JPH0564235B2 - - Google Patents
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- JPH0564235B2 JPH0564235B2 JP17761086A JP17761086A JPH0564235B2 JP H0564235 B2 JPH0564235 B2 JP H0564235B2 JP 17761086 A JP17761086 A JP 17761086A JP 17761086 A JP17761086 A JP 17761086A JP H0564235 B2 JPH0564235 B2 JP H0564235B2
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- plating
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/24—Reinforcing the conductive pattern
- H05K3/244—Finish plating of conductors, especially of copper conductors, e.g. for pads or lands
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
- C23C18/06—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
- C23C18/08—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of metallic material
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、メツキ浴を用いない簡便な貴金属メ
ツキ方法に関するものである。
ツキ方法に関するものである。
プリント回路基板の端子部や電子部品の端子部
などには腐食防止のため金メツキが施されてい
る。従来、このような電子回路部材の導体（通常
は銅または銅合金）に金メツキを施す場合には、
被メツキ部分を金メツキ浴に浸漬することにより
行つている。
などには腐食防止のため金メツキが施されてい
る。従来、このような電子回路部材の導体（通常
は銅または銅合金）に金メツキを施す場合には、
被メツキ部分を金メツキ浴に浸漬することにより
行つている。
しかし上記のようにメツキ浴を使用する方法で
は、メツキ浴の成分がメツキ回数に応じて変化し
ていくため、メツキ浴の管理が面倒であると共
に、一回の浸漬では充分なメツキが得られないた
め工程が多くなる等の問題がある。
は、メツキ浴の成分がメツキ回数に応じて変化し
ていくため、メツキ浴の管理が面倒であると共
に、一回の浸漬では充分なメツキが得られないた
め工程が多くなる等の問題がある。
本発明は、上記のような従来技術の問題点に鑑
み、メツキ浴を用いずに簡単に行える貴金属メツ
キ方法を提供するもので、その方法は、アビエチ
ン酸の貴金属塩を含む粘稠溶液を、上記塩に含ま
れる貴金属よりイオン化傾向の大きい被メツキ金
属の表面に塗布した後、加熱して、上記塩から貴
金属イオンを分離し、上記被メツキ金属の表面に
貴金属ょ析出させることを特徴とするものであ
る。
み、メツキ浴を用いずに簡単に行える貴金属メツ
キ方法を提供するもので、その方法は、アビエチ
ン酸の貴金属塩を含む粘稠溶液を、上記塩に含ま
れる貴金属よりイオン化傾向の大きい被メツキ金
属の表面に塗布した後、加熱して、上記塩から貴
金属イオンを分離し、上記被メツキ金属の表面に
貴金属ょ析出させることを特徴とするものであ
る。
アビエチン酸は松脂の主成分であり、次のよう
な構造を有している。
な構造を有している。
このアビエチン酸のカルボキシル基のＨを金属
で置換した塩を、その金属よりイオン傾向の大き
い金属基材の表面に塗布して、高温に加熱する
と、上記塩から金属イオンが分離して、イオン化
傾向の差により、その金属イオンが上記金属基材
上に金属として析出する現象が見られる。
で置換した塩を、その金属よりイオン傾向の大き
い金属基材の表面に塗布して、高温に加熱する
と、上記塩から金属イオンが分離して、イオン化
傾向の差により、その金属イオンが上記金属基材
上に金属として析出する現象が見られる。
本発明は、このような現象を利用したものであ
る。
る。
アビエチン酸と金の金属塩を有機溶剤に溶かし
て粘稠溶液を得た。プリント回路基板の回路導体
（銅）の端子部に、Niメツキを施した後、その表
面に、上記粘稠溶液を塗布した。次にそれを約
200℃で１時間加熱した後、残滓を洗浄により取
り除いた。その結果、Niメツキ面上に金が析出
し、均一な金メツキを得ることができた。
て粘稠溶液を得た。プリント回路基板の回路導体
（銅）の端子部に、Niメツキを施した後、その表
面に、上記粘稠溶液を塗布した。次にそれを約
200℃で１時間加熱した後、残滓を洗浄により取
り除いた。その結果、Niメツキ面上に金が析出
し、均一な金メツキを得ることができた。
金メツキ層の厚さは、粘稠溶液内の金属塩の濃
度と、加熱温度および時間によりコントロール可
能である。
度と、加熱温度および時間によりコントロール可
能である。
なおNiメツキを施したのは、析出した金中へ
銅が拡散するのを防止するためである。
銅が拡散するのを防止するためである。
上記実施例ではプリント回路基板の端子部に金
メツキわ施す場合を説明したが、各種電子部品の
端子部、コネクタのコンタクトなどへの金メツキ
も可能である。また本発明は、金メツキだけでな
く、銀メツキや白金メツキにも適用できる。
メツキわ施す場合を説明したが、各種電子部品の
端子部、コネクタのコンタクトなどへの金メツキ
も可能である。また本発明は、金メツキだけでな
く、銀メツキや白金メツキにも適用できる。
以上説明したように本発明によれば、アビエチ
ン酸の貴金属塩を含む粘稠溶液を塗布して加熱す
るだけで簡単に貴金属メツキを施すことができ、
またメツキ条件の管理も極めて簡単である。さら
にメツキ箇所に粘稠溶液を塗布する方式であるか
ら、部分メツキも極めて簡単に行える。
ン酸の貴金属塩を含む粘稠溶液を塗布して加熱す
るだけで簡単に貴金属メツキを施すことができ、
またメツキ条件の管理も極めて簡単である。さら
にメツキ箇所に粘稠溶液を塗布する方式であるか
ら、部分メツキも極めて簡単に行える。
Claims (1)
- １ アビエチン酸の貴金属塩を含む粘稠溶液を、
上記塩に含まれる貴金属よりイオン化傾向の大き
い被メツキ金属の表面に塗布した後、加熱して、
上記塩から貴金属イオンを分離し、上記被メツキ
金属の表面に貴金属を析出させることを特徴とす
る貴金属メツキ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17761086A JPS6335780A (ja) | 1986-07-30 | 1986-07-30 | 貴金属メツキ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17761086A JPS6335780A (ja) | 1986-07-30 | 1986-07-30 | 貴金属メツキ方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6335780A JPS6335780A (ja) | 1988-02-16 |
| JPH0564235B2 true JPH0564235B2 (ja) | 1993-09-14 |
Family
ID=16034015
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17761086A Granted JPS6335780A (ja) | 1986-07-30 | 1986-07-30 | 貴金属メツキ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6335780A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0379100A (ja) * | 1989-08-22 | 1991-04-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光透過ペーストおよびそれを用いた金属銅析出方法 |
| JP2999854B2 (ja) * | 1991-05-18 | 2000-01-17 | 株式会社堀場製作所 | 水素センサ、ガスセンサ用またはｐＨ応答用金属薄膜製造方法 |
| JP3390245B2 (ja) * | 1993-06-01 | 2003-03-24 | 富士通株式会社 | 洗浄液及び洗浄方法 |
-
1986
- 1986-07-30 JP JP17761086A patent/JPS6335780A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6335780A (ja) | 1988-02-16 |
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