JP2001043783A - 保護素子 - Google Patents

保護素子

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JP2001043783A
JP2001043783A JP11214988A JP21498899A JP2001043783A JP 2001043783 A JP2001043783 A JP 2001043783A JP 11214988 A JP11214988 A JP 11214988A JP 21498899 A JP21498899 A JP 21498899A JP 2001043783 A JP2001043783 A JP 2001043783A
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low melting
alloy
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JP11214988A
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Yoshiharu Komori
喜春 小森
Masayasu Nishikawa
正泰 西川
Tokihiro Yoshikawa
時弘 吉川
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Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Kansai Nippon Electric Co Ltd
Original Assignee
Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Kansai Nippon Electric Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 絶縁ケース内に低融点合金を収容して、絶縁
ケースを封止樹脂で封止した保護素子において、封止樹
脂の封止時に加熱を不要とする保護素子を提供する。 【解決手段】 絶縁ケース1内に、一対のリード2,3
に低融点合金4を接合し、低融点合金4の表面にフラッ
クス5を被覆したものを挿通し、絶縁ケース1とリード
2,3との間を、紫外線硬化性の封止樹脂6,7で封止
した。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、保護素子に関し、
より詳細には、特定温度で溶融する可溶合金を有する温
度ヒューズや、可溶合金とこの可溶合金を通電加熱によ
り強制的に溶断させる抵抗体とを有する抵抗体付きヒュ
ーズ等の保護素子に関する。
【0002】
【従来の技術】電子機器等を過熱損傷から保護する保護
素子として、特定温度で動作して回路を遮断する温度ヒ
ューズが用いられている。この種の温度ヒューズには、
感温材として特定温度で溶融する絶縁性の感温ペレット
を用いて、感温ペレットの溶融時に圧縮ばねの伸長によ
り可動接点を固定接点から開離する感温ペレットタイプ
のもの(a)と、感温材として特定温度で溶融する低融
点合金を用いて、この低融点合金に通電し、低融点合金
の溶融によって回路を遮断する低融点合金タイプ(b)
とがある。また、低融点合金と抵抗体とを具備し、抵抗
体の通電加熱により低融点合金を強制的に溶断させる抵
抗体付きの保護素子(c)もある。本発明は、前記bタ
イプやcタイプの保護素子の改良に関するものであるか
ら、以下、そのようなタイプのものについて説明する。
前記bタイプの保護素子としては、例えば実開昭57−
141346号公報に開示されている。また、cタイプ
の保護素子としては、例えば実開昭58−52848号
公報に開示されている。そして、前記bタイプおよびc
タイプの保護素子を薄型構造にしたものもある。
【0003】まず、前記bタイプの温度ヒューズについ
て、図10および図11を用いて説明する。図10は、
従来の最も一般的なアキシャルタイプの温度ヒューズE
の縦断面図を示す。図10において、81はアルミナセ
ラミック等よりなる円筒形の絶縁ケースで、その中心軸
に沿って、一対のリード82,83間に特定温度で溶融
する低融点合金84が溶接一体化され、低融点合金84
の表面をフラックス85で被覆した棒状体が挿通されて
おり、前記絶縁ケース81とリード82,83間をエポ
キシ樹脂等の封止樹脂86,87で封止した構造を有す
る。
【0004】この温度ヒューズEにおいては、リード8
2,83を電気機器ないし電子機器(以下、単に電子機
器という)と直列に接続することにより、リード82−
低融点合金84−リード83を通って、電子機器に通電
する。電子機器の異常により、周囲温度が上昇すると、
まず、フラックス85が溶融して、低融点合金84の表
面を清浄化および活性化して、低融点合金84の溶融に
備える。周囲温度がさらに上昇すると、低融点合金84
が溶融し、表面張力によってリード82,83に引き寄
せられて、図11に示すように球状化した低融点合金8
4a,84bとなるため、回路が遮断され、電子機器へ
の通電が遮断される。これによって、周囲温度が下降し
ても、球状化した低融点合金84a,84bは、元の形
状には復元しないため、回路は遮断されたままとなり、
いわゆる非復帰型の保護素子として機能する。
【0005】次に、図12は従来の薄型構造の温度ヒュ
ーズFの縦断面図を示し、図13は前記温度ヒューズF
の絶縁キャップおよびフラックスを除去して内部構造が
見えるようにした状態,すなわちフラックス塗布前の平
面図である。図12および図13において、91はアル
ミナ等のセラミックからなる矩形状の絶縁基板で、その
一方の面の長手方向の両端部に銀ペーストや銀−パラジ
ウムペースト等の導電ペーストの塗布焼成により形成し
た一対の電極92,93を有する。前記一対の電極9
2,93の内方端間にまたがって特定温度で溶融する低
融点合金94が接続固着されており、この低融点合金9
4の表面はフラックス95で被覆されている。また、前
記一対の電極92,93の各外方端には板状のリード9
6,97が半田98,99により接続固着されている。
そして、前記低融点合金94およびフラックス95部分
に、セラミックや樹脂等よりなる絶縁キャップ100を
被せて、この絶縁キャップ100の下端はエポキシ樹脂
等の封止樹脂101によって絶縁基板91に固着封止さ
れている。
【0006】次に、上記温度ヒューズFの使用方法につ
いて説明する。上記温度ヒューズFをそのリード96,
97を介して電子機器に直列接続する。すると、周囲温
度が正常範囲内にあれば、リード96−電極92−低融
点合金94−電極93−リード97を介して電子機器に
通電される。電子機器の異常等に起因して周囲温度が上
昇して低融点合金94の融点近くになると、フラックス
95が軟化溶融して低融点合金94の表面を活性化し
て、低融点合金94の溶融の準備状態となる。周囲温度
がさらに上昇して低融点合金94の融点に達すると、低
融点合金94が溶融してその表面張力によって、電極9
2,93に引き寄せられて、中央部から溶断し、通電が
遮断される。(動作後の状態は図示省略)それによっ
て、周囲温度が下降しても、電極92,93に引き寄せ
られて球状化した低融点合金94a,94bは、元の状
態に復元しないので、いわゆる非復帰型の保護素子とし
て機能する。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】上記温度ヒューズE,
Fにおいて、絶縁ケース81とリード82,83との間
を封止する封止樹脂86,87や、絶縁基板91と絶縁
キャップ100との間を封止する封止樹脂101とし
て、常温硬化型樹脂を用いると、硬化に長時間を必要と
して、製造能率が悪いので、一般にエポキシ樹脂等の熱
可塑性樹脂を使用しており、封止時に封止樹脂を加熱硬
化させていた。そして、封止時の加熱温度を高くすれば
するほど、封止樹脂46,47,81の硬化に必要な時
間が短くなるため、加熱温度はますます高く成る傾向に
あった。ところが、最近のように、動作温度が60〜9
0℃といった低動作温度の温度ヒューズになると、封止
時の加熱温度によって、低融点合金84や94が不所望
に溶融して誤動作したり、誤動作にまでは至らないとし
ても軟化して動作特性が変化するという問題点があっ
た。このような不都合は、上記の低融点合金のみを有す
る温度ヒューズと称される保護素子E,Fのみならず、
可溶合金と通電加熱によりこの可溶合金を強制的に溶断
させる抵抗体とを具備する,いわゆる抵抗付きヒューズ
と称される保護素子においても、同様に生じることがあ
った。
【0008】そこで、本発明は、絶縁ケースを封止する
封止樹脂の封止時に加熱が不要で、したがって封止時に
低融点合金や可溶合金の溶融による誤動作や、誤動作に
までには至らないとしても軟化による動作特性の変化が
生じない電流ヒューズや温度ヒューズや抵抗付きヒュー
ズ等の保護素子を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明は、絶縁ケース
と、この絶縁ケース内に収容された低融点合金と、前記
絶縁ケースを封止する封止樹脂とを有する保護素子にお
いて、前記封止樹脂として、紫外線硬化性樹脂を用いた
ことをことを特徴とする保護素子である。
【0010】
【発明の実施の形態】本発明の請求項1記載の発明は、
絶縁ケースと、この絶縁ケース内に収容された低融点合
金と、前記絶縁ケースを封止する封止樹脂とを有する保
護素子において、前記封止樹脂として、紫外線硬化性樹
脂を用いたことを特徴とする保護素子である。低融点合
金を具備する保護素子における封止樹脂として、紫外線
硬化性樹脂を用いたことによって、紫外線照射により封
止樹脂の硬化ができるため、低融点合金の誤溶融を生じ
ることなく短時間で封止できる。
【0011】本発明の請求項2記載の発明は、一対のリ
ードと、このリード間を橋絡する低融点合金と、この低
融点合金を被覆するフラックスと、前記低融点合金およ
びフラックスを収容する絶縁ケースと、前記リードと絶
縁ケースとの間を封止する封止樹脂とを有する保護素子
において、前記封止樹脂として、紫外線硬化性樹脂を用
いたことを特徴とする保護素子である。リード付き保護
素子の封止樹脂として、紫外線硬化性樹脂を用いたこと
によって、紫外線照射により封止樹脂の硬化ができるた
め、低融点合金の誤溶融を生じることなく短時間で封止
できる。
【0012】本発明の請求項3記載の発明は、絶縁基板
と絶縁キャップとで構成される絶縁ケースと、この絶縁
基板の表面に離隔して形成された一対の電極と、この一
対の電極間にまたがって接続された低融点合金と、前記
低融点合金に被着されたフラックスとを有し、前記絶縁
キャップが前記フラックスを覆って前記絶縁基板に封止
樹脂により接着固定されている保護素子において、前記
封止樹脂として、紫外線硬化性樹脂を用いたことを特徴
とする保護素子である。絶縁キャップ封止型の保護素子
における封止樹脂として、紫外線硬化性樹脂を用いたこ
とによって、紫外線照射により封止樹脂の硬化ができる
ため、低融点合金の誤溶融を生じることなく短時間で封
止できる。
【0013】本発明の請求項4記載の発明は、前記紫外
線硬化性樹脂が、紫外線硬化型樹脂であることを特徴と
する請求項1ないし3記載の保護素子である。紫外線硬
化性樹脂を用いたことによって、紫外線照射により封止
樹脂の硬化ができるため、低融点合金の誤溶融を生じる
ことなく短時間で封止できる。
【0014】本発明の請求項5記載の発明は、前記紫外
線硬化性樹脂が、紫外線硬化付与型樹脂であることを特
徴とする請求項1ないし3記載の保護素子である。紫外
線硬化性樹脂として、紫外線硬化性に嫌気硬化性付与,
加熱硬化性付与,湿気硬化性付与,プライマ硬化性付与
等の紫外線硬化付与型樹脂を用いることにより、紫外線
の照射ができない部分や照射が不十分な部分の封止樹脂
も確実に硬化できる。
【0015】本発明の請求項6記載の発明は、前記絶縁
ケースまたは絶縁キャップが、紫外線透過性を有する材
質で形成されていることを特徴とする請求項1ないし5
記載の保護素子である。絶縁ケースまたは絶縁キャップ
が、紫外線透過性を有する材質で形成されていることに
より、紫外線が直接照射される部分のみならず、絶縁ケ
ースまたは絶縁キャップを透過した紫外線によっても封
止樹脂が硬化できるので、硬化を容易かつ確実に短時間
で行うことができる。
【0016】本発明の請求項7記載の発明は、前記保護
素子が、その低融点合金が特定温度で溶融する温度ヒュ
ーズであることを特徴とする請求項1ないし6記載の保
護素子である。特定温度で溶融する低融点合金を有する
温度ヒューズにおいても、封止樹脂の硬化時に低融点合
金が誤溶融することがない。
【0017】本発明の請求項8記載の発明は、前記保護
素子が、可溶合金と、通電によりこの可溶合金を強制的
に溶断させる抵抗体とを有する抵抗付きヒューズである
ことを特徴とする請求項1ないし6記載の保護素子であ
る。可溶合金と、通電によりこの可溶合金を強制的に溶
断させる抵抗体とを有する抵抗付きヒューズにおいて
も、封止樹脂の硬化時に低融点合金が誤溶融することが
ない。
【0018】
【実施例1】本発明の実施例について、以下、図面を参
照して説明する。図1は本発明の第1実施例の温度ヒュ
ーズからなる保護素子Aの縦断面図を示す。図1におい
て、1はアルミナ等のセラミックよりなる円筒形の絶縁
ケースで、その中心軸に沿って、一対のリード2,3間
に特定の温度で溶融する低融点合金4が一体に溶接さ
れ、低融点合金4の表面にフラックス5が被覆されたも
のが挿通され、前記絶縁ケース1とリード2,3間が、
例えばアクリル酸エステルまたはメタアクリル酸エステ
ルを主成分とする紫外線硬化性樹脂よりなる封止樹脂
6,7によって封止されている。この保護素子Aにおい
ては、封止樹脂6,7として、例えばアクリル酸エステ
ルまたはメタアクリル酸エステルを主成分とする紫外線
硬化性樹脂を用いて、2000〜7000mj/cm2
の紫外線を照射して硬化しているので、封止時に加熱が
不要であり、したがって、封止樹脂6,7の封止時に、
低融点合金4が溶融して誤動作したり、軟化して動作特
性が変化するといった不都合がなくなる。なお、絶縁ケ
ース1として、上記実施例に示したアルミナセラミック
製のものを用いれば、絶縁ケース1が紫外線を透過する
ので、封止樹脂6,7は、紫外線が直接照射されるその
露出表面のみならず、絶縁ケース1を透過した紫外線に
よって、絶縁ケース1の内部部分も透過紫外線によって
硬化される。絶縁ケース1としては、アルミナセラミッ
ク製のみならず、ガラス製,特に不純物として含まれる
酸化鉄を0.01%以下に抑えて紫外線透過率を高めた
紫外線透過ガラス製や、紫外線透過型の樹脂を用いて
も、同様の効果が得られる。なお、本発明において、紫
外線硬化性樹脂とは、紫外線照射によって硬化する,い
わゆる紫外線硬化型樹脂のみならず、紫外線の照射によ
って硬化する紫外線硬化型とともに嫌気硬化性付与,加
熱硬化性付与,湿気硬化性付与,プライマー硬化性付与
等の紫外線以外の他の手段による硬化性とを併用するこ
とによって、紫外線の照射される部分は紫外線硬化によ
り、紫外線の照射されない部分は他の手段による硬化性
によって硬化されるものであってもよい。そのような場
合、仮に加熱硬化性付与のものであっても、加熱硬化性
のみで硬化する,いわゆる加熱硬化型のものに比較し
て、加熱温度は著しく低くてよく、あるいは加熱時間は
著しく短くてよいため、封止樹脂の硬化時に低融点合金
が誤溶融するようなことはない。
【0019】
【実施例2】図2は本発明の第2実施例の薄型温度ヒュ
ーズからなる保護素子Bの縦断面図を示し、図3は前記
保護素子Bの絶縁キャップおよびフラックスを除去して
内部構造が見えるようにした状態,すなわちフラックス
塗布前の状態の平面図を示す。図2および図3に示す保
護素子Bにおいて、11はアルミナセラミック等よりな
る絶縁基板で、その一方の面の両端部に、銀ペーストや
銀パラジウムペースト等よりなる導電ペーストを塗布焼
成して一対の電極12,13が形成されている。前記一
対の電極12,13の内方端部には、特定温度で溶融す
る低融点合金14が接続固着されている。この低融点合
金14は、それよりも若干低い軟化点を有するフラック
ス15によって被覆されている。前記一対の電極12,
13の外方端部には、リード16,17が半田18,1
9により接続されている。さらに、前記フラックス15
の上方から、セラミック,樹脂,ガラス等よりなり、望
ましくは紫外線透過性を有する絶縁キャップ20が被せ
られ、紫外線硬化性樹脂よりなる封止樹脂21によって
固着封止されている。なお、電極12,13の表面に、
銀層や金層や半田層を形成して、低融点合金14の接続
固着性やリード16,17の半田付け性を改善するよう
にしてもよい。この実施例においても、封止樹脂21と
して、紫外線硬化性樹脂を用いているので、封止時に加
熱が不要であり、低融点合金14の溶融による誤動作
や、軟化による動作特性の変動が防止できる。
【0020】
【実施例3】図4は本発明の第3実施例の薄型温度ヒュ
ーズからなる保護素子Cの縦断面図を示し、図5はその
絶縁キャップおよびフラックスを除去した状態,すなわ
ちフラックスの塗布前の状態を示す平面図である。本実
施例の保護素子Cは、リードレス構造,換言すれば表面
実装構造にしたものである。図において、31はアルミ
ナセラミック等からなる矩形状の絶縁基板で、その長手
方向の両端部に切欠部32,33が形成されており、両
端近傍に銀ペーストまたは銀−パラジウムペースト等の
導電ペーストを塗布焼成してなる電極34,35が形成
されている。これらの電極34,35は、前記切欠部3
2,33を通って絶縁基板31の裏面に前記同様の導電
ペーストを塗布焼成して形成された端子部36,37に
接続されている。
【0021】前記電極34,35間の絶縁基板31の表
面には、絶縁基板31よりも溶融した低融点合金に対す
る濡れ性が悪いガラス等よりなる下地層38が、前記電
極34,35に重ね合わせることなく、しかも電極3
4,35とほぼ同一厚さに形成されている。このよう
に、下地層38を前記電極34,35間に形成する理由
は、第1に、後述する低融点合金が溶融した際に、溶融
した低融点合金が、絶縁基板31に対するよりも下地層
38に対する濡れ性が悪いことを利用して、容易かつ確
実に球状化して、保護素子としての動作が迅速かつ確実
になることにある。第2に、前記電極34,35および
端子部36,37を形成する導電ペーストとして、前記
下地層38形成用のガラスペースト等の焼成温度よりも
高い焼成温度の導電ペーストの採用が可能になることに
ある。そのような場合、下地層38の形成前に、絶縁基
板31に対して導電ペーストを十分高温で焼成して形成
でき、電極34,35および/または端子部36,37
の絶縁基板31に対する密着強度を大きくできることに
ある。第3に、図4からも明らかなように、下地層38
を電極34,35と同一厚さまたはほぼ同一厚さに形成
することにより、電極34,35と下地層38との段差
がなくなるかまたは小さくなることである。
【0022】前記電極34,35の内方端部には、前記
下地層38に接して特定温度で溶融する低融点合金39
が接続固着されている。ここで、前述のとおり、電極3
4,35と下地層38との段差がないかまたは小さいの
で、低融点合金39と下地層38との間に隙間が形成さ
れることがない。それによって、周囲温度に応じた絶縁
基板31からの温度が低融点合金39に正確かつ迅速に
伝導され、より正確な動作を保証できるようになる。
【0023】この低融点合金39は全面がフラックス4
0によって被覆されている。前述のとおり、電極34,
35と下地層38との段差がないか小さいので、低融点
合金39の上面は平坦であり、低融点合金39全体の上
に十分かつ均一な厚さのフラックス40を、容易かつ確
実に形成することができる。
【0024】さらに、前記フラックス40の上方は、セ
ラミックや樹脂やガラス等よりなる絶縁キャップ41に
よって覆われ、その下端部は紫外線硬化性を有する封止
樹脂42によって、絶縁基板31の表面に固着封止され
ている。
【0025】なお、前記電極34,35および/または
端子部36,37は、導電ペースト中の導電性成分であ
る銀や銀−パラジウムそのもののままでもよいが、その
上に銀層や金層や半田層を形成して、可溶合金39の接
続固着性や保護素子Cのプリント基板等の取付体への実
装性を向上するようにしてもよい。
【0026】このようなリードレス構成の第3実施例の
保護素子Cによれば、裏面の端子部36,37を利用し
てプリント基板等の取付基板に表面実装できるのみなら
ず、電極34,35にリードの接続スペースが不要にな
るため、その面積を図2および図3に示すリード付き保
護素子Bの電極12,13の面積よりも小さくでき、全
体が小型できるし、銀ペーストや銀−パラジウムペース
ト等の高価な導電ペーストの使用量が低減でき、コスト
低減できるという特有の作用効果を奏する。
【0027】次に、本発明の第4の実施例の保護素子D
について説明する。本第4実施例の保護素子Dは、リー
ドレス構造,換言すれば表面実装構造であって、かつ可
溶合金と、通電加熱によりこの可溶合金を強制的に溶断
させる抵抗体とを具備することを特徴とする抵抗付きヒ
ューズに関するものである。図6は、本発明の第4実施
例の保護素子Dの縦断面図である。図7はその絶縁キャ
ップ,フラックス,可溶合金および下地層を除去した状
態,すなわち下地層形成前の状態を示す平面図である。
図8はその絶縁キャップおよびフラックスを除去した状
態,すなわちフラックスの塗布前の状態を示す平面図で
ある。図9はその下面図である。
【0028】図6ないし図9において、51はアルミナ
セラミック等よりなる略矩形状の絶縁基板で、4隅に円
弧状の切欠部52,53,54,55を有する。この絶
縁基板51の長手方向の両端部近傍には、銀ペーストや
銀−パラジウムペースト等の導電ペーストの塗布焼成し
て一対の抵抗体用の電極56,57が形成されている。
これらの電極56,57には、一対の対角に位置する円
弧状の切欠部52,53に向かって延在して形成されて
おり、さらに円弧状の切欠部52,53の端面を通っ
て、裏面に銀ペーストや銀−パラジウムペースト等の導
電ペーストを塗布焼成して形成された端子部58,59
に接続されている。
【0029】また、絶縁基板51の表面の他の一対の対
角に位置する円弧状の切欠部54,55の近傍部には、
銀ペーストや銀−パラジウムペースト等の導電ペースト
を塗布焼成して可溶合金用の電極60,61が形成され
ている。これらの電極60,61は円弧状の切欠部5
4,55の端面を通って、裏面に銀ペーストや銀−パラ
ジウムペースト等の導電ペーストを塗布焼成して形成さ
れた端子部62,63に接続されている。
【0030】前記抵抗体用の電極56,57にまたがっ
て、例えばガラスペースト中に酸化ルテニウム等の抵抗
体微粒子を混入した抵抗ペーストを塗布焼成してなる抵
抗体64が形成されている。前記電極56,57および
抵抗体64の全面は、例えばガラスペースト等を塗布焼
成して平滑な表面に形成した、絶縁基板51よりも溶融
した可溶合金の濡れ性が小さい下地層65より被覆され
ている。前記下地層65は、導電ペーストの塗布焼成に
より前記電極56,57,60,61および/または端
子部58,59,62,63を形成した後に形成しても
よいし、導電ペーストの塗布により前記電極56,5
7,60,61および/または端子部58,59,6
2,63を形成した後、その焼成前にガラスペースト等
を塗布して下地層65を形成し、その後、前記電極5
6,57および/または端子部58,59,62,63
と同時に焼成して形成するようにしてもよい。
【0031】前記下地層65上には、銀ペーストや銀−
パラジウムペースト等の導電ペーストを塗布焼成して可
溶合金用の電極66,67が形成されている。これらの
電極66,67は、絶縁基板51の他の一対の対角の切
欠部54,55に向かって延びて、前記図7で説明した
電極60,61に接続されている延在部を有する。した
がって、前記可溶合金用の電極66,67は、円弧状の
切欠部54,55の端面を通って、裏面に形成された端
子部62,63に接続されている。
【0032】前記可溶合金用の電極66,67にまたが
って、可溶合金68が接続固着されている。この可溶合
金68は、図1に示す第1実施例の保護素子A、図2お
よび図3に示す第2実施例の保護素子Bおよび図4およ
び図5に示す第3実施例の保護素子Cにおける低融点合
金4,14および39と異なり、任意の溶融点のもので
よい。この可溶合金68は全面がフラックス69により
被覆されている。前記フラックス69の上方からは望ま
しくは紫外線透過性を有する絶縁キャップ70が被せら
れ、その下端は紫外線硬化性樹脂よりなる封止樹脂71
によって絶縁基板51の表面に接着封止されている。
【0033】絶縁基板51の裏面側の前記各端子部5
8,59,62,63は、導電ペースト中の導電成分で
ある銀や銀−パラジウム等のままであってもよいが、表
面実装のためにそれぞれ銀層や金層を形成してもよい
し、半田層72,73,74,75を形成しておいても
よい。
【0034】本第4実施例の保護素子Dにおいても、本
発明所期の作用効果が得られるのみならず、抵抗体64
の通電加熱により、可溶合金68が強制的に溶断できる
ので、可溶合金68の融点は前記第1,第2,第3実施
例の保護素子A,B,Cにおける低融点合金4,14お
よび39ほど厳密な精度が要求されなくなるのみなら
ず、保護素子Dのプリント基板等の取付基板への表面実
装温度に対して十分高い融点の可溶合金68が採用可能
になるため、保護素子Dの実装時の温度で可溶合金68
が誤溶融ないし軟化するといった不都合がなくなるとい
う特有の作用効果を奏する。
【0035】次に、上記第4実施例の保護素子Dの使用
方法例について説明する。上記の保護素子Dにおいて、
抵抗体64をその端子部58,59を利用して、例え
ば、温度,電圧,電流等の検知素子の検知動作によって
導通状態となるスイッチング素子(図示省略)を介して
電源に接続しておく。また、可溶合金68をその端子部
62,63を利用して、電子機器(図示省略)等に接続
して、通電するようにしておく。
【0036】すると、検知対象の温度,電圧,電流等が
予め設定された正常範囲内であれば、検知素子が検知動
作することなく、したがって、スイッチング素子が非導
通状態のままであるため、抵抗体64に通電されること
がなく、したがって、可溶合金68は加熱されないの
で、可溶合金68を介して電子機器に継続して通電され
る。
【0037】しかしながら、検知対象の温度,電圧,電
流等が予め設定された正常範囲を超える異常状態になる
と、検知素子がそれを検知して、スイッチング素子を導
通状態にし、抵抗体64に通電を開始する。この抵抗体
64への通電開始によって、抵抗体64が発熱し、その
発生熱で可溶合金68が溶断して、電子機器への通電が
停止される。この可溶合金68の溶断時にも、下地層6
5によって、溶融した可溶合金をはじくため、その表面
張力による球状化が容易で、確実に溶断できるという作
用効果が得られる。
【0038】なお、本発明の上記各実施例は、特定の構
造のものについて説明したが、本発明は上記実施例に示
した構造に限定されるものではなく、本発明の精神を逸
脱しない範囲で、各種の変形が可能であることはいうま
でもない。
【0039】例えば、図4および図5に示す第3実施例
の保護素子Cおよび図6ないし図9に示す第4実施例の
保護素子Dで、下地層38,65をガラスで構成する場
合について説明したが、図2および図3に示す第2実施
例において下地層を形成してもよい。
【0040】また、図4および図5に示す第3実施例の
保護素子Cおよび図6ないし図9に示す第4実施例の保
護素子Dで、絶縁基板31,51をアルミナセラミック
で構成し、下地層38,65をガラスで構成する場合に
ついて説明したが、絶縁基板11,31,51をガラス
セラミックまたはガラスで構成し、下地層38,65を
それよりも低融点で、かつ溶融した低融点合金14,3
9,68の濡れ性が小さいガラス,樹脂で構成するよう
にしてもよいし、絶縁基板11,31,51を樹脂で構
成し、下地層38,65をそれよりも低融点で、かつ溶
融した可溶合金14,39,68の濡れ性が小さい樹脂
で構成してもよい。
【0041】また、図6ないし図9に示す第4実施例の
保護素子Dでは、抵抗体64を絶縁基板51の可溶合金
68の接続固着面側と同一面側に設ける場合について説
明したが、可溶合金68の固着面側とは反対面側に設け
てもよい。この場合、抵抗体64の表面には、絶縁層を
形成することが望ましい。この絶縁層は、抵抗体64が
プリント儀版等の取付基板の配線層や実装部品と短絡ま
たは耐電圧不良を起こさないようにするためのものであ
る。
【0042】さらに、図6ないし図9に示す第4実施例
の保護素子Dでは、絶縁基板51の表面に抵抗体用の電
極56,57を形成し、これらの電極56,57にまた
がって抵抗体64を形成し、この抵抗体64の上に下地
層65を形成し、この下地層65の上に可溶合金用の電
極66,67を形成する場合について説明したが、絶縁
基板51の4隅の円弧状切欠部52,53,54,55
のうち、一対の対角に位置する切欠部52,53の近傍
に抵抗体64用の電極56,57を形成するとともに、
他の一対の対角に位置する切欠部54,55の近傍に可
溶合金用の電極66,67を形成した後に、前記電極5
6,57にまたがって抵抗体64を形成し、この電極5
6,57および抵抗体64の上に下地層65を形成し
て、この下地層65の上に前記可溶合金用の電極66,
67に接続固着される可溶合金68を設けるようにして
もよい。
【0043】また、上記各実施例は、低融点合金4,1
4,39や可溶合金68の表面をフラックス5,15,
40,69で被覆した温度ヒューズや抵抗付きヒューズ
よりなる保護素子A,B,C,Dについて説明したが、
低融点合金の表面にフラックスを被覆しない電流ヒュー
ズにおいても、同様に実施できるものである。
【0044】
【発明の効果】本発明は以上のように、絶縁ケースと、
この絶縁ケース内に収容された低融点合金と、前記絶縁
ケースを封止する封止樹脂とを有する保護素子におい
て、前記封止樹脂として、紫外線硬化性樹脂を用いたこ
とを特徴とする保護素子であるから、封止樹脂による封
止時に加熱が不要であり、加熱に伴う低融点合金や可溶
合金の溶融による誤動作や、誤動作にまでは至らないま
でも軟化して、動作特性が変動するといったことがない
保護素子を提供できる。また、封止樹脂が、紫外線硬化
型に加熱硬化性付与のものであっても、加熱のみによっ
て硬化する,いわゆる加熱硬化型のものに比較して、加
熱温度が著しく低いか、あるいは加熱時間が著しく短時
間でよいため、低融点合金や可溶合金の誤溶融は生じな
い。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の第1実施例の保護素子Aの縦断面図
【図2】 本発明の第2実施例の保護素子Bの縦断面図
【図3】 本発明の第2実施例の保護素子Bにおける絶
縁キャップおよびフラックスを除去して内部構造が見え
るようにした状態,すなわちフラックス塗布前の状態の
平面図
【図4】 本発明の第3実施例の保護素子Cの縦断面図
【図5】 本発明の第3実施例の保護素子Cにおける絶
縁キャップおよびフラックスを除去して内部構造が見え
るようにした状態,すなわちフラックス塗布前の状態の
平面図
【図6】 本発明の第4実施例の保護素子Dの縦断面図
【図7】 本発明の第4実施例の保護素子Dにおける絶
縁キャップ,フラックス,可溶合金および下地層を除去
して内部構造が見えるようにした状態,すなわち下地層
形成前の状態の平面図
【図8】 本発明の第4実施例の保護素子Dにおける絶
縁キャップ,フラックスを除去して内部構造が見えるよ
うにした状態,すなわち可溶合金の接続固着後の状態の
平面図
【図9】 本発明の第4実施例の保護素子Dにおける下
面図
【図10】 従来のアキシャルタイプの保護素子Eの縦
断面図
【図11】 従来のアキシャルタイプの保護素子Eの動
作後の縦断面図
【図12】 従来の薄型保護素子Fの縦断面図
【図13】 従来の薄型保護素子Fのにおけるフラック
ス塗布前の状態,すなわち絶縁キャップおよびフラック
スを除去して内部構造が見えるようにした状態の平面図
【符号の説明】
1 絶縁ケース 2、3、16、17 リード 4、14、39 低融点合金 5、15、40、69 フラックス 6、7、21、42、71 封止樹脂 11、31、51 絶縁基板 12、13、34、35、56、57、66、67 電
極 20、41、70 絶縁キャップ 36、37、58、59、62,63 端子部 38、65 下地層 64 抵抗体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 5G502 AA02 BA03 BA04 BA08 BB10 BB13 BD02 BD05 BD13 CC11 EE01

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】絶縁ケースと、この絶縁ケース内に収容さ
    れた低融点合金と、前記絶縁ケースを封止する封止樹脂
    とを有する保護素子において、前記封止樹脂として、紫
    外線硬化性樹脂を用いたことを特徴とする保護素子。
  2. 【請求項2】一対のリードと、このリード間を橋絡する
    低融点合金と、この低融点合金を被覆するフラックス
    と、前記低融点合金およびフラックスを収容する絶縁ケ
    ースと、前記リードと絶縁ケースとの間を封止する封止
    樹脂とを有する保護素子において、前記封止樹脂とし
    て、紫外線硬化性樹脂を用いたことを特徴とする保護素
    子。
  3. 【請求項3】絶縁基板と絶縁キャップと構成される絶縁
    ケースと、この絶縁基板の表面に離隔して形成された一
    対の電極と、この一対の電極間にまたがって接続された
    低融点合金と、前記低融点合金に被着されたフラックス
    とを有し、前記絶縁キャップが前記フラックスを覆って
    前記絶縁基板に封止樹脂により接着固定されている保護
    素子において、前記封止樹脂として、紫外線硬化性樹脂
    を用いたことを特徴とする保護素子。
  4. 【請求項4】前記紫外線硬化性樹脂が、紫外線硬化型樹
    脂であることを特徴とする請求項1ないし3記載の保護
    素子。
  5. 【請求項5】前記紫外線硬化性樹脂が、紫外線硬化付与
    型樹脂であることを特徴とする請求項1ないし3記載の
    保護素子。
  6. 【請求項6】前記絶縁ケースが、紫外線透過性を有する
    材質で形成されていることを特徴とする請求項1ないし
    3記載の保護素子。
  7. 【請求項7】前記保護素子が、その低融点合金が特定温
    度で溶融する温度ヒューズであることを特徴とする請求
    項1ないし6記載の保護素子。
  8. 【請求項8】前記保護素子が、低融点合金と、通電によ
    りこの低融点合金を強制的に溶断させる抵抗体とを有す
    る抵抗付きのものであることを特徴とする請求項1ない
    し7記載の保護素子。
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