JPS6037562B2 - 厚膜導体の形成方法 - Google Patents
厚膜導体の形成方法Info
- Publication number
- JPS6037562B2 JPS6037562B2 JP52126898A JP12689877A JPS6037562B2 JP S6037562 B2 JPS6037562 B2 JP S6037562B2 JP 52126898 A JP52126898 A JP 52126898A JP 12689877 A JP12689877 A JP 12689877A JP S6037562 B2 JPS6037562 B2 JP S6037562B2
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- Japan
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- conductor
- film
- glass
- thick film
- film conductor
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明はチップ抵抗の電極やハイブリッドＩＣの配線
パターンなどの各種電子部品の配電体として活用される
厚膜導体の形成方法に関する。
パターンなどの各種電子部品の配電体として活用される
厚膜導体の形成方法に関する。
〔従来技術〕周知のようにこの種厚膜導体はＡｇ、Ａｕ
のような貴金属粉末を主成分とし、これにガラス粉末を
添加混合して有機樹脂バィンダ溶液に分散させ導体ペー
ストを基板上に印刷し、これを焼成して形成される。
のような貴金属粉末を主成分とし、これにガラス粉末を
添加混合して有機樹脂バィンダ溶液に分散させ導体ペー
ストを基板上に印刷し、これを焼成して形成される。
ガラス粉末としては、ホゥケィ酸鈴ガラス又はこれに酸
化ビスマス（Ｂｉ２０３）を加えたものが一般に使用さ
れている。このように形成された厚膜導体には回路基板
への実装あるいは該厚膜導体への部品の装着のため、リ
フローまたは半田槽への浸債などの方法で半田付けが施
されるのが普通である。しかし導体ペーストの主成分で
ある貴金属は半田への溶解が大きいので、その溶解量を
みこして多量の貴金属を含有させてペーストを作らなけ
ればならない不便があった。これを回避する手段として
、焼成された導体膜の表面を半田に溶出しにくい金属、
即ちＮｉ、Ｃｕなどで被覆することが、例えば特公昭４
６−２１５２８号公報に示されている。そして更にその
表面を酸化しにくく、且つ半田付けの容易な金属、Ｓｎ
、ＰｂあるいはＳｎ−Ｐｂ合金などで被覆するようにし
たものが本発明者によって発明された。これによれば半
田付けに際しても貴金属の溶出、所謂半田〈われが阻止
されることになって極めて都合がよい。なお、これら金
属被覆には膜厚の制御や処理時間の点で優れた電解メッ
キ法が利用される。〔発明が解決しようとする問題点〕 ところが、このような金属を被覆したものにおいては、
焼成された導体膜を基板との接着力が極めて弱いことが
改めて確認された。
化ビスマス（Ｂｉ２０３）を加えたものが一般に使用さ
れている。このように形成された厚膜導体には回路基板
への実装あるいは該厚膜導体への部品の装着のため、リ
フローまたは半田槽への浸債などの方法で半田付けが施
されるのが普通である。しかし導体ペーストの主成分で
ある貴金属は半田への溶解が大きいので、その溶解量を
みこして多量の貴金属を含有させてペーストを作らなけ
ればならない不便があった。これを回避する手段として
、焼成された導体膜の表面を半田に溶出しにくい金属、
即ちＮｉ、Ｃｕなどで被覆することが、例えば特公昭４
６−２１５２８号公報に示されている。そして更にその
表面を酸化しにくく、且つ半田付けの容易な金属、Ｓｎ
、ＰｂあるいはＳｎ−Ｐｂ合金などで被覆するようにし
たものが本発明者によって発明された。これによれば半
田付けに際しても貴金属の溶出、所謂半田〈われが阻止
されることになって極めて都合がよい。なお、これら金
属被覆には膜厚の制御や処理時間の点で優れた電解メッ
キ法が利用される。〔発明が解決しようとする問題点〕 ところが、このような金属を被覆したものにおいては、
焼成された導体膜を基板との接着力が極めて弱いことが
改めて確認された。
その原因について種々実験を行なって次のような事実を
確認した。それは導体膜を被覆するには、導体膜表面を
酸処理して酸化膜を除去し、つぎに電解メッキ法により
Ｎｉ等の金属を被覆するのであるが、このような酸処理
、電解処理を施すとき、ホウケィ酸鉛ガラス中の酸化第
１鉛（Ｐの）がこれらの処理の際、酸化されて酸化第２
鉛（Ｐｂ０２）となり酸化第１鉛が抜け出てしまうため
、ガラス質の機械的強度か弱くなって基板との密着強度
が低下するのである。〔問題点を解決するための手段〕 本発明では、貴金属の半田くわれがない厚膜導体を以下
のようにして形成した。
確認した。それは導体膜を被覆するには、導体膜表面を
酸処理して酸化膜を除去し、つぎに電解メッキ法により
Ｎｉ等の金属を被覆するのであるが、このような酸処理
、電解処理を施すとき、ホウケィ酸鉛ガラス中の酸化第
１鉛（Ｐの）がこれらの処理の際、酸化されて酸化第２
鉛（Ｐｂ０２）となり酸化第１鉛が抜け出てしまうため
、ガラス質の機械的強度か弱くなって基板との密着強度
が低下するのである。〔問題点を解決するための手段〕 本発明では、貴金属の半田くわれがない厚膜導体を以下
のようにして形成した。
先ず、基板上に貴金属成分を主体とし、これに鉛を含有
しないガラス質成分をバィンダ成分として添加した導体
ペーストを印刷塗布後、焼成して導体膜を形成する。
しないガラス質成分をバィンダ成分として添加した導体
ペーストを印刷塗布後、焼成して導体膜を形成する。
続いて酸処理の後、電解メッキを行なって導体膜表面上
をＮｉ等の金属層で覆つた。ここで貴金属成分としては
従来から広く利用されている。
をＮｉ等の金属層で覆つた。ここで貴金属成分としては
従来から広く利用されている。
Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ或いはこれらを混合したものが
任意に利用でき、６５〜７０％（重量比。以下同じ。）
の範囲内で用いる。ガラス質成分としてはＺｎ○一馬０
３−Ｓｉ○系ガラス（以下単に亜鉛ガラスという。）粉
末が好適で、この添加量は１〜１０％が適当であり、１
％未満ではバィンド能力に不足を生ずるし、１０％をこ
えて添加すると貴金属成分分が少なくなって導添電性に
問題が生ずる。この池Ｂｉ２０３を３〜４％、有機樹脂
バィンダを２０〜２１％程度が添加される。なおこの種
導電ペーストでは、アルカリ金属を一切使用しないこと
は周知のとおりである。〔作用〕 上述の組成からなる導体ペースト基板に塗布して焼成す
るとき、有機バィンダは燃焼し、ほとんど純粋な貴金属
膜が生成し、これがガラス質によって基板に密着するこ
とは、従来のホウケィ酸鉛ガラスを用いた場合と特別異
るところはない。
任意に利用でき、６５〜７０％（重量比。以下同じ。）
の範囲内で用いる。ガラス質成分としてはＺｎ○一馬０
３−Ｓｉ○系ガラス（以下単に亜鉛ガラスという。）粉
末が好適で、この添加量は１〜１０％が適当であり、１
％未満ではバィンド能力に不足を生ずるし、１０％をこ
えて添加すると貴金属成分分が少なくなって導添電性に
問題が生ずる。この池Ｂｉ２０３を３〜４％、有機樹脂
バィンダを２０〜２１％程度が添加される。なおこの種
導電ペーストでは、アルカリ金属を一切使用しないこと
は周知のとおりである。〔作用〕 上述の組成からなる導体ペースト基板に塗布して焼成す
るとき、有機バィンダは燃焼し、ほとんど純粋な貴金属
膜が生成し、これがガラス質によって基板に密着するこ
とは、従来のホウケィ酸鉛ガラスを用いた場合と特別異
るところはない。
しかし前記導体べ−ストの導体膜の表面の酸化膜を酸処
理で取り除き、電解メッキのためこの導体膜に通電して
も、ここに用いるガラス質は鉛を含有していないので、
ホウケイ酸鉛ガラスを用いた場合のように、酸化第１鉛
（Ｐｂ○）が酸化第２鉛（ＰＯ０２）となって抜け出る
ことがなく、基板との密着は何ら劣化することがない。
すなわちその密着強度は、ホウケィ酸鉛ガラスを用いた
ペーストによる導体膜に酸処理、電解処理を何ら施さな
いものと、ほとんど同程度の密着強度が得られるように
なる。〔実施例〕 実施例 １ Ａｇ７３．９％、亜鉛ガラス２％、Ｂｉ２０３３．４％
、エチルセルローズ２０．７％の組成からなる導体ペー
ストをセラミック基板（１．５×０．５側）にスクリー
ーン印刷で塗布（厚み１０一）して焼成し、これを硫酸
裕中に１分間浸債（酸処理）してから、ワット裕中に６
０分入れてＮｉメッキ（電解処理）し、更にアルカーノ
スルホン酸浴中に２０分入れて半田メッキを行なってこ
こにリード線を半田付けした。
理で取り除き、電解メッキのためこの導体膜に通電して
も、ここに用いるガラス質は鉛を含有していないので、
ホウケイ酸鉛ガラスを用いた場合のように、酸化第１鉛
（Ｐｂ○）が酸化第２鉛（ＰＯ０２）となって抜け出る
ことがなく、基板との密着は何ら劣化することがない。
すなわちその密着強度は、ホウケィ酸鉛ガラスを用いた
ペーストによる導体膜に酸処理、電解処理を何ら施さな
いものと、ほとんど同程度の密着強度が得られるように
なる。〔実施例〕 実施例 １ Ａｇ７３．９％、亜鉛ガラス２％、Ｂｉ２０３３．４％
、エチルセルローズ２０．７％の組成からなる導体ペー
ストをセラミック基板（１．５×０．５側）にスクリー
ーン印刷で塗布（厚み１０一）して焼成し、これを硫酸
裕中に１分間浸債（酸処理）してから、ワット裕中に６
０分入れてＮｉメッキ（電解処理）し、更にアルカーノ
スルホン酸浴中に２０分入れて半田メッキを行なってこ
こにリード線を半田付けした。
このリード線を導体が基板から剥離するまで引張ったと
ころ、その引張力は２．０ｋ９であった。実施例 ２Ａ
ｇ６９．０％、亜鉛ガラス６．９％、Ｂｊ２０３３．４
％、エチルセルローズ２０．７％の組成からなる導体ペ
ーストを用いて実施例１と同じ試験を行なったところ、
その引張力は２．３ｋ９であった。
ころ、その引張力は２．０ｋ９であった。実施例 ２Ａ
ｇ６９．０％、亜鉛ガラス６．９％、Ｂｊ２０３３．４
％、エチルセルローズ２０．７％の組成からなる導体ペ
ーストを用いて実施例１と同じ試験を行なったところ、
その引張力は２．３ｋ９であった。
実施例 ３
Ａ節９．０％、亜鉛ガラス８．０％、Ｂｉ２０３３．０
％、エチルセルローズ２０．０％の組成からなる導体ペ
ーストを用いて実施例１と同じ試験を行なったところ、
その引張力は２．５ｋ９であった。
％、エチルセルローズ２０．０％の組成からなる導体ペ
ーストを用いて実施例１と同じ試験を行なったところ、
その引張力は２．５ｋ９であった。
ちなみにホウケィ酸鉛ガラス（添加量８．０％）を用い
た導体ペーストによって生成した導体についての引張力
は２．５ｋ９であったが、これに実施例１と同じ酸処理
を施した結果は引張力は０．６ｋ９に激減した。
た導体ペーストによって生成した導体についての引張力
は２．５ｋ９であったが、これに実施例１と同じ酸処理
を施した結果は引張力は０．６ｋ９に激減した。
これらの結果から、この発明によって導体を形成すると
電気的、化学的処理を施しても基板に対する密着強度が
充分維持さらることが理解できる。〔発明の効果〕 以上のようにこの発明によれば、貴金属の半田〈われを
防いだ厚膜導体を基板に対する密着強度を低下させるこ
となく成形できる。
電気的、化学的処理を施しても基板に対する密着強度が
充分維持さらることが理解できる。〔発明の効果〕 以上のようにこの発明によれば、貴金属の半田〈われを
防いだ厚膜導体を基板に対する密着強度を低下させるこ
となく成形できる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ バインダ成分として鉛を含有しないガラス質を添加
した、貴金属成分を主体とする導体ペーストを印刷焼成
して導体膜を形成し、酸処理の後、電解メツキにより前
記導体膜表面上を金属層で覆うことを特徴とする厚膜導
体の形成方法。 ２ ガラス質がＺｎＯ−Ｂ＿２Ｏ＿３−ＳｉＯ＿２系ガ
ラスである特許請求の範囲第１項記載の厚膜導体の形成
方法。 ３ 金属層がＮｉ層である特許請求の範囲第１項又は第
２項記載の厚膜導体の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52126898A JPS6037562B2 (ja) | 1977-10-21 | 1977-10-21 | 厚膜導体の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52126898A JPS6037562B2 (ja) | 1977-10-21 | 1977-10-21 | 厚膜導体の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5460497A JPS5460497A (en) | 1979-05-15 |
| JPS6037562B2 true JPS6037562B2 (ja) | 1985-08-27 |
Family
ID=14946598
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP52126898A Expired JPS6037562B2 (ja) | 1977-10-21 | 1977-10-21 | 厚膜導体の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6037562B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5652805A (en) * | 1979-10-03 | 1981-05-12 | Tanaka Massey Kk | Conductive composition |
| JPS5811565A (ja) * | 1981-07-14 | 1983-01-22 | Murata Mfg Co Ltd | 導電塗料 |
-
1977
- 1977-10-21 JP JP52126898A patent/JPS6037562B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5460497A (en) | 1979-05-15 |
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