JP2005294817A - 固体電解コンデンサ及びその用途 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】弁作用金属または導電性酸化物からなる陽極体の表面に誘電体層、半導体層、金属導電性粉末と樹脂を主成分とする導電性ペースト層を有する導電体層を順次積層した固体電解コンデンサ素子を封口した固体電解コンデンサであって、金属導電性粉末のタップ密度が4g/cm3以上であることを特徴とする低ESRである固体電解コンデンサ、その固体電解コンデンサを使用した電子回路及び電子機器。
【選択図】なし
Description
一般に、アルミニウム固体電解コンデンサや、タンタル固体電解コンデンサが使用されている。
1.弁作用金属または導電性酸化物からなる陽極体の表面に誘電体層、半導体層、金属導電性粉末と樹脂を主成分とする導電性ペースト層を有する導電体層を順次積層した固体電解コンデンサ素子を封口した固体電解コンデンサであって、金属導電性粉末のタップ密度が4g/cm3以上であることを特徴とする固体電解コンデンサ。
2.金属導電性粉末が、銀、銅、アルミニウム、ニッケル、銅−ニッケル合金、銀合金、銀混合粉及び銀を外装とするコート粉からなる群から選ばれる少なくとも1種である前記1記載の固体電解コンデンサ。
3.金属導電性粉末が、銀、銀合金、銀混合粉及び銀を外装とするコート粉からなる群から選ばれた少なくとも1種である前記1記載の固体電解コンデンサ。
4.金属導電性粉末の形状が、扁平である前記1乃至3のいずれかに記載の固体電解コンデンサ。
5.金属導電性粉末の形状が、粒状と扁平の混合物である前記1乃至3のいずれかに記載の固体電解コンデンサ。
6.導電性ペースト層の厚さが、10μm以上である前記1乃至5のいずれかに記載の固体電解コンデンサ。
7.弁作用金属または導電性酸化物が、タンタル、アルミニウム、ニオブ、チタン、これら弁作用金属を主成分とする合金または酸化ニオブである前記1乃至6のいずれかに記載の固体電解コンデンサ。
8.弁作用金属が、エッチング細孔を有する金属箔、または金属粉の焼結体である前記1乃至7のいずれかに記載の固体電解コンデンサ。
9.導電性酸化物が、酸化ニオブ粉の焼結体である前記1乃至8のいずれかに記載の固体電解コンデンサ。
10.弁作用金属が、CV値150000μF・V/g以上のニオブ粉から作製された焼結体である前記1または8記載の固体電解コンデンサ。
11.弁作用金属が、CV値100000μF・V/g以上のタンタル粉から作製された焼結体である前記1または8記載の固体電解コンデンサ。
12.誘電体層が、Al2O3、Ta2O5、TiO2、Nb2O5の金属酸化物から選ばれる少なくとも1つを主成分とするものである前記1記載の固体電解コンデンサ。
13.半導体層が、有機半導体層及び無機半導体層から選ばれる少なくとも1種である前記1記載の固体電解コンデンサ。
14.有機半導体が、ベンゾピロリン4量体とクロラニルからなる有機半導体、テトラチオテトラセンを主成分とする有機半導体、テトラシアノキノジメタンを主成分とする有機半導体、下記式(1)または(2)
で示される繰り返し単位を含む高分子にドーパントをドープした導電性高分子を主成分とした有機半導体から選択される少なくとも1種である前記13記載の固体電解コンデンサ。
15.式(1)で示される繰り返し単位を含む高分子が、下記式(3)
で示される構造単位を繰り返し単位として含む高分子である前記14記載の固体電解コンデンサ。
16.高分子が、ポリアニリン、ポリオキシフェニレン、ポリフェニレンサルファイド、ポリチオフェン、ポリフラン、ポリピロール、ポリメチルピロール、及びこれらの置換誘導体及び共重合体から選択される前記14記載の固体電解コンデンサ。
17.高分子が、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)である前記16記載の固体電解コンデンサ。
18.無機半導体が、二酸化モリブデン、二酸化タングステン、二酸化鉛、及び二酸化マンガンから選ばれる少なくとも1種の化合物である前記13記載の固体電解コンデンサ。
19.半導体の電導度が10-2〜103S/cmの範囲である前記13記載の固体電解コンデンサ。
20.前記1乃至19のいずれかに記載の固体電解コンデンサを使用した電子回路。
21.前記1乃至19のいずれかに記載の固体電解コンデンサを使用した電子機器。
本発明の固体電解コンデンサの陽極体に使用される弁作用金属及び導電性酸化物としては、例えばアルミニウム、タンタル、ニオブ、チタン、これら弁作用金属を主成分とする合金または酸化ニオブであるか、または前記弁作用金属、合金及び導電性酸化物から選択された2種以上の混合物が挙げられる。陽極体として弁作用金属を使用する場合、金属の一部を、炭化、燐化、ホウ素化、窒化、硫化から選ばれた少なくとも1種の処理を行ってから使用してもよい。陽極体の形状は特に限定されず、箔状、板状、棒状のいずれの形状でも使用できるが、表面積が大きく、作製するコンデンサの容量が増大することから表面層に微細の細孔を有するエッチング箔や、粉体材料から作製した内部に微小な細孔を有する焼結体が好ましい。
有機半導体の具体例としては、ベンゾピロリン4量体とクロラニルからなる有機半導体、テトラチオテトラセンを主成分とする有機半導体、テトラシアノキノジメタンを主成分とする有機半導体、下記式(1)または(2)で示される繰り返し単位を含む高分子にドーパントをドープした導電性高分子を主成分とした有機半導体が挙げられる。
導電体層としては、例えば、銀ペースト、銅ペースト、アルミニウムペースト、カーボンペースト、ニッケルペースト等の導電ペーストの固化、ニッケルメッキ、銅メッキ、銀メッキ、アルミニウムメッキ、金メッキ等のメッキ、アルミニウム、ニッケル、銅、銀、金等の金属蒸着、耐熱性の導電樹脂フィルムの付着等により形成することができる。
銀粉のタップ密度を4.0g/cm3以上にすることにより作製した銀ペーストの固化後の堆積性が良好になり、その結果、作製された固体電解コンデンサのESR値が低下する。銀粉のタップ密度の調整は、例えば還元法で製造した顆粒状銀粉にステアリン酸を加えてスタンプミルを用いて行うことができる。
このようにして導電体層まで積層して固体電解コンデンサ素子が作製される。
本発明のコンデンサは、前記コンデンサ素子の導電体層の一部を、別途用意した一対の対向して配置された先端部を有するリードフレームの一方の先端部に載置し、さらに陽極体の一部(陽極体が陽極リードを有する構造の場合は陽極リード。この場合は寸法を合わすために陽極リードの先端を切断して使用しても良い。)を前記リードフレームの他方の先端部に載置し、例えば前者は導電ペーストの固化で、後者は溶接で各々電気的・機械的に接合した後、前記リードフレームの先端部の一部を残して樹脂封口し、樹脂封口外の所定部でリードフレームを切断し、折り曲げ加工(リードフレームが樹脂封口の下面にあってリードフレームの下面または下面と側面のみを残して封口されている場合は、切断加工のみでも良い。)して作製される。前記リードフレームは、前述したように切断加工されて最終的にはコンデンサの外部端子となるが、形状は、箔または平板状であり、材質としては鉄、銅、アルミニウムまたはこれら金属を主成分とする合金が使用される。前記リードフレームの一部または全部に半田、錫、チタン、金、銀等のメッキが施されていても良い。リードフレームとメッキとの間に、ニッケルまたは銅等の下地メッキがあっても良い。
タップ密度:
株式会社蔵持科学機器製作所製タッピングマシンKRS−409を使用した。タップ密度は、目盛り付150mLのガラスシリンダーに100gの銀粉を投入し、30回/分の速度で100回、20mm高さに上下振動させた後の体積を測定することによって求めた。
銀ペースト層の平均厚さ:
焼結体の短軸方向に平行な断面を電子顕微鏡下1000倍の写真を撮り最頻部の数値を取った。
容量:
ヒューレットパッカード社製LCR測定器を用い室温120Hzで測定した。
ESR:
コンデンサの等価直列抵抗を100kHzで測定した。
ニオブインゴットの水素脆性を利用して粉砕したニオブ一次粉(平均粒径0.4μm)を造粒し、平均粒径100μmのニオブ粉(微粉であるために自然酸化され、酸素が85000ppm存在する。)を得た。つぎに500℃の窒素雰囲気中に放置し、さらに700℃のAr中に放置することにより、窒化量11000ppmの一部窒化したニオブ粉(CV203000μF・V/g)とした。このニオブ粉を0.37mmφのニオブ線と共に成形した後1280℃で焼結することにより、大きさ4.0×3.5×1.7mm(質量0.08g。ニオブ線がリード線となり焼結体内部に3.7mm、外部に8mm存在する)の焼結体(陽極体)を複数個作製した。続いて、0.1%燐酸水溶液中で80℃、20V、7時間化成することにより、焼結体表面とリード線の一部に酸化ニオブを主成分とする誘電体層を形成した。引き続き、焼結体を2%過硫酸アンモニウム水溶液に浸漬した後、乾燥して水分を除去し、別途用意したエチレンジオキシチオフェンモノマーとアントラキノンスルホン酸が溶解した水溶液中で電解重合を60分行い、水溶液から引き上げアルコール洗浄・水洗浄・乾燥を行った後、1%燐酸水溶液中で80℃、14V、15分間再化成を行った。この電解重合と再化成を20回繰り返して誘電体層上に半導体層を形成した。さらに半導体層上にカーボンペースト層を積層して乾燥した後、表1に記載した銀ペーストを積層した後、乾燥して導電体層を形成し、固体電解コンデンサ素子を複数個作製した。なお、使用した扁平状銀粉を電子顕微鏡下2000倍の写真を撮影して求めた平均的なアスペクト比は1.2以上であった。別途用意した外部電極であるリードフレームの一対の両先端に、陽極側のリード線と陰極側の銀ペースト側が載るように置き、前者はスポット溶接で、後者は、表1に記載した各例に記載の同一銀ペーストで電気的・機械的に接続した。その後、リードフレームの一部を除いてエポキシ樹脂でトランスファーモールドし、モールド外のリードフレームの所定部を切断後外装に沿って折り曲げ加工して外部端子とした、大きさ7.3×4.3×2.8mmのチップ状固体電解コンデンサを複数個作製した。
CV(容量と化成電圧の積)15万μF・V/gのタンタル粉を使用して、前記実施例1と同様に大きさ4.5×0.95×3.1mmの焼結体を作製した(焼結温度1300℃、焼結時間20分、焼結体密度6.1g/cm3、タンタルリード線 0.24mmφ、焼結体の4.5mm寸法の長手方向と平行にタンタルリード線の一部が埋設されていて焼結体から突き出たリード線部が陽極部となる。)。陽極となる焼結体を1%燐酸水溶液中にリード線の一部を除いて浸漬し、陰極のタンタル板電極との間に9Vを印加し、80℃で8時間化成してTa2O5からなる誘電体酸化皮膜層を形成した。この焼結体のリード線を除いて、20%酢酸鉛水溶液と35%過硫酸アンモニウム水溶液の1:1混合液に浸漬し40℃で1時間放置した後引き上げ水洗後乾燥し、さらに15%酢酸アンモニウム水溶液に浸漬した後引き上げ水洗後乾燥することを39回繰り返して、誘電体酸化皮膜層上に二酸化鉛と酢酸鉛との混合物(二酸化鉛が96%)からなる半導体層を形成した。次に半導体層上にカーボンペーストを積層し乾燥後さらに表1に示した銀ペーストを積層して乾燥し固体電解コンデンサ素子を作製した。次いで実施例1と同様にして大きさ7.3×4.3×1.8mmのチップ状固体電解コンデンサを複数個作製した。
実施例3でニオブ焼結体の代わりに、五酸化二ニオブを還元して得た一酸化ニオブ粉(粒径0.5μm)を造粒した平均粒径120μmの一酸化ニオブ粉から作製した一酸化ニオブ焼結体(焼結温度1480℃、CV180000μF・V/g、質量0.065g)とし、さらに銀ペーストの付着量を変更して銀ペースト層の厚さを順に変更した以外は実施例3と同様にしてチップ状固体電解コンデンサを複数個作製した。
[銀コートニッケル粉の作製]
(株)高純度化学研究所製の2種類のニッケル粉(平均粒径5μm:実施例17、平均粒径2μm:比較例7)の各々に0.3質量%ステアリン酸を加えてスタンプミルで粉砕し扁平状にし平均粒径7μm(実施例17)及び3μm(比較例7)の扁平ニッケル粉を得た。この扁平粉をササキ(株)製造の無電解銀メッキ液エスダイヤAG−10を使用して銀コートニッケル粉(共にコート層平均0.6μm)を作製した。
[銀コートニッケルペーストの作製]
前記2種類の銀コートニッケル粉を95質量%とAldrich製ポリメチルメタクリレート樹脂5質量%から酢酸ブチルを溶媒としてペーストを作製した。
[固体電解コンデンサの作製]
実施例1と同様にして作製したカーボンペースト層まで形成した固体電解コンデンサ素子に上記銀コートニッケルペーストを積層した後、実施例1と同様にして2種類(実施例17及び比較例7)のチップ状固体電解コンデンサを複数個作製した。
Claims (21)
- 弁作用金属または導電性酸化物からなる陽極体の表面に誘電体層、半導体層、金属導電性粉末と樹脂を主成分とする導電性ペースト層を有する導電体層を順次積層した固体電解コンデンサ素子を封口した固体電解コンデンサであって、金属導電性粉末のタップ密度が4g/cm3以上であることを特徴とする固体電解コンデンサ。
- 金属導電性粉末が、銀、銅、アルミニウム、ニッケル、銅−ニッケル合金、銀合金、銀混合粉及び銀を外装とするコート粉からなる群から選ばれる少なくとも1種である請求項1記載の固体電解コンデンサ。
- 金属導電性粉末が、銀、銀合金、銀混合粉及び銀を外装とするコート粉からなる群から選ばれた少なくとも1種である請求項1記載の固体電解コンデンサ。
- 金属導電性粉末の形状が、扁平である請求項1乃至3のいずれかに記載の固体電解コンデンサ。
- 金属導電性粉末の形状が、粒状と扁平の混合物である請求項1乃至3のいずれかに記載の固体電解コンデンサ。
- 導電性ペースト層の厚さが、10μm以上である請求項1乃至5のいずれかに記載の固体電解コンデンサ。
- 弁作用金属または導電性酸化物が、タンタル、アルミニウム、ニオブ、チタン、これら弁作用金属を主成分とする合金または酸化ニオブである請求項1乃至6のいずれかに記載の固体電解コンデンサ。
- 弁作用金属が、エッチング細孔を有する金属箔、または金属粉の焼結体である請求項1乃至7のいずれかに記載の固体電解コンデンサ。
- 導電性酸化物が、酸化ニオブ粉の焼結体である請求項1乃至8のいずれかに記載の固体電解コンデンサ。
- 弁作用金属が、CV値150000μF・V/g以上のニオブ粉から作製された焼結体である請求項1または8記載の固体電解コンデンサ。
- 弁作用金属が、CV値100000μF・V/g以上のタンタル粉から作製された焼結体である請求項1または8記載の固体電解コンデンサ。
- 誘電体層が、Al2O3、Ta2O5、TiO2、Nb2O5の金属酸化物から選ばれる少なくとも1つを主成分とするものである請求項1記載の固体電解コンデンサ。
- 半導体層が、有機半導体層及び無機半導体層から選ばれる少なくとも1種である請求項1記載の固体電解コンデンサ。
- 有機半導体が、ベンゾピロリン4量体とクロラニルからなる有機半導体、テトラチオテトラセンを主成分とする有機半導体、テトラシアノキノジメタンを主成分とする有機半導体、下記式(1)または(2)
で示される繰り返し単位を含む高分子にドーパントをドープした導電性高分子を主成分とした有機半導体から選択される少なくとも1種である請求項13記載の固体電解コンデンサ。 - 高分子が、ポリアニリン、ポリオキシフェニレン、ポリフェニレンサルファイド、ポリチオフェン、ポリフラン、ポリピロール、ポリメチルピロール、及びこれらの置換誘導体及び共重合体から選択される請求項14記載の固体電解コンデンサ。
- 高分子が、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)である請求項16記載の固体電解コンデンサ。
- 無機半導体が、二酸化モリブデン、二酸化タングステン、二酸化鉛、及び二酸化マンガンから選ばれる少なくとも1種の化合物である請求項13記載の固体電解コンデンサ。
- 半導体の電導度が10-2〜103S/cmの範囲である請求項13記載の固体電解コンデンサ。
- 請求項1乃至19のいずれかに記載の固体電解コンデンサを使用した電子回路。
- 請求項1乃至19のいずれかに記載の固体電解コンデンサを使用した電子機器。
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