JP2867514B2 - チップ型固体電解コンデンサ - Google Patents
チップ型固体電解コンデンサInfo
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/008—Terminals
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- Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、導電性高分子を固体電解質とするチップ型
固体電解コンデンサに関するものである。
固体電解コンデンサに関するものである。
従来の技術 近年、電子機器のデジタル化に伴って、そこに使用さ
れるコンデンサも高周波領域においてインピーダンスが
低く、かつ小型で大容量化したものへの要求が高まって
いる。高周波化に対応するためには、電解コンデンサの
等価直列抵抗をできるだけ小さくすることが必要であ
る。
れるコンデンサも高周波領域においてインピーダンスが
低く、かつ小型で大容量化したものへの要求が高まって
いる。高周波化に対応するためには、電解コンデンサの
等価直列抵抗をできるだけ小さくすることが必要であ
る。
そこで近年開発されてきている導電性高分子を用いた
固体電解コンデンサでは、導電性高分子の電導度が102S
/cm程度と、二酸化マンガン（10-2S/cm）やTCNQ塩（100
S/cm）に比べて非常に高く、またポリマーの熱安定性も
非常に高いため、インピーダンスの周波数特性、及び広
い範囲での温度特性の安定した理想的な特性を有する電
解コンデンサを提供することか可能となってきている。
固体電解コンデンサでは、導電性高分子の電導度が102S
/cm程度と、二酸化マンガン（10-2S/cm）やTCNQ塩（100
S/cm）に比べて非常に高く、またポリマーの熱安定性も
非常に高いため、インピーダンスの周波数特性、及び広
い範囲での温度特性の安定した理想的な特性を有する電
解コンデンサを提供することか可能となってきている。
しかし、高周波化が進んでコンデンサのリード線の部
分に起因するインダクタンス分についてもできるだけ小
さくする必要性と、また電子機器の軽薄短小化に伴って
回路基板の実装効率を上げるために、回路基板上の占有
面積を最小にする必要から、いわゆる縦型のチップ部品
が要望されるようになってきている。
分に起因するインダクタンス分についてもできるだけ小
さくする必要性と、また電子機器の軽薄短小化に伴って
回路基板の実装効率を上げるために、回路基板上の占有
面積を最小にする必要から、いわゆる縦型のチップ部品
が要望されるようになってきている。
以下、従来のチップ型固体電解コンデンサについて説
明する。第７図は導電性高分子を固体電解質とした従来
の面実装対応のチップ型固体電解コンデンサの構成を示
したもので、ａは陽極箔を捲回したコンデンサ素子の斜
視図であり、またｂは陽極箔を積層したコンデンサ素子
の斜視図である。各々のコンデンサ素子１の構成は、エ
ッチングした陽極箔に陽極酸化皮膜の誘電体を形成し、
その上の陽極引出し部以外の部分に、導電性高分子層，
グラファイト層，銀ペイント層を形成してコンデンサ素
子１とし、そしてこのコンデンサ素子１と平行になるよ
うに陽極端子２と陰極端子３を接続し、その後、トラン
スファーモールドやキャスティング等により外装を施
し、第８図に示すような高さ方向に対して床面積を大き
く占有する低背型のチップ型固体電解コンデンサ４を構
成していた。
明する。第７図は導電性高分子を固体電解質とした従来
の面実装対応のチップ型固体電解コンデンサの構成を示
したもので、ａは陽極箔を捲回したコンデンサ素子の斜
視図であり、またｂは陽極箔を積層したコンデンサ素子
の斜視図である。各々のコンデンサ素子１の構成は、エ
ッチングした陽極箔に陽極酸化皮膜の誘電体を形成し、
その上の陽極引出し部以外の部分に、導電性高分子層，
グラファイト層，銀ペイント層を形成してコンデンサ素
子１とし、そしてこのコンデンサ素子１と平行になるよ
うに陽極端子２と陰極端子３を接続し、その後、トラン
スファーモールドやキャスティング等により外装を施
し、第８図に示すような高さ方向に対して床面積を大き
く占有する低背型のチップ型固体電解コンデンサ４を構
成していた。
発明が解決しようとする課題 しかしながら、上記従来の構成では、一枚の回路基板
上に多くの部品を高密度で実装する場合には、回路基板
上で大きな面積を占有してしまうため、プリント配線を
短くして、高周波領域で効率的な高密度実装が行いにく
く、セットの軽薄短小化の妨げとなるという課題があっ
た。
上に多くの部品を高密度で実装する場合には、回路基板
上で大きな面積を占有してしまうため、プリント配線を
短くして、高周波領域で効率的な高密度実装が行いにく
く、セットの軽薄短小化の妨げとなるという課題があっ
た。
本発明はこのような従来の課題を解決するもので、導
電性高分子を固体電解質として用いて高周波領域で低イ
ンピーダンス化に適した大容量のチップ型固体電解コン
デンサを提供し、高周波駆動の回路基板の効率的な高密
度実装を可能にすることを目的とするものである。
電性高分子を固体電解質として用いて高周波領域で低イ
ンピーダンス化に適した大容量のチップ型固体電解コン
デンサを提供し、高周波駆動の回路基板の効率的な高密
度実装を可能にすることを目的とするものである。
課題を解決するための手段 上記目的を達成するために本発明のチップ型固体電解
コンデンサは、弁金属板または弁金属箔上に形成した陽
極酸化皮膜を誘電体とし、この誘電体の所定の部分に導
電性高分子層および導電体層を順次形成した構造のコン
デンサ素子板と、このコンデンサ素子板の前記誘電体か
露出した一方の部分と、導電体層を形成した前記所定の
他方の部分とを互いに対応させて複数枚積層し、一方の
導電体層間を導電ペーストで結合した構造を有するコン
デンサ素子板積層体のいずれか一つと、前記コンデンサ
素子板またはコンデンサ素子板積層体に接続され、かつ
接続部以外に平坦部分を少なくとも有する半田付け可能
な金属からなる陽極リード端子および陰極リード端子と
を具備し、前記陽極リード端子および陰極リード端子の
平坦部分と前記コンデンサ素子板またはコンデンサ素子
板積層体とが垂直となるように配置し、かつ前記陽極リ
ード端子および陰極リード端子の平坦部分が外部に露出
するように外装するとともに、陽極リード端子および陰
極リード端子の平坦部分を含む面を底面としたものであ
る。
コンデンサは、弁金属板または弁金属箔上に形成した陽
極酸化皮膜を誘電体とし、この誘電体の所定の部分に導
電性高分子層および導電体層を順次形成した構造のコン
デンサ素子板と、このコンデンサ素子板の前記誘電体か
露出した一方の部分と、導電体層を形成した前記所定の
他方の部分とを互いに対応させて複数枚積層し、一方の
導電体層間を導電ペーストで結合した構造を有するコン
デンサ素子板積層体のいずれか一つと、前記コンデンサ
素子板またはコンデンサ素子板積層体に接続され、かつ
接続部以外に平坦部分を少なくとも有する半田付け可能
な金属からなる陽極リード端子および陰極リード端子と
を具備し、前記陽極リード端子および陰極リード端子の
平坦部分と前記コンデンサ素子板またはコンデンサ素子
板積層体とが垂直となるように配置し、かつ前記陽極リ
ード端子および陰極リード端子の平坦部分が外部に露出
するように外装するとともに、陽極リード端子および陰
極リード端子の平坦部分を含む面を底面としたものであ
る。
作用 上記した構成のチップ型固体電解コンデンサは、コン
デンサ素子部分と、陽極リード端子および陰極リード端
子の外装外に露出した、いわゆるリード端子部分とが垂
直に配置されているため、大容量化のためにコンデンサ
素子板の面積を広くしても、回路基板に実装した場合、
回路基板に対して高さ方向に長くなるだけで、その占有
面積は変わらない。またコンデンサ素子板を複数枚積層
する場合でも、コンデンサ素子板の幅以上に積層幅が広
くならない限り、回路基板上の占有面積は少なくなるた
め、高周波回路の高密度実装においては、インピーダン
スの面で有利となる。
デンサ素子部分と、陽極リード端子および陰極リード端
子の外装外に露出した、いわゆるリード端子部分とが垂
直に配置されているため、大容量化のためにコンデンサ
素子板の面積を広くしても、回路基板に実装した場合、
回路基板に対して高さ方向に長くなるだけで、その占有
面積は変わらない。またコンデンサ素子板を複数枚積層
する場合でも、コンデンサ素子板の幅以上に積層幅が広
くならない限り、回路基板上の占有面積は少なくなるた
め、高周波回路の高密度実装においては、インピーダン
スの面で有利となる。
このように本発明の構成によれば、導電性高分子を固
体電解質として用いて高周波領域で低インピーダンス化
に適した大容量のチップ型固体電解コンデンサを提供で
き、併せて高周波駆動の回路基板の効率的な高密度実装
が可能となる。
体電解質として用いて高周波領域で低インピーダンス化
に適した大容量のチップ型固体電解コンデンサを提供で
き、併せて高周波駆動の回路基板の効率的な高密度実装
が可能となる。
実施例 以下、本発明の一実施例について、添付図面を参照し
ながら説明する。
ながら説明する。
第１図は本発明の一実施例のチップ型固体電解コンデ
ンサに使用したコンデンサ素子板の構造を示した斜視図
であり、弁金属板としてはアルミニウム，タンタル，チ
タン，ニオブなどから選ばれる陽極酸化皮膜形成能力の
ある箔または板材である。
ンサに使用したコンデンサ素子板の構造を示した斜視図
であり、弁金属板としてはアルミニウム，タンタル，チ
タン，ニオブなどから選ばれる陽極酸化皮膜形成能力の
ある箔または板材である。
初めに、本発明の一実施例のチップ型固体電解コンデ
ンサに使用したコンデンサ素子板の作成方法の一例につ
いて説明する。
ンサに使用したコンデンサ素子板の作成方法の一例につ
いて説明する。
本実施例では幅4mmの短冊状に切断されたアルミニウ
ム箔を塩酸などの水溶液中で電気化学的にエッチングし
たアルミニウムエッチド箔11を使用し、所定の部分をア
ジピン酸アンモニウムなどの電解質を含む水溶液中で70
Vで１時間陽極酸化し、誘電体となる陽極酸化皮膜12を
形成した。その上の所定の部分に硝酸マンガンの低濃度
水溶液を塗布し、300℃で20分間熱分解して、マンガン
酸化物層13を形成した。次にピロール0.25モル/l,アル
キルナフタレンスルフォン酸ソーダ0.1モル/lの水溶液
中で、前記マンガン酸化物層13に接触するように設けた
ステンレス電極を電解重合用の陽極とし、前記マンガン
酸化物層13の上全体に、定電流2mAで固体電解質となる
ポリピロールの導電性高分子層14を電解重合により形成
した。さらに陰極引出し用にグラファイト層15,銀ペイ
ント層16を順次形成し、長さ9mm,幅4mmの定格16V4.7μ
Ｆのコンデンサ素子板17を構成した。
ム箔を塩酸などの水溶液中で電気化学的にエッチングし
たアルミニウムエッチド箔11を使用し、所定の部分をア
ジピン酸アンモニウムなどの電解質を含む水溶液中で70
Vで１時間陽極酸化し、誘電体となる陽極酸化皮膜12を
形成した。その上の所定の部分に硝酸マンガンの低濃度
水溶液を塗布し、300℃で20分間熱分解して、マンガン
酸化物層13を形成した。次にピロール0.25モル/l,アル
キルナフタレンスルフォン酸ソーダ0.1モル/lの水溶液
中で、前記マンガン酸化物層13に接触するように設けた
ステンレス電極を電解重合用の陽極とし、前記マンガン
酸化物層13の上全体に、定電流2mAで固体電解質となる
ポリピロールの導電性高分子層14を電解重合により形成
した。さらに陰極引出し用にグラファイト層15,銀ペイ
ント層16を順次形成し、長さ9mm,幅4mmの定格16V4.7μ
Ｆのコンデンサ素子板17を構成した。
なお、このコンデンサ素子板17の作成方法について
は、上記した方法に限られるものではなく、最終的に同
様の構成であればよく、その手段を限定するものではな
い。
は、上記した方法に限られるものではなく、最終的に同
様の構成であればよく、その手段を限定するものではな
い。
（実施例１） 以上のようにして作成したコンデンサ素子板17に、例
えば第２図ａに示すようにコンデンサ素子接続部18と電
極端子部19が垂直になるように成形した厚さ0.2mmの42
アロイ製の陽極リード端子20および陰極リード端子21
を、陽極に関しては抵抗溶接により接続し、また陰極に
関してはエポキシ系の銀系導電性接着剤により接続し
て、第３図に示すような構造の自立型のコンデンサ素子
22を作成した。陽極リード端子20および陰極リード端子
21の構造は第２図ａで示したような一枚板で成形したも
のでも良いし、また第２図ｂのように、平板23にリード
線24を垂直に溶接したような構造のものでも良く、平板
23の部分がコンデンサ素子接続部18と垂直となる構造で
あればどういう構成であってもよい。
えば第２図ａに示すようにコンデンサ素子接続部18と電
極端子部19が垂直になるように成形した厚さ0.2mmの42
アロイ製の陽極リード端子20および陰極リード端子21
を、陽極に関しては抵抗溶接により接続し、また陰極に
関してはエポキシ系の銀系導電性接着剤により接続し
て、第３図に示すような構造の自立型のコンデンサ素子
22を作成した。陽極リード端子20および陰極リード端子
21の構造は第２図ａで示したような一枚板で成形したも
のでも良いし、また第２図ｂのように、平板23にリード
線24を垂直に溶接したような構造のものでも良く、平板
23の部分がコンデンサ素子接続部18と垂直となる構造で
あればどういう構成であってもよい。
この自立型のコンデンサ素子22をそれぞれ樹脂，アル
ミニウム，セラミックのいずれかからなる幅2.8mm,長さ
11mm,高さ5.8mm,肉厚0.5mmのケース25に収納し、そして
ケース25の開口部にエポキシ樹脂を注型して封口し、第
４図に示すような縦型の定格16V4.7μＦのチップ型固体
電解コンデンサ26を作成した。
ミニウム，セラミックのいずれかからなる幅2.8mm,長さ
11mm,高さ5.8mm,肉厚0.5mmのケース25に収納し、そして
ケース25の開口部にエポキシ樹脂を注型して封口し、第
４図に示すような縦型の定格16V4.7μＦのチップ型固体
電解コンデンサ26を作成した。
（実施例２） 実施例１と全く同様の方法で作成した自立型コンデン
サ素子22を実施例１のケース25による外装の代わりに、
エポキシ樹脂でインジェクションモールドにより外装し
て同一サイズのチップ型固体電解コンデンサ26を作成し
た。
サ素子22を実施例１のケース25による外装の代わりに、
エポキシ樹脂でインジェクションモールドにより外装し
て同一サイズのチップ型固体電解コンデンサ26を作成し
た。
（実施例３） 第５図はコンデンサ素子板17の誘電体の露出部分と、
銀ペイント層16を形成した他方の部分とを互いに対応さ
せて２枚積層し、一方の導電体層間を導電性接着剤で結
合した構造を有するコンデンサ素子板積層体27に実施例
１と同様の方法で陽極リード端子20および陰極リード端
子21を接続した自立型のコンデンサ素子22の構造を示す
斜視図である。この自立型コンデンサ素子22を実施例１
と同サイズで同様の方法で外装し、定格16V10μＦのチ
ップ型固体電解コンデンサ26を作成した。
銀ペイント層16を形成した他方の部分とを互いに対応さ
せて２枚積層し、一方の導電体層間を導電性接着剤で結
合した構造を有するコンデンサ素子板積層体27に実施例
１と同様の方法で陽極リード端子20および陰極リード端
子21を接続した自立型のコンデンサ素子22の構造を示す
斜視図である。この自立型コンデンサ素子22を実施例１
と同サイズで同様の方法で外装し、定格16V10μＦのチ
ップ型固体電解コンデンサ26を作成した。
（実施例４） 実施例３と全く同様の方法で作成した自立型コンデン
サ素子22を、実施例３のケース25による外装の代わり
に、エポキシ樹脂でインジェクションモールドにより外
装して定格16V10μＦのチップ型固体電解コンデンサ26
を作成した。
サ素子22を、実施例３のケース25による外装の代わり
に、エポキシ樹脂でインジェクションモールドにより外
装して定格16V10μＦのチップ型固体電解コンデンサ26
を作成した。
第６図は、以上のように構成されたチップ型固体電解
コンデンサ26におけるインピーダンスの周波数特性図を
示したもので、それぞれの実施例の定格16V4.7μＦと２
枚積層の16V10μＦを比較しているが、これらは、いず
れも高周波領域でインダクタンスの増加を防止すること
ができ、これにより高周波領域で低インピーダンス化が
図れるコンデンサとして満足した特性を示している。
コンデンサ26におけるインピーダンスの周波数特性図を
示したもので、それぞれの実施例の定格16V4.7μＦと２
枚積層の16V10μＦを比較しているが、これらは、いず
れも高周波領域でインダクタンスの増加を防止すること
ができ、これにより高周波領域で低インピーダンス化が
図れるコンデンサとして満足した特性を示している。
第１表は本実施例のサイズにおいて、従来の横型（低
背型）と比較して回路基板への占有面積をどの程度少な
くすることができるかを示したものである。従来品の占
有面積としては本実施例のチップ型固体電解コンデンサ
26を横倒しにしたもので比較した。
背型）と比較して回路基板への占有面積をどの程度少な
くすることができるかを示したものである。従来品の占
有面積としては本実施例のチップ型固体電解コンデンサ
26を横倒しにしたもので比較した。
上記第１表から明らかなように、本発明の実施例は、
従来例に比較して占有面積はおよそ40％となり、従来例
に比べ2.5倍の高密度実装が可能となることがわかる。
従来例に比較して占有面積はおよそ40％となり、従来例
に比べ2.5倍の高密度実装が可能となることがわかる。
なお、上記実施例３および４では２枚積層のものにつ
いて説明したが、さらに３枚以上の複数枚積層したもの
でも、積層幅がコンデンサ素子板18の幅以上に広くなら
なければ、占有面積の面では有利となることは容易に考
えられることである。
いて説明したが、さらに３枚以上の複数枚積層したもの
でも、積層幅がコンデンサ素子板18の幅以上に広くなら
なければ、占有面積の面では有利となることは容易に考
えられることである。
発明の効果 上記実施例の説明から明らかなように、本発明のチッ
プ型固体電解コンデンサは、弁金属板または弁金属箔上
に形成した陽極酸化皮膜を誘電体とし、この誘電体の所
定の部分に導電性高分子層および導電体層を順次形成し
た構造のコンデンサ素子板と、このコンデンサ素子板の
前記誘電体が露出した一方の部分と、導電体層を形成し
た前記所定の他方の部分とを互いに対応させて複数枚積
層し、一方の導電体層間を導電ペーストで結合した構造
を有するコンデンサ素子板積層体のいずれか一つと、前
記コンデンサ素子板またはコンデンサ素子板積層体に接
続され、かつ接続部以外に平坦部分を少なくとも有する
半田付け可能な金属からなる陽極リード端子および陰極
リード端子とを具備し、前記陽極リード端子および陰極
リード端子の平坦部分と前記コンデンサ素子板またはコ
ンデンサ素子板積層体とが垂直となるように配置し、か
つ前記陽極リード端子および陰極リード端子の平坦部分
が外部に露出するように外装するとともに、陽極リード
端子および陰極リード端子の平坦部分を含む面を底面と
した構成を有しているため、大容量化のためにコンデン
サ素子板の面積を広くしても、回路基板に実装した場
合、回路基板に対して高さ方向に長くなるだけで、その
占有面積は変わらない。またコンデンサ素子板を複数枚
積層する場合でも、コンデンサ素子板の幅以上に積層幅
が広くならない限り、回路基板上の占有面積は少なくな
るため、高周波回路の高密度実装においてインピーダン
スの面で有利となるという効果を有するものである。
プ型固体電解コンデンサは、弁金属板または弁金属箔上
に形成した陽極酸化皮膜を誘電体とし、この誘電体の所
定の部分に導電性高分子層および導電体層を順次形成し
た構造のコンデンサ素子板と、このコンデンサ素子板の
前記誘電体が露出した一方の部分と、導電体層を形成し
た前記所定の他方の部分とを互いに対応させて複数枚積
層し、一方の導電体層間を導電ペーストで結合した構造
を有するコンデンサ素子板積層体のいずれか一つと、前
記コンデンサ素子板またはコンデンサ素子板積層体に接
続され、かつ接続部以外に平坦部分を少なくとも有する
半田付け可能な金属からなる陽極リード端子および陰極
リード端子とを具備し、前記陽極リード端子および陰極
リード端子の平坦部分と前記コンデンサ素子板またはコ
ンデンサ素子板積層体とが垂直となるように配置し、か
つ前記陽極リード端子および陰極リード端子の平坦部分
が外部に露出するように外装するとともに、陽極リード
端子および陰極リード端子の平坦部分を含む面を底面と
した構成を有しているため、大容量化のためにコンデン
サ素子板の面積を広くしても、回路基板に実装した場
合、回路基板に対して高さ方向に長くなるだけで、その
占有面積は変わらない。またコンデンサ素子板を複数枚
積層する場合でも、コンデンサ素子板の幅以上に積層幅
が広くならない限り、回路基板上の占有面積は少なくな
るため、高周波回路の高密度実装においてインピーダン
スの面で有利となるという効果を有するものである。
また導電性高分子を固体電解質として用いているた
め、高周波領域で低インピーダンス化に適した大容量の
チップ型固体電解コンデンサを提供することができ、こ
れに併せて高周波駆動の回路基板の効率的な高密度実装
が可能となるという優れた効果を有するものである。
め、高周波領域で低インピーダンス化に適した大容量の
チップ型固体電解コンデンサを提供することができ、こ
れに併せて高周波駆動の回路基板の効率的な高密度実装
が可能となるという優れた効果を有するものである。
第１図は本発明の一実施例のチップ型固体電解コンデン
サに使用したコンデンサ素子板の構成を示したもので、
ａはコンデンサ素子板の平面図、ｂはａのＡ−Ａ′線断
面図、第２図a,bは同実施例のチップ型固体電解コンデ
ンサの陽極リード端子および陰極リード端子の構造の一
例を示す斜視図、第３図は同リード端子を接続した単層
の自立型のコンデンサ素子の構造を示す斜視図、第４図
は本発明の一実施例のチップ型固体電解コンデンサの外
観を示す斜視図、第５図は同リード端子を接続した２枚
積層の自立型のコンデンサ素子の構造を示す斜視図、第
６図は同電解コンデンサのインピーダンスの周波数特性
図、第７図は従来のチップ型固体電解コンデンサの構成
を示したもので、ａは陽極箔を捲回したコンデンサ素子
の斜視図、ｂは陽極箔を積層したコンデンサ素子の斜視
図、第８図は従来のチップ型固体電解コンデンサの外観
形状を示した斜視図である。 11……アルミニウムエッチド箔、12……陽極酸化皮膜、
14……導電性高分子層、15……グラファイト層、16……
銀ペイント層、17……コンデンサ素子板、18……コンデ
ンサ素子接続部、20……陽極リード端子、21……陰極リ
ード端子、22……コンデンサ素子、25……ケース、26…
…チップ型固体電解コンデンサ、27……コンデンサ素子
板積層体。
サに使用したコンデンサ素子板の構成を示したもので、
ａはコンデンサ素子板の平面図、ｂはａのＡ−Ａ′線断
面図、第２図a,bは同実施例のチップ型固体電解コンデ
ンサの陽極リード端子および陰極リード端子の構造の一
例を示す斜視図、第３図は同リード端子を接続した単層
の自立型のコンデンサ素子の構造を示す斜視図、第４図
は本発明の一実施例のチップ型固体電解コンデンサの外
観を示す斜視図、第５図は同リード端子を接続した２枚
積層の自立型のコンデンサ素子の構造を示す斜視図、第
６図は同電解コンデンサのインピーダンスの周波数特性
図、第７図は従来のチップ型固体電解コンデンサの構成
を示したもので、ａは陽極箔を捲回したコンデンサ素子
の斜視図、ｂは陽極箔を積層したコンデンサ素子の斜視
図、第８図は従来のチップ型固体電解コンデンサの外観
形状を示した斜視図である。 11……アルミニウムエッチド箔、12……陽極酸化皮膜、
14……導電性高分子層、15……グラファイト層、16……
銀ペイント層、17……コンデンサ素子板、18……コンデ
ンサ素子接続部、20……陽極リード端子、21……陰極リ
ード端子、22……コンデンサ素子、25……ケース、26…
…チップ型固体電解コンデンサ、27……コンデンサ素子
板積層体。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭61−110419（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−310529（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01G 9/012 H01G 9/048
Claims (3)
- 【請求項１】弁金属板または弁金属箔上に形成した陽極
酸化皮膜を誘電体とし、この誘電体の所定の部分に導電
性高分子層および導電体層を順次形成した構造のコンデ
ンサ素子板と、このコンデンサ素子板の前記誘電体が露
出した一方の部分と、導電体層を形成した前記所定の他
方の部分とを互いに対応させて複数枚積層し、一方の導
電体層間を導電ペーストで結合した構造を有するコンデ
ンサ素子板積層体のいずれか１つと、前記コンデンサ素
子板またはコンデンサ素子板積層体に接続され、かつ接
続部以外に平坦部分を少なくとも有する半田付け可能な
金属からなる陽極リード端子および陰極リード端子とを
具備し、前記陽極リード端子および陰極リード端子の平
坦部分と前記コンデンサ素子板またはコンデンサ素子板
積層体とが垂直となるように配置し、かつ前記陽極リー
ド端子および陰極リード端子の平坦部分が外部に露出す
るように外装するとともに、陽極リード端子および陰極
リード端子の平坦部分を含む面を底面としたことを特徴
とするチップ型固体電解コンデンサ。 - 【請求項２】外装は樹脂，金属，セラミックから選ばれ
るケースを使用し、このケースにコンデンサ素子を挿入
した後、樹脂注型によって構成するようにした特許請求
の範囲第１項記載のチップ型固体電解コンデンサ。 - 【請求項３】外装は樹脂モールドで構成した特許請求の
範囲第１項記載のチップ型固体電解コンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32789389A JP2867514B2 (ja) | 1989-12-18 | 1989-12-18 | チップ型固体電解コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32789389A JP2867514B2 (ja) | 1989-12-18 | 1989-12-18 | チップ型固体電解コンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03188614A JPH03188614A (ja) | 1991-08-16 |
| JP2867514B2 true JP2867514B2 (ja) | 1999-03-08 |
Family
ID=18204163
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32789389A Expired - Fee Related JP2867514B2 (ja) | 1989-12-18 | 1989-12-18 | チップ型固体電解コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2867514B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3448909B2 (ja) * | 1993-09-01 | 2003-09-22 | 日本ケミコン株式会社 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
| EP2259276A1 (en) | 1999-05-28 | 2010-12-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Solid electrolytic capacitor and manufacturing method thereof |
| WO2018180437A1 (ja) * | 2017-03-29 | 2018-10-04 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
-
1989
- 1989-12-18 JP JP32789389A patent/JP2867514B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03188614A (ja) | 1991-08-16 |
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |