JP4383227B2 - 固体電解コンデンサおよびその製造方法 - Google Patents
固体電解コンデンサおよびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4383227B2 JP4383227B2 JP2004104842A JP2004104842A JP4383227B2 JP 4383227 B2 JP4383227 B2 JP 4383227B2 JP 2004104842 A JP2004104842 A JP 2004104842A JP 2004104842 A JP2004104842 A JP 2004104842A JP 4383227 B2 JP4383227 B2 JP 4383227B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric layer
- solid electrolytic
- anode
- electrolytic capacitor
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims description 45
- 239000007787 solid Substances 0.000 title claims description 45
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 7
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 30
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 30
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 20
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 14
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 claims description 12
- -1 fluorine ions Chemical class 0.000 claims description 10
- 238000007743 anodising Methods 0.000 claims description 8
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 14
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 10
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 4
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 4
- NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M potassium fluoride Chemical compound [F-].[K+] NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229960002050 hydrofluoric acid Drugs 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 235000003270 potassium fluoride Nutrition 0.000 description 2
- 239000011698 potassium fluoride Substances 0.000 description 2
- PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M sodium fluoride Chemical compound [F-].[Na+] PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003682 fluorination reaction Methods 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 235000013024 sodium fluoride Nutrition 0.000 description 1
- 239000011775 sodium fluoride Substances 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
- H01G9/042—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by the material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/0029—Processes of manufacture
- H01G9/0032—Processes of manufacture formation of the dielectric layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/15—Solid electrolytic capacitors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
この発明の1つの目的は、等価直列抵抗が小さい固体電解コンデンサを提供することである。
図2は、本発明の実施例1の固体電解コンデンサの構造および評価方法を示す図である。図2を参照して、以下に、本発明の実施例1による固体電解コンデンサおよびその作製方法について説明する。
比較例1では、実施例1の陽極酸化の工程で用いた約0.1重量%のフッ化アンモニウム水溶液に代えて、約0.1重量%の硝酸水溶液を用いる以外は、実施例1と同様に固体電解コンデンサXを作製した。すなわち、比較例1の固体電解コンデンサXでは、陽極上にフッ素を含まない酸化タンタルからなる誘電体層が形成されている。
実施例2においては、本発明の誘電体層中のフッ素濃度とESRとの相関について検証を行った。
実施例3においては、本発明の陽極酸化時に用いる水溶液の種類について検討を行った。
これより、陽極酸化に用いる水溶液としては、フッ化アンモニウム水溶液に代えて、フッ化カリウム水溶液、フッ化ナトリウム水溶液、フッ酸水溶液を用いてもESRの低減が可能であることが判明した。
1a 陽極リード
2 誘電体層
3 電解質層
4 陰極層
4a 第1導電層
4b 第2導電層
5 導電性接着剤
6 陰極端子
7 陽極端子
8 モールド外装樹脂
100 固体電解コンデンサ
Claims (3)
- タンタルからなる陽極と、
前記陽極が陽極酸化されて前記陽極表面に形成された誘電体層と、
前記誘電体層上に形成された陰極層と、を備え、
前記誘電体層はフッ素を含む酸化タンタルからなることを特徴とする固体電解コンデンサ - 前記誘電体層中のフッ素濃度は、0.01重量%〜1.0重量%の範囲である、請求項1に記載の固体電解コンデンサ。
- タンタルからなる陽極をフッ素イオンを含む水溶液中で陽極酸化することにより前記陽極表面に形成される誘電体層にフッ素を含有させる工程と、
前記誘電体層上に陰極層を形成する工程とを備える、固体電解コンデンサの製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004104842A JP4383227B2 (ja) | 2004-03-31 | 2004-03-31 | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
US11/032,081 US7038902B2 (en) | 2004-03-31 | 2005-01-11 | Solid electrolytic capacitor and a fabrication method therefor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004104842A JP4383227B2 (ja) | 2004-03-31 | 2004-03-31 | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005294402A JP2005294402A (ja) | 2005-10-20 |
JP4383227B2 true JP4383227B2 (ja) | 2009-12-16 |
Family
ID=35054039
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004104842A Expired - Lifetime JP4383227B2 (ja) | 2004-03-31 | 2004-03-31 | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7038902B2 (ja) |
JP (1) | JP4383227B2 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4275044B2 (ja) * | 2004-02-04 | 2009-06-10 | 三洋電機株式会社 | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
JP4781115B2 (ja) * | 2005-02-23 | 2011-09-28 | 三洋電機株式会社 | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
JP4553771B2 (ja) * | 2005-03-29 | 2010-09-29 | 三洋電機株式会社 | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
JP2007180260A (ja) * | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Showa Denko Kk | 固体電解コンデンサの製造方法 |
JP4753809B2 (ja) * | 2006-07-27 | 2011-08-24 | 三洋電機株式会社 | 電解コンデンサの製造方法 |
JP4776522B2 (ja) * | 2006-12-20 | 2011-09-21 | 三洋電機株式会社 | 固体電解コンデンサ |
US7876548B2 (en) * | 2007-04-20 | 2011-01-25 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Niobium solid electrolytic capacitor and its production method |
JP5091710B2 (ja) * | 2008-02-18 | 2012-12-05 | 三洋電機株式会社 | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
DE102008026304A1 (de) * | 2008-06-02 | 2009-12-03 | H.C. Starck Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Elektrolytkondensatoren mit niedrigem Leckstrom |
CN214753406U (zh) * | 2020-12-14 | 2021-11-16 | 东莞顺络电子有限公司 | 一种钽电解电容器 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0752699B2 (ja) * | 1990-04-20 | 1995-06-05 | 松下電器産業株式会社 | コンデンサーとその製造方法 |
EP0714108B1 (en) * | 1994-11-25 | 1999-11-03 | Nec Corporation | Solid electrolytic capacitor having two solid electrolyte layers and method of manufacturing the same |
JP3068430B2 (ja) * | 1995-04-25 | 2000-07-24 | 富山日本電気株式会社 | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
JP3235475B2 (ja) * | 1996-07-16 | 2001-12-04 | 日本電気株式会社 | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
JPH10135080A (ja) | 1996-10-31 | 1998-05-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
EP1100097B1 (en) * | 1998-06-25 | 2008-08-06 | Nichicon Corporation | Process for producing a solid electrolytic capacitor |
US6552896B1 (en) * | 1999-10-28 | 2003-04-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Solid electrolytic capacitor and method for manufacturing the same |
JP2003197468A (ja) * | 2001-10-19 | 2003-07-11 | Nec Tokin Toyama Ltd | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
-
2004
- 2004-03-31 JP JP2004104842A patent/JP4383227B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2005
- 2005-01-11 US US11/032,081 patent/US7038902B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7038902B2 (en) | 2006-05-02 |
US20050219803A1 (en) | 2005-10-06 |
JP2005294402A (ja) | 2005-10-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4275044B2 (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
JP4703400B2 (ja) | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
US7038902B2 (en) | Solid electrolytic capacitor and a fabrication method therefor | |
JP4383228B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
JP2006140443A (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
JP5232899B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
JP2008182098A (ja) | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
JP4553770B2 (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
JP2011193035A5 (ja) | ||
JP4931776B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
JP2012069788A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
JP4454526B2 (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
JP2019133983A (ja) | 陽極箔、電解コンデンサ、陽極箔の製造方法、及び電解コンデンサの製造方法 | |
JP4803741B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
JP4804235B2 (ja) | 固体電解コンデンサ素子、その製造方法および固体電解コンデンサ | |
JP4401218B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
JP2828738B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
JP4545204B2 (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
JP4818006B2 (ja) | 固体電解コンデンサ素子、その製造方法および固体電解コンデンサ | |
JP4931730B2 (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
JP2001155965A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
JP2006210837A (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製造方法。 | |
JP3454733B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
JP3401447B2 (ja) | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
JPH10321474A (ja) | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20051227 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060418 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090310 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090508 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090825 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090918 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121002 Year of fee payment: 3 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 4383227 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121002 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121002 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131002 Year of fee payment: 4 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |