JP4931776B2 - 固体電解コンデンサ - Google Patents
固体電解コンデンサ Download PDFInfo
- Publication number
- JP4931776B2 JP4931776B2 JP2007301094A JP2007301094A JP4931776B2 JP 4931776 B2 JP4931776 B2 JP 4931776B2 JP 2007301094 A JP2007301094 A JP 2007301094A JP 2007301094 A JP2007301094 A JP 2007301094A JP 4931776 B2 JP4931776 B2 JP 4931776B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric layer
- layer
- solid electrolytic
- conductive polymer
- pits
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims description 50
- 239000007787 solid Substances 0.000 title claims description 49
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 claims description 52
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 claims description 13
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 14
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 12
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 11
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 10
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 10
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 9
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 7
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 6
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 5
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 5
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 229940021013 electrolyte solution Drugs 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- -1 fluorine ions Chemical class 0.000 description 2
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M potassium fluoride Chemical compound [F-].[K+] NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M sodium fluoride Chemical compound [F-].[Na+] PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 150000002221 fluorine Chemical class 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002052 molecular layer Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002821 niobium Chemical class 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920000414 polyfuran Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 235000003270 potassium fluoride Nutrition 0.000 description 1
- 239000011698 potassium fluoride Substances 0.000 description 1
- 235000013024 sodium fluoride Nutrition 0.000 description 1
- 239000011775 sodium fluoride Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/0029—Processes of manufacture
- H01G9/0032—Processes of manufacture formation of the dielectric layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
- H01G9/042—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by the material
- H01G9/0425—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by the material specially adapted for cathode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/07—Dielectric layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/15—Solid electrolytic capacitors
Description
充填されている必要はなく、一部(途中まで)充填されている状態や、全く充填されずピットの内部が空洞となっている状態であってもよいし、これらの状態が混在していてもよい。
次に、図1に示す本実施形態の固体電解コンデンサの製造方法について説明する。
実施例1では、上述実施形態の製造方法における各工程(工程1〜工程4)に対応した工程を経て固体電解コンデンサA1を作製した。
実施例2では、工程2Aにおける陽極酸化時の設定温度を、温度40℃から温度30℃に代えてピットを有する誘電体層を形成する以外は、実施例1と同様にして固体電解コンデンサA2を作製した。なお、この条件によるピットは、平均径2.5nm、平均深さ0.25nm(平均径の0.1倍)の状態で形成される。
実施例3および4では、工程2Aにおける陽極酸化時の設定温度を、温度40℃から温度35℃および45℃に代えてピットを有する誘電体層を形成する以外は、実施例1と同様にして固体電解コンデンサA3およびA4を作製した。なお、こうした条件によるピットは、平均径2.5nm、平均深さ1.25nm(平均径の0.5倍)および3.75nm(平均径の1.5倍)の状態で形成される。
実施例5では、工程2Aにおける陽極酸化時の電圧制御条件を、周期10分(中心電圧20V、振幅0.20V)から周期5分(中心電圧20V、振幅0.20V)に代えてピットを有する誘電体層を形成する以外は、実施例1と同様にして固体電解コンデンサA5を作製した。なお、この条件によるピットは、平均径0.2nm、平均深さ0.2nm(平均径の1.0倍)の状態で形成される。
実施例6〜12では、工程2Aにおける陽極酸化時の電圧制御条件を、周期10分(中心電圧20V、振幅0.20V)から周期2分、7分、13分、15分、17分、20分、60分(中心電圧20V、振幅0.20V)に代えてピットを有する誘電体層を形成する以外は、実施例1と同様にして固体電解コンデンサA6〜A12を作製した。なお、こうした条件によるピットは、平均径0.1nm〜70.0nm(表2参照)、平均深さ0.1nm〜70.0nm(平均径の1.0倍)の状態で形成される。
比較例では、工程2Aにおける陽極酸化時の電圧制御条件を、従来条件と同じ電圧一定(電圧20V)にして誘電体層を形成する以外は、実施例1と同様にして固体電解コンデンサXを作製した。なお、この条件では表面にピットが発生することなく誘電体層が形成される。
固体電解コンデンサについて漏れ電流と静電容量をパラメータとする性能指数を評価した。表1は各固体電解コンデンサの性能指数の評価結果(ピットの平均深さ依存)を示し、表2は各固体電解コンデンサの性能指数の評価結果(ピットの平均径依存)を示す。なお、各性能指数の値は試料数各10個についての平均である。
漏れ電流および静電容量の測定条件は以下の通りである。
た陽極酸化の例を示したが、本発明はこれに限らない。たとえば、電解液としてフッ化カリウム水溶液、フッ化ナトリウム水溶液、あるいはフッ酸水溶液などを採用してもよい。また、これらの電解液を組み合わせてもよい。こうした場合にも上記効果を享受することができる。
Claims (3)
- 陽極と、導電性高分子層を含む陰極との間において、この導電性高分子層と接して設けられた誘電体層を備え、
前記誘電体層には前記導電性高分子層との界面に複数の凹部を設け、
前記凹部の深さが前記凹部の開口径の0.1倍〜1.5倍の範囲である、固体電解コンデンサ。 - 前記陽極は複数の金属粒子の焼結体からなり、
前記誘電体層はそれぞれの前記金属粒子の表面に所定の厚さで形成され、
前記凹部は前記所定の厚さの方向に凹んでいることを特徴とした請求項1に記載の固体電解コンデンサ。 - 前記凹部の開口径は0.2nm〜50.0nmの範囲であることを特徴とした請求項1または2に記載の固体電解コンデンサ。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007301094A JP4931776B2 (ja) | 2007-11-21 | 2007-11-21 | 固体電解コンデンサ |
US12/273,622 US8000085B2 (en) | 2007-11-21 | 2008-11-19 | Solid electrolytic capacitor |
CN2008100690995A CN101452769B (zh) | 2007-11-21 | 2008-11-21 | 固体电解电容器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007301094A JP4931776B2 (ja) | 2007-11-21 | 2007-11-21 | 固体電解コンデンサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009130004A JP2009130004A (ja) | 2009-06-11 |
JP4931776B2 true JP4931776B2 (ja) | 2012-05-16 |
Family
ID=40641702
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007301094A Expired - Fee Related JP4931776B2 (ja) | 2007-11-21 | 2007-11-21 | 固体電解コンデンサ |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8000085B2 (ja) |
JP (1) | JP4931776B2 (ja) |
CN (1) | CN101452769B (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8004825B2 (en) * | 2007-09-21 | 2011-08-23 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Solid electrolyte capacitor |
US8385051B2 (en) * | 2009-03-23 | 2013-02-26 | Toyo Aluminium Kabushiki Kaisha | Electrode structure, capacitor, battery, and method for manufacturing electrode structure |
JP5461110B2 (ja) | 2009-08-28 | 2014-04-02 | 三洋電機株式会社 | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
JP5444057B2 (ja) * | 2010-03-16 | 2014-03-19 | 信越ポリマー株式会社 | 固体電解キャパシタ及びその製造方法並びに固体電解キャパシタ用溶液 |
JP6912691B2 (ja) * | 2016-09-16 | 2021-08-04 | 日本蓄電器工業株式会社 | 電解コンデンサ用電極部材、および電解コンデンサ |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0364014A (ja) * | 1989-08-02 | 1991-03-19 | Marcon Electron Co Ltd | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
JPH10112423A (ja) * | 1996-10-07 | 1998-04-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | アルミ電解コンデンサ用陽極箔の化成方法 |
JP2000235937A (ja) * | 1999-02-16 | 2000-08-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
US6454953B2 (en) * | 2000-05-24 | 2002-09-24 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Solid electrolytic capacitor and method for producing the same |
JP2002299161A (ja) * | 2001-03-29 | 2002-10-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 複合電子部品 |
JP3982496B2 (ja) * | 2001-07-17 | 2007-09-26 | 松下電器産業株式会社 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
JP2003086463A (ja) * | 2001-09-10 | 2003-03-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体電解コンデンサの製造方法 |
JP4188631B2 (ja) * | 2002-07-15 | 2008-11-26 | Necトーキン株式会社 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
JP4019837B2 (ja) * | 2002-07-19 | 2007-12-12 | 松下電器産業株式会社 | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
JP4178911B2 (ja) * | 2002-10-25 | 2008-11-12 | 松下電器産業株式会社 | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
JP2004356360A (ja) * | 2003-05-29 | 2004-12-16 | Japan Carlit Co Ltd:The | アルミ固体電解コンデンサ |
JP4343652B2 (ja) * | 2003-11-07 | 2009-10-14 | Tdk株式会社 | 固体電解コンデンサ及び固体電解コンデンサデバイス |
US7242073B2 (en) * | 2003-12-23 | 2007-07-10 | Intel Corporation | Capacitor having an anodic metal oxide substrate |
JP4401195B2 (ja) * | 2004-03-09 | 2010-01-20 | 三洋電機株式会社 | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
CN101351857B (zh) * | 2005-12-28 | 2011-10-19 | 昭和电工株式会社 | 电容器及其制造方法 |
-
2007
- 2007-11-21 JP JP2007301094A patent/JP4931776B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-11-19 US US12/273,622 patent/US8000085B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2008-11-21 CN CN2008100690995A patent/CN101452769B/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101452769B (zh) | 2012-07-04 |
JP2009130004A (ja) | 2009-06-11 |
US8000085B2 (en) | 2011-08-16 |
CN101452769A (zh) | 2009-06-10 |
US20090128996A1 (en) | 2009-05-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4877820B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
JP5884068B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
JP4275044B2 (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
JP4850127B2 (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
JP4931776B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
JP5305774B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
JP2014049520A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法および固体電解コンデンサ | |
JP5232899B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
JP2012199298A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
JP5623214B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
JP4383227B2 (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
JPH10321471A (ja) | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
US8004825B2 (en) | Solid electrolyte capacitor | |
JP4454526B2 (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
JP4398794B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
JP2009038365A (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
JP5091710B2 (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
JP2008053512A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
JP4931730B2 (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
JP4818006B2 (ja) | 固体電解コンデンサ素子、その製造方法および固体電解コンデンサ | |
JP4545204B2 (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
JP2010109265A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
JP4969233B2 (ja) | 固体電解コンデンサ及び固体電解コンデンサ用のニオブ製陽極リードの製造方法 | |
JP4566077B2 (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
JP4947888B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20101028 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20111116 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20111130 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20111215 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120117 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120214 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150224 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |