JP2003332173A - コンデンサ素子、固体電解コンデンサおよびコンデンサ内蔵基板 - Google Patents
コンデンサ素子、固体電解コンデンサおよびコンデンサ内蔵基板Info
- Publication number
- JP2003332173A JP2003332173A JP2002142091A JP2002142091A JP2003332173A JP 2003332173 A JP2003332173 A JP 2003332173A JP 2002142091 A JP2002142091 A JP 2002142091A JP 2002142091 A JP2002142091 A JP 2002142091A JP 2003332173 A JP2003332173 A JP 2003332173A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- capacitor
- valve metal
- capacitor element
- layer
- anode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】低ESLで高周波領域における高性能のコンデ
ンサ素子と固体電解コンデンサおよびコンデンサ内蔵基
板を提供する。 【解決手段】弁金属の粉末と弁金属リード6a,6bを
成形焼結した多孔質陽極体1の表面に誘電体層と固体電
解質層と陰極導体層が順次形成されたコンデンサ素子で
あって、前記弁金属リード6a,6bを複数本備える。
多孔質陽極体の導電パスを小さくすることができるの
で、高周波領域において低ESLを実現することができ
る。弁金属1としては、例えば100000μF・V/
gのタンタル粉末を用い、リード線6a,6bとしては
線径200μmのタンタル製リード線を複数本用いる。
ンサ素子と固体電解コンデンサおよびコンデンサ内蔵基
板を提供する。 【解決手段】弁金属の粉末と弁金属リード6a,6bを
成形焼結した多孔質陽極体1の表面に誘電体層と固体電
解質層と陰極導体層が順次形成されたコンデンサ素子で
あって、前記弁金属リード6a,6bを複数本備える。
多孔質陽極体の導電パスを小さくすることができるの
で、高周波領域において低ESLを実現することができ
る。弁金属1としては、例えば100000μF・V/
gのタンタル粉末を用い、リード線6a,6bとしては
線径200μmのタンタル製リード線を複数本用いる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、コンデンサ素子お
よび固体電解コンデンサ、特に電源平滑回路の2次側、
コンピュータの中央処理装置(CPU)周りに使用され
る高周波インピーダンスを低減する等価直列インダクタ
ンスの小さいコンデンサ、およびそれを用いたコンデン
サ実装または内蔵基板に関する。
よび固体電解コンデンサ、特に電源平滑回路の2次側、
コンピュータの中央処理装置(CPU)周りに使用され
る高周波インピーダンスを低減する等価直列インダクタ
ンスの小さいコンデンサ、およびそれを用いたコンデン
サ実装または内蔵基板に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、電子機器のデジタル化に伴って、
それに用いるコンデンサも高周波領域において容量が大
きく、小形のものが強く要望されるようになってきた。
この要求に対しては容量の点で固体電解コンデンサが適
しているが、等価直列抵抗(以下、ESRと略す)を下
げ、さらにコンデンサの外部接続端子の部分に起因する
等価直列インダクタンス(以下、ESLと略す)を下げ
る試みがなされている。
それに用いるコンデンサも高周波領域において容量が大
きく、小形のものが強く要望されるようになってきた。
この要求に対しては容量の点で固体電解コンデンサが適
しているが、等価直列抵抗(以下、ESRと略す)を下
げ、さらにコンデンサの外部接続端子の部分に起因する
等価直列インダクタンス(以下、ESLと略す)を下げ
る試みがなされている。
【0003】このような、固体電解コンデンサとして、
特開平4−123416号公報にはアルミ箔の表面を陽
極酸化し、これを誘電体層として用いた小形で大容量の
固体電解コンデンサが、特開平4−48616号公報に
は板状の陽極体の両面に誘電体層、電解質層および導電
体層を順次生成し、陰極端子を設けた小形で大容量の固
体電解コンデンサが、また特開平6−267802号公
報には誘電体層の一方の面に陽極を、他方の面に陰極を
形成し、陰極および陽極にそれぞれ2本の接続端子を設
け、一方の陰極端子と陽極端子の組を入力用とし、他方
の陰極端子と陽極端子の組を出力用とした電解コンデン
サが開示されている。
特開平4−123416号公報にはアルミ箔の表面を陽
極酸化し、これを誘電体層として用いた小形で大容量の
固体電解コンデンサが、特開平4−48616号公報に
は板状の陽極体の両面に誘電体層、電解質層および導電
体層を順次生成し、陰極端子を設けた小形で大容量の固
体電解コンデンサが、また特開平6−267802号公
報には誘電体層の一方の面に陽極を、他方の面に陰極を
形成し、陰極および陽極にそれぞれ2本の接続端子を設
け、一方の陰極端子と陽極端子の組を入力用とし、他方
の陰極端子と陽極端子の組を出力用とした電解コンデン
サが開示されている。
【0004】一般的に、このような固体電解コンデンサ
は、エッチングした弁金属薄板や、弁金属の粉末と弁金
属リードを成形焼結された多孔質陽極体表面に、陽極酸
化皮膜を形成して誘電体とし、かつこの誘電体における
陽極引き出し部以外の部分に、固体電解質層、カーボン
層、銀導電性樹脂層を形成し、さらにこのコンデンサ素
子に、陽極端子と陰極端子を接続し、その後、トランス
ファーモールドやポッティング等によりパッケージを施
して製造される。
は、エッチングした弁金属薄板や、弁金属の粉末と弁金
属リードを成形焼結された多孔質陽極体表面に、陽極酸
化皮膜を形成して誘電体とし、かつこの誘電体における
陽極引き出し部以外の部分に、固体電解質層、カーボン
層、銀導電性樹脂層を形成し、さらにこのコンデンサ素
子に、陽極端子と陰極端子を接続し、その後、トランス
ファーモールドやポッティング等によりパッケージを施
して製造される。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
従来のコンデンサでは、ESLが大きく高周波領域での
インピーダンスが大きくなるという問題を有していた。
従来のコンデンサでは、ESLが大きく高周波領域での
インピーダンスが大きくなるという問題を有していた。
【0006】また、高周波になればなるほど、プリント
配線のランド部分を表皮効果的に電流が流れてコンデン
サ素子の内部に効率よく電流を通過させにくくなり、そ
の結果、コンデンサのキャパシタンスを最大限に生か
し、インダクタンスを最小にすることができないという
問題を有していた。
配線のランド部分を表皮効果的に電流が流れてコンデン
サ素子の内部に効率よく電流を通過させにくくなり、そ
の結果、コンデンサのキャパシタンスを最大限に生か
し、インダクタンスを最小にすることができないという
問題を有していた。
【0007】本発明は上記の従来の問題を解決するもの
で、低ESLで高周波領域における高性能のコンデンサ
素子および固体電解コンデンサおよびコンデンサ内蔵基
板を提供することを目的とするものである。
で、低ESLで高周波領域における高性能のコンデンサ
素子および固体電解コンデンサおよびコンデンサ内蔵基
板を提供することを目的とするものである。
【0008】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に本発明のコンデンサ素子は、弁金属の粉末と弁金属リ
ードを成形焼結した多孔質陽極体表面に、誘電体層と、
固体電解質層と、陰極導体層が順次形成されたコンデン
サ素子であって、前記弁金属リードを複数本備えたこと
を特徴とする。
に本発明のコンデンサ素子は、弁金属の粉末と弁金属リ
ードを成形焼結した多孔質陽極体表面に、誘電体層と、
固体電解質層と、陰極導体層が順次形成されたコンデン
サ素子であって、前記弁金属リードを複数本備えたこと
を特徴とする。
【0009】次に本発明の固体電解コンデンサは、前記
のコンデンサ素子に少なくとも陽極端子と陰極端子を設
け、外装樹脂によりパッケージングした固体電解コンデ
ンサであって、前記複数本の弁金属リードが2つ以上の
陽極端子に接合されていることを特徴とする。
のコンデンサ素子に少なくとも陽極端子と陰極端子を設
け、外装樹脂によりパッケージングした固体電解コンデ
ンサであって、前記複数本の弁金属リードが2つ以上の
陽極端子に接合されていることを特徴とする。
【0010】次に本発明のコンデンサ内蔵基板は、前記
の固体電解コンデンサを内蔵した基板であって、銀導電
性樹脂層と第1の配線回路層上の配線導体とを導電性接
着剤で接続し、陽極リードと第2の配線回路層上の配線
導体とを導電性接着剤で接続することにより、前記電解
コンデンサを内蔵したことを特徴とする。
の固体電解コンデンサを内蔵した基板であって、銀導電
性樹脂層と第1の配線回路層上の配線導体とを導電性接
着剤で接続し、陽極リードと第2の配線回路層上の配線
導体とを導電性接着剤で接続することにより、前記電解
コンデンサを内蔵したことを特徴とする。
【0011】
【発明の実施の形態】本発明のコンデンサ素子は、多孔
質陽極体の導電パスを小さくすることができるので、高
周波領域において低ESLを実現することができる。す
なわち、多孔質陽極体の導電経路を短くすることで、高
周波領域における低ESLのコンデンサを実現すること
ができる。また、複数の弁金属リードが少なくとも2つ
以上の陽極端子に接合され、その陽極端子を陽極入力
側、他方の陽極端子を陽極出力側に用いることでコンデ
ンサ素子の内部に効率よく電流を通過させやすくなり、
その結果、コンデンサのキャパシタンスを最大限に生か
し、インダクタンスを最小にすることができる。
質陽極体の導電パスを小さくすることができるので、高
周波領域において低ESLを実現することができる。す
なわち、多孔質陽極体の導電経路を短くすることで、高
周波領域における低ESLのコンデンサを実現すること
ができる。また、複数の弁金属リードが少なくとも2つ
以上の陽極端子に接合され、その陽極端子を陽極入力
側、他方の陽極端子を陽極出力側に用いることでコンデ
ンサ素子の内部に効率よく電流を通過させやすくなり、
その結果、コンデンサのキャパシタンスを最大限に生か
し、インダクタンスを最小にすることができる。
【0012】また、配線回路層と樹脂層を積層し、配線
回路層の層間に電子部品を配置したコンデンサ内蔵基板
において電子部品の一つとして上記の低ESLコンデン
サを用いることにより、小型・高性能の高周波コンデン
サ内蔵基板を実現することができる。
回路層の層間に電子部品を配置したコンデンサ内蔵基板
において電子部品の一つとして上記の低ESLコンデン
サを用いることにより、小型・高性能の高周波コンデン
サ内蔵基板を実現することができる。
【0013】前記複数の弁金属リードが前記多孔質陽極
体の同一面から同一方向に導出されていると、陽極単端
子、陽極多端子構造のコンデンサに対応することができ
る。
体の同一面から同一方向に導出されていると、陽極単端
子、陽極多端子構造のコンデンサに対応することができ
る。
【0014】また、前記複数の弁金属リードが前記多孔
質陽極体の内部で接続されていると、陽極多端子構造の
コンデンサ素子の電流許容量を大きくすることができ
る。
質陽極体の内部で接続されていると、陽極多端子構造の
コンデンサ素子の電流許容量を大きくすることができ
る。
【0015】また、コンデンサ素子を実装または内蔵す
る回路基板の配線導体を端子として兼用すると、コンデ
ンサの形状寸法および製造工程を簡略化できる。
る回路基板の配線導体を端子として兼用すると、コンデ
ンサの形状寸法および製造工程を簡略化できる。
【0016】次に本発明の電解コンデンサ内蔵基板によ
れば、コンデンサの形状寸法および製造工程を簡略化で
き、薄型化かつ低ESR化できる。
れば、コンデンサの形状寸法および製造工程を簡略化で
き、薄型化かつ低ESR化できる。
【0017】以下、本発明の実施の形態について図面を
用いて説明する。
用いて説明する。
【0018】(実施の形態1)図1は実施の形態1にお
ける第1の例を説明する多孔質陽極体の概念斜視図であ
る。弁金属1としては、例えば100000μF・V/
gのタンタル粉末を用い、リード線6a,6bとしては
線径200μmのタンタル製リード線を所望の本数用
い、成形体への埋め込み部の深さを4mm、突出長さ5
mmとして成形し焼結する。形状は角形状で、成形体サ
イズが厚み0.5mm、横3.4mm、縦5.4mmで
ある。焼結温度は1300℃で真空焼結して、多孔質陽
極体7とする。
ける第1の例を説明する多孔質陽極体の概念斜視図であ
る。弁金属1としては、例えば100000μF・V/
gのタンタル粉末を用い、リード線6a,6bとしては
線径200μmのタンタル製リード線を所望の本数用
い、成形体への埋め込み部の深さを4mm、突出長さ5
mmとして成形し焼結する。形状は角形状で、成形体サ
イズが厚み0.5mm、横3.4mm、縦5.4mmで
ある。焼結温度は1300℃で真空焼結して、多孔質陽
極体7とする。
【0019】そして、コンデンサ素子として評価するた
めに、図2に示すように前記多孔質陽極体1に85℃の
リン酸溶液中で印加電圧30Vで化成を行い、厚み約7
0nmの誘電体層2を形成した。さらに、固体電解質3
として二酸化マンガンを充填して形成した後、グラファ
イト粒子を含む水溶性溶液にディッピングしてカーボン
層4を形成し、銀導電性樹脂層5からなる陰極導体層を
ディッピングにより形成した。
めに、図2に示すように前記多孔質陽極体1に85℃の
リン酸溶液中で印加電圧30Vで化成を行い、厚み約7
0nmの誘電体層2を形成した。さらに、固体電解質3
として二酸化マンガンを充填して形成した後、グラファ
イト粒子を含む水溶性溶液にディッピングしてカーボン
層4を形成し、銀導電性樹脂層5からなる陰極導体層を
ディッピングにより形成した。
【0020】本実施形態で線径200μmのタンタル製
リード線を用いた理由は、リード本数が多くなることで
外部端子との接続の際に生じる応力により、陽極体が割
れるのを防止するためである。すなわち、リード本数を
複数にした場合は、陽極体の厚み方向に応力が加わった
時に、先にリード線が曲がり、陽極体の応力を緩和する
ように設計すれば良い。
リード線を用いた理由は、リード本数が多くなることで
外部端子との接続の際に生じる応力により、陽極体が割
れるのを防止するためである。すなわち、リード本数を
複数にした場合は、陽極体の厚み方向に応力が加わった
時に、先にリード線が曲がり、陽極体の応力を緩和する
ように設計すれば良い。
【0021】したがって、本方法に限らず、リード線を
太くした場合には、リード線にくさびを設けても良く、
偏平形状のリード線を用いても良い。
太くした場合には、リード線にくさびを設けても良く、
偏平形状のリード線を用いても良い。
【0022】(実施の形態2)前記実施の形態1におい
て説明したコンデンサ素子を複数枚積層して積層型コン
デンサとすることにより、一層大容量化することができ
る。図5はコンデンサ素子を複数枚(本実施例では3
枚)積層して構成した積層型コンデンサの概念図であ
る。なお、図5では、説明のために陽極端子8aを仮想
的に剥離した状態を示している。この状態で少なくとも
両電極端子の端面を露出させて樹脂ケースおよび樹脂を
用いて封止し、パッケージ10の1側面に両電極端子が
露出した構造を得る。パッケージ1の側面にはめっき
法、導電性樹脂ペーストの焼付け法または金属板の貼り
付け法により陽極外部端子8a,8bおよび陰極外部端
子9が形成されている。図5と図2の関係は、図2にお
ける多孔質陽極体1が陽極外部端子8a,8b側に配置
され、銀導電性樹脂層5が陰極外部端子9側に配置され
る。
て説明したコンデンサ素子を複数枚積層して積層型コン
デンサとすることにより、一層大容量化することができ
る。図5はコンデンサ素子を複数枚(本実施例では3
枚)積層して構成した積層型コンデンサの概念図であ
る。なお、図5では、説明のために陽極端子8aを仮想
的に剥離した状態を示している。この状態で少なくとも
両電極端子の端面を露出させて樹脂ケースおよび樹脂を
用いて封止し、パッケージ10の1側面に両電極端子が
露出した構造を得る。パッケージ1の側面にはめっき
法、導電性樹脂ペーストの焼付け法または金属板の貼り
付け法により陽極外部端子8a,8bおよび陰極外部端
子9が形成されている。図5と図2の関係は、図2にお
ける多孔質陽極体1が陽極外部端子8a,8b側に配置
され、銀導電性樹脂層5が陰極外部端子9側に配置され
る。
【0023】(実施の形態3)図6は本発明の実施の形
態3におけるコンデンサ内蔵基板の要部断面図である。
図6に示す多層配線基板は第1の配線回路層14と樹脂
層15と第2の配線回路層16とで構成される。図6に
おいては、第1の配線回路層14と第2の配線回路層1
6の主面に配線導体12,12’が形成された例を示し
ているが、それぞれの配線回路層の両面に配線導体が形
成されていてもよい。
態3におけるコンデンサ内蔵基板の要部断面図である。
図6に示す多層配線基板は第1の配線回路層14と樹脂
層15と第2の配線回路層16とで構成される。図6に
おいては、第1の配線回路層14と第2の配線回路層1
6の主面に配線導体12,12’が形成された例を示し
ているが、それぞれの配線回路層の両面に配線導体が形
成されていてもよい。
【0024】第1の配線回路層14と第2の配線回路層
16の間、すなわち樹脂層15には図1に示したコンデ
ンサが、図6の如く配置されている。図6では、コンデ
ンサとして多孔質陽極体7の所定の表面に誘電体層2を
形成し、その表面に固体電解質層3を形成し、その表面
にカーボン層4,銀導電性樹脂層5を形成したものを用
いた例を示しているが、コンデンサとしてはこれに限定
されるものではない。
16の間、すなわち樹脂層15には図1に示したコンデ
ンサが、図6の如く配置されている。図6では、コンデ
ンサとして多孔質陽極体7の所定の表面に誘電体層2を
形成し、その表面に固体電解質層3を形成し、その表面
にカーボン層4,銀導電性樹脂層5を形成したものを用
いた例を示しているが、コンデンサとしてはこれに限定
されるものではない。
【0025】このようなコンデンサを多層配線基板の間
に設置し、陽極リード6と第2の配線回路層16の配線
導体12’とを導電性接着剤11で接続し、銀導電性樹
脂層5と第1の配線回路層14の配線導体12とを導電
性接着剤11で接続している。このようにパッケージ前
のコンデンサを用いてコンデンサ内蔵基板を構成するこ
とにより工程を単純化することができ、さらには厚さを
薄くすることができる。また、リード6と配線導体12
が重なり合うように構成することによって、さらに低E
SL化することができる。
に設置し、陽極リード6と第2の配線回路層16の配線
導体12’とを導電性接着剤11で接続し、銀導電性樹
脂層5と第1の配線回路層14の配線導体12とを導電
性接着剤11で接続している。このようにパッケージ前
のコンデンサを用いてコンデンサ内蔵基板を構成するこ
とにより工程を単純化することができ、さらには厚さを
薄くすることができる。また、リード6と配線導体12
が重なり合うように構成することによって、さらに低E
SL化することができる。
【0026】
【実施例】以下実施例を用いて本発明をさらに具体的に
説明する。なお、本発明は下記の実施例に限定されな
い。
説明する。なお、本発明は下記の実施例に限定されな
い。
【0027】(実施例1)リードを2本用い、図1に示
すリード6a、6bには共通の陽極端子を接合し、陰極
導体層には陰極端子を接合して、約80重量%のシリカ
を含むエポキシ樹脂でモールドして固体電解コンデンサ
を20個作製した。これらの固体電解コンデンサを用い
て、5MHzでのESLを測定した。
すリード6a、6bには共通の陽極端子を接合し、陰極
導体層には陰極端子を接合して、約80重量%のシリカ
を含むエポキシ樹脂でモールドして固体電解コンデンサ
を20個作製した。これらの固体電解コンデンサを用い
て、5MHzでのESLを測定した。
【0028】(実施例2)リードを2本用い、図3に示
すリード6a、6bに個別の陽極端子を接合し、陰極導
体層には陰極端子を接合して、約80重量%のシリカを
含むエポキシ樹脂でモールドして固体電解コンデンサを
20個作製した。6aを入力側、6bを出力側とした固
体電解コンデンサを用いて、5MHzでのESLを測定
した。
すリード6a、6bに個別の陽極端子を接合し、陰極導
体層には陰極端子を接合して、約80重量%のシリカを
含むエポキシ樹脂でモールドして固体電解コンデンサを
20個作製した。6aを入力側、6bを出力側とした固
体電解コンデンサを用いて、5MHzでのESLを測定
した。
【0029】(実施例3)リードを3本用い、図4に示
すリード6a、6b、6cに個別の陽極端子を接合し、
陰極導体層には陰極端子を接合して、約80重量%含む
エポキシ樹脂でモールドして固体電解コンデンサを20
個作製した。6bを入力側、6aおよび6cを出力側と
した固体電解コンデンサを用いて、5MHzでのESL
を測定した。
すリード6a、6b、6cに個別の陽極端子を接合し、
陰極導体層には陰極端子を接合して、約80重量%含む
エポキシ樹脂でモールドして固体電解コンデンサを20
個作製した。6bを入力側、6aおよび6cを出力側と
した固体電解コンデンサを用いて、5MHzでのESL
を測定した。
【0030】(比較例)リード線を1本とした従来のコ
ンデンサ素子を作製し陽極端子を接合し、陰極導体層に
は陰極端子を接合して、約80重量%のシリカを含むエ
ポキシ樹脂でモールドして固体電解コンデンサを20個
作製した。
ンデンサ素子を作製し陽極端子を接合し、陰極導体層に
は陰極端子を接合して、約80重量%のシリカを含むエ
ポキシ樹脂でモールドして固体電解コンデンサを20個
作製した。
【0031】その測定結果の平均値を(表1)に示す
【0032】
【表1】
【0033】(表1)より、弁金属の粉末と複数の弁金
属リードを成形焼結された多孔質陽極体表面に、誘電体
層、および固体電解質層、および陰極導体層が順次形成
されたコンデンサ素子とすることで、多孔質陽極体の導
電経路を短くすることで高周波領域で低ESLのコンデ
ンサを実現することができた。また陽極多端子構造とす
ることでより低ESLのコンデンサを実現することがで
きた。
属リードを成形焼結された多孔質陽極体表面に、誘電体
層、および固体電解質層、および陰極導体層が順次形成
されたコンデンサ素子とすることで、多孔質陽極体の導
電経路を短くすることで高周波領域で低ESLのコンデ
ンサを実現することができた。また陽極多端子構造とす
ることでより低ESLのコンデンサを実現することがで
きた。
【0034】また、複数の弁金属リードを多孔質陽極体
の同一面から導出させることにより、多孔質陽極体の製
造が容易であり、また陽極単端子、陽極多端子構造のコ
ンデンサに対応することができた。
の同一面から導出させることにより、多孔質陽極体の製
造が容易であり、また陽極単端子、陽極多端子構造のコ
ンデンサに対応することができた。
【0035】また、複数の弁金属リードが前記多孔質陽
極体の内部で接続されていると、陽極多端子構造のコン
デンサ素子の電流許容量を大きくすることができる。
極体の内部で接続されていると、陽極多端子構造のコン
デンサ素子の電流許容量を大きくすることができる。
【0036】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のコンデン
サ素子および固体電解コンデンサは、複数の弁金属リー
ドが多孔質陽極体の同一面から導出されたことにより、
低ESLの固体電解コンデンサを実現することができ
る。さらに、多孔質陽極体製造が簡便であり、また陽極
単端子、陽極多端子構造のコンデンサに対応することが
できる。
サ素子および固体電解コンデンサは、複数の弁金属リー
ドが多孔質陽極体の同一面から導出されたことにより、
低ESLの固体電解コンデンサを実現することができ
る。さらに、多孔質陽極体製造が簡便であり、また陽極
単端子、陽極多端子構造のコンデンサに対応することが
できる。
【0037】また、パッケージ前のコンデンサを用いて
コンデンサ内蔵基板を構成することにより製造工程を単
純化することができ、さらには厚さを薄くすることがで
きる。また、リードと配線導体が重なり合うように構成
することによって、さらに低ESL化することができ
る。
コンデンサ内蔵基板を構成することにより製造工程を単
純化することができ、さらには厚さを薄くすることがで
きる。また、リードと配線導体が重なり合うように構成
することによって、さらに低ESL化することができ
る。
【図1】本発明の実施の形態1および実施例1における
コンデンサの概念斜視図。
コンデンサの概念斜視図。
【図2】本発明の実施の形態1におけるコンデンサの概
念断面図。
念断面図。
【図3】本発明の実施例2におけるコンデンサの概念斜
視図。
視図。
【図4】本発明の実施例3におけるコンデンサの概念斜
視図。
視図。
【図5】本発明の実施の形態2における積層型コンデン
サの概念斜視図。
サの概念斜視図。
【図6】本発明の実施の形態3におけるコンデンサ内蔵
基板の要部断面図。
基板の要部断面図。
1,7 弁金属(多孔質陽極体)
2 誘電体層
3 固体電解質層
4 カーボン層
5 銀導電性樹脂層
6,6a,6b,6c 弁金属リード
8a,8b 陽極端子
9 陰極端子
10 外装樹脂
11 導電性接着剤
12,12’ 配線導体
13 絶縁層
14 第1の配線回路層
15 樹脂層
16 第2の配線回路層
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 石川 明洋
大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器
産業株式会社内
(72)発明者 岡野 和之
大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器
産業株式会社内
Fターム(参考) 5E346 CC01 CC42 DD07 FF45 HH02
HH04 HH06
Claims (7)
- 【請求項1】 弁金属の粉末と弁金属リードを成形焼結
した多孔質陽極体表面に、誘電体層と、固体電解質層
と、陰極導体層が順次形成されたコンデンサ素子であっ
て、前記弁金属リードを複数本備えたことを特徴とする
コンデンサ素子。 - 【請求項2】 前記弁金属リードが2〜3本である請求
項1に記載のコンデンサ素子。 - 【請求項3】 前記複数の弁金属リードが前記多孔質陽
極体の同一面から同一方向に導出されている請求項1ま
たは2に記載のコンデンサ素子。 - 【請求項4】 前記複数の弁金属リードが前記多孔質陽
極体の内部で接続されている請求項1〜3のいずれかに
記載のコンデンサ素子。 - 【請求項5】 前記複数の弁金属リードにさらに陽極端
子を接続し、前記陽極端子が前記コンデンサ素子を実装
する回路基板または内部の配線導体である請求項1〜4
のいずれかに記載のコンデンサ素子。 - 【請求項6】 前記請求項1〜4のいずれかに記載のコ
ンデンサ素子に少なくとも陽極端子と陰極端子を設け、
外装樹脂によりパッケージングした固体電解コンデンサ
であって、 前記複数本の弁金属リードが2つ以上の陽極端子に接合
されていることを特徴とする固体電解コンデンサ。 - 【請求項7】 請求項6に記載の固体電解コンデンサを
内蔵した基板であって、銀導電性樹脂層と第1の配線回
路層上の配線導体とを導電性接着剤で接続し、陽極リー
ドと第2の配線回路層上の配線導体とを導電性接着剤で
接続することにより、前記電解コンデンサを内蔵したこ
とを特徴とするコンデンサ内蔵基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002142091A JP2003332173A (ja) | 2002-05-16 | 2002-05-16 | コンデンサ素子、固体電解コンデンサおよびコンデンサ内蔵基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002142091A JP2003332173A (ja) | 2002-05-16 | 2002-05-16 | コンデンサ素子、固体電解コンデンサおよびコンデンサ内蔵基板 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003332173A true JP2003332173A (ja) | 2003-11-21 |
Family
ID=29702494
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002142091A Pending JP2003332173A (ja) | 2002-05-16 | 2002-05-16 | コンデンサ素子、固体電解コンデンサおよびコンデンサ内蔵基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2003332173A (ja) |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005015588A1 (ja) * | 2003-08-12 | 2005-02-17 | Rohm Co., Ltd. | 固体電解コンデンサ、電気回路、及び固体電解コンデンサの実装構造 |
JP2005294817A (ja) * | 2004-03-09 | 2005-10-20 | Showa Denko Kk | 固体電解コンデンサ及びその用途 |
WO2005106905A1 (en) * | 2004-04-23 | 2005-11-10 | Kemet Electronics Corporation | Reduced esr through use of multiple wire anode |
JP2006073791A (ja) * | 2004-09-02 | 2006-03-16 | Nec Tokin Corp | 表面実装薄型コンデンサ |
JP2006108274A (ja) * | 2004-10-04 | 2006-04-20 | Rohm Co Ltd | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
EP2104120A2 (en) | 2008-03-18 | 2009-09-23 | Fujitsu Limited | Tantalum capacitor |
CN102103934A (zh) * | 2009-12-22 | 2011-06-22 | 株式会社村田制作所 | 固体电解电容器及其制造方法 |
CN103377829A (zh) * | 2012-04-24 | 2013-10-30 | Avx公司 | 包含多个烧结接合的阳极引线的固体电解电容器 |
JP2013229566A (ja) * | 2012-04-24 | 2013-11-07 | Avx Corp | 固体電解コンデンサのアノードとの接触を改良するための圧着リードワイヤ |
KR20150127438A (ko) * | 2014-05-07 | 2015-11-17 | 삼성전기주식회사 | 탄탈륨 캐패시터 |
US9972443B2 (en) | 2015-01-27 | 2018-05-15 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Tantalum capacitor |
CN110942918A (zh) * | 2018-09-21 | 2020-03-31 | 钰冠科技股份有限公司 | 堆叠型电容器及其制作方法、以及银胶层 |
US11328874B2 (en) | 2019-05-17 | 2022-05-10 | KYOCERA AVX Components Corporation | Solid electrolytic capacitor |
-
2002
- 2002-05-16 JP JP2002142091A patent/JP2003332173A/ja active Pending
Cited By (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7929275B2 (en) | 2003-08-12 | 2011-04-19 | Rohm Co., Ltd. | Solid electrolytic capacitor, electric circuit, and solid electrolytic capacitor mounting structure |
WO2005015588A1 (ja) * | 2003-08-12 | 2005-02-17 | Rohm Co., Ltd. | 固体電解コンデンサ、電気回路、及び固体電解コンデンサの実装構造 |
JPWO2005015588A1 (ja) * | 2003-08-12 | 2007-10-04 | ローム株式会社 | 固体電解コンデンサ、電気回路、及び固体電解コンデンサの実装構造 |
US7385804B2 (en) | 2003-08-12 | 2008-06-10 | Rohm Co., Ltd. | Solid electrolytic capacitor, electric circuit, and solid electrolytic capacitor mounting structure |
JP4640988B2 (ja) * | 2003-08-12 | 2011-03-02 | ローム株式会社 | 固体電解コンデンサ |
JP2005294817A (ja) * | 2004-03-09 | 2005-10-20 | Showa Denko Kk | 固体電解コンデンサ及びその用途 |
JP4655689B2 (ja) * | 2004-03-09 | 2011-03-23 | 株式会社村田製作所 | 固体電解コンデンサ及びその用途 |
WO2005106905A1 (en) * | 2004-04-23 | 2005-11-10 | Kemet Electronics Corporation | Reduced esr through use of multiple wire anode |
JP2006073791A (ja) * | 2004-09-02 | 2006-03-16 | Nec Tokin Corp | 表面実装薄型コンデンサ |
JP2006108274A (ja) * | 2004-10-04 | 2006-04-20 | Rohm Co Ltd | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
EP2104120A2 (en) | 2008-03-18 | 2009-09-23 | Fujitsu Limited | Tantalum capacitor |
EP2104120A3 (en) * | 2008-03-18 | 2009-09-30 | Fujitsu Limited | Tantalum capacitor |
US7602600B1 (en) | 2008-03-18 | 2009-10-13 | Fujitsu Limited | Tantalum capacitor |
CN102103934B (zh) * | 2009-12-22 | 2014-03-19 | 株式会社村田制作所 | 固体电解电容器及其制造方法 |
US8630084B2 (en) | 2009-12-22 | 2014-01-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Solid electrolytic capacitor and method for producing solid electrolytic capacitor |
CN102103934A (zh) * | 2009-12-22 | 2011-06-22 | 株式会社村田制作所 | 固体电解电容器及其制造方法 |
KR101119053B1 (ko) * | 2009-12-22 | 2012-03-16 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 고체 전해 콘덴서 및 그 제조 방법 |
US8945240B2 (en) | 2009-12-22 | 2015-02-03 | Murato Manufacturing Co., Ltd. | Solid electrolytic capacitor and method for producing solid electrolytic capacitor |
JP2013229565A (ja) * | 2012-04-24 | 2013-11-07 | Avx Corp | 複数の焼結結合アノードリードワイヤを含む固体電解コンデンサ |
JP2013229566A (ja) * | 2012-04-24 | 2013-11-07 | Avx Corp | 固体電解コンデンサのアノードとの接触を改良するための圧着リードワイヤ |
CN103377829A (zh) * | 2012-04-24 | 2013-10-30 | Avx公司 | 包含多个烧结接合的阳极引线的固体电解电容器 |
KR20150127438A (ko) * | 2014-05-07 | 2015-11-17 | 삼성전기주식회사 | 탄탈륨 캐패시터 |
JP2015216345A (ja) * | 2014-05-07 | 2015-12-03 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. | タンタルキャパシタ |
KR102089698B1 (ko) * | 2014-05-07 | 2020-03-16 | 삼성전기주식회사 | 탄탈륨 캐패시터 |
US9972443B2 (en) | 2015-01-27 | 2018-05-15 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Tantalum capacitor |
CN110942918A (zh) * | 2018-09-21 | 2020-03-31 | 钰冠科技股份有限公司 | 堆叠型电容器及其制作方法、以及银胶层 |
US11328874B2 (en) | 2019-05-17 | 2022-05-10 | KYOCERA AVX Components Corporation | Solid electrolytic capacitor |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6400556B1 (en) | Solid electrolytic capacitor and method of fabricating the same | |
US7320924B2 (en) | Method of producing a chip-type solid electrolytic capacitor | |
KR100984535B1 (ko) | 고체 전해 콘덴서 및 그 제조 방법 | |
US20090116173A1 (en) | Solid electrolytic capacitor | |
JP2006237520A (ja) | 薄型多端子コンデンサおよびその製造方法 | |
TW200937469A (en) | Stacked solid electrolytic capacitor | |
JP2003332173A (ja) | コンデンサ素子、固体電解コンデンサおよびコンデンサ内蔵基板 | |
US20120281338A1 (en) | Aluminum electrolytic capacitor and method of manfacturing the same | |
US8018713B2 (en) | Solid electrolytic capacitor having dual cathode plates surrounded by an anode body and a plurality of through holes | |
JP2002237431A (ja) | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
JP2006190925A (ja) | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
JP2004281750A (ja) | 固体電解コンデンサアレイ | |
JP5017164B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
JP2004281716A (ja) | チップ状固体電解コンデンサ | |
JP5411047B2 (ja) | 積層固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
JP2867514B2 (ja) | チップ型固体電解コンデンサ | |
JP3441095B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
JP4875468B2 (ja) | チップ状固体電解コンデンサ | |
JP5428472B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
JP5164213B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
JP2003168627A (ja) | コンデンサ、積層型コンデンサおよびコンデンサ内蔵基板 | |
JP2004281749A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
JP3208875B2 (ja) | チップ状固体電解コンデンサおよびその製法 | |
JP2010219128A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
JP2010040960A (ja) | 固体電解コンデンサ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20051014 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051108 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060307 |