JP5428472B2 - 固体電解コンデンサの製造方法 - Google Patents
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図1は、本実施例における固体電解コンデンサの断面図を示したものである。基板1には、所定の間隔で貫通孔1aが形成されている。基板1は、シリコンなどの絶縁物から形成される。各貫通孔1aには、陽極及び陰極電極2a,2bが挿入されている。各貫通孔1a及びこれに挿入する電極2a,2bの形状は任意で、陽極電極2aと陰極電極2bとで形状を変えることもできる。貫通孔1a及び電極2a,2bの数は任意であり、陽極電極2aと陰極電極2bの電極数が同数である必要もない。
本実施例の固体電解コンデンサの製造方法は、次のような各工程を有する。
(1)基板1を貫通する貫通孔1aを空ける基板作成工程。
(2)貫通孔1aに陽極及び陰極電極2a,2bを埋め込んで電極を形成する第1電極形成工程。
(3)基板1の上面に突出した陰極電極の軸部22に絶縁被膜3を形成する絶縁処理工程。
(4)基板1の上面に第1のコンデンサ素子部4aを形成する第1素子形成工程。
(5)陽極電極2cの上面にコンデンサ素子部4bを形成する第2素子形成工程
(6)第1のコンデンサ素子部4a及び陰極電極2bの軸部22の先端とコンデンサ素子部4bとを陰極引出部5を介して接続するコンデンサ接続工程
(7)陽極電極2cの内側と外側、第2のコンデンサ素子4bの外周、陰極引出部5の外周部、及び第1のコンデンサ素子部4aの外周部を被覆するように、モールド樹脂6によりパッケージするパッケージ工程。
以下、各工程を具体的に説明する。
基板作成工程では、基板1を貫通する貫通孔1aを作成する。図2(1)に示すように、基板1は、平坦な板であり、シリコンなどの絶縁物で形成される。この基板1に、陽極及び陰極電極2a,2bを挿入する貫通孔1aを作成する。前述のとおり、貫通孔1aの数及び形状は任意である。
電極形成工程では、陽極及び陰極電極2a,2bを形成する。図2(2)に示すように、基板1の穴に銅などの良導体を埋め込んで、陽極及び陰極電極2a,2bとする。端子部21と柱状部22からなる陽極及び陰極電極2a,2bを、基板1の下面から埋め込むことにより、基板1の下面に端子部21が突出する。この時、基板1の上面では、陽極の電極2aの軸部22の先端は、露出するが突出はしない。一方、陰極電極2bの軸部22の先端は、固体電解質層4の厚さの分だけ突出する。
絶縁処理工程では、図2(3)に示すように、陰極電極2bの軸部22の側面に絶縁被膜3を形成する。この絶縁被膜3の形成方法は、固体電解コンデンサにおける公知技術と同様でよい。また、絶縁被膜3は、陰極電極2bを貫通孔1aに埋め込んでから形成する必要は無く、陰極電極2bの軸部22に絶縁被膜3を形成したものを、基板1に埋め込んでも良い。
第1素子形成工程では、基板1の上面部に第1のコンデンサ素子部4aを形成する。まず、図2(4)に示すように、弁作用をもつ金属を、陰極電極部2が突出した厚さと同じ分だけ蒸着させることにより、多孔質体層を形成する。また、弁金属を蒸着させる代わりに、陰極電極部2の突出した部分に穴が開いた弁金属板を使用することもできる。この場合は、弁金属板に、交流あるいは直流エッチングなど公知の手段により、エッチングをすることで、多孔質体層を形成することができる。
第2素子形成工程では、略コ字型をした陽極電極2cの接続部24の内面に第2のコンデンサ素子部4bを形成する。まず、図3(5)に示すように、陽極電極2cの接続部24に弁作用をもつ金属を、所定の厚さの分だけ蒸着させることにより、多孔質体層を形成する。また、第1素子形成工程と同様に、弁金属を蒸着させる代わりに、弁金属板をエッチングをすることで、多孔質体層を形成することができる。さらに、形成した誘電体酸化皮膜の上に、固体電解質層を形成する。ここで、固体電解質層としては、導電性高分子が好適であり、このような導電性高分子層は、チオフェン、ピロール等をもとに、化学重合、電解重合など、公知の技術により形成することができる。
コンデンサ接続工程では、第1のコンデンサ素子部4a及び陰極電極2bの軸部22の先端と第2のコンデンサ素子部4bとを、陰極引出部5を介して接続する。すなわち、先ず、図3(6)に示すように、第1のコンデンサ素子部4aと陰極電極2bの軸部22の先端に、陰極引出部5を設ける。この陰極引出部5は、一例として、グラファイト(Gr)層と銀ペースト層を積層することにより形成する。このグラファイト(Gr)層と銀ペースト層の形成手段は、固体電解コンデンサにおける公知技術と同様でよい。その後、この陰極引出部5の上面に第2のコンデンサ素子部4bを積層し固定する。このとき、コンデンサ素子部4bには、陽極電極2cが形成されている。よって、コンデンサ素子4bと陰極引出部5を接続することにより、陽極電極2cの左右の脚部の先端に設けられた素子接続部24が、基板1の下面よりも突出する。素子接続部24の位置は、陽極及び陰極2a,2bの端子部21と同一の位置となる。
パッケージ工程では、図3(7)に示すように、陽極電極2cの内側と外側、第2のコンデンサ素子4bの外周、陰極引出部5の外周部、及び第1のコンデンサ素子部4aの外周部をモールド樹脂6により覆う。樹脂モールドとしては、エポキシ樹脂などの公知の樹脂を使用することができる。
以上のような工程を有する本実施例では、第1及び第2のコンデンサ素子部4a,4bにおいて、陽極電極2a,2cと第1及び第2のコンデンサ素子部4a,4bの多孔質層とを電気的に直接接続しているので、接続抵抗等の過渡応答性の悪化要因を排除することができる。一方、陰極側においても、陰極引出部5と陰極電極2bとを直接接続するので、導電性接着剤の介在による界面抵抗及びバルク抵抗からなる抵抗が増大する要因も排除することができる。
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、次に例示するもの及びそれ以外の他の実施形態も含むものである。
2a…陽極電極
2b…陰極電極
2c…陽極電極
21…端子部
22…軸部
23…基板接続部
24…素子接続部
3…絶縁被膜
4…コンデンサ素子部
5…陰極引出部
6…モールド樹脂
Claims (4)
- 絶縁基板を貫通する貫通孔をあける基板作成工程と、
前記基板にあけた孔に、陽極及び陰極用の外部電極を作成する電極部作成工程と、
前記陰極電極の基板上面部に突出した部分に、絶縁被膜を形成する絶縁処理工程と、
前記基板の上面部に、第1のコンデンサ素子部を形成する第1素子形成工程と、
前記陽極電極の上面に第2のコンデンサ素子部を形成する第2素子形成工程と、
前記第1のコンデンサ素子部及び陰極電極の軸部の先端と第2のコンデンサ素子部とを陰極引出部を介して接続するコンデンサ接続工程と、
前記第1及び第2のコンデンサ素子を絶縁樹脂で被覆するパッケージ工程を備えたことを特徴とする固体電解コンデンサの製造方法。 - 前記陰極電極が基板及びコンデンサ素子部を貫通すると共に、前記陽極電極が基板を貫通することを特徴とする請求項1に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
- 前記コンデンサ素子部が、多孔質の弁金属の表面に陽極酸化被膜層を形成し、その上に導電性高分子層を形成したことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
- 前記陽極電極及び陰極電極がそれぞれ複数個設けられると共に、交互に配置されたことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
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