KR810002375Y1 - 고체전해 콘덴서 - Google Patents

Abstract

내용 없음.

Description

고체전해 콘덴서

제1도는 종래의 고체 전해 콘덴서를 설명하기 위해 도시한 제2도 Ⅰ-Ⅰ선의 단면도.

제2도는 제1도의 콘덴서의 저면도.

제3도는 본 고안의 1실시예에 관한 고체전해 콘덴서를 설명하기 위해 도시한 제4도의 Ⅲ-Ⅲ선 단면도.

제4도는 제3도의 콘덴서의 저면도.

제5도는 제3도의 콘덴서의 정면도.

제6도는 음극 리이드선의 사시도.

본 고안은 콘덴서 내부의 양극 및 음극과 접속단자용의 한쌍의 리이드선과를 종래의 납땜 수단에 의하지 않고 결합한 고체 전해 콘덴서에 관한 것이다.

일반적으로 양극으로서 사용하는 금속 펠렛트에 산화피박을 형성하고, 그 둘레에 반도체 금속산화물층, 그라파이트층을 순차로 겹처서 얻어지는 고체 전해 콘덴서는 특히 그 음극과 리이드선과의 결합이 어렵기 때문에, 최외주(最外周)의 그라파이트층의 위에 은페인트를 도포하여 금속화층을 형성하고, 이 금속화층에 음극 리이드선을 접촉시켜서 납땜 침지에 의하여, 이들의 납땜 결함을 행하는 것이 통례였다.

이와 같은 납땜 결합은 그 콘덴서를 전기회로에 조합시키기 위한 납땜 접속시에, 용융하는 결점을 종종 야기시키나, 한편 이 납땜결합을 위하여 사용하는 고가인 은페인트는 고체 전해 콘덴서의 품질개선에 거의 이바지하는 바가 없기 때문에 우수한 특성을 지닌 고체 전해 콘덴서의 전극 구성법으로서는 전혀 합리성을 갖지 못하는 것이며 콘덴서의 내부결합에 사용한 납땜의 용융사고를 없애는 새로운 전극 구성법을 확립하는 것은 공업적으로 대단히 중요한 것이다.

이같은 새로운 관점에서 전극 구성법을 추구함에 있어서 본 고안은 매우 간단한 구조로 됨과 동시에 고체 전해 콘덴서의 전극 구성으로서 종래와 비교할 수 없는 높은 수준의 합리성이 성취되었다.

종래의 고체 전해 콘덴서는 일반적으로 제1도 및 제2도에 나타내는 바와 같이 탄탈, 알미늄, 티탄, 니오브 등의 금속판 또는 분말 소결체(燒結體)로 이루어지는 양극 산화피막이 형성 가능한 예로서 4.5×4.5×1.0mm의 금속펠렛트(1)와, 이 금속펠렛트(1)에 용접 또는 매입 등으로 고착된 양극 리이드선(2)과, 금속 펠렛트(1)의 외주면, 예로서 적어도 한쪽의 주면(主面)(1a)과 다른 쪽의 주면(1b)에 형성된 약 30㎛의 양극산화피막(3)과, 이 양극산화피막(3) 위에 형성된 2산화망간 등으로 이루어진 약 0.1mm의 두께의 반도체 금속산화물층(4)과, 이 금속산화물층(4) 위에 형성된 약 0.2mm의 그라파이트층(5)과, 음극 리이드선 접착을 위하여 그라파이트층(5) 위에 형성한 약 50㎛의 은피막층 등에서 이루어지는 금속화층(도시 생략)과, 납땜통에 침지하는 것 등에 의하여 금속화층상에 약 0.1mm의 납땜(도시 생략)으로 접착된 1.5×2.5×0.3mm의 편평결합부와 0.5mmØ×31mm 길이의 인출부로서 이루는 음극 리이드선(6)과, 침지에 의하여 형성조차약 0.1mm 두께의 2액성 에폭시 수지 등에서 이루어진 내침특성(耐浸特性)의 우수한 피복용의 제1의 절연층(7)과, 기계적강도를 증대시키기 위해서 본체 에폭시 수지 등을 이용하여 형성한 약 0.4mm 두께의 제2의 절연층(8)으로서 이루어진다. 그런데 이 종류의 콘덴서를 프린트 기판등에 납땜 접속하기 위해서 고온도(예컨대 270℃)로 장시간(예컨대 3-5sec.) 가열하면 음극 리이드선(6) 내부의 납땜층까지 전하여져서, 납이 녹고 음극 리이드선(6)을 통하여 취출하여 음극 리이드선의 접촉불량으로 되며 용량이 빠져나간다는 결점이 있다.

또 종래의 콘덴서에 있어서는 제2도에 나타낸 바와 같이 양극 리이드선(2)과 음극 리이드선(6)과의 양쪽이 소자의 중앙에 도출되어 있지 않기 때문에 프린트 기판 등에 장착시키기 어렵다는 결점이 있었다.

그래서 본 고안의 목적은, 상기한 바와 같은 결점을 해결한 고체 전해 콘덴서를 제공하는데 있다.

종래의 구조와 다른 본 고난은 양극 산화피막형성이 가능한 금속펠렛트와, 상기 금속펠렛트의 한쪽의 주면과 다른 쪽의 주면과의 사이의 중심선에 일치하여 뻗도록 상기 금속펠렛트에 고착된 양극 리이드선과 상기 금속펠렛트의 외주면에 형성된 양극 산화피막과, 상기 양극 산화피막상에 형성된 반도체 금속산화물층과 상기 반도체 산화물층상에 형성된 그라파이트층과, 상기 금속펠렛트의 한쪽의 주면측에 있어서의 상기 그라파이트층 중에 매몰된 결합부와 상기 중심선에 거의 일치하여 뻗으며 또한 상기 양극 리이드선에 평행으로, 뻗는 리이드부와 상기 결합부와 상기 리이드부와의 사이의 굴곡부로서 이루어지는 음극 리이드선과, 상기 양극 리이드선 및 상기 음극 리이드선의 1부는 노출시키지만, 상기 굴곡부를 포함하여 상기 그라파이트층 상에 형성된 절연 피복층으로서 이루어진 고체 콘덴서에 관한 것이다.

상기 본 고안에 의하면, 음극 리이드선의 결합에 납땜을 사용하고 있지 않으므로, 종래에 발생한 프린트 기판에 장착할 때의 가열 등에 있어서 납땜의 유출사고를 해소할 수 있다. 그라파이트층 중에 음극 리이드선을 매몰하고 또한 음극 리이드선의 굴곡부를 절연층 중에 매입시킨 본 고안의 전극구조는 전기적 결합이 충분할 뿐만 아니라 리이드선의 인장강도도 큰 것이다.

또 양극 및 음극의 양 리이드선이 소자의 거의 중앙에서 도출되어서 콘덴서의 축심과 일치하고 있으므로 프린트 기판 등에의 장착이 용이하게 된다.

제3도, 제4도, 제5도에 나타낸 본 실시예에 관한 고체 전해 콘덴서에 있어서도, 금속 펠렛트(4.5mm×4.5mm×1.0mm)의 한쪽 주면(1a)과 다른 쪽의 주면(1b)과의 사이의 중심선(10)에 거의 일치시켜 양극 리이드선(2)이 금속 펠렛트(1)의 저면(1c)에 고착되어 있다. 또, 양극 산화피막(3) 및 약 0.1mm의 반도체 금속산화물층(4)이 제1도와 똑같이 형성되어 있다. 반도체 금속산화물층(4)상의 그라파이트층은 제1의 그라파이트층(5a)과 제2의 그라파이트층(5b)으로 이루어진다. 이중 제1의 그라파이트층(5a)는 그라파이트 현탁액에 금속산화물층(4)을 침지하고, 가열 건조하는 것에 의하여 형성한다.

제1의 그라파이트층(5a)의 형성이 끝나면 음극 리이드선(6)의 그라파이트(도시 생략)를 얇게 소부한 편평결합부(6a)를 제1 그라파이트층(5a)에 밀착시켜, 재차 그라파이트를 도포 및 건조하여 약 0.2mm의 두께로 제2의 그라파이트층(5b)을 형성하여 결합부(6a)를 제1과 제2의 그라파이트층(5a)(5b)에 매입한 상태로 한다. 금속펠렛트(1) 및 양극 리이드선(2)에 대하여 음극 리이드선(6)이 소정의 위치가 되도록 치구(治具)로 위치를 잡고 또한 유지한 상태로 작업을 진행시킨다. 여기서 납땜 결합에 의하지 않는 전극구조의 고정을 용이하게 행할 수 있다.

음극 리이드선(6)은 제3도 및 제6도에서 명백하듯이 1.5mm×3.5mm×0.3mm의 편평결합부(6a)와 이 편평결합부(6a)와 평행한 선에 따라서 뻗는 0.5mmØ×31.0mm 길이의 리이드부(6b)와, 이들 사이에 개재하는 0.5mmØ×0.7mm 길이 주위부(6c)로서 이루어지며 결합부(6a)를 한쪽의 주면(1a) 측에 결합한 때에 리이드부(6b)가 중심선(10)에 거의 일치하고 또한, 양극 리이드선(2)과 거의 평행이 되도록 형성되어 있다. 음극 리이드선(6)의 결합은 제3도에 나타낸 바와 같이 굴곡부(6c)가 금속펠렛트(1)의 저면(1c)에 접근한 상태로 되도록 한다. 그라파이트층에 음극 리이드선(6)의 매입이 끝나면 제1도와 똑같은 약 0.1mm 두께의 제1의 절연층(7)과 약 0.4mm 두께의 제2의 절연층(8)과를 형성한다.

이때, 음극 리이드선(6)의 굴곡부(6c)가 제1 및 제2의 절연층(7)(8) 중에 매입된 상태가 된다.

제2의 절연층(8)을 에폭시 수지로 형성하는 경우에는, 이것을 정화하는 것에 의하여 소자가 완성되고, 음극 리이드선(6)을 치구에서 떼어낸다. 양극 리이드선(2) 및 음극 리이드선(6)이 리이드 프레임 형식의 경우에는 절단하는 것에 의하여 독립의 소자로 된다. 이와 같은 실시예에서는 음극 리이드선(6)의 제3도에서 아래 방향으로 인장강도가 1kg 내지 5kg 이상으로 되고 은페인트가 불필요한 납땜 용융사고가 없는 합리적인 고체 전해 콘덴서의 구조가 완성되며 또 양극 및 음극의 양 리이드선을 소자의 축심으로 도출하는 개량도 동시에 달성되며, 프린트 기판 등으로의 장착의 용이성과 접속 손실이 가급적 해소되는 것이 양립되고 tan δ 약 2%라고 하는 고수준을 지닌 공업적 의의가 높은 고안인 것이다.

이상 본 고안의 1 실시예에 대하여 설명하였으나, 본 고안은 상기한 실시예에 한정되는 것은 아니며 나아가 변형 가능한 것으로서 예컨대, 절연층(7)(8)은 에폭시 수지가 아니어도 좋다. 또 절연층은 1층의 구성이라도 좋은 것이다.

Claims (1)

1. 외주 양극 산화피막(3)을 가진 금속펠렛트(1)에 양극 리이드선(2)을 고착하고, 상기 양극 산화피막(3) 상에 순차로 반도체 금솟산화물층(4) 및 제1 그라파이프층(5a)을 형성한 고체 전해 콘덴서에 있어서, 상기 그라파이프층(5a) 상에는 그라파이트를 베이킹(baking)한 음극 리이드선(6)의 일부(6a)를 배설하도록 제2 그라파이프층(5b)을 도포하고, 상기 음극 리이드선(6)의 타부(6b)(6c)는 굴곡하여 사이 양극 리이드선(2)과 평행시키고, 절연 피복층(7)(8)을 형성한 것을 특징으로 하는 고체 전해 콘덴서.