JP2005026257A - 固体電解コンデンサおよびその製造方法 - Google Patents
固体電解コンデンサおよびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005026257A JP2005026257A JP2003186813A JP2003186813A JP2005026257A JP 2005026257 A JP2005026257 A JP 2005026257A JP 2003186813 A JP2003186813 A JP 2003186813A JP 2003186813 A JP2003186813 A JP 2003186813A JP 2005026257 A JP2005026257 A JP 2005026257A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- electrolytic capacitor
- solid electrolytic
- zinc
- exposed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 114
- 239000007787 solid Substances 0.000 title claims abstract description 82
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 18
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 98
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 49
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims abstract description 48
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims abstract description 45
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims abstract description 45
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 44
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 42
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 42
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 30
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 30
- 239000007784 solid electrolyte Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 14
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 12
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 9
- 150000002815 nickel Chemical class 0.000 claims description 7
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 6
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 4
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- HUQOFZLCQISTTJ-UHFFFAOYSA-N diethylaminoboron Chemical compound CCN([B])CC HUQOFZLCQISTTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- -1 boron hydroxide compound Chemical class 0.000 claims description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 2
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 abstract 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 140
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 17
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 7
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 238000001994 activation Methods 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 239000010407 anodic oxide Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
- 150000003751 zinc Chemical class 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/008—Terminals
- H01G9/012—Terminals specially adapted for solid capacitors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electric Double-Layer Capacitors Or The Like (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
【課題】半導体部品の高周波応答性に対応し、大容量で高信頼性に優れた固体電解コンデンサを提供することを目的とする。
【解決手段】アルミニウム層１の表面に多孔質層２を設けた弁金属多孔質箔の表面に誘電体被膜を形成し、この誘電体被膜上に固体電解質層３、この固体電解質層３の上に集電体層４を形成したコンデンサ素子の外周部の一端面に弁金属多孔質箔を表出させ、他端面にコンデンサ素子の集電体層４の一部を表出させた外装６を設け、この外装６の両端面に外部電極を設けた固体電解コンデンサにおいて、前記表出した弁金属多孔質箔の表出面に亜鉛層７を形成し、この亜鉛層７の上にニッケル層８を形成する。
【選択図】 図１
【解決手段】アルミニウム層１の表面に多孔質層２を設けた弁金属多孔質箔の表面に誘電体被膜を形成し、この誘電体被膜上に固体電解質層３、この固体電解質層３の上に集電体層４を形成したコンデンサ素子の外周部の一端面に弁金属多孔質箔を表出させ、他端面にコンデンサ素子の集電体層４の一部を表出させた外装６を設け、この外装６の両端面に外部電極を設けた固体電解コンデンサにおいて、前記表出した弁金属多孔質箔の表出面に亜鉛層７を形成し、この亜鉛層７の上にニッケル層８を形成する。
【選択図】 図１
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は各種電子機器に用いられる固体電解コンデンサおよびその製造方法に関するものであり、特に高周波特性、信頼性に優れた固体電解コンデンサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来の小型大容量の固体電解コンデンサは一方の端面に陽極棒が埋設された角柱状のコンデンサ素子を備えている。このコンデンサ素子は弁作用金属粉末（タンタル粉末）の焼結ペレットを核とし、この焼結ペレットに陽極酸化皮膜を形成し、二酸化マンガンなどの固体電解質層を形成し、その上にカーボン層および銀層からなる集電体層が順次形成されている。このコンデンサ素子に陽極端子板と陰極端子板を取り付け、陽極端子板および陰極端子板を含めてコンデンサ素子の周りに外装を形成した後、その外装の一部を除去して陽極端子板および陰極端子板の一部を露出させ、外装の両端面にはんだめっきを施して陽極端子板および陰極端子板の各一部に電気的に接続されるはんだめっきよりなる端子構造を形成した構造が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
また、単板のコンデンサ素子は表面に誘電体酸化被膜層を有する平板状の弁作用金属からなる陽極基体の端部を陽極部とし、この陽極部を除いた部分の前記誘電体酸化皮膜層上に固体電解質層、その上に集電体層が順次形成されて陰極部とし、陽極部と陰極部のそれぞれの端部にはリードフレームを溶接または導電性接着剤にて固定した後外装で被覆し、その外装の両端部にリードフレームの一部を露出させた後外装の両端面にはんだめっきを施して陽極端子板および陰極端子板の各一部に電気的に接続されるはんだめっきよりなる端子構造を形成した構造が提案されている。さらにまた、積層型の固体電解コンデンサは前記単板のコンデンサ素子を複数枚準備し、その陽極部を同一方向に揃えられて陽極側リードフレーム上に積層固着され、その陰極部を陽極部側から陰極部先端に向かって末広がり形状に陰極部側リードフレーム上に導電性接着層を形成して積層固着されて積層コンデンサ素子とし、この積層コンデンサ素子の周囲を外装樹脂で被覆封止して構成した積層型固体電解コンデンサが提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【０００４】
【特許文献１】
特開２０００−４９０４８号公報
【特許文献２】
特開２０００−６８１５８号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の固体電解コンデンサは陽極部に弁金属とは異なる電極材料を介して外部電極を構成することを前提としている。このような構成とすることから容量を形成するための容積が減少すること、弁金属の陽極部から外部電極までの距離が長くなることから高周波における重要な特性である低インピーダンス特性の観点からは不利である。高周波特性に優れた大容量の固体電解コンデンサを実現するためには弁金属と異なる電極材料を外部電極に用いないで、直接弁金属材料を外装の端部に露出させて陽極部の一部を端子として用いることにより大容量で低インピーダンスを有する固体電解コンデンサを実現することができる。
【０００６】
しかしながら、弁金属であるアルミニウムの表面には不働態膜と言われる極薄の酸化被膜が形成され、このアルミニウムを用いて前記固体電解コンデンサを作製した場合、その不働態膜が抵抗体となって作用したり、めっき膜とアルミニウムとの金属結合を強固に形成させることが困難であった。以上のような理由から密着力に優れ高周波特性に優れた外部電極を形成することは困難であった。
【０００７】
また、アルミニウムの金属表面上に存在する不働態膜は酸やアルカリ溶液等によって除去することは可能であるが、酸素が存在する環境下では容易に不働態膜が再生されることから、大気中または溶存酸素が存在する溶液中では現実的にこの不働態膜の除去が困難である。さらにアルミニウムの上にはんだ（鉛を含まないものを含む）付けすることも困難であった。
【０００８】
本発明は上記課題を解決し、高周波特性に優れた小型大容量の固体電解コンデンサおよびその製造方法を提供することを目的とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために本発明の請求項１に記載の発明は、弁金属多孔質箔の表面に誘電体被膜を形成し、この誘電体被膜上に固体電解質層、この固体電解質層上に集電体層を形成したコンデンサ素子の外周部の一端面に弁金属多孔質箔を表出させ、他端面にコンデンサ素子の集電体層の一部または陰極部を表出させた外装を設け、この外装の両端面に外部電極を設けた固体電解コンデンサにおいて、前記弁金属多孔質箔の表出面に亜鉛層を形成し、この亜鉛層の上にニッケル層を形成した固体電解コンデンサであり、低ＥＳＲ／ＥＳＬ特性を有した信頼性に優れた小型の固体電解コンデンサを提供できる。
【００１０】
本発明の請求項２に記載の発明は、弁金属多孔質箔の表面に誘電体被膜を形成し、この誘電体被膜上に固体電解質層、この固体電解質層上に集電体層を形成したコンデンサ素子を積層した後、外周部の一端面に積層した弁金属多孔質箔を表出させ、他端面にコンデンサ素子の集電体層の一部または陰極部を表出させた外装を設け、この外装の両端面に外部電極を設けた固体電解コンデンサにおいて、前記弁金属多孔質箔の表出面に亜鉛層を形成し、この亜鉛層の上にニッケル層を形成した固体電解コンデンサであり、低ＥＳＲ／ＥＳＬ特性を有した信頼性に優れた小型大容量の固体電解コンデンサを提供できる。
【００１１】
本発明の請求項３に記載の発明は、弁金属多孔質箔の厚みが２００μｍ以下である請求項１または２のいずれかに記載の固体電解コンデンサであり、接続信頼性に優れるとともに高周波特性に優れた固体電解コンデンサが提供できる。
【００１２】
本発明の請求項４に記載の発明は、弁金属多孔質箔のアルミニウム層：多孔質層の断面積比が１／２以下で規定される請求項１または２のいずれかに記載の固体電解コンデンサであり、請求項３の作用に加えてより大容量化できる固体電解コンデンサを提供できる。
【００１３】
本発明の請求項５に記載の発明は、外部電極に第２ニッケル層、錫層またははんだ層を形成した請求項１または２のいずれかに記載の固体電解コンデンサであり、実装性に優れたチップ型の固体電解コンデンサを実現できる。
【００１４】
本発明の請求項６に記載の発明は、外部電極の第２ニッケル層が圧縮応力を有する請求項５に記載の固体電解コンデンサであり、接合強度に優れた外部電極を有する高信頼性のチップ型の固体電解コンデンサを提供できる。
【００１５】
本発明の請求項７に記載の発明は、外部電極に第２ニッケル層、銅層、第３ニッケル層、錫層またははんだ層を形成した請求項１または２のいずれかに記載の固体電解コンデンサであり、高周波特性に優れたより高信頼性のチップ型の固体電解コンデンサを実現することができる。
【００１６】
本発明の請求項８に記載の発明は、弁金属多孔質箔の表面に誘電体被膜を形成し、この誘電体被膜上に固体電解質層、この固体電解質層上に集電体層を形成したコンデンサ素子の外周部の一端面に弁金属多孔質箔を表出させ、他端面にコンデンサ素子の集電体層の一部または陰極部を表出させた外装を形成し、この外装の両端面に外部電極を形成する固体電解コンデンサの製造方法において、少なくとも弁金属多孔質箔の表出面を亜鉛を含んだ水酸化ナトリウム溶液に浸漬してその表出面を亜鉛置換することにより亜鉛層を形成した後、ニッケル塩と水酸化ホウ素化合物を含む溶液に浸漬して亜鉛層の上にニッケル層を形成する工程を含む固体電解コンデンサの製造方法であり、高周波特性に優れた高信頼性の固体電解コンデンサの製造方法を提供できる。
【００１７】
本発明の請求項９に記載の発明は、弁金属多孔質箔の表面に誘電体被膜を形成し、この誘電体被膜上に固体電解質層、この固体電解質層上に集電体層を形成したコンデンサ素子を積層した後、外周部の一端面に積層した弁金属多孔質箔を表出させ、他端面にコンデンサ素子の集電体層の一部または陰極部を表出させた外装を形成し、この外装の両端面に外部電極を形成する固体電解コンデンサの製造方法において、少なくとも弁金属多孔質箔の表出面を亜鉛を含んだフッ化水素酸またはフッ化アンモニウム溶液に浸漬してその表出面を亜鉛置換することにより亜鉛層を形成した後、ニッケル塩と水素化ホウ素化合物を含む溶液に浸漬して亜鉛層の上にニッケル層を形成する工程を含む固体電解コンデンサの製造方法であり、高周波特性に優れた高信頼性の固体電解コンデンサの製造方法を提供できる。
【００１８】
本発明の請求項１０に記載の発明は、水素化ホウ素化合物にジエチルアミノボランを用いる請求項８または９のいずれかに記載の固体電解コンデンサの製造方法であり、高周波特性に優れた高信頼性の固体電解コンデンサの製造方法を提供できる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の固体電解コンデンサおよびその製造方法について実施の形態および図面を用いて説明する。
【００２０】
（実施の形態１）
本発明の実施の形態１および図１を用いて請求項１、３、４、５、６、８、９、１０に記載の発明について説明する。
【００２１】
図１は本発明の実施の形態１における固体電解コンデンサの断面図を示す。図１において、弁金属多孔質箔として表面に化学エッチングなどの方法で多孔質層２を形成したアルミニウム箔を用いている。この多孔質層２の表面に誘電体被膜（図示せず）を形成し、この誘電体被膜の上にポリピロール、ポリチオフェンなどの導電性高分子材料を用いて化学重合、電解重合などの方法により固体電解質層３を形成している。
【００２２】
この時、アルミニウム箔の一端部は陽極部として用いるために端面が表出するようになっており、このアルミニウム箔の一端面は多孔質層２の内部にアルミニウム層１を有したものとなっている。
【００２３】
次に、前記固体電解質層３の表面にカーボンおよび銀ペーストを用いて集電体層４を形成している。この集電体層４に接続するように導電性接着剤層９を介して銅箔５を陰極部として接合するとともにその一部が他端に表出するように構成している。図１では銅箔５を陰極部としているが直接集電体層４を表出させて陰極部としても良い。
【００２４】
次に、このコンデンサ素子をエポキシ樹脂、フェノール樹脂、エポキシ−シリコン樹脂などを用いて外装６としてモールド樹脂成形法により形成する。この外装６の両端には陽極となるアルミニウム箔（アルミニウム層１と多孔質層２の端面）と、陰極部となる銅箔５が表出するように物理的または化学的に研磨除去を行う。この研磨除去された陽極側の端面にはアルミニウム箔（多孔質層２とアルミニウム層１）の一端面が露出し、陰極部側の端面には銅箔５が露出している。
【００２５】
この時、陽極部と陰極部である固体電解質層３および集電体層４とが導通しないように境界部分に絶縁樹脂などを塗布することによって陽陰極分離を確実に行ってもよい。
【００２６】
この外装６の端面に露出した面を純水で洗浄後、酸などによるエッチング処理を行うことによりアルミニウム箔の露出面の不純物、汚れ等を除去した後、亜鉛を含んだ水酸化ナトリウム溶液に浸漬して陽極側端面のアルミニウム層１の表面と多孔質層２の表面に形成されている誘電体被膜の一部を亜鉛置換反応により亜鉛層７を形成する。この亜鉛層７は置換反応を起こすために図１に示すように表面に析出するだけでなくアルミニウム層１の内部まで拡散反応により侵入することとなり、強固な固着膜を形成できるとともに多孔質層２の誘電体被膜にも部分的に結晶欠陥を有する酸化アルミニウムとの亜鉛置換反応が起こり、誘電体被膜上にも亜鉛層７を形成することができることから陽極であるアルミニウム箔の端面全面と強固に固着した亜鉛層７を形成することができる。
【００２７】
次に、上記コンデンサ素子をニッケル塩と水素化ホウ素化合物を含む溶液に浸漬して亜鉛置換された亜鉛層７の表面にニッケル層８を形成した。
【００２８】
この置換反応を用いた亜鉛層７とニッケル層８による端面電極の構成によれば、弁金属多孔質箔であるアルミニウム箔の厚みが２００μｍ以下であってもアルミニウム箔の端面の全てを固着面とすることができることと置換反応による高い固着力と低い接合抵抗を得ることができることから高周波特性に優れた信頼性の高い固体電解コンデンサを実現することができる。これに対して、従来のニッケルめっきなどを用いて弁金属多孔質箔の端面にニッケル層８を形成した場合にはアルミニウム層１の表出面にしかニッケル層８を形成することができず。多孔質層２の割合が大きくなるに従って接続の信頼性が低下していた。
【００２９】
また、固体電解コンデンサの大容量を実現するためには多孔質層２の割合を極限まで高めることが効果的であるが、本発明の構成を用いることによりアルミニウム箔のアルミニウム層１と多孔質層２の厚み比率が１：２以下であっても固着力の低下は殆ど起こらない固体電解コンデンサとすることができる。
【００３０】
また、亜鉛を含んだ水酸化ナトリウム溶液の代わりに亜鉛を含んだフッ化水素酸またはフッ化アンモニウム溶液を用いても同様の作用を有することを確認している。
【００３１】
また、ニッケル塩と水素化ホウ素化合物を含む溶液として、ニッケル塩とジエチルアミノボランを含む溶液を用いても同様の作用を有することを確認している。
【００３２】
また、この亜鉛層７の厚みは置換反応であることから反応が終了すると亜鉛層７の形成が止まるがより好ましくは２μｍ以下である。
【００３３】
次に、通常の無電解めっき法によりパラジウム活性化処理の後、第２ニッケル層１０を外装６の両端面に形成し、その後錫層１３を形成することにより実装性に優れたチップ型の固体電解コンデンサを完成することができる。このとき、ニッケル層１０の厚みを１〜３μｍの膜厚にすることがより好ましい。また前記錫層１３ははんだ濡れ性を高めるための層であり、はんだ層を用いても同じ効果を得ることができる。しかしながら環境保護対策の観点から錫層１３とすることが好ましい。
【００３４】
以上説明してきたように、このような構成の固体電解コンデンサとすることにより従来の固体電解コンデンサよりも引き出し電極の長さを最短にできることから低インピーダンス性能を実現するとともに、多孔質層２の体積占有率を大きく設計することができることから大容量化を容易に実現でき、小型大容量で信頼性に優れた低インピーダンスのチップ型の固体電解コンデンサおよびその製造方法を実現することができる。
【００３５】
この固体電解コンデンサを評価するために（表１）に示す形状のアルミニウム箔を用いて各種固体電解コンデンサを作製した後、これらの固体電解コンデンサの静電容量とＥＳＲ値の測定を行った。また−４０℃〜１０５℃まで変化させるヒートサイクル試験（１００サイクル）を行い、ＥＳＲ特性の変化を求めた。
【００３６】
また比較例として、外装６の両端面に直接ニッケル層８を形成し、その上に錫層１３を形成した試料の特性評価も行った。その評価結果を（表１）に示す。
【００３７】
【表１】
【００３８】
（表１）に示したように、本発明の固体電解コンデンサは低ＥＳＲ特性を有した固体電解コンデンサを実現している。またアルミニウム層１：多孔質層２の断面積比が１／２以下においてよりその効果を発揮することができる。さらにアルミニウム箔の膜厚が２００μｍ以下においても接合強度に優れた固体電解コンデンサを実現している。
【００３９】
（実施の形態２）
本発明の実施の形態２および図２を用いて請求項２に記載の発明について説明する。
【００４０】
図２は本発明の実施の形態２における固体電解コンデンサの断面図を示す。図２において、実施の形態１と異なるところは実施の形態１で説明した単板構造のコンデンサ素子をたとえば導電性接着剤９を用いてコンデンサ素子の陰極部側を接合することにより多層構造の積層固体電解コンデンサを形成した後樹脂モールドなどによって外装６で被覆されていることである。またそれぞれのコンデンサ素子の陽極側には実施の形態１で説明したものと同じように弁金属多孔質箔の端面に亜鉛層７を形成した後ニッケル層８を形成している。この亜鉛層７とニッケル層８は選択的に形成することができる。
【００４１】
また、必要に応じて銅箔５を導電性接着剤９の中間に挿入し、その端部を陰極部として外装６の端面に表出するように構成している。この銅箔５は各層毎に挿入すると最も低ＥＳＲ特性を実現することができる。
【００４２】
その後、無電解めっき法によりパラジウム溶液に浸漬して触媒作用を有するパラジウムを吸着させ、リンを含有するニッケルめっき液中に浸漬することにより、両端面の電極部に６重量パーセントのリンを含有する膜厚５μｍの第２ニッケル層１０を形成した。この第２ニッケル層１０の上に錫層１３を形成することにより実装性に優れたチップ型の積層固体電解コンデンサを完成することができる。
【００４３】
以上説明してきたように、このような構成とすることにより従来の固体電解コンデンサよりも引き出し電極の長さを最短にできることから低インピーダンス性能を実現するとともに、多孔質層２の体積占有率を大きく設計したコンデンサ素子を積層構造とすることができるので小型大容量で信頼性に優れたチップ型の積層固体電解コンデンサを容易に実現することができる。
【００４４】
各種形状のチップ型の積層固体電解コンデンサを試作し、その静電容量とＥＳＲ値の測定を行った。また−４０℃〜１０５℃まで変化させるヒートサイクル試験（１００サイクル）を行い、静電容量とＥＳＲ値の測定を行った。その結果を（表２）に示す。また比較例として従来のニッケル／錫層からなる電極構造を有する固体電解コンデンサを比較例６として評価した。
【００４５】
【表２】
【００４６】
（表２）に結果を示したように、単板のコンデンサ素子を複数積層することによって、高容量、低ＥＳＲ特性を有した高信頼性のチップ型の積層固体電解コンデンサを実現することができる。
【００４７】
（実施の形態３）
本発明の実施の形態３を用いて請求項６に記載の発明について説明する。
【００４８】
実施の形態２で用いたリン（Ｐ）を含有するニッケルめっき液に添加剤を入れて、析出する第２ニッケル層１０のめっき膜の特性に圧縮応力を持ったものと引張り応力を持ったものとを作製し、外部電極に形成される引張り強度を測定した。ここで、圧縮応力を持ったものとは外装１０の表面に第２ニッケル層１０を形成したとき、外装１０の面方向に反るような状態を圧縮応力とし、第２ニッケル層１０の面方向に反る状態を引張り応力とする。そして、このような状態は第２ニッケル層のめっき膜中のＰ濃度を制御することによって実現することができる。
【００４９】
検討の結果、Ｐ濃度が高いと引張り応力を示し、Ｐ濃度が低いと圧縮応力を示すことが分かった。このようにして第２ニッケル層１０を形成することにより、圧縮応力を持った第２ニッケル層１０のめっき膜の接合強度は２ｋｇ／ｍｍ２に対して、引張り応力を持っためっき膜は１ｋｇ／ｍｍ２であった。このことから、第２ニッケル層１０の膜質を圧縮応力にすることによって外部電極の接合強度を高めることが可能になり、実装性に優れたチップ型の固体電解コンデンサを実現することができる。
【００５０】
さらに、信頼性の高い圧縮応力を持たせるためにはＰ濃度は６〜８％の範囲が最適であった。
【００５１】
（実施の形態４）
本発明の実施の形態４および図３を用いて請求項７に記載の発明について説明する。
【００５２】
図３は本発明の実施の形態４におけるチップ型の積層固体電解コンデンサの断面図を示す。図３に示すように、実施の形態２で作製した積層固体電解コンデンサを電解銅めっき液に浸漬して、電解銅めっきにより銅層１１を第２ニッケル層１０の上に膜厚５μｍ以上で形成し、次に電解ニッケルめっき液に浸漬して、電解ニッケルめっきにより第３ニッケル層１２を形成し、最後に電解錫めっき液に浸漬して電解錫めっきにより錫層１３を３μｍ以上の膜厚に形成した。本実施の形態４における外部電極は下層から順に第２ニッケル層１０、銅層１１、第３ニッケル層１２と錫層１３から構成していることを特徴としている。
【００５３】
特に、銅層１１の膜厚を５μｍ以上としたのはこの膜厚において欠陥の無い銅層１１を形成することができるためであり、このような銅層１１とすることにより高性能な外部電極を形成することができる。
【００５４】
以上のように構成されたチップ型の積層固体電解コンデンサの外部電極にプローブをあて、静電容量とＥＳＲ値の測定を行った。また−４０℃〜１０５℃まで変化させるヒートサイクル試験（１００サイクル）と８５℃−８５％ＲＨの雰囲気下に７２時間の暴露試験を行い、その時のＥＳＲ値の変化を測定した。その結果を（表３）に示す。また比較例として従来のニッケル／錫層からなる電極構造を有する固体電解コンデンサを比較例７として評価した。
【００５５】
【表３】
【００５６】
（表３）に結果を示したように、本実施の形態の外部電極構成とすることにより低ＥＳＲ化と各種信頼性試験においても優れた耐久性を有するチップ型の固体電解コンデンサとすることができる。
【００５７】
【発明の効果】
以上説明してきたように、本発明は弁金属多孔質箔の陽極端面である多孔質層の表出面とアルミニウム層の表出面に亜鉛層とニッケル層を形成することにより固体電解コンデンサの外部電極を形成することによって低インピーダンス特性で高信頼性を有した大容量のチップ型の固体電解コンデンサおよびその製造方法を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１における固体電解コンデンサの断面図
【図２】本発明の実施の形態２における固体電解コンデンサの断面図
【図３】本発明の実施の形態４における固体電解コンデンサの断面図
【符号の説明】
１ アルミニウム層
２ 多孔質層
３ 固体電解質層
４ 集電体層
５ 銅箔
６ 外装
７ 亜鉛層
８ ニッケル層
９ 導電性接着剤層
１０ 第２ニッケル層
１１ 銅層
１２ 第３ニッケル層
１３ 錫層
【発明の属する技術分野】
本発明は各種電子機器に用いられる固体電解コンデンサおよびその製造方法に関するものであり、特に高周波特性、信頼性に優れた固体電解コンデンサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来の小型大容量の固体電解コンデンサは一方の端面に陽極棒が埋設された角柱状のコンデンサ素子を備えている。このコンデンサ素子は弁作用金属粉末（タンタル粉末）の焼結ペレットを核とし、この焼結ペレットに陽極酸化皮膜を形成し、二酸化マンガンなどの固体電解質層を形成し、その上にカーボン層および銀層からなる集電体層が順次形成されている。このコンデンサ素子に陽極端子板と陰極端子板を取り付け、陽極端子板および陰極端子板を含めてコンデンサ素子の周りに外装を形成した後、その外装の一部を除去して陽極端子板および陰極端子板の一部を露出させ、外装の両端面にはんだめっきを施して陽極端子板および陰極端子板の各一部に電気的に接続されるはんだめっきよりなる端子構造を形成した構造が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
また、単板のコンデンサ素子は表面に誘電体酸化被膜層を有する平板状の弁作用金属からなる陽極基体の端部を陽極部とし、この陽極部を除いた部分の前記誘電体酸化皮膜層上に固体電解質層、その上に集電体層が順次形成されて陰極部とし、陽極部と陰極部のそれぞれの端部にはリードフレームを溶接または導電性接着剤にて固定した後外装で被覆し、その外装の両端部にリードフレームの一部を露出させた後外装の両端面にはんだめっきを施して陽極端子板および陰極端子板の各一部に電気的に接続されるはんだめっきよりなる端子構造を形成した構造が提案されている。さらにまた、積層型の固体電解コンデンサは前記単板のコンデンサ素子を複数枚準備し、その陽極部を同一方向に揃えられて陽極側リードフレーム上に積層固着され、その陰極部を陽極部側から陰極部先端に向かって末広がり形状に陰極部側リードフレーム上に導電性接着層を形成して積層固着されて積層コンデンサ素子とし、この積層コンデンサ素子の周囲を外装樹脂で被覆封止して構成した積層型固体電解コンデンサが提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【０００４】
【特許文献１】
特開２０００−４９０４８号公報
【特許文献２】
特開２０００−６８１５８号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の固体電解コンデンサは陽極部に弁金属とは異なる電極材料を介して外部電極を構成することを前提としている。このような構成とすることから容量を形成するための容積が減少すること、弁金属の陽極部から外部電極までの距離が長くなることから高周波における重要な特性である低インピーダンス特性の観点からは不利である。高周波特性に優れた大容量の固体電解コンデンサを実現するためには弁金属と異なる電極材料を外部電極に用いないで、直接弁金属材料を外装の端部に露出させて陽極部の一部を端子として用いることにより大容量で低インピーダンスを有する固体電解コンデンサを実現することができる。
【０００６】
しかしながら、弁金属であるアルミニウムの表面には不働態膜と言われる極薄の酸化被膜が形成され、このアルミニウムを用いて前記固体電解コンデンサを作製した場合、その不働態膜が抵抗体となって作用したり、めっき膜とアルミニウムとの金属結合を強固に形成させることが困難であった。以上のような理由から密着力に優れ高周波特性に優れた外部電極を形成することは困難であった。
【０００７】
また、アルミニウムの金属表面上に存在する不働態膜は酸やアルカリ溶液等によって除去することは可能であるが、酸素が存在する環境下では容易に不働態膜が再生されることから、大気中または溶存酸素が存在する溶液中では現実的にこの不働態膜の除去が困難である。さらにアルミニウムの上にはんだ（鉛を含まないものを含む）付けすることも困難であった。
【０００８】
本発明は上記課題を解決し、高周波特性に優れた小型大容量の固体電解コンデンサおよびその製造方法を提供することを目的とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために本発明の請求項１に記載の発明は、弁金属多孔質箔の表面に誘電体被膜を形成し、この誘電体被膜上に固体電解質層、この固体電解質層上に集電体層を形成したコンデンサ素子の外周部の一端面に弁金属多孔質箔を表出させ、他端面にコンデンサ素子の集電体層の一部または陰極部を表出させた外装を設け、この外装の両端面に外部電極を設けた固体電解コンデンサにおいて、前記弁金属多孔質箔の表出面に亜鉛層を形成し、この亜鉛層の上にニッケル層を形成した固体電解コンデンサであり、低ＥＳＲ／ＥＳＬ特性を有した信頼性に優れた小型の固体電解コンデンサを提供できる。
【００１０】
本発明の請求項２に記載の発明は、弁金属多孔質箔の表面に誘電体被膜を形成し、この誘電体被膜上に固体電解質層、この固体電解質層上に集電体層を形成したコンデンサ素子を積層した後、外周部の一端面に積層した弁金属多孔質箔を表出させ、他端面にコンデンサ素子の集電体層の一部または陰極部を表出させた外装を設け、この外装の両端面に外部電極を設けた固体電解コンデンサにおいて、前記弁金属多孔質箔の表出面に亜鉛層を形成し、この亜鉛層の上にニッケル層を形成した固体電解コンデンサであり、低ＥＳＲ／ＥＳＬ特性を有した信頼性に優れた小型大容量の固体電解コンデンサを提供できる。
【００１１】
本発明の請求項３に記載の発明は、弁金属多孔質箔の厚みが２００μｍ以下である請求項１または２のいずれかに記載の固体電解コンデンサであり、接続信頼性に優れるとともに高周波特性に優れた固体電解コンデンサが提供できる。
【００１２】
本発明の請求項４に記載の発明は、弁金属多孔質箔のアルミニウム層：多孔質層の断面積比が１／２以下で規定される請求項１または２のいずれかに記載の固体電解コンデンサであり、請求項３の作用に加えてより大容量化できる固体電解コンデンサを提供できる。
【００１３】
本発明の請求項５に記載の発明は、外部電極に第２ニッケル層、錫層またははんだ層を形成した請求項１または２のいずれかに記載の固体電解コンデンサであり、実装性に優れたチップ型の固体電解コンデンサを実現できる。
【００１４】
本発明の請求項６に記載の発明は、外部電極の第２ニッケル層が圧縮応力を有する請求項５に記載の固体電解コンデンサであり、接合強度に優れた外部電極を有する高信頼性のチップ型の固体電解コンデンサを提供できる。
【００１５】
本発明の請求項７に記載の発明は、外部電極に第２ニッケル層、銅層、第３ニッケル層、錫層またははんだ層を形成した請求項１または２のいずれかに記載の固体電解コンデンサであり、高周波特性に優れたより高信頼性のチップ型の固体電解コンデンサを実現することができる。
【００１６】
本発明の請求項８に記載の発明は、弁金属多孔質箔の表面に誘電体被膜を形成し、この誘電体被膜上に固体電解質層、この固体電解質層上に集電体層を形成したコンデンサ素子の外周部の一端面に弁金属多孔質箔を表出させ、他端面にコンデンサ素子の集電体層の一部または陰極部を表出させた外装を形成し、この外装の両端面に外部電極を形成する固体電解コンデンサの製造方法において、少なくとも弁金属多孔質箔の表出面を亜鉛を含んだ水酸化ナトリウム溶液に浸漬してその表出面を亜鉛置換することにより亜鉛層を形成した後、ニッケル塩と水酸化ホウ素化合物を含む溶液に浸漬して亜鉛層の上にニッケル層を形成する工程を含む固体電解コンデンサの製造方法であり、高周波特性に優れた高信頼性の固体電解コンデンサの製造方法を提供できる。
【００１７】
本発明の請求項９に記載の発明は、弁金属多孔質箔の表面に誘電体被膜を形成し、この誘電体被膜上に固体電解質層、この固体電解質層上に集電体層を形成したコンデンサ素子を積層した後、外周部の一端面に積層した弁金属多孔質箔を表出させ、他端面にコンデンサ素子の集電体層の一部または陰極部を表出させた外装を形成し、この外装の両端面に外部電極を形成する固体電解コンデンサの製造方法において、少なくとも弁金属多孔質箔の表出面を亜鉛を含んだフッ化水素酸またはフッ化アンモニウム溶液に浸漬してその表出面を亜鉛置換することにより亜鉛層を形成した後、ニッケル塩と水素化ホウ素化合物を含む溶液に浸漬して亜鉛層の上にニッケル層を形成する工程を含む固体電解コンデンサの製造方法であり、高周波特性に優れた高信頼性の固体電解コンデンサの製造方法を提供できる。
【００１８】
本発明の請求項１０に記載の発明は、水素化ホウ素化合物にジエチルアミノボランを用いる請求項８または９のいずれかに記載の固体電解コンデンサの製造方法であり、高周波特性に優れた高信頼性の固体電解コンデンサの製造方法を提供できる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の固体電解コンデンサおよびその製造方法について実施の形態および図面を用いて説明する。
【００２０】
（実施の形態１）
本発明の実施の形態１および図１を用いて請求項１、３、４、５、６、８、９、１０に記載の発明について説明する。
【００２１】
図１は本発明の実施の形態１における固体電解コンデンサの断面図を示す。図１において、弁金属多孔質箔として表面に化学エッチングなどの方法で多孔質層２を形成したアルミニウム箔を用いている。この多孔質層２の表面に誘電体被膜（図示せず）を形成し、この誘電体被膜の上にポリピロール、ポリチオフェンなどの導電性高分子材料を用いて化学重合、電解重合などの方法により固体電解質層３を形成している。
【００２２】
この時、アルミニウム箔の一端部は陽極部として用いるために端面が表出するようになっており、このアルミニウム箔の一端面は多孔質層２の内部にアルミニウム層１を有したものとなっている。
【００２３】
次に、前記固体電解質層３の表面にカーボンおよび銀ペーストを用いて集電体層４を形成している。この集電体層４に接続するように導電性接着剤層９を介して銅箔５を陰極部として接合するとともにその一部が他端に表出するように構成している。図１では銅箔５を陰極部としているが直接集電体層４を表出させて陰極部としても良い。
【００２４】
次に、このコンデンサ素子をエポキシ樹脂、フェノール樹脂、エポキシ−シリコン樹脂などを用いて外装６としてモールド樹脂成形法により形成する。この外装６の両端には陽極となるアルミニウム箔（アルミニウム層１と多孔質層２の端面）と、陰極部となる銅箔５が表出するように物理的または化学的に研磨除去を行う。この研磨除去された陽極側の端面にはアルミニウム箔（多孔質層２とアルミニウム層１）の一端面が露出し、陰極部側の端面には銅箔５が露出している。
【００２５】
この時、陽極部と陰極部である固体電解質層３および集電体層４とが導通しないように境界部分に絶縁樹脂などを塗布することによって陽陰極分離を確実に行ってもよい。
【００２６】
この外装６の端面に露出した面を純水で洗浄後、酸などによるエッチング処理を行うことによりアルミニウム箔の露出面の不純物、汚れ等を除去した後、亜鉛を含んだ水酸化ナトリウム溶液に浸漬して陽極側端面のアルミニウム層１の表面と多孔質層２の表面に形成されている誘電体被膜の一部を亜鉛置換反応により亜鉛層７を形成する。この亜鉛層７は置換反応を起こすために図１に示すように表面に析出するだけでなくアルミニウム層１の内部まで拡散反応により侵入することとなり、強固な固着膜を形成できるとともに多孔質層２の誘電体被膜にも部分的に結晶欠陥を有する酸化アルミニウムとの亜鉛置換反応が起こり、誘電体被膜上にも亜鉛層７を形成することができることから陽極であるアルミニウム箔の端面全面と強固に固着した亜鉛層７を形成することができる。
【００２７】
次に、上記コンデンサ素子をニッケル塩と水素化ホウ素化合物を含む溶液に浸漬して亜鉛置換された亜鉛層７の表面にニッケル層８を形成した。
【００２８】
この置換反応を用いた亜鉛層７とニッケル層８による端面電極の構成によれば、弁金属多孔質箔であるアルミニウム箔の厚みが２００μｍ以下であってもアルミニウム箔の端面の全てを固着面とすることができることと置換反応による高い固着力と低い接合抵抗を得ることができることから高周波特性に優れた信頼性の高い固体電解コンデンサを実現することができる。これに対して、従来のニッケルめっきなどを用いて弁金属多孔質箔の端面にニッケル層８を形成した場合にはアルミニウム層１の表出面にしかニッケル層８を形成することができず。多孔質層２の割合が大きくなるに従って接続の信頼性が低下していた。
【００２９】
また、固体電解コンデンサの大容量を実現するためには多孔質層２の割合を極限まで高めることが効果的であるが、本発明の構成を用いることによりアルミニウム箔のアルミニウム層１と多孔質層２の厚み比率が１：２以下であっても固着力の低下は殆ど起こらない固体電解コンデンサとすることができる。
【００３０】
また、亜鉛を含んだ水酸化ナトリウム溶液の代わりに亜鉛を含んだフッ化水素酸またはフッ化アンモニウム溶液を用いても同様の作用を有することを確認している。
【００３１】
また、ニッケル塩と水素化ホウ素化合物を含む溶液として、ニッケル塩とジエチルアミノボランを含む溶液を用いても同様の作用を有することを確認している。
【００３２】
また、この亜鉛層７の厚みは置換反応であることから反応が終了すると亜鉛層７の形成が止まるがより好ましくは２μｍ以下である。
【００３３】
次に、通常の無電解めっき法によりパラジウム活性化処理の後、第２ニッケル層１０を外装６の両端面に形成し、その後錫層１３を形成することにより実装性に優れたチップ型の固体電解コンデンサを完成することができる。このとき、ニッケル層１０の厚みを１〜３μｍの膜厚にすることがより好ましい。また前記錫層１３ははんだ濡れ性を高めるための層であり、はんだ層を用いても同じ効果を得ることができる。しかしながら環境保護対策の観点から錫層１３とすることが好ましい。
【００３４】
以上説明してきたように、このような構成の固体電解コンデンサとすることにより従来の固体電解コンデンサよりも引き出し電極の長さを最短にできることから低インピーダンス性能を実現するとともに、多孔質層２の体積占有率を大きく設計することができることから大容量化を容易に実現でき、小型大容量で信頼性に優れた低インピーダンスのチップ型の固体電解コンデンサおよびその製造方法を実現することができる。
【００３５】
この固体電解コンデンサを評価するために（表１）に示す形状のアルミニウム箔を用いて各種固体電解コンデンサを作製した後、これらの固体電解コンデンサの静電容量とＥＳＲ値の測定を行った。また−４０℃〜１０５℃まで変化させるヒートサイクル試験（１００サイクル）を行い、ＥＳＲ特性の変化を求めた。
【００３６】
また比較例として、外装６の両端面に直接ニッケル層８を形成し、その上に錫層１３を形成した試料の特性評価も行った。その評価結果を（表１）に示す。
【００３７】
【表１】
（表１）に示したように、本発明の固体電解コンデンサは低ＥＳＲ特性を有した固体電解コンデンサを実現している。またアルミニウム層１：多孔質層２の断面積比が１／２以下においてよりその効果を発揮することができる。さらにアルミニウム箔の膜厚が２００μｍ以下においても接合強度に優れた固体電解コンデンサを実現している。
【００３９】
（実施の形態２）
本発明の実施の形態２および図２を用いて請求項２に記載の発明について説明する。
【００４０】
図２は本発明の実施の形態２における固体電解コンデンサの断面図を示す。図２において、実施の形態１と異なるところは実施の形態１で説明した単板構造のコンデンサ素子をたとえば導電性接着剤９を用いてコンデンサ素子の陰極部側を接合することにより多層構造の積層固体電解コンデンサを形成した後樹脂モールドなどによって外装６で被覆されていることである。またそれぞれのコンデンサ素子の陽極側には実施の形態１で説明したものと同じように弁金属多孔質箔の端面に亜鉛層７を形成した後ニッケル層８を形成している。この亜鉛層７とニッケル層８は選択的に形成することができる。
【００４１】
また、必要に応じて銅箔５を導電性接着剤９の中間に挿入し、その端部を陰極部として外装６の端面に表出するように構成している。この銅箔５は各層毎に挿入すると最も低ＥＳＲ特性を実現することができる。
【００４２】
その後、無電解めっき法によりパラジウム溶液に浸漬して触媒作用を有するパラジウムを吸着させ、リンを含有するニッケルめっき液中に浸漬することにより、両端面の電極部に６重量パーセントのリンを含有する膜厚５μｍの第２ニッケル層１０を形成した。この第２ニッケル層１０の上に錫層１３を形成することにより実装性に優れたチップ型の積層固体電解コンデンサを完成することができる。
【００４３】
以上説明してきたように、このような構成とすることにより従来の固体電解コンデンサよりも引き出し電極の長さを最短にできることから低インピーダンス性能を実現するとともに、多孔質層２の体積占有率を大きく設計したコンデンサ素子を積層構造とすることができるので小型大容量で信頼性に優れたチップ型の積層固体電解コンデンサを容易に実現することができる。
【００４４】
各種形状のチップ型の積層固体電解コンデンサを試作し、その静電容量とＥＳＲ値の測定を行った。また−４０℃〜１０５℃まで変化させるヒートサイクル試験（１００サイクル）を行い、静電容量とＥＳＲ値の測定を行った。その結果を（表２）に示す。また比較例として従来のニッケル／錫層からなる電極構造を有する固体電解コンデンサを比較例６として評価した。
【００４５】
【表２】
（表２）に結果を示したように、単板のコンデンサ素子を複数積層することによって、高容量、低ＥＳＲ特性を有した高信頼性のチップ型の積層固体電解コンデンサを実現することができる。
【００４７】
（実施の形態３）
本発明の実施の形態３を用いて請求項６に記載の発明について説明する。
【００４８】
実施の形態２で用いたリン（Ｐ）を含有するニッケルめっき液に添加剤を入れて、析出する第２ニッケル層１０のめっき膜の特性に圧縮応力を持ったものと引張り応力を持ったものとを作製し、外部電極に形成される引張り強度を測定した。ここで、圧縮応力を持ったものとは外装１０の表面に第２ニッケル層１０を形成したとき、外装１０の面方向に反るような状態を圧縮応力とし、第２ニッケル層１０の面方向に反る状態を引張り応力とする。そして、このような状態は第２ニッケル層のめっき膜中のＰ濃度を制御することによって実現することができる。
【００４９】
検討の結果、Ｐ濃度が高いと引張り応力を示し、Ｐ濃度が低いと圧縮応力を示すことが分かった。このようにして第２ニッケル層１０を形成することにより、圧縮応力を持った第２ニッケル層１０のめっき膜の接合強度は２ｋｇ／ｍｍ２に対して、引張り応力を持っためっき膜は１ｋｇ／ｍｍ２であった。このことから、第２ニッケル層１０の膜質を圧縮応力にすることによって外部電極の接合強度を高めることが可能になり、実装性に優れたチップ型の固体電解コンデンサを実現することができる。
【００５０】
さらに、信頼性の高い圧縮応力を持たせるためにはＰ濃度は６〜８％の範囲が最適であった。
【００５１】
（実施の形態４）
本発明の実施の形態４および図３を用いて請求項７に記載の発明について説明する。
【００５２】
図３は本発明の実施の形態４におけるチップ型の積層固体電解コンデンサの断面図を示す。図３に示すように、実施の形態２で作製した積層固体電解コンデンサを電解銅めっき液に浸漬して、電解銅めっきにより銅層１１を第２ニッケル層１０の上に膜厚５μｍ以上で形成し、次に電解ニッケルめっき液に浸漬して、電解ニッケルめっきにより第３ニッケル層１２を形成し、最後に電解錫めっき液に浸漬して電解錫めっきにより錫層１３を３μｍ以上の膜厚に形成した。本実施の形態４における外部電極は下層から順に第２ニッケル層１０、銅層１１、第３ニッケル層１２と錫層１３から構成していることを特徴としている。
【００５３】
特に、銅層１１の膜厚を５μｍ以上としたのはこの膜厚において欠陥の無い銅層１１を形成することができるためであり、このような銅層１１とすることにより高性能な外部電極を形成することができる。
【００５４】
以上のように構成されたチップ型の積層固体電解コンデンサの外部電極にプローブをあて、静電容量とＥＳＲ値の測定を行った。また−４０℃〜１０５℃まで変化させるヒートサイクル試験（１００サイクル）と８５℃−８５％ＲＨの雰囲気下に７２時間の暴露試験を行い、その時のＥＳＲ値の変化を測定した。その結果を（表３）に示す。また比較例として従来のニッケル／錫層からなる電極構造を有する固体電解コンデンサを比較例７として評価した。
【００５５】
【表３】
（表３）に結果を示したように、本実施の形態の外部電極構成とすることにより低ＥＳＲ化と各種信頼性試験においても優れた耐久性を有するチップ型の固体電解コンデンサとすることができる。
【００５７】
【発明の効果】
以上説明してきたように、本発明は弁金属多孔質箔の陽極端面である多孔質層の表出面とアルミニウム層の表出面に亜鉛層とニッケル層を形成することにより固体電解コンデンサの外部電極を形成することによって低インピーダンス特性で高信頼性を有した大容量のチップ型の固体電解コンデンサおよびその製造方法を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１における固体電解コンデンサの断面図
【図２】本発明の実施の形態２における固体電解コンデンサの断面図
【図３】本発明の実施の形態４における固体電解コンデンサの断面図
【符号の説明】
１ アルミニウム層
２ 多孔質層
３ 固体電解質層
４ 集電体層
５ 銅箔
６ 外装
７ 亜鉛層
８ ニッケル層
９ 導電性接着剤層
１０ 第２ニッケル層
１１ 銅層
１２ 第３ニッケル層
１３ 錫層
Claims (10)
- 弁金属多孔質箔の表面に誘電体被膜を形成し、この誘電体被膜上に固体電解質層、この固体電解質層上に集電体層を形成したコンデンサ素子の外周部の一端面に弁金属多孔質箔を表出させ、他端面にコンデンサ素子の集電体層の一部または陰極部を表出させた外装を設け、この外装の両端面に外部電極を設けた固体電解コンデンサにおいて、前記弁金属多孔質箔の表出面に亜鉛層を形成し、この亜鉛層の上にニッケル層を形成した固体電解コンデンサ。
- 弁金属多孔質箔の表面に誘電体被膜を形成し、この誘電体被膜上に固体電解質層、この固体電解質層上に集電体層を形成したコンデンサ素子を積層した後、外周部の一端面に積層した弁金属多孔質箔を表出させ、他端面にコンデンサ素子の集電体層の一部または陰極部を表出させた外装を設け、この外装の両端面に外部電極を設けた固体電解コンデンサにおいて、前記弁金属多孔質箔の表出面に亜鉛層を形成し、この亜鉛層の上にニッケル層を形成した固体電解コンデンサ。
- 弁金属多孔質箔の厚みが２００μｍ以下である請求項１または２のいずれかに記載の固体電解コンデンサ。
- 弁金属多孔質箔のアルミニウム層：多孔質層の断面積比が１／２以下で規定される請求項１または２のいずれかに記載の固体電解コンデンサ。
- 外部電極に第２ニッケル層、錫層またははんだ層を形成した請求項１または２のいずれかに記載の固体電解コンデンサ。
- 外部電極の第２ニッケル層が圧縮応力を有する請求項５に記載の固体電解コンデンサ。
- 外部電極に第２ニッケル層、銅層、第３ニッケル層、錫層またははんだ層を形成した請求項１または２のいずれかに記載の固体電解コンデンサ。
- 弁金属多孔質箔の表面に誘電体被膜を形成し、この誘電体被膜上に固体電解質層、この固体電解質層上に集電体層を形成したコンデンサ素子の外周部の一端面に弁金属多孔質箔を表出させ、他端面にコンデンサ素子の集電体層の一部または陰極部を表出させた外装を形成し、この外装の両端面に外部電極を形成する固体電解コンデンサの製造方法において、少なくとも弁金属多孔質箔の表出面を亜鉛を含んだ水酸化ナトリウム溶液に浸漬してその表出面を亜鉛置換することにより亜鉛層を形成した後、ニッケル塩と水酸化ホウ素化合物を含む溶液に浸漬して亜鉛層の上にニッケル層を形成する工程を含む固体電解コンデンサの製造方法。
- 弁金属多孔質箔の表面に誘電体被膜を形成し、この誘電体被膜上に固体電解質層、この固体電解質層上に集電体層を形成したコンデンサ素子を積層した後、外周部の一端面に積層した弁金属多孔質箔を表出させ、他端面にコンデンサ素子の集電体層の一部または陰極部を表出させた外装を形成し、この外装の両端面に外部電極を形成する固体電解コンデンサの製造方法において、少なくとも弁金属多孔質箔の表出面を亜鉛を含んだフッ化水素酸またはフッ化アンモニウム溶液に浸漬してその表出面を亜鉛置換することにより亜鉛層を形成した後、ニッケル塩と水素化ホウ素化合物を含む溶液に浸漬して亜鉛層の上にニッケル層を形成する工程を含む固体電解コンデンサの製造方法。
- 水素化ホウ素化合物にジエチルアミノボランを用いる請求項８または９のいずれかに記載の固体電解コンデンサの製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003186813A JP4439848B2 (ja) | 2003-06-30 | 2003-06-30 | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
| US10/877,423 US6909596B2 (en) | 2003-06-30 | 2004-06-25 | Solid electrolytic capacitor and method of manufacturing the same |
| CNB2004100632667A CN100466124C (zh) | 2003-06-30 | 2004-06-30 | 固体电解电容器及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003186813A JP4439848B2 (ja) | 2003-06-30 | 2003-06-30 | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2005026257A true JP2005026257A (ja) | 2005-01-27 |
| JP4439848B2 JP4439848B2 (ja) | 2010-03-24 |
Family
ID=33535455
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003186813A Expired - Lifetime JP4439848B2 (ja) | 2003-06-30 | 2003-06-30 | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6909596B2 (ja) |
| JP (1) | JP4439848B2 (ja) |
| CN (1) | CN100466124C (ja) |
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009028183A1 (ja) * | 2007-08-29 | 2009-03-05 | Panasonic Corporation | 固体電解コンデンサ |
| JP2009076872A (ja) * | 2007-08-29 | 2009-04-09 | Panasonic Corp | チップ形固体電解コンデンサ |
| KR100975919B1 (ko) * | 2008-05-06 | 2010-08-13 | 삼성전기주식회사 | 탄탈 콘덴서의 외부전극 형성 방법 |
| JP2013515381A (ja) * | 2009-12-22 | 2013-05-02 | ケメット エレクトロニクス コーポレーション | 固体電界キャパシタ及びその製造方法 |
| JPWO2014188833A1 (ja) * | 2013-05-19 | 2017-02-23 | 株式会社村田製作所 | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
| JP2018198298A (ja) * | 2016-06-15 | 2018-12-13 | 株式会社村田製作所 | 固体電解コンデンサ |
| JP2018198297A (ja) * | 2016-06-15 | 2018-12-13 | 株式会社村田製作所 | 固体電解コンデンサ |
| US10176929B2 (en) | 2015-11-18 | 2019-01-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Solid electrolytic capacitor |
| KR20190044535A (ko) | 2017-10-20 | 2019-04-30 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 고체 전해 콘덴서의 제조 방법 및 고체 전해 콘덴서 |
| JP2020102651A (ja) * | 2020-03-24 | 2020-07-02 | 株式会社村田製作所 | 固体電解コンデンサ |
| JP2020155695A (ja) * | 2019-03-22 | 2020-09-24 | 株式会社村田製作所 | 固体電解コンデンサ |
| JP2020167196A (ja) * | 2019-03-28 | 2020-10-08 | 株式会社村田製作所 | 固体電解コンデンサ、及び、固体電解コンデンサの製造方法 |
| JP2020178098A (ja) * | 2019-04-22 | 2020-10-29 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
| US10903017B2 (en) | 2016-06-15 | 2021-01-26 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Solid electrolytic capacitor |
| JPWO2021125045A1 (ja) * | 2019-12-18 | 2021-06-24 | ||
| WO2023190050A1 (ja) * | 2022-03-29 | 2023-10-05 | 株式会社村田製作所 | 固体電解コンデンサ |
| WO2024029458A1 (ja) * | 2022-08-02 | 2024-02-08 | 株式会社村田製作所 | 固体電解コンデンサ |
| JP7435433B2 (ja) | 2020-12-16 | 2024-02-21 | 株式会社村田製作所 | 固体電解コンデンサ素子の製造方法、及び、固体電解コンデンサの製造方法 |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7522404B2 (en) * | 2004-03-09 | 2009-04-21 | Showa Denko K.K. | Solid electrolytic capacitor and the use thereof |
| JP4177322B2 (ja) * | 2004-11-30 | 2008-11-05 | ローム株式会社 | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
| TW200701280A (en) * | 2005-05-17 | 2007-01-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Solid electrolytic capacitor |
| JPWO2007013456A1 (ja) * | 2005-07-26 | 2009-02-05 | 昭和電工株式会社 | 固体電解コンデンサ素子及びそれを用いた固体電解コンデンサ |
| US8414962B2 (en) | 2005-10-28 | 2013-04-09 | The Penn State Research Foundation | Microcontact printed thin film capacitors |
| US20070128508A1 (en) * | 2005-11-23 | 2007-06-07 | Fang J C | Battery structure |
| WO2007069670A1 (ja) * | 2005-12-15 | 2007-06-21 | Showa Denko K. K. | コンデンサチップ及びその製造方法 |
| JP4662368B2 (ja) * | 2006-06-22 | 2011-03-30 | Ｎｅｃトーキン株式会社 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
| JP4999083B2 (ja) * | 2007-06-05 | 2012-08-15 | Ｎｅｃトーキン株式会社 | 固体電解コンデンサ |
| JP2009049373A (ja) * | 2007-07-25 | 2009-03-05 | Panasonic Corp | 固体電解コンデンサ |
| JP2011238738A (ja) * | 2010-05-10 | 2011-11-24 | Sanyo Electric Co Ltd | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
| CN107527741B (zh) | 2016-06-15 | 2019-12-13 | 株式会社村田制作所 | 固体电解电容器 |
| CN111149182B (zh) * | 2017-09-28 | 2022-07-29 | 松下知识产权经营株式会社 | 电解电容器及其制造方法 |
| JP7203323B2 (ja) * | 2018-12-12 | 2023-01-13 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
| US11545985B2 (en) * | 2018-12-14 | 2023-01-03 | Silicon Laboratories Inc. | Apparatus for digitally controlled oscillators and associated methods |
| CN111834123A (zh) * | 2019-04-15 | 2020-10-27 | 钰冠科技股份有限公司 | 堆叠型电容器组件结构 |
| CN114600208A (zh) * | 2019-10-31 | 2022-06-07 | 松下知识产权经营株式会社 | 电解电容器 |
| TWI695395B (zh) * | 2019-12-04 | 2020-06-01 | 鈺邦科技股份有限公司 | 電容器組件結構及其製作方法 |
| TWI702620B (zh) * | 2020-04-15 | 2020-08-21 | 鈺邦科技股份有限公司 | 電容器組件封裝結構及其製作方法 |
| TWI845164B (zh) * | 2023-02-15 | 2024-06-11 | 陽昇應用材料股份有限公司 | 電解電容用覆碳陰極箔製法、該陰極箔及該電解電容 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69513128T2 (de) * | 1994-11-25 | 2000-06-15 | Nec Corp., Tokio/Tokyo | Festelektrolytkondensator mit zwei Elektrolytschichten und Herstellungsverfahren |
| JP3519315B2 (ja) | 1998-06-11 | 2004-04-12 | 昭和電工株式会社 | 単板コンデンサ素子及び積層型固体電解コンデンサ |
| WO1999065044A1 (fr) * | 1998-06-11 | 1999-12-16 | Showa Denko K.K. | Element de condensateur en feuille et condensateur electrolytique solide stratifie |
| JP2000049048A (ja) | 1998-07-31 | 2000-02-18 | Elna Co Ltd | チップ型固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
| TW516054B (en) * | 2000-05-26 | 2003-01-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Solid electrolytic capacitor |
| US6563693B2 (en) * | 2001-07-02 | 2003-05-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Solid electrolytic capacitor |
-
2003
- 2003-06-30 JP JP2003186813A patent/JP4439848B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-06-25 US US10/877,423 patent/US6909596B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2004-06-30 CN CNB2004100632667A patent/CN100466124C/zh not_active Expired - Lifetime
Cited By (36)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009028183A1 (ja) * | 2007-08-29 | 2009-03-05 | Panasonic Corporation | 固体電解コンデンサ |
| JP2009076872A (ja) * | 2007-08-29 | 2009-04-09 | Panasonic Corp | チップ形固体電解コンデンサ |
| US8064192B2 (en) | 2007-08-29 | 2011-11-22 | Panasonic Corporation | Solid electrolytic capacitor |
| KR100975919B1 (ko) * | 2008-05-06 | 2010-08-13 | 삼성전기주식회사 | 탄탈 콘덴서의 외부전극 형성 방법 |
| JP2013515381A (ja) * | 2009-12-22 | 2013-05-02 | ケメット エレクトロニクス コーポレーション | 固体電界キャパシタ及びその製造方法 |
| US9053866B2 (en) | 2009-12-22 | 2015-06-09 | Kemet Electronics Corporation | Solid electrolytic capacitor and method of manufacture |
| JPWO2014188833A1 (ja) * | 2013-05-19 | 2017-02-23 | 株式会社村田製作所 | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
| US9978531B2 (en) | 2013-05-19 | 2018-05-22 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Solid electrolytic capacitor and method for manufacturing same |
| US10176929B2 (en) | 2015-11-18 | 2019-01-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Solid electrolytic capacitor |
| JP2018198298A (ja) * | 2016-06-15 | 2018-12-13 | 株式会社村田製作所 | 固体電解コンデンサ |
| JP2018198297A (ja) * | 2016-06-15 | 2018-12-13 | 株式会社村田製作所 | 固体電解コンデンサ |
| US10903017B2 (en) | 2016-06-15 | 2021-01-26 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Solid electrolytic capacitor |
| US10879011B2 (en) | 2017-10-20 | 2020-12-29 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for producing solid electrolytic capacitor, and solid electrolytic capacitor |
| US11437198B2 (en) | 2017-10-20 | 2022-09-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for producing solid electrolytic capacitor, and solid electrolytic capacitor |
| JP2019079866A (ja) * | 2017-10-20 | 2019-05-23 | 株式会社村田製作所 | 固体電解コンデンサの製造方法、及び、固体電解コンデンサ |
| KR20190044535A (ko) | 2017-10-20 | 2019-04-30 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 고체 전해 콘덴서의 제조 방법 및 고체 전해 콘덴서 |
| KR102242756B1 (ko) * | 2017-10-20 | 2021-04-22 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 고체 전해 콘덴서의 제조 방법 및 고체 전해 콘덴서 |
| KR20210044752A (ko) | 2017-10-20 | 2021-04-23 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 고체 전해 콘덴서의 제조 방법 및 고체 전해 콘덴서 |
| CN113012942A (zh) * | 2017-10-20 | 2021-06-22 | 株式会社村田制作所 | 固体电解电容器 |
| KR102387047B1 (ko) * | 2017-10-20 | 2022-04-15 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 고체 전해 콘덴서의 제조 방법 및 고체 전해 콘덴서 |
| US11232912B2 (en) | 2019-03-22 | 2022-01-25 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Solid electrolytic capacitor |
| JP2020155695A (ja) * | 2019-03-22 | 2020-09-24 | 株式会社村田製作所 | 固体電解コンデンサ |
| CN111724994A (zh) * | 2019-03-22 | 2020-09-29 | 株式会社村田制作所 | 固体电解电容器 |
| JP7067512B2 (ja) | 2019-03-22 | 2022-05-16 | 株式会社村田製作所 | 固体電解コンデンサ |
| JP7063301B2 (ja) | 2019-03-28 | 2022-05-09 | 株式会社村田製作所 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
| JP2020167196A (ja) * | 2019-03-28 | 2020-10-08 | 株式会社村田製作所 | 固体電解コンデンサ、及び、固体電解コンデンサの製造方法 |
| JP2020178098A (ja) * | 2019-04-22 | 2020-10-29 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
| JP7320742B2 (ja) | 2019-04-22 | 2023-08-04 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 固体電解コンデンサ |
| WO2021125045A1 (ja) * | 2019-12-18 | 2021-06-24 | 株式会社村田製作所 | 固体電解コンデンサ |
| JPWO2021125045A1 (ja) * | 2019-12-18 | 2021-06-24 | ||
| US11972907B2 (en) | 2019-12-18 | 2024-04-30 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Solid electrolytic capacitor |
| JP7020504B2 (ja) | 2020-03-24 | 2022-02-16 | 株式会社村田製作所 | 固体電解コンデンサ |
| JP2020102651A (ja) * | 2020-03-24 | 2020-07-02 | 株式会社村田製作所 | 固体電解コンデンサ |
| JP7435433B2 (ja) | 2020-12-16 | 2024-02-21 | 株式会社村田製作所 | 固体電解コンデンサ素子の製造方法、及び、固体電解コンデンサの製造方法 |
| WO2023190050A1 (ja) * | 2022-03-29 | 2023-10-05 | 株式会社村田製作所 | 固体電解コンデンサ |
| WO2024029458A1 (ja) * | 2022-08-02 | 2024-02-08 | 株式会社村田製作所 | 固体電解コンデンサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1577662A (zh) | 2005-02-09 |
| US20040264111A1 (en) | 2004-12-30 |
| CN100466124C (zh) | 2009-03-04 |
| US6909596B2 (en) | 2005-06-21 |
| JP4439848B2 (ja) | 2010-03-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4439848B2 (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
| JP4440911B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| KR100984535B1 (ko) | 고체 전해 콘덴서 및 그 제조 방법 | |
| US20060256506A1 (en) | Solid electrolyte capacitor and process for producing same | |
| US20060018084A1 (en) | Solid electrolytic capacitor, stacked capacitor using the same, and fabrication method thereof | |
| US20090237865A1 (en) | Solid electrolytic capacitor and method for manufacturing same | |
| US10629383B2 (en) | Solid electrolytic capacitor | |
| JP5015218B2 (ja) | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
| EP1215691A1 (en) | Solid electrolytic capacitor and method of manufacture thereof | |
| US6791822B2 (en) | Solid electrolytic capacitor | |
| JP4911611B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| US8587927B2 (en) | Solid electrolytic condensers and methods for preparing the same | |
| JP4953090B2 (ja) | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
| JP2005045007A (ja) | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
| JP2004063543A (ja) | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
| JP2007317813A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JP2004281716A (ja) | チップ状固体電解コンデンサ | |
| JP2020053588A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JP4337423B2 (ja) | 回路モジュール | |
| JP3168584B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JP3932191B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JP2012084626A (ja) | 電解コンデンサの製造方法および電解コンデンサ | |
| JP3453999B2 (ja) | チップ状固体電解コンデンサ | |
| JPH09266136A (ja) | チップ状固体電解コンデンサ | |
| JP3433490B2 (ja) | チップ状固体電解コンデンサ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060605 |
|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20060712 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20081224 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090303 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090430 |
|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20091119 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20091208 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100106 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130115 Year of fee payment: 3 |
|
| R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 4439848 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130115 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130115 Year of fee payment: 3 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |