JP3401447B2 - 固体電解コンデンサ及びその製造方法 - Google Patents
固体電解コンデンサ及びその製造方法Info
- Publication number
- JP3401447B2 JP3401447B2 JP00075699A JP75699A JP3401447B2 JP 3401447 B2 JP3401447 B2 JP 3401447B2 JP 00075699 A JP00075699 A JP 00075699A JP 75699 A JP75699 A JP 75699A JP 3401447 B2 JP3401447 B2 JP 3401447B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrolytic capacitor
- layer
- graphite
- solid electrolytic
- oxide film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、たとえばアルミコ
ンデンサやタンタルコンデンサ等の固体電解コンデンサ
のコンデンサ素子の構造を変更した固体電解コンデンサ
及びその製造方法に関する。
ンデンサやタンタルコンデンサ等の固体電解コンデンサ
のコンデンサ素子の構造を変更した固体電解コンデンサ
及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の固体電解コンデンサのコンデンサ
素子の一例を、図２及び図３に示す。
素子の一例を、図２及び図３に示す。
【０００３】これらの図に示すコンデンサ素子は、微粉
末焼結体１、誘電体酸化皮膜２、固体電解質層３，
３’、グラファイト層４及び銀ペースト層５から構成さ
れている。微粉末焼結体１は、弁作用金属である。微粉
末焼結体１は、陽極引出し用とされている。
末焼結体１、誘電体酸化皮膜２、固体電解質層３，
３’、グラファイト層４及び銀ペースト層５から構成さ
れている。微粉末焼結体１は、弁作用金属である。微粉
末焼結体１は、陽極引出し用とされている。
【０００４】誘電体酸化皮膜２は、陽極酸化によって形
成されるものである。固体電解質層３’は、誘電体酸化
皮膜２とグラファイト層４との間に形成されている。固
体電解質層３，３’は、二酸化マンガンや導電性高分子
からなるものである。グラファイト層４は、カーボンか
らなるものである。
成されるものである。固体電解質層３’は、誘電体酸化
皮膜２とグラファイト層４との間に形成されている。固
体電解質層３，３’は、二酸化マンガンや導電性高分子
からなるものである。グラファイト層４は、カーボンか
らなるものである。
【０００５】これら固体電解質層３、グラファイト層４
及び銀ペースト層５は、陰極引出し用とされている。
及び銀ペースト層５は、陰極引出し用とされている。
【０００６】ここで、グラファイト層４は、導電率の低
い固体電解質層３，３’と導電率の高い銀ペースト層５
との界面抵抗の低減を目的として用いられている。
い固体電解質層３，３’と導電率の高い銀ペースト層５
との界面抵抗の低減を目的として用いられている。
【０００７】固体電解質層３，３’は、外的ストレスの
緩和と、グラファイト層４が誘電体酸化皮膜２に直に接
触することによる電界集中の阻止とを目的として用いら
れている。
緩和と、グラファイト層４が誘電体酸化皮膜２に直に接
触することによる電界集中の阻止とを目的として用いら
れている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】このように、上述した
コンデンサ素子の固体電解質層３，３’は、外的ストレ
スの緩和のために所定の厚みが必要となる。ちなみに、
固体電解質層３，３’の厚みは、少なくとも１μｍ（通
常５〜３０μｍ）以上となっている。
コンデンサ素子の固体電解質層３，３’は、外的ストレ
スの緩和のために所定の厚みが必要となる。ちなみに、
固体電解質層３，３’の厚みは、少なくとも１μｍ（通
常５〜３０μｍ）以上となっている。
【０００９】ところが、この固体電解質層３，３’を微
粉末焼結体１の外周に形成するためには、多大な工数及
び時間を必要とする。すなわち、たとえば二酸化マンガ
ンで形成する場合、複数回の硝酸マンガンへの浸漬や熱
分解が必要となる。
粉末焼結体１の外周に形成するためには、多大な工数及
び時間を必要とする。すなわち、たとえば二酸化マンガ
ンで形成する場合、複数回の硝酸マンガンへの浸漬や熱
分解が必要となる。
【００１０】また、導電性高分子で形成する場合、複数
回の化学酸化重合法あるいは複雑な電解重合法が用いら
れる。何れにしても、微粉末焼結体１の外周に固体電解
質層３，３’を形成する際、多大な工数及び時間が必要
となる。
回の化学酸化重合法あるいは複雑な電解重合法が用いら
れる。何れにしても、微粉末焼結体１の外周に固体電解
質層３，３’を形成する際、多大な工数及び時間が必要
となる。
【００１１】本発明は、このような状況に鑑みてなされ
たものであり、特性の低下を招くことなく、製造工数及
び時間の短縮化を図ることができる固体電解コンデンサ
及びその製造方法を提供することができるようにするも
のである。
たものであり、特性の低下を招くことなく、製造工数及
び時間の短縮化を図ることができる固体電解コンデンサ
及びその製造方法を提供することができるようにするも
のである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の固体電
解コンデンサは、窪みを有する弁作用金属の微粉末焼結
体と、窪みを含む微粉末焼結体の外周に陽極酸化により
形成された誘電体酸化皮膜と、窪み部分の誘電体酸化皮
膜の外周に形成された固体電解質層と、誘電体酸化皮膜
の外周に直に形成されたグラファイト層と、グラファイ
ト層の外周に形成された銀ペースト層とを備えることを
特徴とする。また、固体電解質が導電性高分子であるよ
うにすることができる。また、グラファイト層の導電率
が１０〜１００Ｓ／ｃｍであるようにすることができ
る。また、グラファイト層は、高抵抗グラファイト及び
低抵抗グラファイトの組合わせからなるようにすること
ができる。請求項５に記載の固体電解コンデンサの製造
方法は、窪みを含む微粉末焼結体の外周に陽極酸化によ
り誘電体酸化皮膜を形成する第１の工程と、窪み部分の
誘電体酸化皮膜の外周に固体電解質層を形成する第２の
工程と、誘電体酸化皮膜の外周にグラファイト層を直に
形成する第３の工程と、グラファイト層の外周に銀ペー
スト層を形成する第４の工程とを備えることを特徴とす
る。また、第２の工程には、導電性高分子により固体電
解質を形成する工程が含まれるようにすることができ
る。また、第３の工程には、導電率が１０〜１００Ｓ／
ｃｍのグラファイト層を形成する工程が含まれるように
することができる。また、第２の工程には、固体電解質
層をポリアニリンで形成する工程が含まれるようにする
ことができる。また、第２の工程には、固体電解質層を
ポリチオフェンで形成する工程が含まれるようにするこ
とができる。また、第３の工程には、高抵抗グラファイ
ト及び低抵抗グラファイトの組合わせによりグラファイ
ト層を形成する工程が含まれるようにすることができ
る。本発明に係る固体電解コンデンサ及びその製造方法
においては、グラファイト層を高抵抗とするとともに、
固体電解質層を、誘電体酸化皮膜とグラファイト層との
間には形成せず、微粉末焼結体の窪み内にのみ形成し、
グラファイト層を誘電体酸化皮膜の外周に直に形成する
ことで、外的ストレスの緩和と、グラファイト層が誘電
体酸化皮膜に直接接触することによる電界集中の阻止と
を可能とするようにする。
解コンデンサは、窪みを有する弁作用金属の微粉末焼結
体と、窪みを含む微粉末焼結体の外周に陽極酸化により
形成された誘電体酸化皮膜と、窪み部分の誘電体酸化皮
膜の外周に形成された固体電解質層と、誘電体酸化皮膜
の外周に直に形成されたグラファイト層と、グラファイ
ト層の外周に形成された銀ペースト層とを備えることを
特徴とする。また、固体電解質が導電性高分子であるよ
うにすることができる。また、グラファイト層の導電率
が１０〜１００Ｓ／ｃｍであるようにすることができ
る。また、グラファイト層は、高抵抗グラファイト及び
低抵抗グラファイトの組合わせからなるようにすること
ができる。請求項５に記載の固体電解コンデンサの製造
方法は、窪みを含む微粉末焼結体の外周に陽極酸化によ
り誘電体酸化皮膜を形成する第１の工程と、窪み部分の
誘電体酸化皮膜の外周に固体電解質層を形成する第２の
工程と、誘電体酸化皮膜の外周にグラファイト層を直に
形成する第３の工程と、グラファイト層の外周に銀ペー
スト層を形成する第４の工程とを備えることを特徴とす
る。また、第２の工程には、導電性高分子により固体電
解質を形成する工程が含まれるようにすることができ
る。また、第３の工程には、導電率が１０〜１００Ｓ／
ｃｍのグラファイト層を形成する工程が含まれるように
することができる。また、第２の工程には、固体電解質
層をポリアニリンで形成する工程が含まれるようにする
ことができる。また、第２の工程には、固体電解質層を
ポリチオフェンで形成する工程が含まれるようにするこ
とができる。また、第３の工程には、高抵抗グラファイ
ト及び低抵抗グラファイトの組合わせによりグラファイ
ト層を形成する工程が含まれるようにすることができ
る。本発明に係る固体電解コンデンサ及びその製造方法
においては、グラファイト層を高抵抗とするとともに、
固体電解質層を、誘電体酸化皮膜とグラファイト層との
間には形成せず、微粉末焼結体の窪み内にのみ形成し、
グラファイト層を誘電体酸化皮膜の外周に直に形成する
ことで、外的ストレスの緩和と、グラファイト層が誘電
体酸化皮膜に直接接触することによる電界集中の阻止と
を可能とするようにする。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。
て説明する。
【００１４】図１は、本発明の固体電解コンデンサに係
るコンデンサ素子の一実施の形態を示す断面図である。
なお、以下に説明する図において、図２及び図３と共通
する部分には同一符号を付すものとする。
るコンデンサ素子の一実施の形態を示す断面図である。
なお、以下に説明する図において、図２及び図３と共通
する部分には同一符号を付すものとする。
【００１５】図１に示す固体電解コンデンサは、微粉末
焼結体１、誘電体酸化皮膜２、固体電解質層３、グラフ
ァイト層４及び銀ペースト層５が形成されている。
焼結体１、誘電体酸化皮膜２、固体電解質層３、グラフ
ァイト層４及び銀ペースト層５が形成されている。
【００１６】微粉末焼結体１は、弁作用金属であり、窪
み１ａを有している。微粉末焼結体１は、陽極引出し用
とされている。誘電体酸化皮膜２は、陽極酸化によって
形成されるものである。
み１ａを有している。微粉末焼結体１は、陽極引出し用
とされている。誘電体酸化皮膜２は、陽極酸化によって
形成されるものである。
【００１７】固体電解質層３は、二酸化マンガンや導電
性高分子を用いることができる。グラファイト層４は、
カーボン層を用いることができる。また、グラファイト
層４の導電率は、１０〜１００Ｓ／ｃｍとした低い値と
されている。これら固体電解質層３、グラファイト層４
及び銀ペースト層５は、陰極引出し用とされている。
性高分子を用いることができる。グラファイト層４は、
カーボン層を用いることができる。また、グラファイト
層４の導電率は、１０〜１００Ｓ／ｃｍとした低い値と
されている。これら固体電解質層３、グラファイト層４
及び銀ペースト層５は、陰極引出し用とされている。
【００１８】固体電解質層３は、微粉末焼結体１の窪み
１ａ内にのみ形成されている。すなわち、誘電体酸化皮
膜２とグラファイト層４との間には、固体電解質層３が
形成されないようになっている。これにより、グラファ
イト層４が誘電体酸化皮膜２の外周に直に形成されてい
る。
１ａ内にのみ形成されている。すなわち、誘電体酸化皮
膜２とグラファイト層４との間には、固体電解質層３が
形成されないようになっている。これにより、グラファ
イト層４が誘電体酸化皮膜２の外周に直に形成されてい
る。
【００１９】ただし、固体電解質層３の製造過程におい
て、誘電体酸化皮膜２とグラファイト層４との間には、
１μｍ以下の固体電解質層３の薄膜あるいは不均一かつ
薄い固体電解質層３の薄膜が存在する場合もある。
て、誘電体酸化皮膜２とグラファイト層４との間には、
１μｍ以下の固体電解質層３の薄膜あるいは不均一かつ
薄い固体電解質層３の薄膜が存在する場合もある。
【００２０】ここで、固体電解質層３の形成には、多大
な工数及び時間が必要となるが、固体電解質層３を、微
粉末焼結体１の窪み１ａ内にのみ形成することで、工数
及び時間が大幅に削減される。ちなみに、グラファイト
層４は、固体電解質層３に比べ、比較的短時間で形成す
ることができる。
な工数及び時間が必要となるが、固体電解質層３を、微
粉末焼結体１の窪み１ａ内にのみ形成することで、工数
及び時間が大幅に削減される。ちなみに、グラファイト
層４は、固体電解質層３に比べ、比較的短時間で形成す
ることができる。
【００２１】グラファイト層４の導電率は、上述したよ
うに、１０〜１００Ｓ／ｃｍとした低い値とされてい
る。このため、グラファイト層４を、誘電体酸化皮膜２
の外周に直に形成した場合であっても、グラファイト層
４は高抵抗であるため、電界集中による固体電解コンデ
ンサの特性劣化が防げる。
うに、１０〜１００Ｓ／ｃｍとした低い値とされてい
る。このため、グラファイト層４を、誘電体酸化皮膜２
の外周に直に形成した場合であっても、グラファイト層
４は高抵抗であるため、電界集中による固体電解コンデ
ンサの特性劣化が防げる。
【００２２】また、このような高抵抗のグラファイト層
４により、外的ストレスの緩和効果をもたせることがで
きる。
４により、外的ストレスの緩和効果をもたせることがで
きる。
【００２３】（実施例１）縦４．０ｍｍ×横３．６ｍｍ
×厚さ１．８ｍｍのタンタルの微粉末焼結体１を、リン
酸水溶液中に浸し、２０Ｖで陽極酸化して誘電体酸化皮
膜２を形成した。
×厚さ１．８ｍｍのタンタルの微粉末焼結体１を、リン
酸水溶液中に浸し、２０Ｖで陽極酸化して誘電体酸化皮
膜２を形成した。
【００２４】誘電体酸化皮膜２が形成された後、微粉末
焼結体１の窪み１ａ内に導電性高分子ポリピロールによ
り固体電解質層３を形成した。このとき、微粉末焼結体
１の外周に固体電解質層３が形成されないようにした。
ただし、固体電解質層３が形成された場合でも、厚みは
１μｍ以下と極めて薄く、また不均一であった。
焼結体１の窪み１ａ内に導電性高分子ポリピロールによ
り固体電解質層３を形成した。このとき、微粉末焼結体
１の外周に固体電解質層３が形成されないようにした。
ただし、固体電解質層３が形成された場合でも、厚みは
１μｍ以下と極めて薄く、また不均一であった。
【００２５】したがって、この時点では、タンタル誘電
体酸化皮膜特有の干渉色を有していた。次に、窪み１ａ
内に固体電解質層３を形成した微粉末焼結体１を、グラ
ファイト浴中にて浸漬及び引上げを繰返し、誘電体酸化
皮膜２の外周に直にグラファイト層４を形成した。
体酸化皮膜特有の干渉色を有していた。次に、窪み１ａ
内に固体電解質層３を形成した微粉末焼結体１を、グラ
ファイト浴中にて浸漬及び引上げを繰返し、誘電体酸化
皮膜２の外周に直にグラファイト層４を形成した。
【００２６】なお、このとき用いたグラファイトの導電
率は、３５Ｓ／ｃｍであった。次いで、グラファイト層
４の外周に銀ペースト層５を形成し、固体電解コンデン
サのコンデンサ素子を得た。
率は、３５Ｓ／ｃｍであった。次いで、グラファイト層
４の外周に銀ペースト層５を形成し、固体電解コンデン
サのコンデンサ素子を得た。
【００２７】このようにして得られたコンデンサ素子の
特性（容量、誘電正接、漏れ電流）を測定したところ良
好な特性が得られた。さらに、コンデンサ素子に、陽・
陰極端子を接続するとともに、モールドを外装させて固
体電解コンデンサとした場合においても良好な特性が得
られた。
特性（容量、誘電正接、漏れ電流）を測定したところ良
好な特性が得られた。さらに、コンデンサ素子に、陽・
陰極端子を接続するとともに、モールドを外装させて固
体電解コンデンサとした場合においても良好な特性が得
られた。
【００２８】得られた固体電解コンデンサの特性を、表
１に示す。表１には、１ｋＨｚでの容量、１００ｋＨｚ
での等価直列抵抗値（ＥＳＲ）、６．３Ｖ／１分間充電
後の漏れ電流値が記載されている。
１に示す。表１には、１ｋＨｚでの容量、１００ｋＨｚ
での等価直列抵抗値（ＥＳＲ）、６．３Ｖ／１分間充電
後の漏れ電流値が記載されている。
【００２９】（実施例２）実施例１の固体電解質層３
を、ポリピロールからポリアニリンに変更し、他の工程
は実施例１と同様とした。得られたコンデンサ素子及び
固体電解コンデンサの特性を、表１に示す。
を、ポリピロールからポリアニリンに変更し、他の工程
は実施例１と同様とした。得られたコンデンサ素子及び
固体電解コンデンサの特性を、表１に示す。
【００３０】（実施例３）実施例１の固体電解質層３
を、ポリピロールからポリチオフェンに変更し、他の工
程は実施例１と同様とした。得られたコンデンサ素子及
び固体電解コンデンサの特性を、表１に示す。
を、ポリピロールからポリチオフェンに変更し、他の工
程は実施例１と同様とした。得られたコンデンサ素子及
び固体電解コンデンサの特性を、表１に示す。
【００３１】（実施例４）実施例１の固体電解質層３
を、ポリピロールから二酸化マンガンに変更し、他の工
程は実施例１と同様とした。得られたコンデンサ素子及
び固体電解コンデンサの特性を、表１に示す。
を、ポリピロールから二酸化マンガンに変更し、他の工
程は実施例１と同様とした。得られたコンデンサ素子及
び固体電解コンデンサの特性を、表１に示す。
【００３２】（実施例５）実施例１のグラファイトの導
電率を８０Ｓ／ｃｍの物質に変更し、他の工程は実施例
１と同様とした。得られたコンデンサ素子及び固体電解
コンデンサの特性を、表１に示す。なお、表１から明ら
かなように、グラファイトの導電率が上昇すると漏れ電
流特性が上昇することが分かる。
電率を８０Ｓ／ｃｍの物質に変更し、他の工程は実施例
１と同様とした。得られたコンデンサ素子及び固体電解
コンデンサの特性を、表１に示す。なお、表１から明ら
かなように、グラファイトの導電率が上昇すると漏れ電
流特性が上昇することが分かる。
【００３３】（実施例６）実施例１と同様に、微粉末焼
結体１の窪み１ａ内にポリピロールにより固体電解質層
３を形成し、外周に導電率３５Ｓ／ｃｍの高抵抗のグラ
ファイト層４を形成した。引続き、導電率２００Ｓ／ｃ
ｍの低抵抗のグラファイトと銀ペースト層５とを形成し
た。すなわち、グラファイト層４を高抵抗グラファイト
及び低抵抗グラファイトの組合わせとした。また、得ら
れたコンデンサ素子を用いて固体電解コンデンサを作製
した。得られたコンデンサ素子及び固体電解コンデンサ
の特性を、表１に示す。
結体１の窪み１ａ内にポリピロールにより固体電解質層
３を形成し、外周に導電率３５Ｓ／ｃｍの高抵抗のグラ
ファイト層４を形成した。引続き、導電率２００Ｓ／ｃ
ｍの低抵抗のグラファイトと銀ペースト層５とを形成し
た。すなわち、グラファイト層４を高抵抗グラファイト
及び低抵抗グラファイトの組合わせとした。また、得ら
れたコンデンサ素子を用いて固体電解コンデンサを作製
した。得られたコンデンサ素子及び固体電解コンデンサ
の特性を、表１に示す。
【００３４】（対比例）実施例１と同様の条件で、導電
性高分子ポリピロールを微粉末焼結体１の窪み１ａ内に
形成した後、さらに導電性高分子ポリピロールの重合を
繰返し、微粉末焼結体１の外周に導電性高分子ポリピロ
ールを１０μｍの厚さまで形成した。
性高分子ポリピロールを微粉末焼結体１の窪み１ａ内に
形成した後、さらに導電性高分子ポリピロールの重合を
繰返し、微粉末焼結体１の外周に導電性高分子ポリピロ
ールを１０μｍの厚さまで形成した。
【００３５】引続き、グラファイト層４及び銀ペースト
層５を形成してコンデンサ素子を得た。得られた銀ペー
スト後のコンデンサ素子のコンデンサ特性（容量、誘電
正接、漏れ電流）を測定したところ良好な特性が得られ
た。さらに、コンデンサ素子に陽・陰極端子接続後、モ
ールド外装して得られた固体電解コンデンサにおいても
良好な特性が得られた。得られたコンデンサ素子及び固
体電解コンデンサの特性を表１に示す。
層５を形成してコンデンサ素子を得た。得られた銀ペー
スト後のコンデンサ素子のコンデンサ特性（容量、誘電
正接、漏れ電流）を測定したところ良好な特性が得られ
た。さらに、コンデンサ素子に陽・陰極端子接続後、モ
ールド外装して得られた固体電解コンデンサにおいても
良好な特性が得られた。得られたコンデンサ素子及び固
体電解コンデンサの特性を表１に示す。
【００３６】
【表１】
【００３７】このように、本実施の形態では、グラファ
イト層４を高抵抗とするとともに、固体電解質層３を、
誘電体酸化皮膜２とグラファイト層４との間には形成せ
ず、微粉末焼結体１の窪み１ａ内にのみ形成し、グラフ
ァイト層４を誘電体酸化皮膜２の外周に直に形成するこ
とで、外的ストレスの緩和と、グラファイト層４が誘電
体酸化皮膜２に直接接触することによる電界集中の阻止
とを可能とすることができる。
イト層４を高抵抗とするとともに、固体電解質層３を、
誘電体酸化皮膜２とグラファイト層４との間には形成せ
ず、微粉末焼結体１の窪み１ａ内にのみ形成し、グラフ
ァイト層４を誘電体酸化皮膜２の外周に直に形成するこ
とで、外的ストレスの緩和と、グラファイト層４が誘電
体酸化皮膜２に直接接触することによる電界集中の阻止
とを可能とすることができる。
【００３８】その結果、従来に比べ簡便な方法であって
も、従来の固体電解コンデンサと同等の特性を有する固
体電解コンデンサが得られる。
も、従来の固体電解コンデンサと同等の特性を有する固
体電解コンデンサが得られる。
【００３９】また、特に、誘電体酸化皮膜２とグラファ
イト層４との間への固体電解質層３の形成を省くこと
で、製造工程及び製造時間の短縮が可能となる。ちなみ
に、本実施の形態で得られるコンデンサ素子の製造時間
は、１〜２時間と極めて短く、従来の製造時間に比べて
１／３０〜１／２に短縮することが可能となる。しか
も、製造工程の短縮により、設備投資額の低減も可能と
なる。
イト層４との間への固体電解質層３の形成を省くこと
で、製造工程及び製造時間の短縮が可能となる。ちなみ
に、本実施の形態で得られるコンデンサ素子の製造時間
は、１〜２時間と極めて短く、従来の製造時間に比べて
１／３０〜１／２に短縮することが可能となる。しか
も、製造工程の短縮により、設備投資額の低減も可能と
なる。
【００４０】
【発明の効果】以上の如く本発明に係る固体電解コンデ
ンサ及びその製造方法によれば、グラファイト層を高抵
抗とするとともに、固体電解質層を、誘電体酸化皮膜と
グラファイト層との間には形成せず、微粉末焼結体の窪
み内にのみ形成し、グラファイト層を誘電体酸化皮膜の
外周に直に形成することで、外的ストレスの緩和と、グ
ラファイト層が誘電体酸化皮膜に直接接触することによ
る電界集中の阻止とを可能とするようにしたので、特性
の低下を招くことなく、製造工数及び時間の短縮化を図
ることができる。
ンサ及びその製造方法によれば、グラファイト層を高抵
抗とするとともに、固体電解質層を、誘電体酸化皮膜と
グラファイト層との間には形成せず、微粉末焼結体の窪
み内にのみ形成し、グラファイト層を誘電体酸化皮膜の
外周に直に形成することで、外的ストレスの緩和と、グ
ラファイト層が誘電体酸化皮膜に直接接触することによ
る電界集中の阻止とを可能とするようにしたので、特性
の低下を招くことなく、製造工数及び時間の短縮化を図
ることができる。
【図１】本発明の固体電解コンデンサに係るコンデンサ
素子の一実施の形態を示す断面図である。
素子の一実施の形態を示す断面図である。
【図２】従来のコンデンサ素子を示す斜視図である。
【図３】図２のコンデンサ素子を示す断面図である。
１ 微粉末焼結体
１ａ 窪み
２ 誘電体酸化皮膜
３ 固体電解質層
４ グラファイト層
５ 銀ペースト層
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01G 9/052
H01G 9/028
H01G 9/04
Claims (10)
- 【請求項１】 窪みを有する弁作用金属の微粉末焼結体
と、 前記窪みを含む前記微粉末焼結体の外周に陽極酸化によ
り形成された誘電体酸化皮膜と、 前記窪み部分の前記誘電体酸化皮膜の外周に形成された
固体電解質層と、 前記誘電体酸化皮膜の外周に直に形成されたグラファイ
ト層と、 前記グラファイト層の外周に形成された銀ペースト層と
を備えることを特徴とする固体電解コンデンサ。 - 【請求項２】 前記固体電解質層が導電性高分子である
ことを特徴とする請求項１記載の固体電解コンデンサ。 - 【請求項３】 前記グラファイト層の導電率が１０〜１
００Ｓ／ｃｍであることを特徴とする請求項１記載の固
体電解コンデンサ。 - 【請求項４】 前記グラファイト層は、高抵抗グラファ
イト及び低抵抗グラファイトの組合わせからなることを
特徴とする請求項１又は２に記載の固体電解コンデン
サ。 - 【請求項５】 窪みを含む微粉末焼結体の外周に陽極酸
化により誘電体酸化皮膜を形成する第１の工程と、 前記窪み部分の前記誘電体酸化皮膜の外周に固体電解質
層を形成する第２の工程と、 前記誘電体酸化皮膜の外周にグラファイト層を直に形成
する第３の工程と、 前記グラファイト層の外周に銀ペースト層を形成する第
４の工程とを備えることを特徴とする固体電解コンデン
サの製造方法。 - 【請求項６】 前記第２の工程には、導電性高分子によ
り前記固体電解質層を形成する工程が含まれることを特
徴とする請求項５記載の固体電解コンデンサの製造方
法。 - 【請求項７】 前記第３の工程には、導電率が１０〜１
００Ｓ／ｃｍのグラファイト層を形成する工程が含まれ
ることを特徴とする請求項５記載の固体電解コンデンサ
の製造方法。 - 【請求項８】 前記第２の工程には、前記固体電解質層
をポリアニリンで形成する工程が含まれることを特徴と
する請求項５記載の固体電解コンデンサの製造方法。 - 【請求項９】 前記第２の工程には、前記固体電解質層
をポリチオフェンで形成する工程が含まれることを特徴
とする請求項５記載の固体電解コンデンサの製造方法。 - 【請求項１０】 前記第３の工程には、高抵抗グラファ
イト及び低抵抗グラファイトの組合わせにより前記グラ
ファイト層を形成する工程が含まれることを特徴とする
請求項５記載の固体電解コンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00075699A JP3401447B2 (ja) | 1999-01-05 | 1999-01-05 | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00075699A JP3401447B2 (ja) | 1999-01-05 | 1999-01-05 | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000200736A JP2000200736A (ja) | 2000-07-18 |
| JP3401447B2 true JP3401447B2 (ja) | 2003-04-28 |
Family
ID=11482546
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP00075699A Expired - Fee Related JP3401447B2 (ja) | 1999-01-05 | 1999-01-05 | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3401447B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5890986B2 (ja) * | 2011-08-31 | 2016-03-22 | ローム株式会社 | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
-
1999
- 1999-01-05 JP JP00075699A patent/JP3401447B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2000200736A (ja) | 2000-07-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6522527B2 (en) | Anode member for a solid electrolytic capacitor, an electrolytic capacitor using the same, and a method of making the same | |
| JP2765462B2 (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
| KR100279098B1 (ko) | 고체전해콘덴서의제조방법 | |
| EP0477584B1 (en) | Process for manufacturing a solid state electrolytic capacitor | |
| KR20210061616A (ko) | 고체 전해 커패시터 및 이의 제조방법 | |
| EP1102287A2 (en) | Fabrication method of solid electolytic capacitor | |
| JPH10321471A (ja) | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
| JP3401447B2 (ja) | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
| JP3030054B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JP3198518B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| US7355842B2 (en) | Chip solid electrolyte capacitor and production method of the same | |
| JPH06168855A (ja) | 積層形固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
| JP3281658B2 (ja) | 固体電解コンデンサとその製造方法 | |
| JP2859940B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JPH0794369A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JP2775762B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JP2001068381A (ja) | 固体電解コンデンサ素子 | |
| JP4084862B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JPH10335187A (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
| JP3454733B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JP2001155965A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JP2003197471A (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
| CN115240985A (zh) | 固体电解电容器及制造固体电解电容器的方法 | |
| JP2765440B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JPH10321474A (ja) | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080221 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090221 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090221 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100221 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110221 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110221 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120221 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120221 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130221 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140221 Year of fee payment: 11 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |