KR100455940B1 - 고체전해캐피시터의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 양극인출부의 피트사이의 공간까지 충진되도록 이종(異種)의 경화성 액상수지를 사용하여 상부 및 하부 중합방지층을 형성하는 단계를 포함하는 고체 전해질 캐패시터의 제조방법을 제공한다. 여기서 사용되는 이종의 경화성 액상수지는 이형성과 연신성이 우수하여 경화된 후에 알루미늄으로부터 박리가 용이할 뿐만 아니라, 상부 및 하부 중합방지층을 서로 분리가 용이한 이종의 재료로 선택하여 형성함으로써 중합공정 후에 쉽게 제거할 수 있다. 이로써 흐름방식의 화학중합공정에서도 양극인출부에 산화제나 모노머액이 침투하는 것을 차단하면서, 전해중합시 양극인출부가 작업전극로서 작용하지 못하도록 함으로써, 제품의 불량발생을 방지할 수 있다.
Description
본 발명은 전도성 고분자 화합물을 이용한 고체 전해캐패시터의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 전도성 고분자 화합물을 음극에 형성하기 전에, 알루미늄포일의 피트(pit)내부까지 경화성 액상수지를 침투시켜 극구분영역을 형성함으로써 상기 전도성 고분자화합물을 포함한 음극형성재료에 의한 음극과 양극의 연결을 방지하는 고체 전해캐패시터의 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, 액체전해질을 사용한 전해캐패시터는 낮은 전도도를 갖고 고온에서 안정성이 떨어지므로, 폴리아닐린(polyaniline), 폴리피롤(polypyrrole), 폴리티오펜(polythiopen) 등의 전도성 고분자를 이용한 고체 전해질 캐패시터가 등장하게 되었다. 이는 고온에서도 내구성이 뛰어날 뿐만 아니라, 액체 전해질에 비해 높은 전도도인 100-101S/㎝을 나타내며, 주파수에 따른 특성값도 우수한 장점이 있다. 이러한 고체 전해질 캐패시터는 전자기기의 소형화에 따라 리드프레임을 이용한 실장방식에서 표면실장을 위한 칩형태로 변화되는 추세에 있다.
도1은 일반적인 칩형 고체전해질 캐패시터의 구조를 나타내는 단면도이다.
도1을 참조하면, 상기 칩형 고체전해캐패시터은 양극인출부(10a)를 제공하는 양극영역과, 음극영역(10b)으로 이루어진 알루미늄 포일(10)로 이루어진다. 상기알루미늄 포일(10)의 음극영역(10b)을 화성시켜 형성된 유전체층(22)과, 그 위에 전도성 고분자층(24)과, 상기 전도성고분자층(24) 상에 은페이스트를 이용하여 도전체층(26)과, 그 도전체층(26) 상에 카본층(28)이 형성되어 있다. 이를 패키징하기 위해, 소정의 리드프레임을 도전체층(28)과 양극인출부(10a)에 각각 연결하여 양극단자(32a)과 음극단자(32b)를 형성하고 EMC몰딩법을 이용하여 몰딩부(35)를 형성함으로써 칩형 고체전해질 캐패시터가 완성된다.
이 때, 전도성 고분자층(22)을 형성하기 위해 전해질을 이용한 화학중합공정이 적용된다. 이와 같이 전도성 고분자층(22) 중합공정시에 양극영역(10a)에 전도성 고분자 재료가 침투하여 중합되는 경우에, 두 극이 분리되지 않아 제품의 치명적인 불량을 발생시킬 수 있다. 그러므로, 전도성 고분자층 형성시에 극분리불량을 방지하기 위해, 일반적으로 음극영역(10b)와 인접한 양극인출부(10a)의 일부영역(Ⅰ)에 절연물질로 이루어진 극분리부를 형성해야 한다. 이러한 극분리부로는 통상의 절연테이프를 사용하는 방법 또는, 본 출원인에 의해 기출원된 특허 2001-84956호(발명명칭: 고체전해질캐패시터 제조방법, 2001년 12월 16일 출원)에 기재된 바와 같이, 보다 효과적인 극분리를 위해 알루미늄 포일의 피트 사이의 공간까지 충진되도록 극분리용 액상수지를 사용하는 방법이 있을 수 있다.
하지만, 이러한 극분리부만으로 중합공정시에 발생되는 양극인출부에 원하지 않는 전도성 고분자층 형성에 의한 불량문제를 완전히 해결할 수 없다. 특히, 도2에 도시된 바와 같이, 알루미늄 포일을 산화제용액조(51)와 모노머용액조(52)를 연속적으로 통과시키는 흐름방식을 이용한 화학중합을 통해 전도성 고분자층을 형성하는 방식이 대량생산을 위해 적극적으로 사용되는데, 이 경우에 극분리부와 인접한 양극인출부까지 전도성 고분자층이 형성되는 문제되기 쉽다.
이러한 흐름방식에 따른 중합공정에서 발생되는 문제에 대해, 도3a 내지 도3b를 참조하여 보다 상세히 설명하기로 한다. 도3a는 절연테이프를 이용한 중합방지층이 형성된 알루미늄포일의 평면도이며, 도3b는 상기 알루미늄포일 중 하나의 돌출부에 해당하는 부분의 측단면도이다.
도3a를 참조하면, 하나의 소자에서 음극영역(10b)에 상응하는 돌출부가 양측에 복수개가 형성된 알루미늄 포일(10)이 도시되어 있다. 상기 알루미늄 포일(10)은 특허2001-84956호에 기재된 방법으로 경화성 수지를 이용하여 극분리부(35)를 마련되어 있다. 이러한 극분리부(35)는 앞서 설명한 바와 같이, 양극인출부(10a)와 음극영역(10b)을 분리시키는 역할을 하며, 전해중합공정을 위해 사용되는 절연 테이프(45)를 돌출부 사이의 양극인출부(10a)을 따라 부착시킴으로써 원하지 않는 중합반응을 방지한다.
하지만, 이러한 절연 테이프(45)를 사용하더라도, 그 접착제가 알루미늄 포일의 피트(P)내부까지 충진되지 못하므로, 화학중합반응시 고분자재료가 양극인출부(10a)에 침투하여 제품의 불량이 발생되어, 제품 불량율이 커지는 문제가 있었다. 이러한 문제는 흐름공정을 이용한 중합공정뿐만 아니라, 딥핑(dipping)방식에서도 마찬가지다. 즉, 알루미늄포일의 음극영역에 한해 산화제액과 모노머액에 침지시킬 때에도 그 깊이조절을 잘못하는 경우에도, 동일한 문제가 발생될 수 있다.
이와 같이, 알루미늄 포일의 음극인출부에 전도성 고분자를 중합할 때, 피트를 따라 양극인출부에서도 발생될 수 있는 중합반응문제는 제품수율을 저하시키는 심각한 문제가 되고 있다.
따라서, 당 기술분야에서는, 전도성 고분자화합물의 중합공정에서 양극인출부에서는 중합되지 않도록 양극인출부를 적절하게 보호할 수 있는 새로운 고체전해질 캐패시터 제조방법이 요구되어 왔다.
본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위해서 안출된 것으로, 그 목적은 전도성고분자 화합물을 중합시켜 전도성 고분자층을 형성하기 전에 상기 알루미늄 포일 중 상기 양극인출부의 상면과 하면에 알루미늄과 이형성을 가지면서 상호간에도 이형성을 갖는 두 경화성 액상 수지를 이용하여 양극인출부의 상면과 하면에 각각 중합방지층을 형성하고, 중합공정이 완료된 후에 이를 각각 박리시킴으로써 양극인출부에서 상기 전도성 고분자화합물이 중합하여 발생되는 불량문제를 획기적으로 개선한 고체 전해질 캐피시터 제조방법을 제공하는데 있다.
도1은 일반적인 칩형 고체전해 캐패시터의 단면도이다.
도2는 고체전해질 캐패시터 제조공정 중 일반적인 흐름방식에 따른 화학중합단계를 설명하기 위한 개략적인 공정단면도이다.
도3a 및 3b는 종래의 중합방지층이 형성된 알루미늄 포일의 평면도 및 측단면도이다.
도4a 및 4b는 본 발명에 따른 중합방지층이 형성된 알루미늄 포일의 측단면도이다.
도5는 본 발명에 따른 중합방지층이 형성된 알루미늄 포일의 평면도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호설명>
10: 알루미늄 포일 10a: 양극인출부
20: 캐패시터부 22: 유전체층
24: 전도성 고분자층 26: 도전층
28: 카본층 45: 극분리부
101; 상부 중합방지층 102: 하부 중합방지층
상기 과제를 이루기 위해서, 본 발명은, 양면에 조면화층 또는 다공질층이 형성된 알루미늄 포일을 마련하는 단계와, 상기 알루미늄 포일 중 양극인출부와 음극영역 사이의 경계영역에 극분리부를 형성하는 단계와, 상기 알루미늄 포일 중 상기 양극인출부의 상면에 적어도 알루미늄과 이형성을 갖는 제1 경화성 액상 수지를 이용하여 상부 중합방지층을 형성하는 공정과 상기 양극인출부의 하면에 상기 제1경화성 액상 수지 및 알루미늄과 이형성을 갖는 제2 경화성 수지로 이용하여 하부 중합방지층을 상기 상부 중합방지층과 연결되도록 형성하는 공정을 임의의 순서로 수행하는 단계와, 상기 음극영역의 알루미늄 포일에 전도성 고분자층을 형성하는 단계와, 상기 상부중합방지층과 상기 하부중합방지층을 각각 제거하는 단계와, 상기 전도성 고분자층에 카본층 및 도전체층을 형성하는 단계와, 상기 양극인출부 및 상기 도전체층 상에 각각 양극단자와 음극단자를 형성하는 단계를 포함하는 고체전해질 캐패시터 제조방법을 제공한다.
또한, 실시형태에 따라, 상기 극분리부는, 이미드(imide)계 또는 실리콘계 등의 절연성 테이프를 부착하거나, 극분리용 액상 수지를 도포하여 경화시켜 형성할 수 있다.
나아가, 상기 상부 또는 하부 중합방지층을 형성하는 단계는 상기 양극인출부의 상면 또는 하면에 상기 제1 또는 제2 경화성 액상수지를 도포하는 단계와, 상기 도포된 제1 또는 제2 경화성 액상수지를 경화시키는 단계로 구성할 수 있으며,상기 제1 또는 제2 경화성 액상수지를 도포하는 단계는 극분리영역을 형성하는 방법과 같이, 스퀴징(squeezing) 공정, 스프레이공정 및 롤 코스팅공정 중 선택된 일 공정으로 경화성 액상수지를 도포하는 방법을 사용할 수 있다.
이러한 상기 제1 경화성 액상수지 또는 상기 제2 경화성 액상수지로는, 자외선(UV)경화성 수지, 열경화성 수지 및, 자연경화성 수지로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 선택하여 사용할 수 있으며, 알루미늄과 이형성을 갖는 중합방지층형성을 위한 수지로는 PVC 겔(gel)계 수지, 실리콘계 수지, 우레탄계 수지, 아크릴레이트계 수지로 이루어진 그룹에서 선택될 수 있으나, 다만, 중합공정 후에 상호 분리가능할 수 있도록 상기 제1 경화성 액상수지 및 상기 제2 경화성 액상수지는 이종(異種)의 수지를 선택하여야 한다.
이하, 도면을 참조하여, 본 발명의 실시예를 보다 상세히 설명하기로 한다.
도4a 및 도4b는 본 발명에 따른 제조방법 중 중합방지층이 형성된 알루미늄포일의 측단면도를 나타낸다.
우선, 도4a를 참조하면, 알루미늄 포일(10)의 양극인출부(10a)와 음극영역(10b)이 분리되도록 극분리용 액상수지를 이용하여 극분리부(35)가 형성된다. 상기 극분리부(35)는 스퀴징(squeezing) 공정, 스프레이공정이나 롤 코스팅공정 중에서 선택된 일방법으로 두 극의 경계영역에 도포한 후에 수지의 종류에 따라 열 또는 자외선 등으로 경화시키거나 자연경화방식으로 형성될 수도 있다. 이러한 극분리부(35)는 전도성 고분자층을 형성한 후에도 잔류하게 된다. 이어, 알루미늄포일 중 양극인출부(10a)에 상부 및 하부 중합방지층(101,102)을 형성한다.
상기 중합방지층(101,102)으로는 경화성 액상 수지가 사용되지만, 반드시 적절한 종류의 경화성 액상수지를 선택해야 한다. 보다 상세히 설명하면, 극분리부(35)를 구성하는 경화성 액상 수지는 피트 내부까지 충진되어 형성되면 특별한 제약이 없이 원하는 기능을 할 수 있는 반면에, 중합방지층(101,102)으로 사용되는 경화성 액상수지는 중합공정 후에는 반드시 제거되어야 하므로, 경화된 후에 알루미늄과 분리가능한 경화성 액상수지를 선택해야 한다. 뿐만 아니라, 극분리부(35)와 같이 단일한 경화성 액상수지로 중합방지층을 형성할 경우에는 알루미늄 포일과 분리가능하더라도 구조적으로 완전히 일체화되어 중합방지층의 분리하기 곤란하므로, 상부중합방지층(101)과 하부중합방지층(102)을 서로 다른 이형성을 갖는 이종(異種)의 재료로 선택하여 각각 형성해야 한다.
이러한 상부 및 하부중합방지층(101,102)을 구성할 수 있는 제1 및 제2 경화성 액상 수지로는 PVC 겔(gel)계 수지, 실리콘계 수지, 우레탄계 수지, 아크릴레이트계 수지로 이루어진 그룹에서 선택된 이종의 재료로 사용될 수 있다. 예를 들어, 제1 경화성 액상 수지를 실리콘계 수지로 선택한 경우에는 제2 경화성 액상 수지를 적어도 실리콘계 수지와 다른 PVC겔계 수지를 선택하여야 한다. 이와 같이 선택된 제1 및 제2 경화성 액상 수지는 각각 양극인출부(10a)의 상면 및 하면에 각각 도포되어 경화되는 방식으로 상부 및 하부중합방지층(101,102)을 형성한다. 이러한 상부 및 하부중합방지층(101,102)을 알루미늄포일의 측면에서 서로 연결시켜 중합공정시 양극인출부의 노출되는 것을 완전히 방지한다.
이와 같이, 도5와 같이, 양극인출부(10a)에 포함하는 양측 돌출부 사이의 알루미늄포일부분에 상부 중합방지층(101)이 형성되며, 그 대응하는 하면에도 하부중합층(미도시)이 형성된다. 이러한 중합방지층을 구비한 알루미늄포일은 도2에 도시된 흐름방식에 의한 중합공정에 의하더라도 양극인출부에서 중합반응이 발생하는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.
도4b는 도4a에 도시된 형태와는 극분리부 형성방법만 달리한 경우로서 절연테이프(35')를 이용한 형태이다. 이 경우에는, 절연테이프에 의한 극분리방법은 피트영역을 따라 전해질이 침투될 수 있어, 상기 중합방지층은 이러한 문제까지 보완할 수 있는 역할까지 기대할 수 있다.
이러한 칩형 Al고체전해캐패시터에서 전해중합을 통한 전도성 고분자층 형성과정은 음극영역이 화성된 알루미늄포일 위로 화학중합을 통하여 폴리피롤과 같은 1차적으로 화학중합에 의한 전도성 고분자층을 형성하여 전해중합의 전극으로 사용할 수 있는 전처리를 한 후, 그 위에 전해중합을 통하여 폴리피롤과 같은 전도성 고분자층을 형성한다. 상기한 바와 같이, 전해중합시 작업전극으로 알루미늄포일 위에 화학중합한 전도성 고분자층을 사용하고, 상대전극으로 금속(백금 혹은 SUS)전극을 사용할 수 있다. 이어, 전해중합이 종료하면 상부 및 하부 중합방지층을 제거하고, 전해중합으로 형성된 전도성 고분자층 위로 카본층 및 도전층을 형성하고 리드프레임으로 전극을 인출한 후에 몰딩공정을 수행함으로써 도1과 같은 고체전해질 캐패시터를 완성할 수 있다.
이하, 본 발명을 구체적인 실시예를 통해 보다 상세히 설명하기로 한다.
(실시예 1)
알루미늄포일의 돌출부 양단으로부터 각각 4.5㎜위치에 경화성 액상수지를 사용하여 스크린을 사용하여 도포시킨 후 경화시켜 극분리부를 형성하였다.
이어, 두 돌출부 사이의 폭 7.5㎜의 양극인출부영역의 상면에 이형성과 연신성이 우수한 일액형 PVC Gel 액상수지를 스크린을 사용하여 도포하고 160℃에서 5分동안 열경화시켜 상부 중합방지층을 형성하고, 상부 중합방지층이 형성된 상면에 대응하는 하면위치에 이형성과 연신성이 우수한 실리콘계 수지를 주제:경화제:이형제의 비를 1:1:0.01로 혼합하여 상부중합방지층과 동일한 방식으로 도포하고, 100℃에서 10분동안 건조 후 160℃로 온도상승 후 10분동안 열경화시켜 하부중합방지층을 형성하였다.
이어, 극분리부를 기준으로 돌출부를 음극으로 형성하기위해 흐름방식을 사용하여 산화제용액과 모노머용액, 또는 모노머용액과 산화제용액을 순차적으로 통과시켜 알루미늄포일 표면 위에 전도성고분자중의 하나인 폴리피롤을 중합시켰다. 그 다음으로, 전해중합을 실시하기 위해서 극분리부를 기준으로 중합방지층까지 SUS막을 부착하여 전류를 인가시킴으로써 알루미늄포일의 음극영역에 다시 폴리피롤층을 형성시키고, 그 SUS막와 함께 상부 및 하부중합방지층을 제거하였다.
이렇게 제조된 폴리피롤층 위에 카본층과 은페이스트를 도포하고, 개별소자단위로 분리시킨 후에 리드프레임으로 전극을 인출하고, EMC 몰딩을 실시함으로써 100개의 고체 전해질 캐패시터를 완성하였다.
(실시예 2)
제1 실시예와 동일한 방법으로 극분리부를 형성한 후, 폭 7.5㎜의 양극인출부에 이형성과 연신성이 우수한 일액형 PVC 겔 액상수지를 스크린을 이용하여 도포하고 160℃에서 5분동안 열경화시킴으로써 상부 중합방지층을 형성하였다. 마찬가지로, 그 하면의 동일한 위치에 이형성과 연신성이 우수한 일액형 실리콘계 수지를 사용하여 앞부분과 동일하게 스크린을 사용해서 도포하고 160℃에서 10분동안 열경화시켜 하부 중합방지층을 형성하였다.
이어, 제1 실시예와 동일한 방법으로 중합공정을 수행하여 폴리피롤층과 카본층, 은페이스트층을 순차적으로 형성한 후에, 분리공정 후에 리드프레임을 형성하고 몰딩공정으로 통해 100개의 고체 전해질 캐패시터를 완성하였다.
(비교예)
실시예 1과 동일한 방법으로 극분리부를 형성하였으나, 양극인출부에 적절한 수지를 이용하여 상부 및 하부 중합방지층을 형성하는 대신에, 종래의 방식대로 이형성을 위하여 접착성이 약한 실리콘계 절연테이프를 부착하고, 그 뒷부분에도 동일한 방법으로 접착성이 약한 실리콘계 절연테이프를 부착하여 중합방지층을 형성하였다.
그 후에, 제1 및 제2 실시예와 동일한 공정을 적용하여 100개의 고체전해질 캐패시터를 완성하였다.
이와 같이, 각 실시예 및 비교예를 통해 얻어진 각각 100개의 고체전해질 캐패시터의 불량여부를 테스트하였다. 그 결과는 표1과 같이 나타났다.
| 실시예1 | 실시예2 | 비교예 | |
| 제조된 캐패시터의 수 | 100 | 100 | 100 |
| 불량발생수 | 18 | 13 | 72 |
| 불량률 | 18% | 13% | 72% |
표1와 같이, 종래의 방법에 따라, 실리콘계 절연성 테이프로 중합방지층을 형성한 경우에는, 72%의 불량률이 발생한 반면에, 제1 및 제2 실시예에서는, 흐름방식에 의한 중합공정에도 불구하고 이형성 및 연신성이 우수한 이종의 열경화성 수지를 이용하여 상부 및 하부 중합방지층을 각각 형성한 경우에, 약 18% 내지 13%의 낮은 불량률을 나타냈다.
이와 같이, 본 발명에 따른 실시예에서는, 흐름방식으로 고체전해질 캐패시터 제조시 화학중합 공정에서도 양극부분에 화학중합이 일어나지 않도록 양극인출부의 피트사이의 공간까지 중합방지층을 형성함으로써 산화제나 모노머로부터 차단하고 전해중합시 양극인출부가 작업전극로서 작용하지 못하도록 하였기 때문에, 제품의 불량발생율을 효과적으로 개선함으로써 획기적인 수율향상을 가져 올 수 있다. 또한, 중합방지층을 상하부 분리하여 알루미늄과는 물론, 상호 이형성을 갖는 이종 재료로 형성하기 때문에, 전해중합이 종료한 후에 전류인가를 위해 부착한 SUS전극을 구성하는 도전성 테이프와 같이 용이하게 제거할 수 있어 공정상에 쉽게 적용될 수 있다는 잇점이 있다.
이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 첨부된 청구범위에 의해 한정된다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 명백할 것이다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 고체 전해질 캐패시터의 제조방법에 따르면, 양극인출부의 피트사이의 공간까지 경화성액상수지를 이용하여 상부 및 하부 중합방지층을 별개의 공정을 통해 형성하여 화학중합공정이 일어나지 않도록 산화제나 모노머액의 침투를 차단하고 전해중합시 양극인출부가 작업전극로서 작용하지 못하도록 함으로써, 제품의 불량발생을 방지할 뿐만 아니라, 중합방지층을 상하부 분리하여 알루미늄과는 물론, 상호 이형성을 갖는 이종(異種) 재료로 형성하기 때문에, 전해중합이 종료한 후에 전류인가를 위해 부착한 도전성테이프와 같이 용이하게 제거할 수 있어 공정 상에 쉽게 적용될 수 있다는 잇점이 있다.
Claims (11)
- 양면에 조면화층 또는 다공질층이 형성된 알루미늄 포일을 마련하는 단계;상기 알루미늄 포일 중 양극인출부와 음극영역 사이의 경계영역에 극분리부를 형성하는 단계;상기 알루미늄 포일 중 상기 양극인출부의 상면에 적어도 알루미늄과 이형성을 갖는 제1 경화성 액상 수지를 이용하여 상부 중합방지층을 형성하는 공정과, 상기 양극인출부의 하면에 상기 제1 경화성 액상 수지 및 알루미늄과 이형성을 갖는 제2 경화성 수지로 이용하여 하부 중합방지층을 상기 상부 중합방지층과 연결되도록 형성하는 공정을 임의의 순서로 수행하는 단계;상기 음극영역의 알루미늄 포일에 전도성 고분자층을 형성하는 단계;상기 상부중합방지층과 하부중합방지층을 각각 제거하는 단계;상기 전도성 고분자층에 카본층 및 도전체층을 형성하는 단계; 및상기 양극인출부 및 상기 도전체층 상에 각각 양극단자와 음극단자를 형성하는 단계를 포함하는 고체전해질 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서,상기 극분리부를 형성하는 단계는,상기 양극인출부와 음극영역의 경계영역에 절연 테이프를 부착하는 단계인 것을 특징으로 하는 고체전해질 캐패시터 제조방법.
- 제2항에 있어서,상기 절연 테이프는 실리콘계 절연 테이프인 것을 특징으로 하는 고체전해질 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서,상기 극분리부를 형성하는 단계는,상기 양극인출부와 음극영역의 경계영역에 극분리용 액상 수지를 도포하는 단계와, 상기 극분리부가 형성되도록 상기 도포된 극분리용 액상 수지를 경화시키는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 고체전해질 캐패시터 제조방법.
- 제4항에 있어서,상기 극분리용 액상수지를 도포하는 단계는,스퀴징(squeezing) 공정, 스프레이공정 및 롤 코스팅공정 중 선택된 일 공정으로 경화성 액상수지를 도포하는 단계인 것을 특징으로 하는 고체전해질 캐패시터 제조방법.
- 제4항에 있어서,상기 극분리용 액상수지는 자외선(UV)경화성 수지, 열경화성 수지 및, 자연경화성 수지로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 고체전해질 캐패시터 제조방법.
- 제4항에 있어서,상기 극분리용 액상수지는 경화성 에폭시 수지, 우레탄계 경화성 수지, 불포화폴리에스테르계 경화성 수지, 우레탄계 경화성 수지 및, 아크릴레이트계 경화성 수지로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 고체전해질 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서,상기 상부 또는 하부 중합방지층을 형성하는 단계는,상기 양극인출부의 상면 또는 하면에 상기 제1 또는 제2 경화성 액상수지를 도포하는 단계와, 상기 도포된 제1 또는 제2 경화성 액상수지를 경화시키는 단계인 것을 특징으로 하는 고체 전해질 캐패시터 제조방법.
- 제8항에 있어서,상기 제1 또는 제2 경화성 액상수지를 도포하는 단계는,스퀴징 공정, 스프레이공정 및 롤 코스팅공정 중 선택된 일 공정으로 경화성 액상수지를 도포하는 단계인 것을 특징으로 하는 고체전해질 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서,상기 제1 경화성 액상수지 또는 상기 제2 경화성 액상수지는,자외선 경화성 수지, 열경화성 수지 및, 자연경화성 수지로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 고체전해질 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서,상기 제1 경화성 액상수지 및 상기 제2 경화성 액상수지 각각은,PVC 겔(gel)계 수지, 실리콘계 수지, 우레탄계 수지, 아크릴레이트계 수지로 이루어진 그룹에서 선택된 이종(異種)의 수지인 것인 특징으로 하는 고체전해질 캐피시터 제조방법.
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