JP2973504B2 - チップ形固体電解コンデンサ - Google Patents
チップ形固体電解コンデンサInfo
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Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はチップ形固体電解コンデンサにおいて、特に
小形薄形化を可能にしたチップ形固体電解コンデンサの
外装構造に関する。
小形薄形化を可能にしたチップ形固体電解コンデンサの
外装構造に関する。
従来この種のチップ形固体電解コンデンサは、例えば
実公昭62−14673に開示されているよう第２図に示す如
く公知の技術により銀ペースト等の陰極導電体層を形成
した後陰極導電体層の一部が露出するように絶縁樹脂13
aにて外装し、この露出した陰極導電体層上および陽極
リード導出面にそれぞれ導電体層14a,14b、めつき層15
a,15b、はんだ層16a,16bなどよりなる陰極，陽極端子を
形成してなる樹脂外装チップ形固体電解コンデンサがあ
る、しかしながら上述した樹脂外装チップ形固体電解コ
ンデンサは、第４図に示す従来のモールド外装チップ形
固体電解コンデンサに較べると小形・薄形化が可能にな
るものの、絶縁樹脂外装の為樹脂厚を100ミクロン以下
にできない為、セラミックコンデンサに較べ体積効率が
良くないという欠点がある。絶縁樹脂による外装方法に
は、液状樹脂のディッピング法、粉体樹脂の静電塗装法
等がある。ディッピング法では樹脂の表面張力，重力に
よりコンデンサ素子に均一に樹脂を形成できず、静電塗
装法では比較的均一に粉体樹脂をコンデンサ素子に付着
できるが、塗布厚を100ミクロン以下にした場合、樹脂
表面が凹凸になる為これ以上の薄形化は困難である。又
100ミクロン以下にすると、機械的応力が加わった場合
樹脂割れが発生しやすくなる。
実公昭62−14673に開示されているよう第２図に示す如
く公知の技術により銀ペースト等の陰極導電体層を形成
した後陰極導電体層の一部が露出するように絶縁樹脂13
aにて外装し、この露出した陰極導電体層上および陽極
リード導出面にそれぞれ導電体層14a,14b、めつき層15
a,15b、はんだ層16a,16bなどよりなる陰極，陽極端子を
形成してなる樹脂外装チップ形固体電解コンデンサがあ
る、しかしながら上述した樹脂外装チップ形固体電解コ
ンデンサは、第４図に示す従来のモールド外装チップ形
固体電解コンデンサに較べると小形・薄形化が可能にな
るものの、絶縁樹脂外装の為樹脂厚を100ミクロン以下
にできない為、セラミックコンデンサに較べ体積効率が
良くないという欠点がある。絶縁樹脂による外装方法に
は、液状樹脂のディッピング法、粉体樹脂の静電塗装法
等がある。ディッピング法では樹脂の表面張力，重力に
よりコンデンサ素子に均一に樹脂を形成できず、静電塗
装法では比較的均一に粉体樹脂をコンデンサ素子に付着
できるが、塗布厚を100ミクロン以下にした場合、樹脂
表面が凹凸になる為これ以上の薄形化は困難である。又
100ミクロン以下にすると、機械的応力が加わった場合
樹脂割れが発生しやすくなる。
又、特開昭62−101015には第３図の如く、コンデンサ
素子を外装していないチップ形電解コンデンサが開示さ
れている。これは、セラミックコンデンサに劣らぬ体積
効率を有するが素子周面が絶縁されていないため、回路
パターンをショートする等の欠点がある。
素子を外装していないチップ形電解コンデンサが開示さ
れている。これは、セラミックコンデンサに劣らぬ体積
効率を有するが素子周面が絶縁されていないため、回路
パターンをショートする等の欠点がある。
本発明の目的は、従来の外装構造の欠点を除去し、信
頼性をおとすことなく、薄形化が達成できるチップ形固
体電解コンデンサを提供することにある。
頼性をおとすことなく、薄形化が達成できるチップ形固
体電解コンデンサを提供することにある。
本発明のチップ形固体電解コンデンサは、陽極リード
を有する弁作用金属からなる陽極体とその陽極体の表面
に順次形成された酸化皮膜層，電解質層，陰極導電体層
からなる素子と、陽極リード導出面の対向面の陰極導電
体層が露出するように素子周面に形成された絶縁層と、
陽極リード導出面及び露出した陰極導電体層上に形成さ
れた陽・陰極端子を有するチップ形固体電解コンデンサ
において、前述の絶縁層が金属酸化物からなることを特
徴として構成される。
を有する弁作用金属からなる陽極体とその陽極体の表面
に順次形成された酸化皮膜層，電解質層，陰極導電体層
からなる素子と、陽極リード導出面の対向面の陰極導電
体層が露出するように素子周面に形成された絶縁層と、
陽極リード導出面及び露出した陰極導電体層上に形成さ
れた陽・陰極端子を有するチップ形固体電解コンデンサ
において、前述の絶縁層が金属酸化物からなることを特
徴として構成される。
次に本発明について図面を参照して説明する。第１図
は本発明によるチップ形固体電解コンデンサの一実施例
の断面図である。弁作用を有する金属の１つであるタン
タル粉末が加圧成型され、真空焼結された陽極体１には
タンタル材の陽極リード２が導出され、陽極体１の外周
面には酸化皮膜層，二酸化マンガン層，グラファィト層
（いずれも図示省略）及びニッケルめっき層３が形成さ
れる。
は本発明によるチップ形固体電解コンデンサの一実施例
の断面図である。弁作用を有する金属の１つであるタン
タル粉末が加圧成型され、真空焼結された陽極体１には
タンタル材の陽極リード２が導出され、陽極体１の外周
面には酸化皮膜層，二酸化マンガン層，グラファィト層
（いずれも図示省略）及びニッケルめっき層３が形成さ
れる。
次に陽極リード導出面に絶縁樹脂層４が形成され、陽
極リード導出面の対向面を除くニッケルめっき層３の表
面に厚さ１ミクロンの酸化ニッケル層５が酸溶液に素子
を浸せきすることにより形成される。
極リード導出面の対向面を除くニッケルめっき層３の表
面に厚さ１ミクロンの酸化ニッケル層５が酸溶液に素子
を浸せきすることにより形成される。
更に露出したニッケル層上にはんだ層を形成して陰極
端子７が、絶縁樹脂層４上にニッケルめっき層，はんだ
層からなる陽極端子６が形成され、最後に陽極リード２
を切断してチップ形固体電解コンデンサが構成される。
すなわち本発明の金属酸化物は陰極導電体層の金属表面
を酸化して形成される。
端子７が、絶縁樹脂層４上にニッケルめっき層，はんだ
層からなる陽極端子６が形成され、最後に陽極リード２
を切断してチップ形固体電解コンデンサが構成される。
すなわち本発明の金属酸化物は陰極導電体層の金属表面
を酸化して形成される。
次に、この様な構成のチップ形タンタル固体電解コン
デンサの製造工程について説明する。
デンサの製造工程について説明する。
まず、加圧成型されたタンタル粉末が高温で真空焼結
され、タンタル材の陽極リード２が導出された陽極体１
は燐酸水溶液中で化成電圧100V印加により陽極酸化さ
れ、全外周面にタンタル酸化膜が形成され、次に硝酸マ
ンガン溶液中に浸せきされ硝酸マンガンの付着後250〜3
00℃の雰囲気中で熱分解され二酸化マンガン層が形成さ
れる。この浸せき及び熱分解は均一な二酸化マンガン層
を得るために複数回行なわれる。
され、タンタル材の陽極リード２が導出された陽極体１
は燐酸水溶液中で化成電圧100V印加により陽極酸化さ
れ、全外周面にタンタル酸化膜が形成され、次に硝酸マ
ンガン溶液中に浸せきされ硝酸マンガンの付着後250〜3
00℃の雰囲気中で熱分解され二酸化マンガン層が形成さ
れる。この浸せき及び熱分解は均一な二酸化マンガン層
を得るために複数回行なわれる。
次に水溶性高分子材の水溶液にグラファイト粉末を懸
濁したグラファイト溶液中に二酸化マンガン層が形成さ
れた陽極体１が浸せきされ、150〜200℃の雰囲気中で乾
燥されてグラファイト層が形成される。次にグラファイ
ト層上にパラジウム粉末からなるめっき触媒金属を付着
させた後無電解めっきの手法により無電解めっき層を形
成する。めっき液としては例えばジメチルアミノボラン
を還元剤とする無電解ニッケルめっき液を使用し、65℃
で40分のめっきが行なわれ約４〜５μｍのニッケルめっ
き層３が形成される。
濁したグラファイト溶液中に二酸化マンガン層が形成さ
れた陽極体１が浸せきされ、150〜200℃の雰囲気中で乾
燥されてグラファイト層が形成される。次にグラファイ
ト層上にパラジウム粉末からなるめっき触媒金属を付着
させた後無電解めっきの手法により無電解めっき層を形
成する。めっき液としては例えばジメチルアミノボラン
を還元剤とする無電解ニッケルめっき液を使用し、65℃
で40分のめっきが行なわれ約４〜５μｍのニッケルめっ
き層３が形成される。
次にめっき層が形成されていない陽極リード導出面に
ポリブタジェン樹脂を付着させて温度150℃の雰囲気中
で30分間熱硬化させポリブタジェン樹脂からなる絶縁樹
脂層４を形成する。
ポリブタジェン樹脂を付着させて温度150℃の雰囲気中
で30分間熱硬化させポリブタジェン樹脂からなる絶縁樹
脂層４を形成する。
次に陽極リード導出面の対向面にのみパラフィン樹脂
を形成した後酸溶液の中に素子全体を浸せきしニッケル
めっき層３の表面に厚さ約１ミクロンの酸化ニッケル層
NiO5が形成される。酸溶液としては例えば奥野製薬社製
商品名黒色ニコロンが用いられる。約５分間の浸せきで
約１ミクロンの黒色の酸化ニッケル層が得られる。得ら
れた酸化ニッケル層の抵抗率は３×109Ω・cmであっ
た。
を形成した後酸溶液の中に素子全体を浸せきしニッケル
めっき層３の表面に厚さ約１ミクロンの酸化ニッケル層
NiO5が形成される。酸溶液としては例えば奥野製薬社製
商品名黒色ニコロンが用いられる。約５分間の浸せきで
約１ミクロンの黒色の酸化ニッケル層が得られる。得ら
れた酸化ニッケル層の抵抗率は３×109Ω・cmであっ
た。
次に陽極リード導出面の対向面に形成されたパラフィ
ン樹脂を１・１・１トリクロロエタン溶液に浸せきして
除去し、ニッケルめっき層を露出させる。次に絶縁樹脂
層４上にパラジウム触媒を付与した後無電解めっきの手
法により厚さ４〜５ミクロンのニッケルめっき層を形成
する。次に温度200℃の溶融はんだ浴に浸せきして陽極
リード導出面の対向面の露出したニッケルめっき層上及
び絶縁樹脂層４上に形成されたニッケルめっき層上に厚
さ約20ミクロンのはんだ層が形成され、陽極端子６及び
陰極端子７が形成される。最後に陽極リード２をレーザ
ービームにて切断するとチップ形タンタル固体電解コン
デンサが得られる。
ン樹脂を１・１・１トリクロロエタン溶液に浸せきして
除去し、ニッケルめっき層を露出させる。次に絶縁樹脂
層４上にパラジウム触媒を付与した後無電解めっきの手
法により厚さ４〜５ミクロンのニッケルめっき層を形成
する。次に温度200℃の溶融はんだ浴に浸せきして陽極
リード導出面の対向面の露出したニッケルめっき層上及
び絶縁樹脂層４上に形成されたニッケルめっき層上に厚
さ約20ミクロンのはんだ層が形成され、陽極端子６及び
陰極端子７が形成される。最後に陽極リード２をレーザ
ービームにて切断するとチップ形タンタル固体電解コン
デンサが得られる。
この様にして得られた本発明の一実施例のチップ形タ
ンタル固体電解コンデンサの高さ寸法を測定した結果を
第１表に示す。なお単位はmmである。また、比較のため
実公照62−14673で開示された方法で作製したものも同
時に従来例として測定した。
ンタル固体電解コンデンサの高さ寸法を測定した結果を
第１表に示す。なお単位はmmである。また、比較のため
実公照62−14673で開示された方法で作製したものも同
時に従来例として測定した。
第１表からわかる様、本発明の実施例は従来例に較べ
約0.4mm、薄くすることができる。
約0.4mm、薄くすることができる。
次に本発明の第２の実施例として、陰極導電体層とし
て硫酸銅を主成分とする無電解銅めっき浴に70分間浸せ
きして厚さ３ミクロンの銅めっき層を形成し、第１の実
施例と同一液に同一時間浸せきしたところ厚さ約0.8ミ
クロンの酸化銅層が得られた。
て硫酸銅を主成分とする無電解銅めっき浴に70分間浸せ
きして厚さ３ミクロンの銅めっき層を形成し、第１の実
施例と同一液に同一時間浸せきしたところ厚さ約0.8ミ
クロンの酸化銅層が得られた。
この層の抵抗率は５×105Ω・cmであった。
以上説明したように本発明は陰極導電体層の表面に金
属酸化物層からなる絶縁層を形成するので、絶縁樹脂層
により外装していた従来品に較べ樹脂厚の分だけ薄形化
でき、しかも信頼性の優れた製品とすることができると
いう効果が得られる。
属酸化物層からなる絶縁層を形成するので、絶縁樹脂層
により外装していた従来品に較べ樹脂厚の分だけ薄形化
でき、しかも信頼性の優れた製品とすることができると
いう効果が得られる。
第１図は本発明の一実施例の縦断面図、第２図，第３図
及び第４図は何れも従来例の縦断面図である。 １……陽極体、２……陽極リード、３……ニッケルめっ
き層、４……絶縁樹脂層、５……酸化ニッケル層、６…
…陽極端子、７……陰極端子、11……陽極端子、12……
陰極端子、13a,13b,13c……絶縁樹脂層、14,14a,14b…
…導電体層、15,15a,15b……めっき層、16a,16b……は
んだ層、17……陰極端子、18……陽極端子。
及び第４図は何れも従来例の縦断面図である。 １……陽極体、２……陽極リード、３……ニッケルめっ
き層、４……絶縁樹脂層、５……酸化ニッケル層、６…
…陽極端子、７……陰極端子、11……陽極端子、12……
陰極端子、13a,13b,13c……絶縁樹脂層、14,14a,14b…
…導電体層、15,15a,15b……めっき層、16a,16b……は
んだ層、17……陰極端子、18……陽極端子。
Claims (2)
- 【請求項１】陽極リードを有する弁作用金属からなる陽
極体と該陽極体の表面に順次形成された酸化皮膜層，電
解質層，陰極導電体層からなる素子と、陽極リード導出
面の対向面の陰極導電体層が露出するように素子周面に
形成された絶縁層と、陽極リード導出面及び露出した陰
極導電体層上に形成された陽・陰極端子を有するチップ
形固体電解コンデンサにおいて、前記絶縁層が金属酸化
物からなることを特徴とするチップ形固体電解コンデン
サ。 - 【請求項２】金属酸化物が酸化ニッケル又は酸化銅であ
ることを特徴とする請求項１記載のチップ形固体電解コ
ンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2268940A JP2973504B2 (ja) | 1990-10-05 | 1990-10-05 | チップ形固体電解コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2268940A JP2973504B2 (ja) | 1990-10-05 | 1990-10-05 | チップ形固体電解コンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04144222A JPH04144222A (ja) | 1992-05-18 |
| JP2973504B2 true JP2973504B2 (ja) | 1999-11-08 |
Family
ID=17465397
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2268940A Expired - Lifetime JP2973504B2 (ja) | 1990-10-05 | 1990-10-05 | チップ形固体電解コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2973504B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7085127B2 (en) * | 2004-03-02 | 2006-08-01 | Vishay Sprague, Inc. | Surface mount chip capacitor |
| CN112490004B (zh) * | 2020-11-23 | 2022-08-19 | 中国振华(集团)新云电子元器件有限责任公司(国营第四三二六厂) | 电解电容器的制造方法 |
-
1990
- 1990-10-05 JP JP2268940A patent/JP2973504B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04144222A (ja) | 1992-05-18 |
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