JP2005216929A - 表面実装薄型コンデンサ及びその製造方法 - Google Patents

表面実装薄型コンデンサ及びその製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】 導電性ポリマーの酸化劣化を緩和すること。
【解決手段】 アルミニウム芯線11と、このアルミニウム芯線の両面を覆うエッチド層12とから成るアルミニウム箔10を母材として用いた表面実装薄型コンデンサにおいて、アルミニウム箔10の両端部の陽極と、アルミニウム箔10の中央部分の表面上に形成される陰極(15,16)との境界に形成されるレジスト樹脂13は、陽極側のエッチド層12と導電性ポリマー層14との間を遮断するように形成されている。また、導電性ポリマー層14の一部分14aがレジスト樹脂13上に這い上がって形成されている場合、この導電性ポリマー層14の這い上がり部分14aを覆うように再レジスト樹脂17が形成されている。
【選択図】 図1

Description

本発明は、表面実装薄型コンデンサ及びその製造方法に関し、特に、母材として金属箔を用いた表面実装薄型コンデンサ及びその製造方法に関する。
この種の表面実装薄型コンデンサは、アルミニウム箔のような金属箔を母材として用いている。金属箔は、金属芯線と、その金属芯線の両面を覆うエッチド層とから成る。化成により、金属箔の表面は酸化膜で覆われている。
図7は従来の表面実装薄型コンデンサの断面図である。図7は、表面実装薄型コンデンサの左端側の断面のみ図示してあるが、右端側も同様な構造している。すなわち、表面実装薄型コンデンサは、いわゆる左右対称な構造をしている。本表面実装薄型コンデンサでは、母材である金属箔としてアルミニウム箔10を用いている。
アルミニウム箔10は、アルミニウム芯線11と、そのアルミニウム芯線11の両面を覆うエッチド層12とから成る。
アルミニウム箔10の両端部が陽極として使用され、アルミニウム箔19の中央部分の表面上に陰極(15,16)が形成される。
図示の表面実装薄型コンデンサは、陽極と陰極(15,16)との境界に形成されたレジスト樹脂13と、アルミニウム箔10の中央部分にあるエッチド層12の内部および表面上に導電性ポリマーの重合により形成された導電性ポリマー層14とを備える。この導電性ポリマー層14の表面上に陰極(15,16)が形成される。
次に、図7に加えて図8を参照して、従来の表面実装薄型コンデンサの製造方法について説明する。
まず、アルミニウム箔10を用意する。アルミニウム箔10は、アルミニウム芯線11と、その両側表面に形成されたエッチド層12とを有する。尚、エッチド層12は、多数の微細孔を持つ。この技術分野において周知のように、アルミニウム箔10は既に化成されている。ここで、“化成”とは、アルミニウム箔10の表面に誘電体膜(酸化アルミニウム膜)(図示せず)を形成することである。詳述すると、この誘電体膜は、エッチド層12の微細孔の内壁にまで形成される。
一般に、アルミニウム箔10の表面を覆っている誘電体膜は損傷しやすく、その欠陥部を修復するため、アルミニウム箔10を再化成する(工程S11)。アルミニウム箔10の左右両端部(図面では、左端側のみ図示してある。)は、コンデンサの陽極として使用される。そして、後述するように、アルミニウム箔10の中央部分の表面には、陰極(14,15)が形成される。陽極と陰極(14,15)との境界部分の、アルミニウム箔10のエッチド層12に、レジスト樹脂13を塗布する(工程S12)。
引き続いて、アルミニウム箔10を再化成し(工程S13)、更に、重合前にも再化成をする(工程S14)。
その後、レジスト樹脂13によって区切られたアルミニウム箔10の中央部分に、導電性ポリマーを重合して、導電性ポリマー層14を形成する(工程S15)。このとき、導電性ポリマーは、アルミニウム箔10のエッチド層12にも浸入していく。すなわち、導電性ポリマーは、エッチド層12の微細孔に入る。重合を繰り返すことにより、導電性ポリマー層14は、レジスト樹脂13の高さとほぼ同じ高さまで形成される。尚、図7に示されるように、レジスト樹脂13の上面まで導電性ポリマー層14の左右両端部14aが這い上がっている場合もある。
導電性ポリマー層14の表面にグラファイト(Gr)層15を形成し(工程S16)、さらに、このGr層15の表面にAg層16を形成する(工程S17)。Gr層15とAg層16との組み合わせは、コンデンサの陰極として使用される。
このようにして、従来の表面実装薄型コンデンサが製造される。
このような構造の従来の表面実装薄型コンデンサでは、アルミニウム箔10のエッチド層12の多孔部分をレジスト樹脂13で完全に充填することができない。その為、図7の矢印AおよびBで示されるように、このレジスト樹脂13の内側にあるエッチド層12を介して、導電性ポリマー及び酸素が容易に通過する。その結果、従来の表面実装薄型コンデンサには次に述べるような欠点がある。
(1)酸素の侵入により導電性ポリマーの酸化劣化を促進するので、高温信頼性を確保することが出来ない。(2)導電性ポリマーが陽極側に侵入して、ショートしたり、LCが大きくなる。(3)レジスト樹脂13の表面に導電性ポリマー層14の一部14aが這い上がり、そこよりポリマー酸化劣化が生じる。
そのような欠点を生じる理由は、次の通りであると考えられる。すなわち、アルミニウム箔10のエッチド層12の多孔部分が微細孔であり、レジスト樹脂13をアルミニウム箔10の表面からエッチド層12の内部まで完全に充填出来ないからである。
本発明の目的は、導電性ポリマーの酸化劣化を緩和することが出来る表面実装薄型コンデンサ及びその製造方法を提供することにある。
本発明の他の目的は、ショートしたり、LCが大きくなるのを防止することが出来る表面実装薄型コンデンサ及びその製造方法を提供することにある。
本発明のもっと他の目的は、酸化劣化を防止することが出来る表面実装薄型コンデンサ及びその製造方法を提供することにある。
本発明の第1の態様によれば、金属芯線と、この金属芯線の両面を覆うエッチド層とから成る金属箔を母材として用いた表面実装薄型コンデンサであって、金属箔の両端部が陽極として使用され、金属箔の中央部分の表面上に陰極が形成され、表面実装薄型コンデンサは、陽極と陰極との境界に形成されたレジスト樹脂と、金属箔の中央部分にあるエッチド層の内部および表面に導電性ポリマーの重合により形成された導電性ポリマー層とを備え、この導電性ポリマー層の表面上に陰極が形成された表面実装薄型コンデンサにおいて、レジスト樹脂が、陽極側のエッチド層と導電性ポリマー層との間を遮断するように形成されていることを特徴とする表面実装薄型コンデンサが得られる。
上記表面実装薄型コンデンサにおいて、上記金属箔は、例えば、アルミニウム箔であって良い。導電性ポリマー層の一部分がレジスト樹脂上に這い上がって形成されている場合、表面実装薄型コンデンサは、この導電性ポリマー層の這い上がり部分を覆うように形成された再レジスト樹脂を更に有することが好ましい。上記レジスト樹脂は、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂の群の中から選択されることが望ましい。上記再レジスト樹脂は、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂の群の中から選択されることが望ましい。
本発明の第2の態様によれば、金属芯線と、この金属芯線の両面を覆うエッチド層とから成る金属箔を母材として用いた表面実装薄型コンデンサを製造する方法であって、金属箔の両端部である陽極と、金属箔の中央部分の表面上に形成されるべき陰極との境界部分にある、エッチド層を除去する工程と、この除去した部分にレジスト樹脂を充填する工程と、金属箔の中央部分にあるエッチド層の内部および表面上に導電性ポリマーを重合して導電性ポリマー層を形成する工程と、導電性ポリマー層の表面上に陰極を形成する工程とを含む表面実装薄型コンデンサの製造方法が得られる。
本発明の第2の態様に係る表面実装薄型コンデンサの製造方法において、導電性ポリマー層の一部分がレジスト樹脂上に這い上がって形成されている場合、この導電性ポリマー層の這い上がり部分を覆うように再レジスト樹脂を形成する工程を更に含むことが好ましい。上記除去した部分の幅が1mm以内であることが好ましい。上記レジスト樹脂は、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂の群の中から選択されることが望ましい。上記再レジスト樹脂は、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂の群の中から選択されることが望ましい。
本発明の第3の態様によれば、金属芯線と、この金属芯線の両面を覆うエッチド層とから成る金属箔を母材として用いた表面実装薄型コンデンサを製造する方法であって、金属箔の両端部である陽極と、金属箔の中央部分の表面上に形成されるべき陰極との境界部分にある、エッチド層を圧縮する工程と、この圧縮した部分にレジスト樹脂を充填する工程と、金属箔の中央部分にあるエッチド層の内部および表面上に導電性ポリマーを重合して導電性ポリマー層を形成する工程と、導電性ポリマー層の表面上に陰極を形成する工程とを含む表面実装薄型コンデンサの製造方法が得られる。
本発明の第3の態様に係る表面実装薄型コンデンサの製造方法において、導電性ポリマー層の一部分がレジスト樹脂上に這い上がって形成されている場合、この導電性ポリマー層の這い上がり部分を覆うように再レジスト樹脂を形成する工程を更に含むことが好ましい。上記圧縮した部分の幅が1mm以内であることが好ましい。上記レジスト樹脂は、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂の群の中から選択されることが望ましい。上記再レジスト樹脂は、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂の群の中から選択されることが望ましい。
陽極側からエッチド層を介して導電性ポリマー層へ酸素が侵入するのを遮断することで、導電性ポリマーの酸化劣化を緩和することができる。エッチド層を介して導電性ポリマー層から陽極側へ導電性ポリマーが侵入(浸入)するを遮断して、コンデンサがショートしたり、LCが大きくなるのを防止することができる。レジスト樹脂上に這い上がった導電性ポリマー層の部分に再レジスト樹脂を形成して、導電性ポリマー層を完全に酸素から遮断して、導電性ポリマー層の酸化劣化を防止することができる。
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。
図1を参照して、本発明の一実施の形態に係る表面実装薄型コンデンサ及びその製造方法について説明する。図1において、(A)は表面実装薄型コンデンサの全体を示す正面図、(B)は(A)の点線円で囲んだ、表面実装薄型コンデンサの左端側の断面図である。図1(A)から明らかなように、表面実装薄型コンデンサは、左右対称の構造をしている。
図示の表面実装薄型コンデンサは、アルミニウム芯線11と、このアルミニウム芯線11の両面を覆うエッチド層12とから成るアルミニウム箔10を母材として用いている。アルミニウム箔10の両端部が陽極として使用される。アルミニウム箔10の中央部分の表面上に陰極(15,16)が形成される。
表面実装薄型コンデンサは、陽極と陰極(15,16)との境界に形成されたレジスト樹脂13と、アルミニウム箔の中央部分にあるエッチド層12の内部および表面上に導電性ポリマーの重合により形成された導電性ポリマー層14とを備える。この導電性ポリマー層13の表面上に上記陰極(15,16)が形成される。
本実施の形態では、上記レジスト樹脂13が、陽極側のエッチド層12と導電性ポリマー層14との間を遮断するように形成されている。
また、導電性ポリマー層14の一部分14aがレジスト樹脂13上に這い上がって形成されている。表面実装薄型コンデンサは、この導電性ポリマー層14の這い上がり部分14aを覆うように形成された再レジスト樹脂17を更に有する。
尚、レジスト樹脂13は、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂の群の中から選択される。また、再レジスト樹脂17も、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂の群の中から選択される。その理由は、エポキシ系樹脂やアクリル系樹脂が、高密度の樹脂だからである。
次に、図1に加えて図2を参照して、本実施の形態に係る表面実装薄型コンデンサの第1の製造方法について説明する。
まず、アルミニウム箔10を用意する。アルミニウム箔10は、アルミニウム芯線11と、その両側表面に形成されたエッチド層12とを有する。尚、エッチド層12は、多数の微細孔を持つ。前述したように、アルミニウム箔10は予め化成されており、その結果、アルミニウム箔10の表面は、酸化アルミニウム膜(図示せず)で覆われている。詳述すると、この酸化アルミニウム膜は、エッチド層12の微細孔の壁にまで形成される。酸化アルミニウム膜は、コンデンサの誘電体膜として働く。
一般に、アルミニウム箔10の表面を覆っている誘電体膜は損傷しやすく、その欠陥部を修復するため、アルミニウム箔10を再化成する(工程S1)。アルミニウム箔10の左右両端部(図1(B)では、左端側のみ図示してある。)は、コンデンサの陽極として使用される。そして、後述するように、アルミニウム箔10の中央部分の表面上には、陰極(15,16)が形成される。
次に、陽極と陰極との境界部分にある、後述するレジスト樹脂13を形成すべき部分のエッチド層12を除去する(工程S2)。ここで、除去した部分の幅は、1mm以内である。そして、この除去した部分に、レジスト樹脂13を充填し、必要な高さに形成する(工程S3)。
引き続いて、アルミニウム箔10を再化成し(工程S4)、更に、重合前にも再化成をする(工程S5)。
次に、レジスト樹脂13によって区切られたアルミニウム箔10の中央部分に、導電性ポリマーを重合して、導電性ポリマー層14を形成する(工程S6)。このとき、導電性ポリマーは、アルミニウム箔10のエッチド層12にも浸入していく。重合を繰り返すことにより、導電性ポリマー層14は、レジスト樹脂13の高さとほぼ同じ高さまで形成される。尚、図1(B)に示されるように、レジスト樹脂13まで導電性ポリマー層14の左右両端部14aが這い上がっていることが分かる。
その後、導電性ポリマー層14の表面上にグラファイト(Gr)層15を形成し(工程S7)、さらに、このGr層15の表面にAg層16を形成する(工程S8)。Gr層15とAg層16との組み合わせがコンデンサの陰極として使用される。
更に、本実施の形態では、Ag層16形成後、レジスト樹脂13上面からAg層16にかけて、再レジスト樹脂17を塗布することにより、上述したレジスト樹脂13上への電導性ポリマー層14の這い上がり部分14aを覆う(工程S9)。
このようにして、本発明の実施の形態に係る表面実装薄型コンデンサが製造される。
上述したように、第1の製造方法では、レジスト樹脂13を塗布する前に、アルミニウム箔10のエッチド層12を除去し、その除去した部分にレジスト樹脂13を充填し、かつ、必要な高さに形成している。このため、レジスト樹脂13を介して酸素が陽極側から導電性ポリマー層14に侵入するのを遮断することができる。その結果、導電性ポリマー層14の酸化劣化を緩和することができる。逆に、レジスト樹脂13を介して導電性ポリマー層14から陽極側へ導電性ポリマーが侵入(浸入)するのを遮断することができる。その結果、本表面実装薄型コンデンサがショートしたり、そのLCが大きくなるのを防止することができる。
また、第1の製造方法では、レジスト樹脂13上面への導電性ポリマー樹脂14の這い上がり部分14aを再レジスト樹脂17で覆っているので、電導性ポリマー樹脂14を完全に酸素より遮断することができる。この結果、電導性ポリマー樹脂14の酸化劣化を防止することができる。
次に、図1に加えて図3を参照して、本実施の形態に係る表面実装薄型コンデンサの第2の製造方法について説明する。
第2の製造方法は、陽極と陰極(15,16)との境界部分にある、レジスト樹脂13を形成すべき部分のエッチド層12を除去する工程S2の代わりに、圧縮する工程S2Aを用いる点を除いて、上述した第1の製造方法と同様である。したがって、第2の製造方法の詳しい説明は省略し、以下では、第1の製造方法と相違する点についてのみ説明する。
ここで、“圧縮”するとは、エッチド層12に形成されている多数の微細孔がなくなるように、エッチド層12の厚さを実質的に零にする(換言すれば、エッチド層12をいわゆるぺちゃんこにする)ことを意味する。
上記圧縮工程S2Aにおいて圧縮した部分の幅は、1mm以内である。上記圧縮した部分に、レジスト樹脂13を充填し、必要な高さに形成する(工程S3)。それ以後の工程は、上述した第1の製造方法と同様である。
上述したように、第2の製造方法では、レジスト樹脂13を塗布する前に、アルミニウム箔10のエッチド層12を圧縮し、その圧縮した部分にレジスト樹脂13を充填し、かつ、必要な高さに形成している。このため、レジスト樹脂13を介して酸素が陽極側から導電性ポリマー層14に侵入するのを遮断することができる。その結果、導電性ポリマー層14の酸化劣化を緩和することができる。逆に、レジスト樹脂13を介して導電性ポリマー層14から陽極側へ導電性ポリマーが侵入(浸入)するのを遮断することができる。その結果、本表面実装薄型コンデンサがショートしたり、そのLCが大きくなるのを防止することができる。
また、第2の製造方法でも、レジスト樹脂13上面への導電性ポリマー樹脂14の這い上がり部分14aを再レジスト樹脂17で覆っているので、電導性ポリマー樹脂14を完全に酸素より遮断することができる。この結果、電導性ポリマー樹脂14の酸化劣化を防止することができる。
図4乃至図6に、本発明により提案された表面実装薄型コンデンサ(以下、単に「本提案品」という)(図1)と、従来の表面実装薄型コンデンサ(以下、単に従来品という)(図5)とを高温(150℃)で放置したときの各種の特性を示す。ここでは、本提案品および従来品とも、それぞれ、試料として3個使用した場合を示している(n=3)。
図4は、周波数120Hzの電圧を各試料に印加した状態で測定された容量変化率(ΔC/C)の特性図であって、横軸は時間(h)を示し、縦軸は容量変化率の割合(%)を示している。図4から、本提案品の方が従来品よりも容量変化率(ΔC/C)が小さいことが分かる。
図5は、周波数100kHzの電圧を各試料に印加した状態で測定された等価直列抵抗(ESR)の特性図であって、横軸は時間(h)を示し、縦軸は抵抗値(mΩ)を示している。図5から、時間が経過しても、本提案品の方が従来品よりもESRが小さいことが分かる。
図6は、周波数1kHzの電圧を各試料に印加した状態で測定された等価直列抵抗(ESR)の特性図であって、横軸は時間(h)を示し、縦軸は抵抗値(mΩ)を示している。図6から、時間が経過しても、本提案品の方が従来品よりもESRが小さいことが分かる。
以上のことから、本提案品の方が従来品よりも特性が良いことが分かる。
尚、本発明は、上述した実施の形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更が可能なのはいうまでもない。例えば、上述した実施の形態では、レジスト樹脂13上面への導電性ポリマー樹脂14の這い上がり部分を再レジスト樹脂17で覆っているが、この再レジスト樹脂17はなくても良い。また、上述した実施の形態では、母材となる金属箔としてアルミニウム箔を使用した場合を例に挙げて説明したが、他の金属箔を母材として使用しても良い。
本発明の一実施の形態による表面実装薄型コンデンサを示す図で、(A)は概略正面、(B)は部分断面図である。 図1に図示した表面実装薄型コンデンサの第1の製造方法を説明するための工程図である。 図1に図示した表面実装薄型コンデンサの第2の製造方法を説明するための工程図である。 周波数120Hzの電圧を印加した状態で測定された本提案品及び従来品の容量変化率(ΔC/C)の特性図である。 周波数100kHzの電圧を印加した状態で測定された本提案品及び従来品の等価直列抵抗(ESR)の特性図である。 周波数1kHzの電圧を印加した状態で測定された本提案品及び従来品の等価直列抵抗(ESR)の特性図である。 従来の表面実装薄型コンデンサを示す部分断面図である。 図7に図示した表面実装薄型コンデンサの製造方法を説明するための工程図である。
符号の説明
10 アルミニウム箔
11 アルミニウム芯線
12 エッチド層
13 レジスト樹脂
14 導電性ポリマー層
15 Gr層
16 Ag層
17 再レジスト樹脂

Claims (15)

  1. 金属芯線(11)と、該金属芯線の両面を覆うエッチド層(12)とから成る金属箔(10)を母材として用いた表面実装薄型コンデンサであって、前記金属箔の両端部が陽極として使用され、前記金属箔の中央部分の表面上に陰極(15,16)が形成され、前記表面実装薄型コンデンサは、前記陽極と前記陰極との境界に形成されたレジスト樹脂(13)と、前記金属箔の中央部分にある前記エッチド層の内部および表面に導電性ポリマーの重合により形成された導電性ポリマー層(14)とを備え、該導電性ポリマー層の表面上に前記陰極(15,16)が形成された前記表面実装薄型コンデンサにおいて、
    前記レジスト樹脂(13)が、前記陽極側の前記エッチド層と前記導電性ポリマー層との間を遮断するように形成されていることを特徴とする表面実装薄型コンデンサ。
  2. 前記金属箔がアルミニウム箔(10)である、請求項1に記載の表面実装薄型コンデンサ。
  3. 前記導電性ポリマー層(14)の一部分(14a)が前記レジスト樹脂(13)上に這い上がって形成されており、該導電性ポリマー層の這い上がり部分(14a)を覆うように形成された再レジスト樹脂(17)を更に有する請求項1に記載の表面実装薄型コンデンサ。
  4. 前記レジスト樹脂(13)がエポキシ系樹脂、アクリル系樹脂の群の中から選択されている、請求項1に記載の表面実装薄型コンデンサ。
  5. 前記再レジスト樹脂(17)がエポキシ系樹脂、アクリル系樹脂の群の中から選択されている、請求項3に記載の表面実装薄型コンデンサ。
  6. 金属芯線(11)と、該金属芯線の両面を覆うエッチド層(12)とから成る金属箔(10)を母材として用いた表面実装薄型コンデンサを製造する方法であって、
    前記金属箔の両端部である陽極と、前記金属箔の中央部分の表面上に形成されるべき陰極(15,16)との境界部分にある、前記エッチド層を除去する工程(S2)と、
    該除去した部分にレジスト樹脂(13)を充填する工程(S3)と、
    前記金属箔の中央部分にある前記エッチド層の内部および表面に導電性ポリマーを重合して導電性ポリマー層(14)を形成する工程(S6)と、
    前記導電性ポリマー層の表面上に前記陰極(15,16)を形成する工程(S7,S8)と
    を含む表面実装薄型コンデンサの製造方法。
  7. 前記導電性ポリマー層(14)の一部分(14a)が前記レジスト樹脂上に這い上がって形成されており、
    該導電性ポリマー層の這い上がり部分(14a)を覆うように再レジスト樹脂(17)を形成する工程(S9)を更に含む請求項6に記載の表面実装薄型コンデンサの製造方法。
  8. 前記除去した部分の幅が1mm以内であることを特徴とする請求項6又は7に記載の表面実装薄型コンデンサの製造方法。
  9. 前記レジスト樹脂(13)がエポキシ系樹脂、アクリル系樹脂の群の中から選択されている、請求項6に記載の表面実装薄型コンデンサの製造方法。
  10. 前記再レジスト樹脂(17)がエポキシ系樹脂、アクリル系樹脂の群の中から選択されている、請求項7に記載の表面実装薄型コンデンサの製造方法。
  11. 金属芯線(11)と、該金属芯線の両面を覆うエッチド層(12)とから成る金属箔(10)を母材として用いた表面実装薄型コンデンサを製造する方法であって、
    前記金属箔の両端部である陽極と、前記金属箔の中央部分の表面上に形成されるべき陰極(15,16)との境界部分にある、前記エッチド層を圧縮する工程(S2A)と、
    該圧縮した部分にレジスト樹脂(13)を充填する工程(S3)と、
    前記金属箔の中央部分にある前記エッチド層の内部および表面上に導電性ポリマーを重合して導電性ポリマー層(14)を形成する工程(S6)と、
    前記導電性ポリマー層の表面上に前記陰極(15,16)を形成する工程(S7,S8)と
    を含む表面実装薄型コンデンサの製造方法。
  12. 前記導電性ポリマー層(14)の一部分(14a)が前記レジスト樹脂上に這い上がって形成されており、
    該導電性ポリマー層の這い上がり部分(14a)を覆うように再レジスト樹脂(17)を形成する工程(S9)を更に含む請求項11に記載の表面実装薄型コンデンサの製造方法。
  13. 前記圧縮した部分の幅が1mm以内であることを特徴とする請求項11又は12に記載の表面実装薄型コンデンサの製造方法。
  14. 前記レジスト樹脂(13)がエポキシ系樹脂、アクリル系樹脂の群の中から選択されている、請求項11に記載の表面実装薄型コンデンサの製造方法。
  15. 前記再レジスト樹脂(17)がエポキシ系樹脂、アクリル系樹脂の群の中から選択されている、請求項12に記載の表面実装薄型コンデンサの製造方法。

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Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007305661A (ja) * 2006-05-09 2007-11-22 Nippon Chemicon Corp 固体電解コンデンサ及びその製造方法
JP2009129936A (ja) * 2007-11-20 2009-06-11 Nec Tokin Corp 表面実装薄型コンデンサ及びその製造方法
JP2009176850A (ja) * 2008-01-23 2009-08-06 Nec Tokin Corp 表面実装薄型コンデンサ
JP2010267866A (ja) * 2009-05-15 2010-11-25 Murata Mfg Co Ltd 固体電解コンデンサ
JP2011044607A (ja) * 2009-08-21 2011-03-03 Nippon Chemicon Corp 固体電解コンデンサ及びその製造方法
JP2011096746A (ja) * 2009-10-28 2011-05-12 Nec Tokin Corp 表面実装薄型コンデンサ
JP2011108843A (ja) * 2009-11-17 2011-06-02 Nec Tokin Corp 表面実装型固体電解コンデンサ
JP2011155236A (ja) * 2009-12-28 2011-08-11 Murata Mfg Co Ltd 固体電解コンデンサ素子及びその製造方法
JP2011249632A (ja) * 2010-05-28 2011-12-08 Nichicon Corp 固体電解コンデンサ用基材およびその製造方法、単板固体電解コンデンサ素子およびその製造方法、並びに積層型固体電解コンデンサおよびその製造方法
JP4877229B2 (ja) * 2005-06-23 2012-02-15 株式会社村田製作所 固体電解コンデンサ及びその製造方法
WO2017154374A1 (ja) * 2016-03-10 2017-09-14 パナソニックIpマネジメント株式会社 固体電解コンデンサおよびその製造方法
WO2020153451A1 (ja) * 2019-01-24 2020-07-30 パナソニックIpマネジメント株式会社 固体電解コンデンサおよびその製造方法

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104882286B (zh) * 2015-06-09 2017-07-28 湖南柯立凯科技开发有限公司 一种固态铝电解电容器
CN114586123A (zh) * 2019-10-31 2022-06-03 松下知识产权经营株式会社 电解电容器及其制造方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0794369A (ja) * 1993-09-27 1995-04-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体電解コンデンサ
JPH08273983A (ja) * 1995-03-31 1996-10-18 Nitsuko Corp アルミ固体コンデンサ
WO2000067267A1 (fr) * 1999-04-30 2000-11-09 Showa Denko K.K. Condensateur electrolytique solide et son procede de fabrication
JP2001185456A (ja) * 1999-12-22 2001-07-06 Marcon Electronics Co Ltd 固体電解コンデンサ
JP2002270468A (ja) * 2001-03-08 2002-09-20 Nec Tokin Toyama Ltd コンデンサ製造方法及びコンデンサ
JP2003007571A (ja) * 2001-06-21 2003-01-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体電解コンデンサおよびその製造方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4203194A (en) * 1978-07-17 1980-05-20 Sprague Electric Company Batch method for making solid-electrolyte capacitors
US5424907A (en) * 1992-02-21 1995-06-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Solid electrolytic capacitors and method for manufacturing the same
JP3276113B1 (ja) * 2000-05-26 2002-04-22 松下電器産業株式会社 固体電解コンデンサ
JP2003197468A (ja) * 2001-10-19 2003-07-11 Nec Tokin Toyama Ltd 固体電解コンデンサ及びその製造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0794369A (ja) * 1993-09-27 1995-04-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体電解コンデンサ
JPH08273983A (ja) * 1995-03-31 1996-10-18 Nitsuko Corp アルミ固体コンデンサ
WO2000067267A1 (fr) * 1999-04-30 2000-11-09 Showa Denko K.K. Condensateur electrolytique solide et son procede de fabrication
JP2001185456A (ja) * 1999-12-22 2001-07-06 Marcon Electronics Co Ltd 固体電解コンデンサ
JP2002270468A (ja) * 2001-03-08 2002-09-20 Nec Tokin Toyama Ltd コンデンサ製造方法及びコンデンサ
JP2003007571A (ja) * 2001-06-21 2003-01-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体電解コンデンサおよびその製造方法

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4877229B2 (ja) * 2005-06-23 2012-02-15 株式会社村田製作所 固体電解コンデンサ及びその製造方法
JP2007305661A (ja) * 2006-05-09 2007-11-22 Nippon Chemicon Corp 固体電解コンデンサ及びその製造方法
JP2009129936A (ja) * 2007-11-20 2009-06-11 Nec Tokin Corp 表面実装薄型コンデンサ及びその製造方法
JP2009176850A (ja) * 2008-01-23 2009-08-06 Nec Tokin Corp 表面実装薄型コンデンサ
JP2010267866A (ja) * 2009-05-15 2010-11-25 Murata Mfg Co Ltd 固体電解コンデンサ
JP2011044607A (ja) * 2009-08-21 2011-03-03 Nippon Chemicon Corp 固体電解コンデンサ及びその製造方法
JP2011096746A (ja) * 2009-10-28 2011-05-12 Nec Tokin Corp 表面実装薄型コンデンサ
JP2011108843A (ja) * 2009-11-17 2011-06-02 Nec Tokin Corp 表面実装型固体電解コンデンサ
JP2011155236A (ja) * 2009-12-28 2011-08-11 Murata Mfg Co Ltd 固体電解コンデンサ素子及びその製造方法
JP2011249632A (ja) * 2010-05-28 2011-12-08 Nichicon Corp 固体電解コンデンサ用基材およびその製造方法、単板固体電解コンデンサ素子およびその製造方法、並びに積層型固体電解コンデンサおよびその製造方法
WO2017154374A1 (ja) * 2016-03-10 2017-09-14 パナソニックIpマネジメント株式会社 固体電解コンデンサおよびその製造方法
JPWO2017154374A1 (ja) * 2016-03-10 2019-01-10 パナソニックIpマネジメント株式会社 固体電解コンデンサおよびその製造方法
US11127533B2 (en) 2016-03-10 2021-09-21 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Solid electrolytic capacitor and method for manufacturing same
JP7029600B2 (ja) 2016-03-10 2022-03-04 パナソニックIpマネジメント株式会社 固体電解コンデンサおよびその製造方法
WO2020153451A1 (ja) * 2019-01-24 2020-07-30 パナソニックIpマネジメント株式会社 固体電解コンデンサおよびその製造方法
US11862406B2 (en) 2019-01-24 2024-01-02 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Solid electrolytic capacitor and method for manufacturing same

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