JP2002299161A - 複合電子部品 - Google Patents
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Abstract
提供することを目的とする。 【解決手段】 多孔質弁金属シート体1の片面に誘電体
被膜3、固体電解質層4、集電体層5を設けたものを絶
縁部7で被ったものにおいて、この絶縁部7の少なくと
も片面に第一の接続端子2と第二の接続端子6にそれぞ
れ接続される導電体11を表出させ、この導電体11上
に接続バンプ12を形成し、集積回路と他の電子部品を
接続した。
Description
され、特に薄型のコンデンサ上に電子部品を配置した複
合電子部品に関するものである。
路基板上に集積回路、コンデンサ、インダクタンスや抵
抗を配置して構成されていた。
品においては、コンデンサも抵抗やインダクタンス部品
と同様に1つのチップ型の固体電解コンデンサとし、回
路基板上に実装されて利用されることになる。
伴って電子部品の高周波応答性が求められており、従来
ではあまり問題にならなかったような配線に伴う抵抗成
分やインダクタンス成分が重要になり、上述のような回
路基板に集積回路とともに表面実装される固体電解コン
デンサでは、高周波応答性に劣るといった問題を有する
ものであった。
し、集積回路を直接バンプ接続でき高周波応答性に優れ
た薄型の複合電子部品を提供することを目的とするもの
である。
に本発明の請求項1に記載の発明は、コンデンサ部と、
このコンデンサ部を覆うように設けられた絶縁部と、こ
の絶縁部の少なくとも一方の面に前記コンデンサ部と電
気的に接続する接続端子を有するとともにこの接続端子
と同一面に設けられ電子部品と導通する複数の配線パタ
ーンと、前記絶縁部の側面に前記コンデンサ部と電気的
に接続する外部端子とからなり、前記コンデンサ部は、
表面および空孔表面に誘電体被膜を有する多孔質金属シ
ート体に設けられた一方の接続端子と、前記多孔質弁金
属シート体の一方の接続端子と反対側の面に固体電解質
層を介して設けられた他方の接続端子と、少なくとも前
記一方の接続端子と他方の接続端子に至るように設けら
れた穴と、この穴内の内壁に絶縁膜を形成し、この絶縁
膜を形成した穴内に前記一方の接続端子および他方の接
続端子と電気的に接続され他とは絶縁された導電体が形
成された複合電子部品であり、薄型のコンデンサの表面
に接続端子を形成し、その接続端子上に集積回路を始め
として各種チップ部品を実装可能とし、高周波応答性の
著しい向上を図ることができるとともに複合電子部品の
小型化、薄型化を可能とする。
ート体として片面をエッチング処理したアルミニウム箔
を用いた請求項1に記載の複合電子部品であり、上記請
求項1の作用に加えて生産性に優れたものとすることが
できる。
ート体として弁金属粉末の焼結体を用いた請求項1に記
載の複合電子部品であり、上記請求項1の作用に加えて
容量の大きなものとすることができる。
として片面をエッチング処理したアルミニウム箔のエッ
チングされない面を用いた請求項1に記載の複合電子部
品であり、アルミニウム箔の片面を接続端子とでき、構
成部品を少なくすることができる。
として片面をエッチング処理したアルミニウム箔のエッ
チングされない面に形成した別の金属層を用いた請求項
1に記載の複合電子部品であり、金属層を選択すること
により導電体との接続の信頼性を高めることができる。
として弁金属粉末の焼結体の誘電体被膜の形成されない
片面を利用した請求項1に記載の複合電子部品であり、
構成部品を少なくし安価にすることができる。
として誘電体被膜の形成されない弁金属粉末の焼結体の
片面に形成した金属層を用いた請求項1に記載の複合電
子部品であり、金属層を選択することにより導電体との
接続の信頼性を高めることができる。
して機能性高分子を用いた請求項1に記載の複合電子部
品であり、インピーダンスの低いものとすることができ
る。
して二酸化マンガンを用いた請求項1に記載の複合電子
部品であり、確立された技術で確実に生産できることに
なる。
積回路の接続バンプの数以上設けた請求項1に記載の複
合電子部品であり、集積回路を実装できるものとでき
る。
係る発明について図1〜図17を用いて説明する。
態の断面図であり、図2は同要部の拡大断面図である。
図1、図2において、1は片面をエッチング処理したア
ルミニウム箔やタンタルなどの弁金属粉末の焼結体から
なる多孔質弁金属シート体、2はこの多孔質弁金属シー
ト体1の片面に設けた第一の接続端子であり、この第一
の接続端子2はアルミニウム箔の場合はエッチング処理
されない面をそのまま利用してもよいし、エッチング処
理されない面に金、銅やニッケルなどの他の金属層を形
成して構成したり、弁金属粉末の焼結体の場合は誘電体
被膜の形成されない焼結体の面をそのまま利用してもよ
いし、金、銅、ニッケル、タンタルなどの金属層をスパ
ッタリング、蒸着などの方法で形成して構成してもよ
い。
第一の接続端子2を除いて陽極酸化することにより表面
および空孔表面に形成された誘電体被膜、4はこの誘電
体被膜3の上に形成された固体電解質層であり、この固
体電解質層4はポリピロールやポリチオフェンなどの機
能性高分子層を化学重合や電解重合によって形成した
り、硝酸マンガン溶液を含浸させて熱分解することによ
って二酸化マンガン層を形成することで得ることができ
る。
た集電体層であり、カーボン層単独、あるいはカーボン
層と導電体ペースト層の積層構造などで構成する。
子であり、集電体層5をそのまま使ってもよいし、金、
銅、ニッケル、タンタルなどの金属層をスパッタリン
グ、蒸着などの方法で形成して構成してもよい。
キシ樹脂などを用いモールド成形によって形成される。
た穴、9は同じく第一の接続端子2側の絶縁部7、第一
の接続端子2、多孔質弁金属シート体1、誘電体被膜
3、固体電解質層4、集電体層5に設けた穴であり、こ
れらの穴8,9はレーザ加工、エッチング加工やパンチ
ング加工などにより形成される。
ている。そして、これらの穴8,9内には銅のメッキな
どにより導電体11が形成されて穴8内の導電体11は
第一の接続端子2と、穴9内の導電体11は第二の接続
端子6のみと電気的に接続されている。
表出面上には半田、金、錫や銀などからなる接続バンプ
12が形成されており、この接続バンプ12の数や形成
されるピッチは後で実装する集積回路の接続バンプと一
致するか、それ以上の数となっている。集積回路の接続
バンプ以上の数とするのは、集積回路を実装した後、残
りの接続バンプ12間にチップ抵抗器やチップセラミッ
クコンデンサ、さらにはチップインダクタンスなどのチ
ップ部品を実装することも可能としたものである。ま
た、絶縁部7の側面および底面には上記第一の接続端子
2と第二の接続端子6とそれぞれ接続された外部端子1
3,14が形成されている。
パターン15にチップ抵抗器やチップセラミックコンデ
ンサ、さらにはチップインダクタンスなどの電子部品1
6および集積回路17などを接続して複合電子部品を形
成する。
片面に直接集積回路17などを実装することができるこ
とにより、引きまわしの導電パターンが不要となって高
周波応答性が著しく向上することになり、また、回路を
構成する電子部品16を具備することで薄型の複合電子
部品を実現することができる。
をエッチング処理したアルミニウム箔を用いるのは既に
確立されているアルミ電解コンデンサのアルミニウム箔
を利用することができ、アルミニウム箔の片面をマスキ
ングしてエッチング処理をすれば簡単に所望とするエッ
チングピットを有した多孔質弁金属シート体1を得るこ
とができ、生産性を高めることができることになる。
タルなどの弁金属粉末の焼結体を用いるのは、得られる
静電容量が大きくなるからである。
の焼結体の片面を第一の接続端子2とするのは、別の第
一の接続端子2としての金属層を必要とせず、構成部品
が少なく生産効率も向上しコスト面で有利となるからで
ある。但し、穴8,9内に形成する導電体11との接続
の信頼性を向上させたい場合には多孔質弁金属シート体
1の片面に金、銅やニッケルなどの金属層を形成して第
一の接続端子2とすることが望ましい。
やポリチオフェンなどの機能性高分子を用いることによ
りインピーダンスの低い固体電解コンデンサとすること
ができてより高周波応答性に優れたものとすることがで
きる。しかし、完全に確立された技術としては二酸化マ
ンガンを形成する方法があり、緻密なしかも厚みのコン
トロールも自由に行える方法とすることにより、生産
性、信頼性の向上を図ることが可能となる。
のみに接続バンプ12を設けたものについてのみ示した
が、両面に接続バンプ12を形成することもできる。こ
れは穴8,9の形成によって可能となり、穴9は第二の
接続端子6に達するように、穴8は第一の接続端子2に
達するように設け、穴9に絶縁膜10を設け、これらに
メッキによる導電体11を形成することで両面に接続バ
ンプ12をもった固体電解コンデンサとすることがで
き、さらに導電体を形成し、部品を接続することで両面
に回路を形成した複合電子部品を実現できる。
要ではなく、接続バンプ12や配線パターン15を利用
して外部端子13,14の代りとして利用することもで
きるし、接続バンプ12に実装する集積回路やチップ部
品を引出電極として代用することも可能である。
法の一例を図3〜図15を用いて説明する。まず、図3
に示すように片面がエッチング処理されたアルミニウム
箔を多孔質弁金属シート体1として準備する。このアル
ミニウム箔は片面をマスキングしてエッチング処理する
ことによって容易に得ることができる。
なる多孔質弁金属シート体1のエッチングされていない
片面に銅からなる第一の接続端子2を形成する。この第
一の接続端子2はスパッタリング、蒸着あるいは銅箔を
張付けることによって形成することができる。
体1のエッチングされている面を除いてモールド成形な
どでエポキシなどの絶縁性樹脂で被い絶縁部7を形成す
る。
すように表面および空孔表面に誘電体被膜3を形成し、
この誘電体被膜3を形成したものをピロールを含む溶液
に浸漬し、続いて酸化剤溶液に浸漬して化学酸化重合に
より薄く誘電体被膜3上にポリピロール層を形成し、こ
のポリピロール層を形成したものをピロールを含む溶液
に浸漬してポリピロール層を+側、溶液中の電極を−側
として電解重合することにより上記ポリピロール層上に
十分な厚さのポリピロール層を形成して固体電解質層4
を形成する。
布、乾燥した後にさらに銀ペイントを塗布、硬化しカー
ボン層、銀ペイント層からなる集電体層5を形成する。
数だけ貫通した穴9をパンチングにより形成する。
の接続端子6を集電体層5に電気的に導通するように張
付け、続いて図10に示すようにエポキシ樹脂などから
なる絶縁部7を第二の接続端子6上および固体電解質層
4、集電体層5の表出面も含めて形成し、全体を絶縁部
7で被う。次に、この穴9の内壁に図11に示すように
絶縁性樹脂の電着などにより絶縁膜10を形成する。
子2側に穴8を所定の位置に形成するとともに第一の接
続端子2および第二の接続端子6の側面に通ずる開口を
形成する。続いて図13に示すように穴8,9および開
口部の内面に銅などのメッキによる導電体11を形成
し、穴8の導電体11は第一の接続端子2と、穴9内の
導電体11は第二の接続端子6と電気的に接続されるよ
うに形成する。
出する部分に半田、金または銀による接続バンプ12を
形成すると同時に図15に示すように側面および底面に
第一の接続端子2と第二の接続端子6とそれぞれに接続
された外部端子13,14を形成して固体電解コンデン
サの完成品とする。
を形成した絶縁部7上に導電体を回路パターンにあわせ
て配線パターン15を形成し所定の場所にインダクタン
スや抵抗器などの電子部品16および集積回路17を接
続し複合電子部品を作製する。
多孔質弁金属シート体1として用いる場合は、図17に
示すように弁金属シート体18の片面に弁金属焼結体1
9を結合して多孔質弁金属シート体1を構成する。
アルミニウム箔を用いた場合と同じ工程をとって固体電
解コンデンサを製造し、複合電子部品を作製する。
成されるため、薄型の固体電解コンデンサの接続部を形
成した面に集積回路を直接接続することができ、また、
他の部品を実装することにより、薄型で高周波応答性に
極めて優れ、デジタル回路を構成するうえで有効なもの
とすることができる。
断面図
の断面図
成した状態の断面図
断面図
面図
を実装した状態の断面図
Claims (10)
- 【請求項1】 コンデンサ部と、このコンデンサ部を覆
うように設けられた絶縁部と、この絶縁部の少なくとも
一方の面に前記コンデンサ部と電気的に接続する接続端
子を有するとともにこの接続端子と同一面に設けられ電
子部品と導通する複数の配線パターンと、前記絶縁部の
側面に前記コンデンサ部と電気的に接続する外部端子と
からなり、前記コンデンサ部は、表面および空孔表面に
誘電体被膜を有する多孔質弁金属シート体に設けられた
一方の接続端子と、前記多孔質弁金属シート体の一方の
接続端子と反対側の面に固体電解質層を介して設けられ
た他方の接続端子と、少なくとも前記一方の接続端子と
他方の接続端子に至るように設けられた穴と、この穴内
の内壁に絶縁膜を形成し、この絶縁膜を形成した穴内に
前記一方の接続端子および他方の接続端子と電気的に接
続され他とは絶縁された導電体が形成された複合電子部
品。 - 【請求項2】 多孔質弁金属シート体として片面をエッ
チング処理したアルミニウム箔を用いた請求項1に記載
の複合電子部品。 - 【請求項3】 多孔質弁金属シート体として弁金属粉末
の焼結体を用いた請求項1に記載の複合電子部品。 - 【請求項4】 一方の接続端子として片面をエッチング
処理したアルミニウム箔のエッチングされない面を用い
た請求項1に記載の複合電子部品。 - 【請求項5】 一方の接続端子として片面をエッチング
処理したアルミニウム箔のエッチングされない面に形成
した別の金属層を用いた請求項1に記載の複合電子部
品。 - 【請求項6】 一方の接続端子として弁金属粉末の焼結
体の誘電体被膜の形成されない片面を利用した請求項1
に記載の複合電子部品。 - 【請求項7】 一方の接続端子として誘電体被膜の形成
されない弁金属粉末の焼結体の片面に形成した金属層を
用いた請求項1に記載の複合電子部品。 - 【請求項8】 固体電解質層として機能性高分子を用い
た請求項1に記載の複合電子部品。 - 【請求項9】 固体電解質層として二酸化マンガンを用
いた請求項1に記載の複合電子部品。 - 【請求項10】 接続端子を集積回路の接続バンプの数
以上設けた請求項1に記載の複合電子部品。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001095737A JP2002299161A (ja) | 2001-03-29 | 2001-03-29 | 複合電子部品 |
EP02707253A EP1310966B1 (en) | 2001-03-29 | 2002-03-27 | Composite electronic components |
CNB028010108A CN1282207C (zh) | 2001-03-29 | 2002-03-27 | 复合电子器件 |
PCT/JP2002/003173 WO2002080205A1 (fr) | 2001-03-29 | 2002-03-27 | Composants electroniques composites |
US10/258,167 US6741448B2 (en) | 2001-03-29 | 2002-03-27 | Composite electronic components |
DE60211628T DE60211628T2 (de) | 2001-03-29 | 2002-03-27 | Zusammengesetzte elektronische bauteile |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001095737A JP2002299161A (ja) | 2001-03-29 | 2001-03-29 | 複合電子部品 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002299161A true JP2002299161A (ja) | 2002-10-11 |
Family
ID=18949748
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001095737A Ceased JP2002299161A (ja) | 2001-03-29 | 2001-03-29 | 複合電子部品 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6741448B2 (ja) |
EP (1) | EP1310966B1 (ja) |
JP (1) | JP2002299161A (ja) |
CN (1) | CN1282207C (ja) |
DE (1) | DE60211628T2 (ja) |
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EP1310966B1 (en) | 2006-05-24 |
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|
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