JPH08273983A - アルミ固体コンデンサ - Google Patents
アルミ固体コンデンサInfo
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 アルミ箔又はアルミ板からなる陽極基体の陽
極外部電極端子接続部及び導電性高分子層の表面に金属
メッキ層を施すことにより陽極外部電極端子接続部の面
積を小さくし、小型で大容量のアルミ固体コンデンサを
提供すること。 【構成】 アルミ箔又はアルミ板からなる陽極基体１の
所定部分の表面に絶縁樹脂層２を形成し、該絶縁樹脂層
２が形成されない部分に誘電体層１ａ、導電性高分子層
３を順次形成し、誘電体層１ａの欠陥部に隣接する導電
性高分子層３を局部的に絶縁化し、陽極基体１の絶縁樹
脂層２を部分的に除去し、該絶縁樹脂層２を除去した陽
極基体１表面と導電性高分子層３の表面に第１の金属メ
ッキ層４を形成してそれぞれ陽極外部電極端子接続部５
と陰極外部電極端子接続部７としてコンデンサ素子（Ｃ
ｅ）を構成し、また、該コンデンサ素子（Ｃｅ）を複数
個積層して陽極外部電極端子接続部５及び陰極外部端子
接続部７の接合部に第２の金属メッキ層１２を形成し
た。
極外部電極端子接続部及び導電性高分子層の表面に金属
メッキ層を施すことにより陽極外部電極端子接続部の面
積を小さくし、小型で大容量のアルミ固体コンデンサを
提供すること。 【構成】 アルミ箔又はアルミ板からなる陽極基体１の
所定部分の表面に絶縁樹脂層２を形成し、該絶縁樹脂層
２が形成されない部分に誘電体層１ａ、導電性高分子層
３を順次形成し、誘電体層１ａの欠陥部に隣接する導電
性高分子層３を局部的に絶縁化し、陽極基体１の絶縁樹
脂層２を部分的に除去し、該絶縁樹脂層２を除去した陽
極基体１表面と導電性高分子層３の表面に第１の金属メ
ッキ層４を形成してそれぞれ陽極外部電極端子接続部５
と陰極外部電極端子接続部７としてコンデンサ素子（Ｃ
ｅ）を構成し、また、該コンデンサ素子（Ｃｅ）を複数
個積層して陽極外部電極端子接続部５及び陰極外部端子
接続部７の接合部に第２の金属メッキ層１２を形成し
た。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は陽極基体にアルミ箔又は
アルミ板を用いるアルミ固体コンデンサに関するもので
ある。
アルミ板を用いるアルミ固体コンデンサに関するもので
ある。
【０００２】
【従来技術】最近の電子機器の高性能化、小形化、高信
頼化に伴い、電子機器の電源も小型化、長寿命化が急速
に発展してきた。電源の小型化は、トランジスターのス
イッチング周波数が１００ＫＨｚ→２００ＫＨｚ→５０
０ＫＨｚ→１ＭＨｚと高周波化することにより可能であ
るが、この高周波化につれて電源回路部品、特にコンデ
ンサに対する要求が厳しく、従来のコンデンサではその
要求を満たすことができなくなってきた。
頼化に伴い、電子機器の電源も小型化、長寿命化が急速
に発展してきた。電源の小型化は、トランジスターのス
イッチング周波数が１００ＫＨｚ→２００ＫＨｚ→５０
０ＫＨｚ→１ＭＨｚと高周波化することにより可能であ
るが、この高周波化につれて電源回路部品、特にコンデ
ンサに対する要求が厳しく、従来のコンデンサではその
要求を満たすことができなくなってきた。
【０００３】また、スイッチング電源の平滑回路部に使
用されるコンデンサは、過渡応答の関係で、ある程度そ
の静電容量が大きいことが必要である（通常１０μＦ以
上）。即ち、小形、大容量で且つ低インピ−ダンス、低
等価直列抵抗値、低インダクタンス値を有する新しいタ
イプのコンデンサの開発が切望されていた。
用されるコンデンサは、過渡応答の関係で、ある程度そ
の静電容量が大きいことが必要である（通常１０μＦ以
上）。即ち、小形、大容量で且つ低インピ−ダンス、低
等価直列抵抗値、低インダクタンス値を有する新しいタ
イプのコンデンサの開発が切望されていた。
【０００４】上記要望に答えるものとして、近年、低イ
ンピ−ダンスでかつ低等価直列抵抗値を有するアルミ固
体コンデンサが各種提案され実用化されている。図５は
従来のアルミ固体コンデンサ素子の構成例を示す図であ
る。図示するように、アルミ固体コンデンサ素子Ｃｅは
表面がエッチング処理にて粗面化されたアルミ箔又はア
ルミ板からなる陽極基体１の所定部分に絶縁樹脂層２’
を形成し、該陽極基体１の表面を区分し、一方を陽極外
部電極端子接続部１ｂとし、他方にアルミ陽極酸化被膜
からなる誘電体層１ａを形成し、その上に導電性高分子
層３、グラファイト層Ｇ、銀ペ−スト層Ａｇを順次形成
してコンデンサ部を形成した構成である。
ンピ−ダンスでかつ低等価直列抵抗値を有するアルミ固
体コンデンサが各種提案され実用化されている。図５は
従来のアルミ固体コンデンサ素子の構成例を示す図であ
る。図示するように、アルミ固体コンデンサ素子Ｃｅは
表面がエッチング処理にて粗面化されたアルミ箔又はア
ルミ板からなる陽極基体１の所定部分に絶縁樹脂層２’
を形成し、該陽極基体１の表面を区分し、一方を陽極外
部電極端子接続部１ｂとし、他方にアルミ陽極酸化被膜
からなる誘電体層１ａを形成し、その上に導電性高分子
層３、グラファイト層Ｇ、銀ペ−スト層Ａｇを順次形成
してコンデンサ部を形成した構成である。
【０００５】上記構成のコンデンサ素子Ｃｅの陽極外部
電極端子接続部１ｂに陽極外部電極端子を接続し、コン
デンサ部の銀ペ−スト層に陰極外部電極端子を接続し、
その該表面に図示は省略するが、樹脂モールド等の外装
を施して、アルミ固体コンデンサが構成される。
電極端子接続部１ｂに陽極外部電極端子を接続し、コン
デンサ部の銀ペ−スト層に陰極外部電極端子を接続し、
その該表面に図示は省略するが、樹脂モールド等の外装
を施して、アルミ固体コンデンサが構成される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記構成のアルミ固体
コンデンサは、低インピーダンスで且つ低等価直列抵抗
値については上記要望にある程度答えることができる
が、小形及び大容量の点については改善する余地を残し
ている。改善されない最大の課題としては、陽極基体１
を構成するアルミ同士の接合が難しく、アルミ箔（厚さ
１００μｍのもの）と他金属、例えば銅箔、鉄・ニッケ
ル合金箔（又は板）とは、電気溶接、超音波溶接等によ
り接合可能であるが、アルミ箔又はアルミ板同士の接合
はできるとしても２枚までしか溶接出来ないため、アル
ミ固体コンデンサ素子を積層して大容量のコンデンサを
作ることは困難であった。従来のアルミ固体コンデンサ
素子電気溶接や超音波溶接のために広い面積の陽極外部
電極端子接続部を必要とし、小型化で大容量のコンデン
サを作ることは困難になると云う問題があった。
コンデンサは、低インピーダンスで且つ低等価直列抵抗
値については上記要望にある程度答えることができる
が、小形及び大容量の点については改善する余地を残し
ている。改善されない最大の課題としては、陽極基体１
を構成するアルミ同士の接合が難しく、アルミ箔（厚さ
１００μｍのもの）と他金属、例えば銅箔、鉄・ニッケ
ル合金箔（又は板）とは、電気溶接、超音波溶接等によ
り接合可能であるが、アルミ箔又はアルミ板同士の接合
はできるとしても２枚までしか溶接出来ないため、アル
ミ固体コンデンサ素子を積層して大容量のコンデンサを
作ることは困難であった。従来のアルミ固体コンデンサ
素子電気溶接や超音波溶接のために広い面積の陽極外部
電極端子接続部を必要とし、小型化で大容量のコンデン
サを作ることは困難になると云う問題があった。
【０００７】また、ポリ・ピロ−ル導電性高分子を用い
た捲回素子タイプのアルミ固体コンデンサの提案もある
が、アルミ箔を捲回することにより陽極酸化膜に欠陥が
発生し易く、また、アルミ箔上にポリ・ピロ−ル導電性
高分子を形成することが困難なため殆ど実用化されてい
ないという問題がある。
た捲回素子タイプのアルミ固体コンデンサの提案もある
が、アルミ箔を捲回することにより陽極酸化膜に欠陥が
発生し易く、また、アルミ箔上にポリ・ピロ−ル導電性
高分子を形成することが困難なため殆ど実用化されてい
ないという問題がある。
【０００８】本発明は上述の点に鑑みてなされたもの
で、アルミ箔又はアルミ板からなる陽極基体の陽極外部
電極端子接続部及び導電性高分子層の表面に金属メッキ
層を施すことにより陽極外部電極端子接続部の面積を小
さくし、小型で大容量のアルミ固体コンデンサを提供す
ることを目的とする。
で、アルミ箔又はアルミ板からなる陽極基体の陽極外部
電極端子接続部及び導電性高分子層の表面に金属メッキ
層を施すことにより陽極外部電極端子接続部の面積を小
さくし、小型で大容量のアルミ固体コンデンサを提供す
ることを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
本発明は、図１及び図３に示すように、アルミ箔又はア
ルミ板からなる陽極基体（１）の所定部分の表面に絶縁
樹脂層（２）を形成し、該絶縁樹脂層（２）が形成され
ない部分に誘電体層（１ａ）、導電性高分子層（３）を
順次形成し、誘電体層（１ａ）の欠陥部に隣接する導電
性高分子層（３）を局部的に絶縁化し、陽極基体（１）
の絶縁樹脂層（２）を部分的に除去し、該絶縁樹脂層
（２）を除去した陽極基体（１）の表面と導電性高分子
層（３）の表面に第１の金属メッキ層（４）を形成して
それぞれ陽極外部電極端子接続部（５）と陰極外部電極
端子接続部（７）としてコンデンサ素子（Ｃｅ）を構成
し、該コンデンサ素子（Ｃｅ）の陽極外部電極端子接続
部（５）及び陰極外部電極端子接続部（７）にそれぞれ
図２に示すように陽極外部電極端子（９）及び陰極外電
極部端子（１０）を接続したことを特徴とする。
本発明は、図１及び図３に示すように、アルミ箔又はア
ルミ板からなる陽極基体（１）の所定部分の表面に絶縁
樹脂層（２）を形成し、該絶縁樹脂層（２）が形成され
ない部分に誘電体層（１ａ）、導電性高分子層（３）を
順次形成し、誘電体層（１ａ）の欠陥部に隣接する導電
性高分子層（３）を局部的に絶縁化し、陽極基体（１）
の絶縁樹脂層（２）を部分的に除去し、該絶縁樹脂層
（２）を除去した陽極基体（１）の表面と導電性高分子
層（３）の表面に第１の金属メッキ層（４）を形成して
それぞれ陽極外部電極端子接続部（５）と陰極外部電極
端子接続部（７）としてコンデンサ素子（Ｃｅ）を構成
し、該コンデンサ素子（Ｃｅ）の陽極外部電極端子接続
部（５）及び陰極外部電極端子接続部（７）にそれぞれ
図２に示すように陽極外部電極端子（９）及び陰極外電
極部端子（１０）を接続したことを特徴とする。
【００１０】また、図４に示すように、コンデンサ素子
（Ｃｅ）を複数個重ね合わせ、陽極外部電極端子接続部
（５）同士を接合すると共に、陰極外部電極端子接続部
（７）同士を接合して積層体を構成し、該積層体の陽極
外部電極端子接続部（５）の接合部（１３）及び陰極外
部電極端子接続部（７）の接合部（１４）に第２の金属
メッキ層（１２）を形成して積層形コンデンサ素子（Ｃ
ｅ’）とし、該積層形コンデンサ素子（Ｃｅ’）の陽極
外部電極端子接続部（５）の接合部（１３）及び陰極外
部電極端子接続部（７）の接合部（１４）にそれぞれ陽
極外部電極端子（９）及び陰極外部電極端子（１０）を
接続したことを特徴とする。
（Ｃｅ）を複数個重ね合わせ、陽極外部電極端子接続部
（５）同士を接合すると共に、陰極外部電極端子接続部
（７）同士を接合して積層体を構成し、該積層体の陽極
外部電極端子接続部（５）の接合部（１３）及び陰極外
部電極端子接続部（７）の接合部（１４）に第２の金属
メッキ層（１２）を形成して積層形コンデンサ素子（Ｃ
ｅ’）とし、該積層形コンデンサ素子（Ｃｅ’）の陽極
外部電極端子接続部（５）の接合部（１３）及び陰極外
部電極端子接続部（７）の接合部（１４）にそれぞれ陽
極外部電極端子（９）及び陰極外部電極端子（１０）を
接続したことを特徴とする。
【００１１】また、第１の金属メッキ層（４）は銅メッ
キ層及びニッケルメッキ層を順次形成したメッキ層であ
ることを特徴とする。
キ層及びニッケルメッキ層を順次形成したメッキ層であ
ることを特徴とする。
【００１２】また、第２の金属メッキ層（１２）は銅メ
ッキ・ニッケルメッキ又は銅メッキ・ハンダメッキ又は
ハンダメッキ層であることを特徴とする。
ッキ・ニッケルメッキ又は銅メッキ・ハンダメッキ又は
ハンダメッキ層であることを特徴とする。
【００１３】
【作用】本発明は上述したように絶縁樹脂層（２）を除
去したアルミ箔又はアルミ板からなる陽極基体（１）の
表面と導電性高分子層（３）の表面に第１の金属メッキ
層（４）を形成してそれぞれ陽極外部電極端子接続部
（５）と陰極外部電極端子接続部（７）とするので、該
陽極外部電極端子接続部（５）及び陰極外部電極端子接
続部（７）に陽極外部電極部端子（９）及び陰極外部電
極端子（１０）をアルミ箔又はアルミ板からなる陽極基
体（１）にハンダ付け等で接続することができるから、
陽極外部電極端子接続部（５）の面積が小さくても容易
に接続することができ、その分アルミ固体コンデンサを
小さくすることができる。また、コンデンサ素子単板に
は機械的ストレスが加わらないため、高品質のコンデン
サ素子単板が得られる。
去したアルミ箔又はアルミ板からなる陽極基体（１）の
表面と導電性高分子層（３）の表面に第１の金属メッキ
層（４）を形成してそれぞれ陽極外部電極端子接続部
（５）と陰極外部電極端子接続部（７）とするので、該
陽極外部電極端子接続部（５）及び陰極外部電極端子接
続部（７）に陽極外部電極部端子（９）及び陰極外部電
極端子（１０）をアルミ箔又はアルミ板からなる陽極基
体（１）にハンダ付け等で接続することができるから、
陽極外部電極端子接続部（５）の面積が小さくても容易
に接続することができ、その分アルミ固体コンデンサを
小さくすることができる。また、コンデンサ素子単板に
は機械的ストレスが加わらないため、高品質のコンデン
サ素子単板が得られる。
【００１４】また、陰極外部電極端子接続部（７）は導
電性高分子層（３）の表面に金属メッキ層（４、１２）
を形成しているので、従来のアルミ固体コンデンサのよ
うに、導電性高分子層（３）の表面にグラファイト層及
び銀ペースト層を順次形成する場合と異なり、金属メッ
キ層（４、１２）はグラファイト層及び銀ペースト層に
比べて密度が高く、酸素透過性が極めて少ないため、導
電性高分子層（例えば、導電性ポリ・ピロール層）
（３）の抵抗値の変化が少なくなる。従って、コンデン
サ特性の経年変化が小さい。
電性高分子層（３）の表面に金属メッキ層（４、１２）
を形成しているので、従来のアルミ固体コンデンサのよ
うに、導電性高分子層（３）の表面にグラファイト層及
び銀ペースト層を順次形成する場合と異なり、金属メッ
キ層（４、１２）はグラファイト層及び銀ペースト層に
比べて密度が高く、酸素透過性が極めて少ないため、導
電性高分子層（例えば、導電性ポリ・ピロール層）
（３）の抵抗値の変化が少なくなる。従って、コンデン
サ特性の経年変化が小さい。
【００１５】また、積層形のコンデンサとする時は、図
４に示すように、複数個のコンデンサ素子（Ｃｅ）を重
ね合わせ、陽極外部電極端子接続部（５）の金属メッキ
層（４）同士を電気溶接又は超音波溶接又はハンダ付け
で容易に接合することができるから、多数のコンデンサ
素子（Ｃｅ）を容易に積層でき、大容量で小形の積層形
のアルミ固体コンデンサを容易に得ることができる。
４に示すように、複数個のコンデンサ素子（Ｃｅ）を重
ね合わせ、陽極外部電極端子接続部（５）の金属メッキ
層（４）同士を電気溶接又は超音波溶接又はハンダ付け
で容易に接合することができるから、多数のコンデンサ
素子（Ｃｅ）を容易に積層でき、大容量で小形の積層形
のアルミ固体コンデンサを容易に得ることができる。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面に基づいて詳
細に説明する。図１は本発明のアルミ固体コンデンサ素
子の製造工程を示す図である。図１（ａ）に示すよう
に、アルミ箔又はアルミ板の表面をエッチング処理し、
粗面化してなる長方形の陽極基体１の端部の所定範囲の
外周面にエポキシ樹脂やポリビニルアルコ−ル樹脂等の
絶縁樹脂を印刷して形成した絶縁樹脂層２を設ける。
細に説明する。図１は本発明のアルミ固体コンデンサ素
子の製造工程を示す図である。図１（ａ）に示すよう
に、アルミ箔又はアルミ板の表面をエッチング処理し、
粗面化してなる長方形の陽極基体１の端部の所定範囲の
外周面にエポキシ樹脂やポリビニルアルコ−ル樹脂等の
絶縁樹脂を印刷して形成した絶縁樹脂層２を設ける。
【００１７】次に、前記陽極基体１の絶縁樹脂層２が設
けられていない部分に、図１（ｂ）に示すように、陽極
基体１を構成するアルミ箔又はアルミ板の表面を化成処
理してアルミ陽極酸化皮膜からなる誘電体層１ａを形成
する。更に、後に詳述する電解酸化重合法で導電性ポリ
・ピロ−ル膜からなる導電性高分子層３を形成する。
けられていない部分に、図１（ｂ）に示すように、陽極
基体１を構成するアルミ箔又はアルミ板の表面を化成処
理してアルミ陽極酸化皮膜からなる誘電体層１ａを形成
する。更に、後に詳述する電解酸化重合法で導電性ポリ
・ピロ−ル膜からなる導電性高分子層３を形成する。
【００１８】上記電解酸化重合により導電性ポリ・ピロ
−ル膜からなる導電性高分子層３の形成は、特公平５−
５８８５６号公報に記載されているように、０．５ｗｔ
％（重量パーセント）ピロ−ル、０．５ｗｔ％アンモニ
ウムボロ・ジサリシレ−ト、０．５ｗｔ％純水を含むア
セトニトリル溶液中に、前記アルミ箔又はアルミ板から
なる陽極基体１の絶縁樹脂層２が形成されていない部分
を浸漬し、陽極基体１を陽極にし、対向電極を陰極にし
て電解酸化重合を行うことにより、該絶縁樹脂層２が形
成されていない陽極基体１の表面に導電性ポリ・ピロ−
ル膜からなる導電性高分子層３が形成される。次に前記
誘電体層１ａ上の格子欠陥等の欠陥部に接する部分の導
電性高分子層３を部分的に絶縁化処理する。この絶縁化
処理は特開昭６４−３２６２１号に詳細に開示している
のでここでは省略する。
−ル膜からなる導電性高分子層３の形成は、特公平５−
５８８５６号公報に記載されているように、０．５ｗｔ
％（重量パーセント）ピロ−ル、０．５ｗｔ％アンモニ
ウムボロ・ジサリシレ−ト、０．５ｗｔ％純水を含むア
セトニトリル溶液中に、前記アルミ箔又はアルミ板から
なる陽極基体１の絶縁樹脂層２が形成されていない部分
を浸漬し、陽極基体１を陽極にし、対向電極を陰極にし
て電解酸化重合を行うことにより、該絶縁樹脂層２が形
成されていない陽極基体１の表面に導電性ポリ・ピロ−
ル膜からなる導電性高分子層３が形成される。次に前記
誘電体層１ａ上の格子欠陥等の欠陥部に接する部分の導
電性高分子層３を部分的に絶縁化処理する。この絶縁化
処理は特開昭６４−３２６２１号に詳細に開示している
のでここでは省略する。
【００１９】更に、図１（ｃ）に示すように絶縁樹脂層
２の端部を削除し陽極基体１の端部表面を露出させる。
該露出させた陽極基体１の表面に銅メッキからなる金属
メッキ層４を形成して陽極外部電極端子接続部５とする
と共に、導電性高分子層３の表面にも銅メッキからなる
金属メッキ層４を形成して陰極外部電極端子接続部７と
し、これをコンデンサ素子Ｃｅとする。なお、上記例で
は絶縁樹脂層２の端部を削除してから、陽極基体１の露
出面及び導電性高分子層３上に金属メッキ層４を形成し
ているが、導電性高分子層３上に金属メッキ層４を形成
してから、絶縁樹脂層２の端部を削除し、陽極基体１の
露出面に金属メッキ層４を形成してもよい。
２の端部を削除し陽極基体１の端部表面を露出させる。
該露出させた陽極基体１の表面に銅メッキからなる金属
メッキ層４を形成して陽極外部電極端子接続部５とする
と共に、導電性高分子層３の表面にも銅メッキからなる
金属メッキ層４を形成して陰極外部電極端子接続部７と
し、これをコンデンサ素子Ｃｅとする。なお、上記例で
は絶縁樹脂層２の端部を削除してから、陽極基体１の露
出面及び導電性高分子層３上に金属メッキ層４を形成し
ているが、導電性高分子層３上に金属メッキ層４を形成
してから、絶縁樹脂層２の端部を削除し、陽極基体１の
露出面に金属メッキ層４を形成してもよい。
【００２０】導電性ポリ・ピロ−ル膜からなる導電性高
分子層３の表面に金属メッキ層４を形成する方法は、１
ｗｔ％の硫酸銅水溶液又は１ｗｔ％の酢酸銅、１ｗｔ％
の硝酸を含む水溶液中に前記導電性高分子層３が形成さ
れた陽極基体１の導電性高分子層３の形成部分を含む所
定部分を浸漬し、陽極基体１を陰極にし、対向する電極
を陽極として、０．１Ｖ〜１０Ｖの直流電圧を印加し、
電解メッキにより、導電性高分子層３の表面に銅メッキ
からなる金属メッキ層４を形成する。また、絶縁樹脂層
２の端部を削除した陽極基体１の表面にも同様な方法
で、陽極基体１を露出させる銅メッキからなる金属メッ
キ層４を形成する。
分子層３の表面に金属メッキ層４を形成する方法は、１
ｗｔ％の硫酸銅水溶液又は１ｗｔ％の酢酸銅、１ｗｔ％
の硝酸を含む水溶液中に前記導電性高分子層３が形成さ
れた陽極基体１の導電性高分子層３の形成部分を含む所
定部分を浸漬し、陽極基体１を陰極にし、対向する電極
を陽極として、０．１Ｖ〜１０Ｖの直流電圧を印加し、
電解メッキにより、導電性高分子層３の表面に銅メッキ
からなる金属メッキ層４を形成する。また、絶縁樹脂層
２の端部を削除した陽極基体１の表面にも同様な方法
で、陽極基体１を露出させる銅メッキからなる金属メッ
キ層４を形成する。
【００２１】上記のように構成したコンデンサ素子Ｃｅ
の陽極外部電極端子接続部５と陰極外部電極端子接続部
７に、図２に示すように、ニッケル・鉄合金（４２％Ｎ
ｉ）又は銅板からなる陽極外部電極端子９及び陰極外部
電極端子１０を接続し、コンデンサ素子Ｃｅの全表面に
エポキシ樹脂等の樹脂モールド層８の外装を施して、ア
ルミ固体コンデンサとする。
の陽極外部電極端子接続部５と陰極外部電極端子接続部
７に、図２に示すように、ニッケル・鉄合金（４２％Ｎ
ｉ）又は銅板からなる陽極外部電極端子９及び陰極外部
電極端子１０を接続し、コンデンサ素子Ｃｅの全表面に
エポキシ樹脂等の樹脂モールド層８の外装を施して、ア
ルミ固体コンデンサとする。
【００２２】図３は本発明のアルミ固体コンデンサ素子
の製造工程を示す図である。図３（ａ）に示すように、
アルミ箔又はアルミ板の表面をエッチング処理し、粗面
化してなる長方形の陽極基体１の両端部の所定範囲の外
周面にエポキシ樹脂やビニルアルコ−ル樹脂等の絶縁樹
脂を印刷して形成した絶縁樹脂層２、２を設ける。次に
図３（ｂ）に示すように、絶縁樹脂層２、２が設けられ
ていない陽極基体１の表面（絶縁樹脂層２と２に挟まれ
た陽極基体１の表面）に上記と同様の方法で、アルミ陽
極酸化皮膜層からなる誘電体層１ａ、導電性ポリ・ピロ
−ル膜からなる導電性高分子層３を形成する。
の製造工程を示す図である。図３（ａ）に示すように、
アルミ箔又はアルミ板の表面をエッチング処理し、粗面
化してなる長方形の陽極基体１の両端部の所定範囲の外
周面にエポキシ樹脂やビニルアルコ−ル樹脂等の絶縁樹
脂を印刷して形成した絶縁樹脂層２、２を設ける。次に
図３（ｂ）に示すように、絶縁樹脂層２、２が設けられ
ていない陽極基体１の表面（絶縁樹脂層２と２に挟まれ
た陽極基体１の表面）に上記と同様の方法で、アルミ陽
極酸化皮膜層からなる誘電体層１ａ、導電性ポリ・ピロ
−ル膜からなる導電性高分子層３を形成する。
【００２３】次に、上記と同様誘電体層１ａ上の格子欠
陥等の欠陥部に接する部分の導電性高分子層３を部分的
に絶縁化処理し、続いて図３（ｃ）に示すように、陽極
基体１の両端の絶縁樹脂層２の端部を削除し陽極基体１
の端部表面を露出させる。次に図３（ｄ）に示すように
該露出させた陽極基体１の表面に、上記と同様な方法で
銅メッキからなる金属メッキ層４を形成して陽極外部電
極端子接続部５とすると共に、導電性高分子層３の表面
にも銅メッキからなる金属メッキ層４を形成して陰極外
部電極端子接続部７とし、これをコンデンサ素子Ｃｅと
する。なお、上記例では両端の絶縁樹脂層２の端部を削
除してから、陽極基体１の両端部の露出面及び導電性高
分子層３上に金属メッキ層４を形成しているが、導電性
高分子層３上に金属メッキ層４を形成してから、両端の
絶縁樹脂層２の端部を削除し、陽極基体１の両端の露出
面に金属メッキ層４を形成してもよい。
陥等の欠陥部に接する部分の導電性高分子層３を部分的
に絶縁化処理し、続いて図３（ｃ）に示すように、陽極
基体１の両端の絶縁樹脂層２の端部を削除し陽極基体１
の端部表面を露出させる。次に図３（ｄ）に示すように
該露出させた陽極基体１の表面に、上記と同様な方法で
銅メッキからなる金属メッキ層４を形成して陽極外部電
極端子接続部５とすると共に、導電性高分子層３の表面
にも銅メッキからなる金属メッキ層４を形成して陰極外
部電極端子接続部７とし、これをコンデンサ素子Ｃｅと
する。なお、上記例では両端の絶縁樹脂層２の端部を削
除してから、陽極基体１の両端部の露出面及び導電性高
分子層３上に金属メッキ層４を形成しているが、導電性
高分子層３上に金属メッキ層４を形成してから、両端の
絶縁樹脂層２の端部を削除し、陽極基体１の両端の露出
面に金属メッキ層４を形成してもよい。
【００２４】上記のように構成されたコンデンサ素子Ｃ
ｅの陽極外部電極端子接続部５と陰極外部電極端子接続
部７に図２に示すように、陽極外部電極端子９及び陰極
外部電極端子１０を接続し、コンデンサ素子Ｃｅの全表
面にエポキシ樹脂等の樹脂モールド層８の外装を施すこ
とにより、アルミ固体コンデンサが得られる。この場
合、２個の陽極外部電極端子接続部５にそれぞれ陽極外
部電極端子９を接続すると共に、陰極外部電極端子接続
部７に１個又は２個の陰極外部電極端子１０を接続する
ことにより、３端子又は４端子形のアルミ固体コンデン
サとなる。このように３端子又は４端子形とすることに
より、外部電極端子接続部のインピーダンスを低くする
ことができる。
ｅの陽極外部電極端子接続部５と陰極外部電極端子接続
部７に図２に示すように、陽極外部電極端子９及び陰極
外部電極端子１０を接続し、コンデンサ素子Ｃｅの全表
面にエポキシ樹脂等の樹脂モールド層８の外装を施すこ
とにより、アルミ固体コンデンサが得られる。この場
合、２個の陽極外部電極端子接続部５にそれぞれ陽極外
部電極端子９を接続すると共に、陰極外部電極端子接続
部７に１個又は２個の陰極外部電極端子１０を接続する
ことにより、３端子又は４端子形のアルミ固体コンデン
サとなる。このように３端子又は４端子形とすることに
より、外部電極端子接続部のインピーダンスを低くする
ことができる。
【００２５】図４は図３（ｄ）に示すコンデンサ素子Ｃ
ｅを複数個（図では３個）積層して積層形のコンデンサ
素子Ｃｅ’とした例を示す図である。同図に示すよう
に、両端に陽極外部電極端子接続部５が形成された複数
個のコンデンサ素子Ｃｅを重ね合わせ、陽極外部電極端
子接続部５の金属メッキ層４同士及び陰極外部電極端子
接続部７の金属メッキ層４をハンダ層１１（陰極外部電
極端子接続部７間は図示省略）で接合し、更に陽極外部
電極端子接続部５の接合部及び陰極外部電極端子接続部
７の接合部の表面に金属メッキ層１２を形成して、積層
形のコンデンサ素子Ｃｅ’の陽極外部電極端子接続部１
３及び陰極外部電極端子接続部１４とする。
ｅを複数個（図では３個）積層して積層形のコンデンサ
素子Ｃｅ’とした例を示す図である。同図に示すよう
に、両端に陽極外部電極端子接続部５が形成された複数
個のコンデンサ素子Ｃｅを重ね合わせ、陽極外部電極端
子接続部５の金属メッキ層４同士及び陰極外部電極端子
接続部７の金属メッキ層４をハンダ層１１（陰極外部電
極端子接続部７間は図示省略）で接合し、更に陽極外部
電極端子接続部５の接合部及び陰極外部電極端子接続部
７の接合部の表面に金属メッキ層１２を形成して、積層
形のコンデンサ素子Ｃｅ’の陽極外部電極端子接続部１
３及び陰極外部電極端子接続部１４とする。
【００２６】陽極外部電極端子接続部５の金属メッキ層
４同士の接合はハンダ付けに限定されるものではなく、
電気溶接又は超音波溶接でもよい。陽極外部電極端子接
続部１３及び陰極外部電極端子接続部１４の金属メッキ
層１２は、銅メッキ又はニッケルメッキ又はハンダメッ
キで形成する。メッキ方法は上記金属メッキ層４を形成
するのと同様、電気メッキ方法又は無電解メッキ方法で
行う。かかる方法で金属メッキ層１２を形成する際、各
コンデンサ素子Ｃｅ間の金属メッキ層４同士は接合さ
れ、電気的に接続される。
４同士の接合はハンダ付けに限定されるものではなく、
電気溶接又は超音波溶接でもよい。陽極外部電極端子接
続部１３及び陰極外部電極端子接続部１４の金属メッキ
層１２は、銅メッキ又はニッケルメッキ又はハンダメッ
キで形成する。メッキ方法は上記金属メッキ層４を形成
するのと同様、電気メッキ方法又は無電解メッキ方法で
行う。かかる方法で金属メッキ層１２を形成する際、各
コンデンサ素子Ｃｅ間の金属メッキ層４同士は接合さ
れ、電気的に接続される。
【００２７】上記積層形のコンデンサ素子Ｃｅ’の陽極
外部電極端子接続部１３及び陰極外部電極端子接続部１
４に、それぞれ図２に示すように陽極外部電極端子９及
び陰極外部電極端子１０を接続し、コンデンサ素子Ｃ
ｅ’の全表面にエポキシ樹脂等の樹脂モールド層８の外
装を施すことにより、アルミ固体コンデンサが得られ
る。この場合、２個の陽極外部電極端子接続部１３にそ
れぞれ陽極外部電極端子９を接続すると共に、陰極外部
電極端子接続部１４に１個又は２個の陰極外部電極端子
１０を接続することにより、３端子又は４端子形の積層
形のアルミ固体コンデンサとなる。
外部電極端子接続部１３及び陰極外部電極端子接続部１
４に、それぞれ図２に示すように陽極外部電極端子９及
び陰極外部電極端子１０を接続し、コンデンサ素子Ｃ
ｅ’の全表面にエポキシ樹脂等の樹脂モールド層８の外
装を施すことにより、アルミ固体コンデンサが得られ
る。この場合、２個の陽極外部電極端子接続部１３にそ
れぞれ陽極外部電極端子９を接続すると共に、陰極外部
電極端子接続部１４に１個又は２個の陰極外部電極端子
１０を接続することにより、３端子又は４端子形の積層
形のアルミ固体コンデンサとなる。
【００２８】なお、図による説明は省略するが、図１
（ｄ）に示すコンデンサ素子Ｃｅも複数個積層して、積
層形のアルミ固体コンデンサとすることは当然可能であ
る。
（ｄ）に示すコンデンサ素子Ｃｅも複数個積層して、積
層形のアルミ固体コンデンサとすることは当然可能であ
る。
【００２９】なお、金属メッキ層を形成する電解メッキ
方法として、上記実施例では、水溶液中で実施したが、
γ−ブチロラクトン、プロピレンカーボネート等の非水
溶液中で実施することにより、導電性高分子層３を構成
する導電性ポリ・ピロール膜の抵抗値を増加することな
く電解メッキできることは勿論である。
方法として、上記実施例では、水溶液中で実施したが、
γ−ブチロラクトン、プロピレンカーボネート等の非水
溶液中で実施することにより、導電性高分子層３を構成
する導電性ポリ・ピロール膜の抵抗値を増加することな
く電解メッキできることは勿論である。
【００３０】また、金属メッキ層としては、銅メッキの
１層ではなく、例えば、銅メッキの上にニッケルメッキ
を施してもよい。また、銅メッキ／クロームメッキ、銅
メッキ／金メッキ、ニッケルメッキ／ハンダメッキ等種
々の組合せが可能である。
１層ではなく、例えば、銅メッキの上にニッケルメッキ
を施してもよい。また、銅メッキ／クロームメッキ、銅
メッキ／金メッキ、ニッケルメッキ／ハンダメッキ等種
々の組合せが可能である。
【００３１】また、上記実施例では導電性高分子層３を
構成する導電性高分子として導電性ポリ・ピロールを用
いたが、導電性高分子はこれに限定されるものではな
い。
構成する導電性高分子として導電性ポリ・ピロールを用
いたが、導電性高分子はこれに限定されるものではな
い。
【００３２】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように本発明によ
れば、下記のような優れた効果が期待できる。 （１）絶縁樹脂層を除去したアルミ箔又はアルミ板から
なる陽極基体表面と導電性高分子層の表面に第１の金属
メッキ層を形成してそれぞれ陽極外部電極端子接続部と
陰極外部電極端子接続部とするので、該陽極外部電極端
子接続部及び陰極外部電極端子接続部に陽極外部電極端
子及び陰極外部電極端子を陽極基体がアルミ箔又はアル
ミ板であってもハンダ付け等で容易に接続することがで
きるから、陽極外部電極端子接続部の面積を小さくで
き、小形のアルミ固体コンデンサを提供できる。
れば、下記のような優れた効果が期待できる。 （１）絶縁樹脂層を除去したアルミ箔又はアルミ板から
なる陽極基体表面と導電性高分子層の表面に第１の金属
メッキ層を形成してそれぞれ陽極外部電極端子接続部と
陰極外部電極端子接続部とするので、該陽極外部電極端
子接続部及び陰極外部電極端子接続部に陽極外部電極端
子及び陰極外部電極端子を陽極基体がアルミ箔又はアル
ミ板であってもハンダ付け等で容易に接続することがで
きるから、陽極外部電極端子接続部の面積を小さくで
き、小形のアルミ固体コンデンサを提供できる。
【００３３】（２）また、陰極外部電極端子接続部は導
電性高分子層の表面に金属メッキ層を形成しているの
で、従来のアルミ固体コンデンサのように、導電性高分
子の表面にグラファイト層及び銀ペースト層を順次形成
する従来例と異なり、金属メッキ層はグラファイト層及
び銀ペースト層に比べて密度が高く、酸素透過性が極め
て少ないため、導電性高分子層（例えば、導電性ポリ・
ピロール層）の抵抗値の変化が少なくなる。従って、コ
ンデンサ特性の変化が少ない。
電性高分子層の表面に金属メッキ層を形成しているの
で、従来のアルミ固体コンデンサのように、導電性高分
子の表面にグラファイト層及び銀ペースト層を順次形成
する従来例と異なり、金属メッキ層はグラファイト層及
び銀ペースト層に比べて密度が高く、酸素透過性が極め
て少ないため、導電性高分子層（例えば、導電性ポリ・
ピロール層）の抵抗値の変化が少なくなる。従って、コ
ンデンサ特性の変化が少ない。
【００３４】（３）また、積層形のコンデンサとする時
は、複数個のコンデンサ素子を重ね合わせ、陽極外部電
極端子接続部の金属メッキ層同士を電気溶接又は超音波
溶接又はハンダ付けで容易に接合することができるか
ら、多数のコンデンサ素子を容易に積層でき、大容量で
小形の積層形のアルミ固体コンデンサを容易に提供でき
る。
は、複数個のコンデンサ素子を重ね合わせ、陽極外部電
極端子接続部の金属メッキ層同士を電気溶接又は超音波
溶接又はハンダ付けで容易に接合することができるか
ら、多数のコンデンサ素子を容易に積層でき、大容量で
小形の積層形のアルミ固体コンデンサを容易に提供でき
る。
【図１】同図（ａ）〜（ｄ）は本発明のアルミ固体コン
デンサのコンデンサ素子の製造工程例を示す図である。
デンサのコンデンサ素子の製造工程例を示す図である。
【図２】本発明のアルミ固体コンデンサの構成例を示す
一部断面平面図である。
一部断面平面図である。
【図３】同図（ａ）〜（ｄ）は本発明のアルミ固体コン
デンサのコンデンサ素子の製造工程例を示す図である。
デンサのコンデンサ素子の製造工程例を示す図である。
【図４】本発明の積層形のアルミ固体コンデンサのコン
デンサ素子の構成例を示す一部断面正面図である。
デンサ素子の構成例を示す一部断面正面図である。
【図５】従来のアルミ固体コンデンサのコンデンサ素子
の構成を示す一部切断斜視図である。
の構成を示す一部切断斜視図である。
１ 陽極基体 ２ 絶縁樹脂層 ３ 導電性高分子層 ４ 金属メッキ層 ５ 陽極外部電極端子接続部 ７ 陰極外部電極端子接続部 ８ 樹脂モールド層 ９ 陽極外部電極端子 １０ 陰極外部電極端子 １１ ハンダ層 １２ 金属メッキ層 １３ 陽極外部電極端子接続部 １４ 陰極外部電極端子接続部
Claims (4)
- 【請求項１】 アルミ箔又はアルミ板からなる陽極基体
の所定部分の表面に絶縁樹脂層を形成し、該絶縁樹脂層
が形成されない部分に誘電体層、導電性高分子層を順次
形成し、前記誘電体層上の欠陥部に隣接する導電性高分
子層を局部的に絶縁化し、前記陽極基体の絶縁樹脂層を
部分的に除去し、該絶縁樹脂層を除去した陽極基体表面
と前記導電性高分子層の表面に第１の金属メッキ層を形
成してそれぞれ陽極外部電極端子接続部と陰極外部電極
端子接続部としてコンデンサ素子を構成し、該コンデン
サ素子の陽極外部電極端子接続部及び陰極外部電極端子
接続部にそれぞれ陽極外部電極端子及び陰極外部電極端
子を接続したことを特徴とするアルミ固体コンデンサ。 - 【請求項２】 前記コンデンサ素子を複数個重ね合わ
せ、陽極外部電極端子接続部同士を接合すると共に、陰
極外部電極端子接続部同士を接合して積層体を構成し、
該積層体の陽極外部電極端子接続部の接合部及び陰極外
部電極端子接続部の接合部にそれぞれ第２の金属メッキ
層を形成して積層形コンデンサ素子とし、該第２の金属
メッキ層を形成した陽極外部電極端子接続部の接合部及
び陰極外部電極端子接続部の接合部にそれぞれ陽極外部
電極端子及び陰極外部電極端子を接続したことを特徴と
するアルミ固体コンデンサ。 - 【請求項３】 前記第１の金属メッキ層は銅メッキ層及
びニッケルメッキ層を順次形成したメッキ層であること
を特徴とする請求項１又は２記載のアルミ固体コンデン
サ。 - 【請求項４】 前記第２の金属メッキ層が銅メッキ・ニ
ッケルメッキ又は銅メッキ・ハンダメッキ又はハンダメ
ッキ層であることを特徴とする請求項１又は２又は３記
載のアルミ固体コンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9998195A JPH08273983A (ja) | 1995-03-31 | 1995-03-31 | アルミ固体コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9998195A JPH08273983A (ja) | 1995-03-31 | 1995-03-31 | アルミ固体コンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08273983A true JPH08273983A (ja) | 1996-10-18 |
Family
ID=14261850
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9998195A Pending JPH08273983A (ja) | 1995-03-31 | 1995-03-31 | アルミ固体コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08273983A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6392869B2 (en) | 2000-05-26 | 2002-05-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Solid electrolytic capacitor |
| US6563693B2 (en) | 2001-07-02 | 2003-05-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Solid electrolytic capacitor |
| JP2004055699A (ja) * | 2002-07-18 | 2004-02-19 | Nec Tokin Corp | 固体電解コンデンサとその製造方法 |
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| JP2005216929A (ja) * | 2004-01-27 | 2005-08-11 | Nec Tokin Corp | 表面実装薄型コンデンサ及びその製造方法 |
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| US7688571B2 (en) | 2006-10-13 | 2010-03-30 | Nichicon Corporation | Solid electrolytic capacitor |
-
1995
- 1995-03-31 JP JP9998195A patent/JPH08273983A/ja active Pending
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