JP2531019B2 - 正の抵抗温度特性を有する半導体磁器 - Google Patents
正の抵抗温度特性を有する半導体磁器Info
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- JP2531019B2 JP2531019B2 JP63124590A JP12459088A JP2531019B2 JP 2531019 B2 JP2531019 B2 JP 2531019B2 JP 63124590 A JP63124590 A JP 63124590A JP 12459088 A JP12459088 A JP 12459088A JP 2531019 B2 JP2531019 B2 JP 2531019B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、セラミクス層と内部電極とを交互に積層し
てなり、正の抵抗温度特性を有する半導体磁器に関し、
特に大量生産を可能にして、生産性を向上できるように
した半導体磁器の構造に関する。
てなり、正の抵抗温度特性を有する半導体磁器に関し、
特に大量生産を可能にして、生産性を向上できるように
した半導体磁器の構造に関する。
一般に、正特性サーミスタとして採用される半導体磁
器は、ある所定の温度で導体から絶縁体へ移行する特性
を有している。このような半導体磁器として、従来、第
５図に示すような構造のものがある（特開昭61−15302
号公報参照）。この半導体磁器20は、セラミクス層21と
内部電極22とを交互に積層して、一体焼結された焼結体
23の両側面23a,23bに外部電極24を形成して構成されて
いる。また、上記各内部電極22の図示左，右端面は、上
記焼結体23の左側面23aと右側面23bとに交互に導出され
て上記外部電極24に接続されている。
器は、ある所定の温度で導体から絶縁体へ移行する特性
を有している。このような半導体磁器として、従来、第
５図に示すような構造のものがある（特開昭61−15302
号公報参照）。この半導体磁器20は、セラミクス層21と
内部電極22とを交互に積層して、一体焼結された焼結体
23の両側面23a,23bに外部電極24を形成して構成されて
いる。また、上記各内部電極22の図示左，右端面は、上
記焼結体23の左側面23aと右側面23bとに交互に導出され
て上記外部電極24に接続されている。
ところで、上記焼結体23に外部電極24を形成する場合
は、従来、導電性ペーストを塗布した後、焼付けて、た
とえばオーミック性の銀電極を形成するようにしてい
る。
は、従来、導電性ペーストを塗布した後、焼付けて、た
とえばオーミック性の銀電極を形成するようにしてい
る。
しかしながら、上記従来の外部電極の形成方法では、
焼結体の両側面に導電性ペーストを塗布する工程を含む
ことから、生産性が低いという問題点がある。
焼結体の両側面に導電性ペーストを塗布する工程を含む
ことから、生産性が低いという問題点がある。
本発明の目的は、上記外部電極を容易に形成でき、生
産性を向上できる半導体磁器を提供することにある。
産性を向上できる半導体磁器を提供することにある。
本件発明者らは、上記従来の問題点を解決するために
半導体磁器の、特に外部電極の構造について検討したと
ころ、電解メッキにより上記外部電極を形成することに
着目した。この電解メッキによれば、設備が簡単で、し
かも一度に大量の処理ができることから、従来の導電性
ペーストを塗布する場合に比べて生産性の向上が期待で
きる。ところが、上記焼結体に電解メッキを施すと、上
記焼結体はユニット全体が半導体であることから、該ユ
ニット全体に金属が析出してしまうという問題が生じ、
このままでは電解メッキが採用できないことが判明し
た。そこで、上記焼結体の外表面の、金属析出の不要部
分に絶縁層を形成してやれば、不要部分における電解メ
ッキによる金属の析出を防止できることに想到し、本発
明を成したものである。
半導体磁器の、特に外部電極の構造について検討したと
ころ、電解メッキにより上記外部電極を形成することに
着目した。この電解メッキによれば、設備が簡単で、し
かも一度に大量の処理ができることから、従来の導電性
ペーストを塗布する場合に比べて生産性の向上が期待で
きる。ところが、上記焼結体に電解メッキを施すと、上
記焼結体はユニット全体が半導体であることから、該ユ
ニット全体に金属が析出してしまうという問題が生じ、
このままでは電解メッキが採用できないことが判明し
た。そこで、上記焼結体の外表面の、金属析出の不要部
分に絶縁層を形成してやれば、不要部分における電解メ
ッキによる金属の析出を防止できることに想到し、本発
明を成したものである。
そこで本発明は、正の抵抗温度特性を有する半導体磁
器において、セラミクス層と内部電極とを交互に積層し
てなる積層体の側面に上記内部電極の端面を露出させ、
該積層体の内部電極露出部を除く全ての外表面に絶縁層
を形成し、該内部電極の各側面の露出部同士を接続する
外部電極を該内部電極の各側面の露出部同士の間の部分
を覆うように電解メッキにより形成したことを特徴とし
ている。
器において、セラミクス層と内部電極とを交互に積層し
てなる積層体の側面に上記内部電極の端面を露出させ、
該積層体の内部電極露出部を除く全ての外表面に絶縁層
を形成し、該内部電極の各側面の露出部同士を接続する
外部電極を該内部電極の各側面の露出部同士の間の部分
を覆うように電解メッキにより形成したことを特徴とし
ている。
ここで、上記絶縁層は、例えば、内部電極の形成工程
の途中において、積層体内に内部電極用空隙層が形成さ
れた後、これを磁器容器内にBi2O3等の酸化剤と共に充
填して加熱することにより、該酸化剤を熱拡散させて形
成することができる。
の途中において、積層体内に内部電極用空隙層が形成さ
れた後、これを磁器容器内にBi2O3等の酸化剤と共に充
填して加熱することにより、該酸化剤を熱拡散させて形
成することができる。
本発明に係る正の抵抗温度特性を有する半導体磁器に
よれば、外表面の、内部電極の露出部以外の全ての部分
に絶縁層を形成したので、電解メッキにより外部電極を
形成できる。即ち、上記積層体をメッキ溶液中に浸漬し
て電解メッキを施すことにより、上記内部電極の露出部
のみに外部電極としての金属が析出し、これが成長して
積層体の側面に、各内部電極の露出部を覆うように外部
電極が形成されることとなる。また、この場合の絶縁層
は、例えば多数の積層体を磁器容器内に投入し、これに
酸化剤を添加し、該酸化剤の熱拡散により容易に形成で
き、しかも上記電解メッキ処理も一度に大量処理できる
から、従来のペーストを塗布する作業に比べて、生産性
を大幅に向上できる。
よれば、外表面の、内部電極の露出部以外の全ての部分
に絶縁層を形成したので、電解メッキにより外部電極を
形成できる。即ち、上記積層体をメッキ溶液中に浸漬し
て電解メッキを施すことにより、上記内部電極の露出部
のみに外部電極としての金属が析出し、これが成長して
積層体の側面に、各内部電極の露出部を覆うように外部
電極が形成されることとなる。また、この場合の絶縁層
は、例えば多数の積層体を磁器容器内に投入し、これに
酸化剤を添加し、該酸化剤の熱拡散により容易に形成で
き、しかも上記電解メッキ処理も一度に大量処理できる
から、従来のペーストを塗布する作業に比べて、生産性
を大幅に向上できる。
以下、本発明の実施例を図について説明する。
第１図ないし第４図は本発明の一実施例による半導体
磁器を使用するための図である。
磁器を使用するための図である。
第１図において、１は本実施例の半導体磁器であり、
これの外形は、長さ10mm,幅5mm,厚さ2mm程度の直方体状
のものである。上記半導体磁器１は、チタン酸バリウム
系セラミクス層２と卑金属、例えば錫からなる内部電極
３とを交互に積層して積層体４を形成し、該積層体４の
左，右側面4a,4bに上記内部電極３の左，右端面を交互
に露出させるとともに、該露出部3aを除く上記積層体４
の外表面部分にBi2O3からなる絶縁層５を形成して構成
されている。また、上記積層体４の両側面4a,4bにはNi
からなる第１外部電極６が形成されており、この第１外
部電極６は上記内部電極３の露出部3aに接続されてい
る。さらに、上記第１外部電極６の外表面には、低融点
金属の錫からなる第２外部電極７が形成されている。
これの外形は、長さ10mm,幅5mm,厚さ2mm程度の直方体状
のものである。上記半導体磁器１は、チタン酸バリウム
系セラミクス層２と卑金属、例えば錫からなる内部電極
３とを交互に積層して積層体４を形成し、該積層体４の
左，右側面4a,4bに上記内部電極３の左，右端面を交互
に露出させるとともに、該露出部3aを除く上記積層体４
の外表面部分にBi2O3からなる絶縁層５を形成して構成
されている。また、上記積層体４の両側面4a,4bにはNi
からなる第１外部電極６が形成されており、この第１外
部電極６は上記内部電極３の露出部3aに接続されてい
る。さらに、上記第１外部電極６の外表面には、低融点
金属の錫からなる第２外部電極７が形成されている。
次に本実施例の半導体磁器１の製造方法を第２図ない
し第４図について説明する。
し第４図について説明する。
まず、主成分としてのBaTiO3に、半導体化剤として
Y2O3,鉱化剤としてSiO2及びAl2O3,特性改善剤としてMnO
2を添加して混合粉砕し、これにアクリル系有機バイン
ダーを混合してスラリー状のセラミクス材料を生成す
る。そして、このセラミクス材料を所定の均一厚さのグ
リーンシートに成形する。
Y2O3,鉱化剤としてSiO2及びAl2O3,特性改善剤としてMnO
2を添加して混合粉砕し、これにアクリル系有機バイン
ダーを混合してスラリー状のセラミクス材料を生成す
る。そして、このセラミクス材料を所定の均一厚さのグ
リーンシートに成形する。
一方、BaTiO3焼結粉末にカーボンとワニスとを混合
してペーストを作成する。そしてこのペーストを上記グ
リーンシートの上面に内部電極のパターンに応じた形状
に印刷し、これを矩形状にカッティングする。これによ
り上記ペースト８の一辺部分8aのみがグリーンシート９
の外縁まで延び、他の辺部分8bは内方に位置することと
なる。次に、第２図に示すように、上記各ペースト８の
一辺部分8aが交互に外方に露出するように各グリーンシ
ート９を積層し、さらにこの積層されたシート９の上，
下にダミーとしてのセラミクスシート10を重ねて積層体
を形成し、この積層体をプレスにより積層方向に圧着す
る。
してペーストを作成する。そしてこのペーストを上記グ
リーンシートの上面に内部電極のパターンに応じた形状
に印刷し、これを矩形状にカッティングする。これによ
り上記ペースト８の一辺部分8aのみがグリーンシート９
の外縁まで延び、他の辺部分8bは内方に位置することと
なる。次に、第２図に示すように、上記各ペースト８の
一辺部分8aが交互に外方に露出するように各グリーンシ
ート９を積層し、さらにこの積層されたシート９の上，
下にダミーとしてのセラミクスシート10を重ねて積層体
を形成し、この積層体をプレスにより積層方向に圧着す
る。
上記積層体を、空気中にて約1300℃に加熱し焼成す
る。すると、上記ペースト８内のカーボンが焼失し、該
ペースト８部分にポーラス層11が形成された焼結体４が
得られる（第３図（ａ）参照）。
る。すると、上記ペースト８内のカーボンが焼失し、該
ペースト８部分にポーラス層11が形成された焼結体４が
得られる（第３図（ａ）参照）。
次に、第４図に示すような筒状の磁器ポット12内に
上記焼結体４を投入するとともに、酸化剤としてのBi2O
3粉末を添加し、上記ポット12を回転させながら、1000
℃に加熱する。すると、上記Bi2O3粉末が焼結体４の外
表面に熱拡散して該表面部分を絶縁体化し、これにより
絶縁層５が形成される（第３図（ｂ）参照）。ここで、
上記ポーラス層11の開口部分は、上述の熱拡散によって
も絶縁体化されることはなく、従って上記絶縁層５は、
上記焼結体４の外表面の、ポーラス層11の開口を除く全
ての部分に形成されることとなる。
上記焼結体４を投入するとともに、酸化剤としてのBi2O
3粉末を添加し、上記ポット12を回転させながら、1000
℃に加熱する。すると、上記Bi2O3粉末が焼結体４の外
表面に熱拡散して該表面部分を絶縁体化し、これにより
絶縁層５が形成される（第３図（ｂ）参照）。ここで、
上記ポーラス層11の開口部分は、上述の熱拡散によって
も絶縁体化されることはなく、従って上記絶縁層５は、
上記焼結体４の外表面の、ポーラス層11の開口を除く全
ての部分に形成されることとなる。
次に、上記絶縁層５が形成された焼結体４を低融点
の卑金属（錫，鉛等又はこれらの合金）、例えば錫溶液
中に浸漬し、上記ポーラス層11内に錫を加圧注入する。
これにより、上記ポーラス層11部分は内部電極３とな
り、該電極３の端面3aは上記焼結体４の側面4a,4bに露
出することになる（第３図（ｃ）参照）。
の卑金属（錫，鉛等又はこれらの合金）、例えば錫溶液
中に浸漬し、上記ポーラス層11内に錫を加圧注入する。
これにより、上記ポーラス層11部分は内部電極３とな
り、該電極３の端面3aは上記焼結体４の側面4a,4bに露
出することになる（第３図（ｃ）参照）。
上記内部電極３が形成された焼結体４をNiメッキ液
中に浸漬し、これを陰極として直流電流を流して電解メ
ッキ処理を施す。すると、Niが上記内部電極３の露出部
3aのみに析出し、これが側面4b上を拡がりながら成長
し、これにより側面4b部分に第１外部電極６が形成され
ることになる。さらに、上記第１外部電極６の表面に半
田付け性を向上させるために、電解メッキ又はスパッタ
リングにより錫からなる第２外部電極７を形成する（第
３図（ｃ）参照）。これにより、本実施例の半導体磁器
１が製造されることとなる。
中に浸漬し、これを陰極として直流電流を流して電解メ
ッキ処理を施す。すると、Niが上記内部電極３の露出部
3aのみに析出し、これが側面4b上を拡がりながら成長
し、これにより側面4b部分に第１外部電極６が形成され
ることになる。さらに、上記第１外部電極６の表面に半
田付け性を向上させるために、電解メッキ又はスパッタ
リングにより錫からなる第２外部電極７を形成する（第
３図（ｃ）参照）。これにより、本実施例の半導体磁器
１が製造されることとなる。
次に本実施例の作用効果について説明する。
本実施例の半導体磁器１によれば、焼結体４の内部電
極３の露出部3aを除く全ての外表面に絶縁層５を形成し
たので、外部電極6,7の形成に際して電解メッキの採用
が可能となり、生産性を向上でき、それだけ部品コスト
を低減できる。
極３の露出部3aを除く全ての外表面に絶縁層５を形成し
たので、外部電極6,7の形成に際して電解メッキの採用
が可能となり、生産性を向上でき、それだけ部品コスト
を低減できる。
なお、上記実施例では、焼結体４の外表面に絶縁層５
を形成し、次に卑金属を加圧注入し、電解メッキを施す
ことによって外部電極６を形成したが、本発明では次の
手順で外部電極を形成してもよい。例えば、上記絶縁層
５を形成した後、まずポーラスの外部電極層を形成し、
このポーラス外部電極層及び上記ポーラス層11の両方に
卑金属を加圧注入し、しかる後電解メッキを施してもよ
い。このようにした場合は電解メッキに要する処理時間
が大幅に短縮される。
を形成し、次に卑金属を加圧注入し、電解メッキを施す
ことによって外部電極６を形成したが、本発明では次の
手順で外部電極を形成してもよい。例えば、上記絶縁層
５を形成した後、まずポーラスの外部電極層を形成し、
このポーラス外部電極層及び上記ポーラス層11の両方に
卑金属を加圧注入し、しかる後電解メッキを施してもよ
い。このようにした場合は電解メッキに要する処理時間
が大幅に短縮される。
以上のように本発明に係る正の抵抗温度特性を有する
半導体磁器によれば、積層体の内部電極の露出部を除く
全ての外表面に絶縁層を形成し、該内部電極の各側面の
露出部同士を接続する外部電極を該内部電極の各側面の
露出部同士の間の部分を覆うように形成したので、外部
電極の形成に、大量生産に適した電解メッキ処理が採用
でき、生産性を大幅に向上できる効果がある。
半導体磁器によれば、積層体の内部電極の露出部を除く
全ての外表面に絶縁層を形成し、該内部電極の各側面の
露出部同士を接続する外部電極を該内部電極の各側面の
露出部同士の間の部分を覆うように形成したので、外部
電極の形成に、大量生産に適した電解メッキ処理が採用
でき、生産性を大幅に向上できる効果がある。
第１図ないし第４図は本発明の一実施例による半導体磁
器を説明するための図であり、第１図（ａ）はその斜視
図、第１図（ｂ）はその断面図、第２図ないし第４図は
その製造方法を説明するための図であり、第２図はその
分解斜視図、第３図（ａ）ないし第３図（ｃ）はそれぞ
れ断面図、第４図はその半導体磁器の表面に絶縁層を形
成する際に採用される磁器ポットを示す正面図、第５図
は従来の半導体磁器を示す断面図である。 図において、１は半導体磁器、２はセラミクス層、３は
内部電極、3aは内部電極の露出部、４は焼結体（積層
体）、4a,4bは焼結体の側面、５は絶縁層、６は外部電
極である。
器を説明するための図であり、第１図（ａ）はその斜視
図、第１図（ｂ）はその断面図、第２図ないし第４図は
その製造方法を説明するための図であり、第２図はその
分解斜視図、第３図（ａ）ないし第３図（ｃ）はそれぞ
れ断面図、第４図はその半導体磁器の表面に絶縁層を形
成する際に採用される磁器ポットを示す正面図、第５図
は従来の半導体磁器を示す断面図である。 図において、１は半導体磁器、２はセラミクス層、３は
内部電極、3aは内部電極の露出部、４は焼結体（積層
体）、4a,4bは焼結体の側面、５は絶縁層、６は外部電
極である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−99519（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−122103（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−40518（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】所定の温度で導体から絶縁体に転移する正
の抵抗温度特性を有する半導体磁器において、セラミッ
クス層と内部電極とを交互に積層して積層体を形成し、
該積層体の左，右側面に上記内部電極の左，右端面を交
互に露出させるとともに、該積層体の内部電極露出部を
除く全ての外表面に絶縁層を形成し、該内部電極の各側
面の露出部同士を接続する外部電極を該内部電極の各側
面の露出部同士の間の部分を覆うように電解メッキによ
り形成したことを特徴とする正の抵抗温度特性を有する
半導体磁器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63124590A JP2531019B2 (ja) | 1988-05-20 | 1988-05-20 | 正の抵抗温度特性を有する半導体磁器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63124590A JP2531019B2 (ja) | 1988-05-20 | 1988-05-20 | 正の抵抗温度特性を有する半導体磁器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01293503A JPH01293503A (ja) | 1989-11-27 |
| JP2531019B2 true JP2531019B2 (ja) | 1996-09-04 |
Family
ID=14889225
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63124590A Expired - Lifetime JP2531019B2 (ja) | 1988-05-20 | 1988-05-20 | 正の抵抗温度特性を有する半導体磁器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2531019B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0644101U (ja) * | 1992-11-09 | 1994-06-10 | 株式会社村田製作所 | チップ型正特性サーミスタ素子 |
| JP4573956B2 (ja) * | 2000-06-30 | 2010-11-04 | 京セラ株式会社 | 積層型電子部品およびその製法 |
| US7152291B2 (en) | 2002-04-15 | 2006-12-26 | Avx Corporation | Method for forming plated terminations |
| US6982863B2 (en) * | 2002-04-15 | 2006-01-03 | Avx Corporation | Component formation via plating technology |
| CN1799112A (zh) * | 2003-04-08 | 2006-07-05 | 阿维科斯公司 | 电镀端头 |
| GB2400493B (en) * | 2003-04-08 | 2005-11-09 | Avx Corp | Plated terminations |
| JP2010141073A (ja) * | 2008-12-11 | 2010-06-24 | Mitsubishi Materials Corp | サーミスタ素子の製造方法及びサーミスタ素子 |
| WO2010081312A1 (zh) * | 2009-01-16 | 2010-07-22 | 上海科特高分子材料有限公司 | 叠状表面贴装型热敏电阻及其制造方法 |
| KR101444534B1 (ko) * | 2012-09-27 | 2014-09-24 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 전자 부품 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0727803B2 (ja) * | 1985-11-20 | 1995-03-29 | 松下電器産業株式会社 | 積層型チツプバリスタの電極処理方法 |
| JPS6399519A (ja) * | 1986-10-15 | 1988-04-30 | 株式会社村田製作所 | セラミツク電子部品の製造方法 |
-
1988
- 1988-05-20 JP JP63124590A patent/JP2531019B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01293503A (ja) | 1989-11-27 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |