JP4479050B2 - 固体電解コンデンサ - Google Patents
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims description 41
- 239000007787 solid Substances 0.000 title claims description 40
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 61
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 46
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 46
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 20
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 19
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims description 18
- 239000007784 solid electrolyte Substances 0.000 claims description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 15
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 12
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 11
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 7
- 229920001002 functional polymer Polymers 0.000 claims description 5
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 9
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 8
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 2
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 2
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- MIVBAHRSNUNMPP-UHFFFAOYSA-N manganese(2+);dinitrate Chemical compound [Mn+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O MIVBAHRSNUNMPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/15—Solid electrolytic capacitors
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
- H01G11/22—Electrodes
- H01G11/30—Electrodes characterised by their material
- H01G11/48—Conductive polymers
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/40—Structural combinations of fixed capacitors with other electric elements, the structure mainly consisting of a capacitor, e.g. RC combinations
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/13—Energy storage using capacitors
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Electric Double-Layer Capacitors Or The Like (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は各種電子機器に利用され、特に半導体を実装できる固体電解コンデンサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来における固体電解コンデンサとしては、アルミニウムやタンタルなどの弁金属多孔体を陽極素子とし、この表面に誘電体酸化皮膜を形成し、その上に機能性高分子や二酸化マンガンなどの固体電解質層を設け、その外表面に陰極層を設け、全体を外装モールドし、この外装の両端に陽極素子および陰極層と電気的に接続された端子電極を設けて構成されていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
上記従来の固体電解コンデンサにおいては、抵抗やインダクタンス部品と同様に１つのチップ型の固体電解コンデンサであって、回路基板上に実装されて利用されることとなる。
【０００４】
しかしながら、昨今の回路のデジタル化に伴って電子部品の高周波応答性が求められているが、上述のような回路基板に半導体とともに表面実装される固体電解コンデンサでは、高周波応答性に劣るといった問題を有するものであった。
【０００５】
本発明は以上のような従来の欠点を除去し、半導体を直接バンプ接続でき高周波応答性に優れた固体電解コンデンサを提供することを目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために本発明の請求項１に記載の発明は、表面および空孔表面に誘電体酸化皮膜を形成した弁金属多孔シート体の片面に陽極電極部を設け、この弁金属多孔シート体の他面に固体電解質層と陰極電極層を設け、前記陽極電極部の外表面に絶縁保護層を設け、前記陰極電極層の外表面に樹脂シートを設け、この絶縁保護層または前記樹脂シートの少なくともいずれか一方に上記陽極電極部と陰極電極層に至る穴を設け、この穴内にそれぞれの電極と電気的に接続され他とは絶縁された導電体を設け、この導電体の表出面に半導体部品を実装するための接続バンプを設けた固体電解コンデンサであり、固体電解コンデンサの表面に接続バンプを形成し、その接続バンプ上に半導体を始めとして各種チップ部品を実装可能とし、高周波応答性の著しい向上を図ることができる。
【０００７】
請求項２に記載の発明は、弁金属多孔シート体として片面をエッチング処理したアルミニウム箔を用いた請求項１に記載の固体電解コンデンサであり、上記請求項１の作用に加えて生産性に優れたものとすることができる。
【０００８】
請求項３に記載の発明は、弁金属多孔シート体として弁金属粉末の焼結体を用いた請求項１に記載の固体電解コンデンサであり、請求項１の作用に加えて容量の大きなものとすることができる。
【０００９】
請求項４に記載の発明は、陽極電極部として片面をエッチング処理したアルミニウム箔のエッチングされない面を用いた請求項１に記載の固体電解コンデンサであり、アルミニウム箔の片面を陽極電極部とでき、構成部品を少なくすることができる。
【００１０】
請求項５に記載の発明は、陽極電極部として片面をエッチング処理したアルミニウム箔のエッチングされない面に形成した別の金属層を用いた請求項１に記載の固体電解コンデンサであり、金属層を選択することにより導電体との接続の信頼性を高めることができる。
【００１１】
請求項６に記載の発明は、陽極電極部として弁金属粉末の焼結体の誘電体酸化皮膜の形成されない片面を利用した請求項１に記載の固体電解コンデンサであり、構成部品を少なくし安価にすることができる。
【００１２】
請求項７に記載の発明は、陽極電極部として誘電体酸化皮膜の形成されない弁金属粉末の焼結体の片面に形成した金属層を用いた請求項１に記載の固体電解コンデンサであり、金属層を選択することにより導電体との接続の信頼性を高めることができる。
【００１３】
請求項８に記載の発明は、固体電解質層として機能性高分子を用いた請求項１に記載の固体電解コンデンサであり、インピーダンスの低いものとすることができる。
【００１４】
請求項９に記載の発明は、固体電解質層として二酸化マンガン層を用いた請求項１に記載の固体電解コンデンサであり、確立された技術で確実に生産できることになる。
【００１５】
請求項１０に記載の発明は、接続バンプが半導体の接続バンプの数以上設けた請求項１に記載の固体電解コンデンサであり、半導体を実装できるものとできる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の請求項１〜１０に係る発明について図１〜図１５を用いて説明する。
【００１７】
図１は本発明の固体電解コンデンサの一実施の形態の斜視図、図２は同固体電解コンデンサの断面図である。図１、図２において、１は片面をエッチング処理したアルミニウム箔やタンタルなどの弁金属粉末の焼結体からなる弁金属多孔シート体、２はこの弁金属多孔シート体１の片面に設けた陽極電極部であり、この陽極電極部２はアルミニウム箔の場合はエッチング処理されない面をそのまま利用してもよいし、エッチング処理されない面に金、銅やニッケルなどの他の金属層を形成して構成したり、弁金属粉末の焼結体の場合は誘電体酸化皮膜の形成されない焼結体の面をそのまま利用してもよいし、金、銅、ニッケル、タンタルなどの金属層をスパッタリング、蒸着などの方法で形成して構成してもよい。
【００１８】
また、３は上記弁金属多孔シート体１の陽極電極部２を除いて陽極酸化することにより表面および空孔表面に形成された誘電体酸化皮膜、４はこの誘電体酸化皮膜３の上に形成された固体電解質層であり、この固体電解質層４はポリピロールやポリチオフェンなどの機能性高分子層を化学重合や電解重合によって形成したり、硝酸マンガン溶液を含浸させて熱分解することによって二酸化マンガン層を形成することで得ることができる。
【００１９】
さらに５は固体電解質層４上に形成された陰極電極層であり、銅などの金属箔を貼付けたり、固体電解質層４上に導電ペーストを塗布したりして形成することができる。また、６はこれら全体を被う絶縁保護層で、エポキシ樹脂などを用いモールド成型によって形成される。
【００２０】
７は陽極電極部２側の絶縁保護層６に設けた穴、８は同じく陽極電極部２側の絶縁保護層６、陽極電極部２、弁金属多孔シート体１、誘電体酸化皮膜３、固体電解質層４に設けた穴であり、これらの穴７，８はレーザ加工やエッチング加工、パンチング加工等により形成される。
【００２１】
上記穴８の内壁には絶縁層９が形成されている。そして、これらの孔７，８内には銅のメッキなどにより導電体１０が形成されて穴７内の導電体１０は陽極電極部２と、穴８内の導電体１０は陰極電極層５のみと電気的に接続されている。
【００２２】
この穴７，８内に形成された導電体１０の表出面上には半田や金、錫、銀などからなる接続バンプ１１が形成されており、この接続バンプ１１の数や形成されるピッチは後で実装する半導体の接続バンプと一致するか、それ以上の数となっている。半導体の接続バンプ以上の数とするのは、半導体を実装した後残りの接続バンプ１１間にチップ抵抗器やチップセラミックコンデンサ、さらにはチップインダクタンスなどのチップ部品を実装することも可能としたものである。また、絶縁保護層６の側面および底面には上記陽極電極部２と陰極電極層５とそれぞれ接続された引出電極１２，１３が形成されている。
【００２３】
このように、固体電解コンデンサの片面に直接半導体などを実装することができることにより、引きまわしの導電パターンが不要となって高周波応答性が著しく向上することになる。
【００２４】
なお、弁金属多孔シート体１として片面をエッチング処理したアルミニウム箔を用いるのは既に確立されているアルミ電解コンデンサのアルミニウム箔を利用することができ、アルミニウム箔の片面をマスキングしてエッチング処理すれば簡単に所望とするエッチングピットを有した弁金属多孔シート体１を得ることができ、生産性を高めることができることになる。
【００２５】
また、弁金属多孔シート体１としてタンタルなどの弁金属粉末の焼結体を用いるのは、得られる静電容量が大きくなるからである。
【００２６】
さらにアルミニウム箔または弁金属粉末の焼結体の片面を陽極電極部２とするのは、別の陽極電極部２としての金属層を必要とせず、構成部品が少なく生産効率も向上し、コスト面で有利となるからである。但し、穴７，８内に形成する導電体１０との接続の信頼性を向上させたい場合には弁金属多孔シート体１の片面に金、銅やニッケルなどの金属層を形成して陽極電極部２とすることが望ましい。
【００２７】
また、固体電解質層４としてポリピロールやポリチオフェンなどの機能性高分子を用いることによりインピーダンスの低い固体電解コンデンサとすることができてより高周波応答性に優れたものとすることができる。しかし、完全に確立された技術としては二酸化マンガンを形成する方法があり、緻密なしかも厚みのコントロールも自由に行える方法とすることにより、生産性、信頼性の向上を図ることが可能となる。
【００２８】
また、上記説明においては絶縁保護層６の片面のみに接続バンプ１１を設けたものについてのみ示したが、両面に接続バンプ１１を形成することもできる。これは穴７，８の形成によって可能となり、穴７は陰極電極層５に達するように、穴８は陽極電極部２に達するように設け、穴８に絶縁層９を設け、これらにメッキによる導電体１０を形成することで両面に接続バンプ１１をもった固体電解コンデンサとすることができる。
【００２９】
さらに、引出電極１２，１３は必ずしも必要ではなく、接続バンプ１１を利用して引出電極１２，１３の代りとして利用することもできるし、接続バンプ１１に実装する半導体やチップ部品を引出電極として代用することも可能である。
【００３０】
次に本発明の固体電解コンデンサの製造方法の一例を図３〜図１４を用いて説明する。まず、図３に示すように片面がエッチング処理されたアルミニウム箔を弁金属多孔シート体１として準備する。このアルミニウム箔は片面をマスキングしてエッチング処理することによって容易に得ることができる。
【００３１】
次に図４に示すようにアルミニウム箔からなる弁金属多孔シート体１のエッチングされていない片面に銅からなる陽極電極部２を形成する。この陽極電極部２はスパッタリング、蒸着あるいは銅箔を貼付けることによって形成することができる。
【００３２】
次に図５に示すように両面に耐薬品性のフォトレジストやマスキングテープなどのレジスト層１４を形成し、レジスト層１４を硬化させた後図６に示すように必要な部分に必要な数だけ貫通した穴８をパンチングにより形成し、この穴８の内壁に図７に示すように樹脂の電着により絶縁層９を形成する。
【００３３】
続いて図８に示すように陽極電極部２側とは反対面のレジスト層１４を剥離または溶解除去して弁金属多孔シート体１の他面を表出させ、これを化成液中で陽極酸化させて図９に示すように表面および空孔表面に誘電体酸化皮膜３を形成し、この誘電体酸化皮膜３を形成したものをポリピロールを含む溶液に浸漬し、続いて酸化剤溶液に浸漬して化学酸化重合により薄く誘電体酸化皮膜３上にポリピロール層を形成し、このポリピロール層を形成したものをポリピロールを含む溶液に浸漬してポリピロール層を＋側、溶液中の電極を−側として電解重合することにより上記ポリピロール層上に十分な厚さのポリピロール層を形成して固体電解質層４を形成する。
【００３４】
次に図１０に示すように銅からなる陰極電極層５を片面に形成した樹脂シート１５を陰極金属層５が固体電解質層４に電気的に導通するように貼付け、続いて図１１に示すように陽極電極部２側に穴７を所定位置に形成するとともに陽極電極部２の側面に通ずる開口を形成したエポキシ樹脂などからなる絶縁保護層６を側面も含めて形成する。
【００３５】
そして、図１２に示すように穴７，８および開口の内面に銅などのメッキによる導電体１０を形成し、穴７の導電体１０は陽極電極部２と、穴８内の導電体１０は陰極電極層５と電気的に接続されるように形成する。
【００３６】
最後に図１３に示すように導電体１０の表出する部分に半田または金、錫、銀による接続バンプ１１を形成すると同時に図１４に示すように側面および底面に陽極電極部２と陰極電極層５とそれぞれ接続された引出電極１２，１３を形成して固体電解コンデンサの完成品とする。
【００３７】
また、他の例として弁金属粉末の焼結体を弁金属多孔シート体１として用いる場合は、図１５に示すようにタンタル箔１６の片面にタンタル焼結体１７を結合して弁金属多孔シート体１を構成する。
【００３８】
他の工程は上記片面をエッチング処理したアルミニウム箔を用いた場合と同じ工程をとって固体電解コンデンサを製造する。
【００３９】
【発明の効果】
以上のように本発明の固体電解コンデンサは構成されるため、接続バンプの形成した面に半導体を直接接続することができることにより、高周波応答性にきわめて優れたものとすることができ、デジテル回路を構成するうえで有効なものとすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態における固体電解コンデンサの斜視図
【図２】同断面図
【図３】同固体電解コンデンサに用いる弁金属多孔シート体の断面図
【図４】同弁金属多孔シート体に陽極電極部を形成した状態の断面図
【図５】同弁金属多孔シート体の両面にレジストを形成した状態の断面図
【図６】同穴を形成した状態の断面図
【図７】同穴に絶縁層を形成した状態の断面図
【図８】同片面のレジストを除去した状態の断面図
【図９】同誘電体酸化皮膜、固体電解質層を形成した状態の断面図
【図１０】同陰極電極層を形成した状態の断面図
【図１１】同絶縁保護層を形成した状態の断面図
【図１２】同穴内に導電体を形成した状態の断面図
【図１３】同導電体上に接続バンプを形成した状態の断面図
【図１４】同引出電極を形成した状態の断面図
【図１５】他の弁金属多孔シート体を示す断面図
【符号の説明】
１ 弁金属多孔シート体
２ 陽極電極部
３ 誘電体酸化皮膜
４ 固体電解質層
５ 陰極電極層
６ 絶縁保護層
７，８ 穴
９ 絶縁層
１０ 導電体
１１ 接続バンプ
１２，１３ 引出電極
１４ レジスト層
１５ 樹脂シート
１６ タンタル箔
１７ タンタル焼結体
【発明の属する技術分野】
本発明は各種電子機器に利用され、特に半導体を実装できる固体電解コンデンサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来における固体電解コンデンサとしては、アルミニウムやタンタルなどの弁金属多孔体を陽極素子とし、この表面に誘電体酸化皮膜を形成し、その上に機能性高分子や二酸化マンガンなどの固体電解質層を設け、その外表面に陰極層を設け、全体を外装モールドし、この外装の両端に陽極素子および陰極層と電気的に接続された端子電極を設けて構成されていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
上記従来の固体電解コンデンサにおいては、抵抗やインダクタンス部品と同様に１つのチップ型の固体電解コンデンサであって、回路基板上に実装されて利用されることとなる。
【０００４】
しかしながら、昨今の回路のデジタル化に伴って電子部品の高周波応答性が求められているが、上述のような回路基板に半導体とともに表面実装される固体電解コンデンサでは、高周波応答性に劣るといった問題を有するものであった。
【０００５】
本発明は以上のような従来の欠点を除去し、半導体を直接バンプ接続でき高周波応答性に優れた固体電解コンデンサを提供することを目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために本発明の請求項１に記載の発明は、表面および空孔表面に誘電体酸化皮膜を形成した弁金属多孔シート体の片面に陽極電極部を設け、この弁金属多孔シート体の他面に固体電解質層と陰極電極層を設け、前記陽極電極部の外表面に絶縁保護層を設け、前記陰極電極層の外表面に樹脂シートを設け、この絶縁保護層または前記樹脂シートの少なくともいずれか一方に上記陽極電極部と陰極電極層に至る穴を設け、この穴内にそれぞれの電極と電気的に接続され他とは絶縁された導電体を設け、この導電体の表出面に半導体部品を実装するための接続バンプを設けた固体電解コンデンサであり、固体電解コンデンサの表面に接続バンプを形成し、その接続バンプ上に半導体を始めとして各種チップ部品を実装可能とし、高周波応答性の著しい向上を図ることができる。
【０００７】
請求項２に記載の発明は、弁金属多孔シート体として片面をエッチング処理したアルミニウム箔を用いた請求項１に記載の固体電解コンデンサであり、上記請求項１の作用に加えて生産性に優れたものとすることができる。
【０００８】
請求項３に記載の発明は、弁金属多孔シート体として弁金属粉末の焼結体を用いた請求項１に記載の固体電解コンデンサであり、請求項１の作用に加えて容量の大きなものとすることができる。
【０００９】
請求項４に記載の発明は、陽極電極部として片面をエッチング処理したアルミニウム箔のエッチングされない面を用いた請求項１に記載の固体電解コンデンサであり、アルミニウム箔の片面を陽極電極部とでき、構成部品を少なくすることができる。
【００１０】
請求項５に記載の発明は、陽極電極部として片面をエッチング処理したアルミニウム箔のエッチングされない面に形成した別の金属層を用いた請求項１に記載の固体電解コンデンサであり、金属層を選択することにより導電体との接続の信頼性を高めることができる。
【００１１】
請求項６に記載の発明は、陽極電極部として弁金属粉末の焼結体の誘電体酸化皮膜の形成されない片面を利用した請求項１に記載の固体電解コンデンサであり、構成部品を少なくし安価にすることができる。
【００１２】
請求項７に記載の発明は、陽極電極部として誘電体酸化皮膜の形成されない弁金属粉末の焼結体の片面に形成した金属層を用いた請求項１に記載の固体電解コンデンサであり、金属層を選択することにより導電体との接続の信頼性を高めることができる。
【００１３】
請求項８に記載の発明は、固体電解質層として機能性高分子を用いた請求項１に記載の固体電解コンデンサであり、インピーダンスの低いものとすることができる。
【００１４】
請求項９に記載の発明は、固体電解質層として二酸化マンガン層を用いた請求項１に記載の固体電解コンデンサであり、確立された技術で確実に生産できることになる。
【００１５】
請求項１０に記載の発明は、接続バンプが半導体の接続バンプの数以上設けた請求項１に記載の固体電解コンデンサであり、半導体を実装できるものとできる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の請求項１〜１０に係る発明について図１〜図１５を用いて説明する。
【００１７】
図１は本発明の固体電解コンデンサの一実施の形態の斜視図、図２は同固体電解コンデンサの断面図である。図１、図２において、１は片面をエッチング処理したアルミニウム箔やタンタルなどの弁金属粉末の焼結体からなる弁金属多孔シート体、２はこの弁金属多孔シート体１の片面に設けた陽極電極部であり、この陽極電極部２はアルミニウム箔の場合はエッチング処理されない面をそのまま利用してもよいし、エッチング処理されない面に金、銅やニッケルなどの他の金属層を形成して構成したり、弁金属粉末の焼結体の場合は誘電体酸化皮膜の形成されない焼結体の面をそのまま利用してもよいし、金、銅、ニッケル、タンタルなどの金属層をスパッタリング、蒸着などの方法で形成して構成してもよい。
【００１８】
また、３は上記弁金属多孔シート体１の陽極電極部２を除いて陽極酸化することにより表面および空孔表面に形成された誘電体酸化皮膜、４はこの誘電体酸化皮膜３の上に形成された固体電解質層であり、この固体電解質層４はポリピロールやポリチオフェンなどの機能性高分子層を化学重合や電解重合によって形成したり、硝酸マンガン溶液を含浸させて熱分解することによって二酸化マンガン層を形成することで得ることができる。
【００１９】
さらに５は固体電解質層４上に形成された陰極電極層であり、銅などの金属箔を貼付けたり、固体電解質層４上に導電ペーストを塗布したりして形成することができる。また、６はこれら全体を被う絶縁保護層で、エポキシ樹脂などを用いモールド成型によって形成される。
【００２０】
７は陽極電極部２側の絶縁保護層６に設けた穴、８は同じく陽極電極部２側の絶縁保護層６、陽極電極部２、弁金属多孔シート体１、誘電体酸化皮膜３、固体電解質層４に設けた穴であり、これらの穴７，８はレーザ加工やエッチング加工、パンチング加工等により形成される。
【００２１】
上記穴８の内壁には絶縁層９が形成されている。そして、これらの孔７，８内には銅のメッキなどにより導電体１０が形成されて穴７内の導電体１０は陽極電極部２と、穴８内の導電体１０は陰極電極層５のみと電気的に接続されている。
【００２２】
この穴７，８内に形成された導電体１０の表出面上には半田や金、錫、銀などからなる接続バンプ１１が形成されており、この接続バンプ１１の数や形成されるピッチは後で実装する半導体の接続バンプと一致するか、それ以上の数となっている。半導体の接続バンプ以上の数とするのは、半導体を実装した後残りの接続バンプ１１間にチップ抵抗器やチップセラミックコンデンサ、さらにはチップインダクタンスなどのチップ部品を実装することも可能としたものである。また、絶縁保護層６の側面および底面には上記陽極電極部２と陰極電極層５とそれぞれ接続された引出電極１２，１３が形成されている。
【００２３】
このように、固体電解コンデンサの片面に直接半導体などを実装することができることにより、引きまわしの導電パターンが不要となって高周波応答性が著しく向上することになる。
【００２４】
なお、弁金属多孔シート体１として片面をエッチング処理したアルミニウム箔を用いるのは既に確立されているアルミ電解コンデンサのアルミニウム箔を利用することができ、アルミニウム箔の片面をマスキングしてエッチング処理すれば簡単に所望とするエッチングピットを有した弁金属多孔シート体１を得ることができ、生産性を高めることができることになる。
【００２５】
また、弁金属多孔シート体１としてタンタルなどの弁金属粉末の焼結体を用いるのは、得られる静電容量が大きくなるからである。
【００２６】
さらにアルミニウム箔または弁金属粉末の焼結体の片面を陽極電極部２とするのは、別の陽極電極部２としての金属層を必要とせず、構成部品が少なく生産効率も向上し、コスト面で有利となるからである。但し、穴７，８内に形成する導電体１０との接続の信頼性を向上させたい場合には弁金属多孔シート体１の片面に金、銅やニッケルなどの金属層を形成して陽極電極部２とすることが望ましい。
【００２７】
また、固体電解質層４としてポリピロールやポリチオフェンなどの機能性高分子を用いることによりインピーダンスの低い固体電解コンデンサとすることができてより高周波応答性に優れたものとすることができる。しかし、完全に確立された技術としては二酸化マンガンを形成する方法があり、緻密なしかも厚みのコントロールも自由に行える方法とすることにより、生産性、信頼性の向上を図ることが可能となる。
【００２８】
また、上記説明においては絶縁保護層６の片面のみに接続バンプ１１を設けたものについてのみ示したが、両面に接続バンプ１１を形成することもできる。これは穴７，８の形成によって可能となり、穴７は陰極電極層５に達するように、穴８は陽極電極部２に達するように設け、穴８に絶縁層９を設け、これらにメッキによる導電体１０を形成することで両面に接続バンプ１１をもった固体電解コンデンサとすることができる。
【００２９】
さらに、引出電極１２，１３は必ずしも必要ではなく、接続バンプ１１を利用して引出電極１２，１３の代りとして利用することもできるし、接続バンプ１１に実装する半導体やチップ部品を引出電極として代用することも可能である。
【００３０】
次に本発明の固体電解コンデンサの製造方法の一例を図３〜図１４を用いて説明する。まず、図３に示すように片面がエッチング処理されたアルミニウム箔を弁金属多孔シート体１として準備する。このアルミニウム箔は片面をマスキングしてエッチング処理することによって容易に得ることができる。
【００３１】
次に図４に示すようにアルミニウム箔からなる弁金属多孔シート体１のエッチングされていない片面に銅からなる陽極電極部２を形成する。この陽極電極部２はスパッタリング、蒸着あるいは銅箔を貼付けることによって形成することができる。
【００３２】
次に図５に示すように両面に耐薬品性のフォトレジストやマスキングテープなどのレジスト層１４を形成し、レジスト層１４を硬化させた後図６に示すように必要な部分に必要な数だけ貫通した穴８をパンチングにより形成し、この穴８の内壁に図７に示すように樹脂の電着により絶縁層９を形成する。
【００３３】
続いて図８に示すように陽極電極部２側とは反対面のレジスト層１４を剥離または溶解除去して弁金属多孔シート体１の他面を表出させ、これを化成液中で陽極酸化させて図９に示すように表面および空孔表面に誘電体酸化皮膜３を形成し、この誘電体酸化皮膜３を形成したものをポリピロールを含む溶液に浸漬し、続いて酸化剤溶液に浸漬して化学酸化重合により薄く誘電体酸化皮膜３上にポリピロール層を形成し、このポリピロール層を形成したものをポリピロールを含む溶液に浸漬してポリピロール層を＋側、溶液中の電極を−側として電解重合することにより上記ポリピロール層上に十分な厚さのポリピロール層を形成して固体電解質層４を形成する。
【００３４】
次に図１０に示すように銅からなる陰極電極層５を片面に形成した樹脂シート１５を陰極金属層５が固体電解質層４に電気的に導通するように貼付け、続いて図１１に示すように陽極電極部２側に穴７を所定位置に形成するとともに陽極電極部２の側面に通ずる開口を形成したエポキシ樹脂などからなる絶縁保護層６を側面も含めて形成する。
【００３５】
そして、図１２に示すように穴７，８および開口の内面に銅などのメッキによる導電体１０を形成し、穴７の導電体１０は陽極電極部２と、穴８内の導電体１０は陰極電極層５と電気的に接続されるように形成する。
【００３６】
最後に図１３に示すように導電体１０の表出する部分に半田または金、錫、銀による接続バンプ１１を形成すると同時に図１４に示すように側面および底面に陽極電極部２と陰極電極層５とそれぞれ接続された引出電極１２，１３を形成して固体電解コンデンサの完成品とする。
【００３７】
また、他の例として弁金属粉末の焼結体を弁金属多孔シート体１として用いる場合は、図１５に示すようにタンタル箔１６の片面にタンタル焼結体１７を結合して弁金属多孔シート体１を構成する。
【００３８】
他の工程は上記片面をエッチング処理したアルミニウム箔を用いた場合と同じ工程をとって固体電解コンデンサを製造する。
【００３９】
【発明の効果】
以上のように本発明の固体電解コンデンサは構成されるため、接続バンプの形成した面に半導体を直接接続することができることにより、高周波応答性にきわめて優れたものとすることができ、デジテル回路を構成するうえで有効なものとすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態における固体電解コンデンサの斜視図
【図２】同断面図
【図３】同固体電解コンデンサに用いる弁金属多孔シート体の断面図
【図４】同弁金属多孔シート体に陽極電極部を形成した状態の断面図
【図５】同弁金属多孔シート体の両面にレジストを形成した状態の断面図
【図６】同穴を形成した状態の断面図
【図７】同穴に絶縁層を形成した状態の断面図
【図８】同片面のレジストを除去した状態の断面図
【図９】同誘電体酸化皮膜、固体電解質層を形成した状態の断面図
【図１０】同陰極電極層を形成した状態の断面図
【図１１】同絶縁保護層を形成した状態の断面図
【図１２】同穴内に導電体を形成した状態の断面図
【図１３】同導電体上に接続バンプを形成した状態の断面図
【図１４】同引出電極を形成した状態の断面図
【図１５】他の弁金属多孔シート体を示す断面図
【符号の説明】
１ 弁金属多孔シート体
２ 陽極電極部
３ 誘電体酸化皮膜
４ 固体電解質層
５ 陰極電極層
６ 絶縁保護層
７，８ 穴
９ 絶縁層
１０ 導電体
１１ 接続バンプ
１２，１３ 引出電極
１４ レジスト層
１５ 樹脂シート
１６ タンタル箔
１７ タンタル焼結体
Claims (10)
- 表面および空孔表面に誘電体酸化皮膜を形成した弁金属多孔シート体の片面に陽極電極部を設け、この弁金属多孔シート体の他面に固体電解質層と陰極電極層を設け、前記陽極電極部の外表面に絶縁保護層を設け、前記陰極電極層の外表面に樹脂シートを設け、この絶縁保護層または前記樹脂シートの少なくともいずれか一方に上記陽極電極部と陰極電極層に至る穴を設け、この穴内にそれぞれの電極と電気的に接続され他とは絶縁された導電体を設け、この導電体の表出面に半導体部品を実装するための接続バンプを設けた固体電解コンデンサ。
- 弁金属多孔シート体として片面をエッチング処理したアルミニウム箔を用いた請求項１に記載の固体電解コンデンサ。
- 弁金属多孔シート体として弁金属粉末の焼結体を用いた請求項１に記載の固体電解コンデンサ。
- 陽極電極部として片面をエッチング処理したアルミニウム箔のエッチングされない面を用いた請求項１に記載の固体電解コンデンサ。
- 陽極電極部として片面をエッチング処理したアルミニウム箔のエッチングされない面に形成した別の金属層を用いた請求項１に記載の固体電解コンデンサ。
- 陽極電極部として弁金属粉末の焼結体の誘電体酸化皮膜の形成されない片面を利用した請求項１に記載の固体電解コンデンサ。
- 陽極電極部として誘電体酸化皮膜の形成されない弁金属粉末の焼結体の片面に形成した金属層を用いた請求項１に記載の固体電解コンデンサ。
- 固体電解質層として機能性高分子を用いた請求項１に記載の固体電解コンデンサ。
- 固体電解質層として二酸化マンガン層を用いた請求項１に記載の固体電解コンデンサ。
- 接続バンプが半導体の接続バンプの数以上設けた請求項１に記載の固体電解コンデンサ。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000118989A JP4479050B2 (ja) | 2000-04-20 | 2000-04-20 | 固体電解コンデンサ |
| CNB018009751A CN100369167C (zh) | 2000-04-20 | 2001-04-19 | 固体电解电容器 |
| US10/018,134 US6510045B2 (en) | 2000-04-20 | 2001-04-19 | Solid electrolyte capacitor |
| PCT/JP2001/003341 WO2001082319A1 (en) | 2000-04-20 | 2001-04-19 | Solid electrolyte capacitor |
| EP01921902A EP1204125A4 (en) | 2000-04-20 | 2001-04-19 | SOLID ELECTROLYTE CAPACITOR |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000118989A JP4479050B2 (ja) | 2000-04-20 | 2000-04-20 | 固体電解コンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001307955A JP2001307955A (ja) | 2001-11-02 |
| JP4479050B2 true JP4479050B2 (ja) | 2010-06-09 |
Family
ID=18630040
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000118989A Expired - Fee Related JP4479050B2 (ja) | 2000-04-20 | 2000-04-20 | 固体電解コンデンサ |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6510045B2 (ja) |
| EP (1) | EP1204125A4 (ja) |
| JP (1) | JP4479050B2 (ja) |
| CN (1) | CN100369167C (ja) |
| WO (1) | WO2001082319A1 (ja) |
Families Citing this family (34)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4432207B2 (ja) * | 2000-05-25 | 2010-03-17 | パナソニック株式会社 | コンデンサ |
| JP2002299161A (ja) * | 2001-03-29 | 2002-10-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 複合電子部品 |
| US6756628B2 (en) * | 2001-05-30 | 2004-06-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Capacitor sheet with built in capacitors |
| JP4604403B2 (ja) * | 2001-06-25 | 2011-01-05 | パナソニック株式会社 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
| EP1408521A4 (en) * | 2001-07-17 | 2007-04-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | PROCESS FOR PRODUCING SOLID ELECTROLYTIC CAPACITOR |
| US6678149B2 (en) * | 2002-03-28 | 2004-01-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Solid electrolytic capacitor and method of manufacturing the capacitor |
| US7099145B2 (en) | 2002-06-18 | 2006-08-29 | Tdk Corporation | Solid electrolytic capacitor and method for manufacturing solid electrolytic capacitor |
| AU2003244246A1 (en) | 2002-06-18 | 2003-12-31 | Tdk Corporation | Solid electrolytic capacitor, board with built-in solid electrolytic capacitor, and method for producing them |
| US7342771B2 (en) | 2002-06-18 | 2008-03-11 | Tdk Corporation | Solid electrolytic capacitor and a method for manufacturing a solid electrolytic capacitor |
| JP4019837B2 (ja) * | 2002-07-19 | 2007-12-12 | 松下電器産業株式会社 | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
| JP4214763B2 (ja) | 2002-11-11 | 2009-01-28 | パナソニック株式会社 | 固体電解コンデンサ |
| JP4072677B2 (ja) * | 2003-01-15 | 2008-04-09 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体チップ、半導体ウエハ、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 |
| TW200503022A (en) | 2003-03-17 | 2005-01-16 | Tdk Corp | Capacitor element, solid electrolytic capacitor, process for producing the same, and combination of capacitor elements |
| JP4354227B2 (ja) | 2003-07-23 | 2009-10-28 | Ｔｄｋ株式会社 | 固体電解コンデンサ |
| JP2005079463A (ja) * | 2003-09-02 | 2005-03-24 | Nec Tokin Corp | 積層型固体電解コンデンサおよび積層型伝送線路素子 |
| US6870728B1 (en) | 2004-01-29 | 2005-03-22 | Tdk Corporation | Electrolytic capacitor |
| KR100610462B1 (ko) * | 2004-02-20 | 2006-08-08 | 엔이씨 도낀 가부시끼가이샤 | 고체 전해 커패시터, 전송선로장치, 그 제조방법 및 그것을이용하는 복합 전자부품 |
| JP2006147606A (ja) * | 2004-11-16 | 2006-06-08 | Nec Toppan Circuit Solutions Inc | シート状コンデンサとその製造方法 |
| JP2006237520A (ja) * | 2005-02-28 | 2006-09-07 | Nec Tokin Corp | 薄型多端子コンデンサおよびその製造方法 |
| JP4872365B2 (ja) * | 2005-05-23 | 2012-02-08 | パナソニック株式会社 | チップ形固体電解コンデンサ |
| JP4911611B2 (ja) * | 2007-04-27 | 2012-04-04 | 三洋電機株式会社 | 固体電解コンデンサ |
| JP5029299B2 (ja) * | 2007-11-08 | 2012-09-19 | 富士通株式会社 | キャパシタ及びキャパシタを含む半導体装置、及びキャパシタの製造方法 |
| TWI345797B (en) * | 2007-12-21 | 2011-07-21 | Ind Tech Res Inst | Hybrid capacitor |
| JP5428471B2 (ja) * | 2009-03-31 | 2014-02-26 | 日本ケミコン株式会社 | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
| JP5796194B2 (ja) * | 2010-12-13 | 2015-10-21 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 固体電解コンデンサ |
| JP5796193B2 (ja) * | 2010-12-13 | 2015-10-21 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 固体電解コンデンサ |
| TWI405322B (zh) | 2010-12-29 | 2013-08-11 | Ind Tech Res Inst | 內藏電容基板模組 |
| US9013893B2 (en) | 2010-12-29 | 2015-04-21 | Industrial Technology Research Institute | Embedded capacitor module |
| TW201316895A (zh) * | 2011-10-14 | 2013-04-16 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | 可抑制電磁干擾的電路板 |
| TWI483352B (zh) | 2012-03-12 | 2015-05-01 | Ind Tech Res Inst | 固態電解電容基板模組及包括該固態電解電容基板模組的電路板 |
| TWI491875B (zh) * | 2013-12-26 | 2015-07-11 | Taiwan Green Point Entpr Co | Electrochemical sensing test piece and its manufacturing method |
| US9165873B1 (en) * | 2014-07-28 | 2015-10-20 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor package having etched foil capacitor integrated into leadframe |
| CN105743455B (zh) * | 2016-02-02 | 2018-10-09 | 中国振华（集团）新云电子元器件有限责任公司 | 一种分布参数rlc集成低通滤波器及其制造方法 |
| CN117133545A (zh) * | 2017-05-15 | 2023-11-28 | 京瓷Avx元器件公司 | 多层电容器和包括其的电路板 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4635298B1 (ja) | 1968-12-21 | 1971-10-15 | ||
| JPS5914884B2 (ja) | 1975-08-27 | 1984-04-06 | 日本電気株式会社 | チツプコンデンサ |
| JPS5845171B2 (ja) * | 1976-01-30 | 1983-10-07 | 日本電気株式会社 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
| JP3696341B2 (ja) * | 1996-08-30 | 2005-09-14 | ローム株式会社 | アレイ型固体電解コンデンサの構造及びその製造方法 |
| DE69837516T2 (de) * | 1997-11-14 | 2007-12-27 | Murata Mfg. Co., Ltd., Nagaokakyo | Vielschichtkondensator |
-
2000
- 2000-04-20 JP JP2000118989A patent/JP4479050B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-04-19 CN CNB018009751A patent/CN100369167C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2001-04-19 WO PCT/JP2001/003341 patent/WO2001082319A1/ja active Application Filing
- 2001-04-19 EP EP01921902A patent/EP1204125A4/en not_active Withdrawn
- 2001-04-19 US US10/018,134 patent/US6510045B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1204125A4 (en) | 2005-11-16 |
| JP2001307955A (ja) | 2001-11-02 |
| CN100369167C (zh) | 2008-02-13 |
| US20020159223A1 (en) | 2002-10-31 |
| WO2001082319A1 (en) | 2001-11-01 |
| CN1366687A (zh) | 2002-08-28 |
| US6510045B2 (en) | 2003-01-21 |
| EP1204125A1 (en) | 2002-05-08 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070220 |
|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20070313 |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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| RD01 | Notification of change of attorney |
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| A521 | Written amendment |
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| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100308 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130326 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130326 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140326 Year of fee payment: 4 |
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