溶融した可溶合金に対する濡
れ性の小さい下地層を形成したことを特徴とする保護素
子であるから、可溶合金の溶融時に溶融した可溶合金が
下地層によってはじかれて、迅速に溶断するようにな
り、溶断時にスパークが発生することがなくなる。ま
た、溶融した可溶合金がその表面張力で電極に凝集しや
すくなり、確実に溶断するのみならず、溶断後の可溶合
金間の距離が十分大きくなり、耐電圧が大きくなるとい
う、信頼性の高い保護素子を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の第1実施例の保護素子Aの縦断面図
【図2】 本発明の第1実施例の保護素子Aにおける絶
縁キャップおよびフラックスを除去して内部構造が見え
るようにした状態,すなわちフラックス塗布前の状態の
平面図
【図3】 本発明の第1実施例の保護素子Aの製造工程
ブロック図
【図4】 本発明の第2実施例の保護素子Bの縦断面図
【図5】 本発明の第2実施例の保護素子Bにおける絶
縁キャップおよびフラックスを除去して内部構造が見え
るようにした状態,すなわちフラックス塗布前の状態の
平面図
【図6】 本発明の第3実施例の保護素子Cの縦断面図
【図7】 本発明の第3実施例の保護素子Cにおける絶
縁キャップ,フラックス,可溶合金および下地層を除去
して内部構造が見えるようにした状態,すなわち下地層
形成前の状態の平面図
【図8】 本発明の第3実施例の保護素子Cにおける絶
縁キャップおよびフラックスを除去して内部構造が見え
るようにした状態,すなわちフラックスの塗布前の状態
の平面図
【図9】 本発明の第3実施例の保護素子Cにおける下
面図
【図10】 従来の保護素子の縦断面図
【図11】 従来の保護素子における縁キャップおよび
フラックスを除去して内部構造が見えるようにした状
態、すなわちフラックス塗布前の状態絶の平面図
【符号の説明】
1、21、41 絶縁基板 2、28、55 下地層 3、4、24,25、46、47、56,57 電極 5、29、58 可溶合金 6、30、59 フラックス 7、8 リード 9、10 半田 11、31、60 絶縁キャップ 12、32、61 接着剤 26、27、48、49、52,53 端子部 54 抵抗体

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】絶縁基板と、この絶縁基板の表面に離隔し
    て形成された一対の電極と、この一対の電極間にまたが
    って接続された可溶合金と、前記可溶合金に被着された
    フラックスと、前記フラックスを覆って前記絶縁基板に
    接着固定されている絶縁封止材とを有する保護素子にお
    いて、 前記可溶合金の形成位置に、前記絶縁基板よりも溶融し
    た可溶合金に対する濡れ性の小さい下地層を形成したこ
    とを特徴とする保護素子。
  2. 【請求項2】前記絶縁基板が、セラミックであることを
    特徴とする請求項1記載の保護素子
  3. 【請求項3】前記下地層が、ガラスであることを特徴と
    する請求項1記載の保護素子。
  4. 【請求項4】前記下地層が、ソルダーレジストであるこ
    とを特徴とする請求項1記載の保護素子。
  5. 【請求項5】前記絶縁封止材が、フラックスの上方を覆
    う絶縁キャップであることを特徴とする請求項1記載の
    保護素子。
  6. 【請求項6】前記可溶合金を通電加熱により強制的に溶
    断させる抵抗体を具備することを特徴とする請求項1な
    いし5記載の保護素子。
  7. 【請求項7】前記抵抗体が、絶縁基板の可溶合金が設け
    られた側とは反対側面に設けられていることを特徴とす
    る請求項6記載の保護素子。
  8. 【請求項8】前記抵抗体が、絶縁基板の可溶合金が設け
    られた側と同一面側に設けられていることを特徴とする
    請求項6記載の保護素子。
  9. 【請求項9】前記抵抗体が、絶縁基板の上に形成されて
    おり、この抵抗体の上に下地層が設けられ、この下地層
    の上に可溶合金が設けられていることを特徴とする請求
    項8記載の保護素子。
JP11091491A 1999-03-31 1999-03-31 保護素子 Withdrawn JP2000285777A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11091491A JP2000285777A (ja) 1999-03-31 1999-03-31 保護素子

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11091491A JP2000285777A (ja) 1999-03-31 1999-03-31 保護素子

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2000285777A true JP2000285777A (ja) 2000-10-13

Family

ID=14027896

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11091491A Withdrawn JP2000285777A (ja) 1999-03-31 1999-03-31 保護素子

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2000285777A (ja)

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007511875A (ja) * 2003-11-18 2007-05-10 エーゲーオー エレクトロ・ゲレーテバウ ゲーエムベーハー 過剰温度保護装置の製造方法並びに過剰温度保護装置
JP2007207558A (ja) * 2006-02-01 2007-08-16 Nec Schott Components Corp 可溶合金型温度ヒューズおよび回路保護素子
WO2010084817A1 (ja) 2009-01-21 2010-07-29 ソニーケミカル&インフォメーションデバイス株式会社 保護素子
JP2011124092A (ja) * 2009-12-10 2011-06-23 Kyocera Corp 抵抗温度ヒューズパッケージ、並びに抵抗温度ヒューズ
JP2011134700A (ja) * 2009-11-28 2011-07-07 Kyocera Corp 抵抗温度ヒューズパッケージおよび抵抗温度ヒューズ
JP2011146354A (ja) * 2009-12-17 2011-07-28 Kyocera Corp 抵抗温度ヒューズパッケージ、並びに抵抗温度ヒューズ
WO2014034261A1 (ja) * 2012-08-29 2014-03-06 株式会社村田製作所 ヒューズ
WO2014034262A1 (ja) * 2012-08-29 2014-03-06 株式会社村田製作所 ヒューズ
WO2014199911A1 (ja) * 2013-06-13 2014-12-18 デクセリアルズ株式会社 保護素子、及び保護素子が実装された実装体
JP2015035279A (ja) * 2013-08-07 2015-02-19 デクセリアルズ株式会社 保護素子、及びこれを用いた保護回路基板
JP2015035280A (ja) * 2013-08-07 2015-02-19 デクセリアルズ株式会社 保護回路基板
JP2015035281A (ja) * 2013-08-07 2015-02-19 デクセリアルズ株式会社 保護素子、及びこれを用いた保護回路基板
CN104919563A (zh) * 2013-01-11 2015-09-16 株式会社村田制作所 熔断器
JP2015176708A (ja) * 2014-03-14 2015-10-05 パナソニックIpマネジメント株式会社 回路保護素子およびその製造方法
CN106663567A (zh) * 2014-08-26 2017-05-10 迪睿合株式会社 电路基板及电子部件的安装方法
WO2018068949A1 (de) * 2016-10-12 2018-04-19 Continental Automotive Gmbh Elektronische baugruppe mit einer anordnung zur strombegrenzung
US10032583B2 (en) 2016-02-17 2018-07-24 Dexerials Corporation Protective circuit substrate

Cited By (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007511875A (ja) * 2003-11-18 2007-05-10 エーゲーオー エレクトロ・ゲレーテバウ ゲーエムベーハー 過剰温度保護装置の製造方法並びに過剰温度保護装置
JP2007207558A (ja) * 2006-02-01 2007-08-16 Nec Schott Components Corp 可溶合金型温度ヒューズおよび回路保護素子
EP2390894A4 (en) * 2009-01-21 2014-04-30 Dexerials Corp ELEMENT OF PROTECTION
WO2010084817A1 (ja) 2009-01-21 2010-07-29 ソニーケミカル&インフォメーションデバイス株式会社 保護素子
US9153401B2 (en) 2009-01-21 2015-10-06 Dexerials Corporation Protective device
KR20110117179A (ko) 2009-01-21 2011-10-26 소니 케미카루 앤드 인포메이션 디바이스 가부시키가이샤 보호 소자
EP2390894A1 (en) * 2009-01-21 2011-11-30 Sony Chemical & Information Device Corporation Protection element
JP2011134700A (ja) * 2009-11-28 2011-07-07 Kyocera Corp 抵抗温度ヒューズパッケージおよび抵抗温度ヒューズ
JP2011124092A (ja) * 2009-12-10 2011-06-23 Kyocera Corp 抵抗温度ヒューズパッケージ、並びに抵抗温度ヒューズ
JP2011146354A (ja) * 2009-12-17 2011-07-28 Kyocera Corp 抵抗温度ヒューズパッケージ、並びに抵抗温度ヒューズ
WO2014034262A1 (ja) * 2012-08-29 2014-03-06 株式会社村田製作所 ヒューズ
WO2014034261A1 (ja) * 2012-08-29 2014-03-06 株式会社村田製作所 ヒューズ
JPWO2014034261A1 (ja) * 2012-08-29 2016-08-08 株式会社村田製作所 ヒューズ
CN104584175A (zh) * 2012-08-29 2015-04-29 株式会社村田制作所 熔断器
CN104919563A (zh) * 2013-01-11 2015-09-16 株式会社村田制作所 熔断器
JP2015002030A (ja) * 2013-06-13 2015-01-05 デクセリアルズ株式会社 保護素子、及び保護素子が実装された実装体
WO2014199911A1 (ja) * 2013-06-13 2014-12-18 デクセリアルズ株式会社 保護素子、及び保護素子が実装された実装体
JP2015035281A (ja) * 2013-08-07 2015-02-19 デクセリアルズ株式会社 保護素子、及びこれを用いた保護回路基板
JP2015035280A (ja) * 2013-08-07 2015-02-19 デクセリアルズ株式会社 保護回路基板
JP2015035279A (ja) * 2013-08-07 2015-02-19 デクセリアルズ株式会社 保護素子、及びこれを用いた保護回路基板
JP2015176708A (ja) * 2014-03-14 2015-10-05 パナソニックIpマネジメント株式会社 回路保護素子およびその製造方法
CN106663567A (zh) * 2014-08-26 2017-05-10 迪睿合株式会社 电路基板及电子部件的安装方法
US10032583B2 (en) 2016-02-17 2018-07-24 Dexerials Corporation Protective circuit substrate
WO2018068949A1 (de) * 2016-10-12 2018-04-19 Continental Automotive Gmbh Elektronische baugruppe mit einer anordnung zur strombegrenzung
US11362511B2 (en) 2016-10-12 2022-06-14 Vitesco Technologies GmbH Electronic unit having an assembly for limiting current

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2000285777A (ja) 保護素子
KR100473470B1 (ko) 보호소자
US8767368B2 (en) Protective element and method for producing the same
KR20050099523A (ko) 보호 소자
EP0715328A1 (en) Protective device
US11640892B2 (en) Fuse element and protective element
JP2004265617A (ja) 保護素子
WO2021210536A1 (ja) 保護素子
JP2002184282A (ja) ヒューズ素子及びチップ型ヒューズ
JP2000260280A (ja) 保護素子およびその製造方法
JP2001345035A (ja) 保護素子
JP2001043783A (ja) 保護素子
JP4301474B2 (ja) 保護素子
JP4735874B2 (ja) 保護素子
JP2004363630A (ja) 保護素子の実装方法
JPH0465046A (ja) チップ形ヒューズ抵抗器
JP2000276987A (ja) 保護素子
JP2542570Y2 (ja) チップ型抵抗器
JP2001043781A (ja) 保護素子およびその製造方法
JP2000173802A (ja) チップ型抵抗器の構造
JP2001135213A (ja) 保護素子
JPH02244531A (ja) 基板型温度ヒューズ・抵抗体及びその製造方法
JP3426692B2 (ja) 半導体装置
JPH02244530A (ja) 基板型温度ヒューズ及びその製造方法
JPH1140716A (ja) 半導体装置およびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20060606