JPS5816062A - 無電解ニツケルメツキすべきセラミツク面を増感するための無電解メツキ用活性化組成物およびセラミツクコンデンサ並びにその製造法 - Google Patents
無電解ニツケルメツキすべきセラミツク面を増感するための無電解メツキ用活性化組成物およびセラミツクコンデンサ並びにその製造法Info
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- JPS5816062A JPS5816062A JP57116339A JP11633982A JPS5816062A JP S5816062 A JPS5816062 A JP S5816062A JP 57116339 A JP57116339 A JP 57116339A JP 11633982 A JP11633982 A JP 11633982A JP S5816062 A JPS5816062 A JP S5816062A
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
- C23C18/1851—Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material
- C23C18/1862—Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material by radiant energy
- C23C18/1865—Heat
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C18/1872—Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material by chemical pretreatment
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- C23C18/1889—Multistep pretreatment with use of metal first
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- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、詳しくはセラミックコンデンサブロックに端
子として使用するための無11.jQニツケルメツキ用
活性化剤に関し、かつさらに詳しくは・ξラジウムをベ
ースとするこのような活性化剤に関する。
子として使用するための無11.jQニツケルメツキ用
活性化剤に関し、かつさらに詳しくは・ξラジウムをベ
ースとするこのような活性化剤に関する。
一般に、無電解メッキされるべきセラミックまたはガラ
ス製品は、メッキ浴中へ導入される前に表面活性処理を
する必要がある。代表的な活性化は、錫および・ξラジ
ウム塩化物中へ浸漬することより成る。
ス製品は、メッキ浴中へ導入される前に表面活性処理を
する必要がある。代表的な活性化は、錫および・ξラジ
ウム塩化物中へ浸漬することより成る。
この公知技術の重大な限界は、メッキされた被膜がベー
ス材料への不十分な付着力を有し、表面を粗面化しかつ
機械的な絡み合いを許容するためエツチング、サンドブ
ラスト等のような付加的工程を必要とすることである。
ス材料への不十分な付着力を有し、表面を粗面化しかつ
機械的な絡み合いを許容するためエツチング、サンドブ
ラスト等のような付加的工程を必要とすることである。
しばしば付加的に、製品が部分的にだけメッキされるこ
とが所望され、粗面化工程、活性化剤またはメッキ溶液
もしくはこれら3つ全部からのマスキングが必要とされ
る。ジスク形のセラミックコンデンサの場合、常法は、
ブロック全体をメ゛ンキし、かつその後に研削すること
により、不要、とされる部分からメッキを除去すること
である。
とが所望され、粗面化工程、活性化剤またはメッキ溶液
もしくはこれら3つ全部からのマスキングが必要とされ
る。ジスク形のセラミックコンデンサの場合、常法は、
ブロック全体をメ゛ンキし、かつその後に研削すること
により、不要、とされる部分からメッキを除去すること
である。
本発明の利点は、セラミックおよびガラスブロックに、
良結合しかつそれに緊密な電気的接触ヲツくる無電解ニ
ッケルメッキ用の活性化剤が得られることである。他の
利点は、選択的にセラミックコンデンサブロックを活性
化し引続き無電解ニッケル端子メッキするための有利に
わずかな費用の方法が得られることfある。他の利点は
、緊密な電気的接触およびセラミックブロックとの強い
物理的接触を生じる無電解メッキ端子を有するわずかな
費用のセラミックコンデンサが得られることfある。
良結合しかつそれに緊密な電気的接触ヲツくる無電解ニ
ッケルメッキ用の活性化剤が得られることである。他の
利点は、選択的にセラミックコンデンサブロックを活性
化し引続き無電解ニッケル端子メッキするための有利に
わずかな費用の方法が得られることfある。他の利点は
、緊密な電気的接触およびセラミックブロックとの強い
物理的接触を生じる無電解メッキ端子を有するわずかな
費用のセラミックコンデンサが得られることfある。
本発明によれば、無電解ニッケルメッキ用の活性化側配
合のペーストは、・ぞラジウムおよび十分な量の珪素お
よび亜鉛を含有する。
合のペーストは、・ぞラジウムおよび十分な量の珪素お
よび亜鉛を含有する。
一般に、セラミックブロックを増感するための本発明の
無電解メッキ用活性化組成物は、全て重量により、ノミ
ラジウム、その2分の1だけ多量の珪素、および珪素よ
りも多量の亜鉛の均質な配合物fある。最良の結果は、
珪素が・eラジウムの重量の約36倍よりもわずかな場
合に得られる。
無電解メッキ用活性化組成物は、全て重量により、ノミ
ラジウム、その2分の1だけ多量の珪素、および珪素よ
りも多量の亜鉛の均質な配合物fある。最良の結果は、
珪素が・eラジウムの重量の約36倍よりもわずかな場
合に得られる。
この組成物は、P(1、SiおよびZnが均質に分散さ
れた均質な層の得られる任意の方法(例えば、真空沈着
、ス・ξツタリング、噴霧、スクリーン印刷およびブラ
ッシング)によりセラミックブロックの表面へ固着せし
められることが1きる。
れた均質な層の得られる任意の方法(例えば、真空沈着
、ス・ξツタリング、噴霧、スクリーン印刷およびブラ
ッシング)によりセラミックブロックの表面へ固着せし
められることが1きる。
噴霧、スクリーン印刷またはブラッシングするのに殊に
有用な活性化組成物は、費用のかかるノeラジウムのオ
ルガルレジネートと、それぞれ有利に粉末金属または粉
末酸化物の形であるかもしくけ酸化可能な/酸化された
形である珪素および亜鉛とを混合することにより製造さ
れる。また珪素および/または亜鉛は、それぞれ、計量
および取扱いが容易であるという利点を有し、貯蔵およ
び計算に有利〒あり、かつ活性化組成物中への金属の容
易な分散が得られるオルガルレジネートとして導入され
ることができる。金属末かまたはレジネートの形であっ
ても、出発活性化組成物が、エチルセルロースのような
有機結合剤、および殊にスクリーン印刷用に粘度調節す
るためのテルピネオールのような有機ビヒクルを含有す
るのが有利である。レジネート成分が使用された場合、
活性化組成物の固着層は、大てい珪素および亜鉛の酸化
物である珪素および亜鉛とともに分散されたノにラジウ
ムを残し有機物質を駆出するため500〜750℃に加
熱される。
有用な活性化組成物は、費用のかかるノeラジウムのオ
ルガルレジネートと、それぞれ有利に粉末金属または粉
末酸化物の形であるかもしくけ酸化可能な/酸化された
形である珪素および亜鉛とを混合することにより製造さ
れる。また珪素および/または亜鉛は、それぞれ、計量
および取扱いが容易であるという利点を有し、貯蔵およ
び計算に有利〒あり、かつ活性化組成物中への金属の容
易な分散が得られるオルガルレジネートとして導入され
ることができる。金属末かまたはレジネートの形であっ
ても、出発活性化組成物が、エチルセルロースのような
有機結合剤、および殊にスクリーン印刷用に粘度調節す
るためのテルピネオールのような有機ビヒクルを含有す
るのが有利である。レジネート成分が使用された場合、
活性化組成物の固着層は、大てい珪素および亜鉛の酸化
物である珪素および亜鉛とともに分散されたノにラジウ
ムを残し有機物質を駆出するため500〜750℃に加
熱される。
わずかな量の珪素が、活性化層から除去されかつ、セラ
ミックブロック面の粒子間間隙中へ導入される。このこ
とが、セラミックへの結合を改善する場合に珪素が有効
である理由であると思料される。残存する珪素が、・ξ
ラジウム粒子を、相互に結合するのに役立つ。
ミックブロック面の粒子間間隙中へ導入される。このこ
とが、セラミックへの結合を改善する場合に珪素が有効
である理由であると思料される。残存する珪素が、・ξ
ラジウム粒子を、相互に結合するのに役立つ。
セラミックベースへの無電解ニッケルメッキは、アルミ
ナベース上の印刷回路に使用されるか、またはニッケル
端子を有するチタン酸・ζリウムセラミックコンデンサ
の部材として使用されることができる。このような製品
のために、本発明の活性化剤は、ニッケル層がセラミッ
クに強固に結合されかっこの層が約40マイクロインチ
(1ミクロン)または場合によりそれを上廻る均質な厚
さであるこのような製品を製造するため、簡単、確実か
つ調節容7易な方法を可能にする。
ナベース上の印刷回路に使用されるか、またはニッケル
端子を有するチタン酸・ζリウムセラミックコンデンサ
の部材として使用されることができる。このような製品
のために、本発明の活性化剤は、ニッケル層がセラミッ
クに強固に結合されかっこの層が約40マイクロインチ
(1ミクロン)または場合によりそれを上廻る均質な厚
さであるこのような製品を製造するため、簡単、確実か
つ調節容7易な方法を可能にする。
簡単なジスク形コンデンサ中1、無電解メッキされたニ
ッケル層、および相応する活性化被膜が、コンデンサ電
極並びに名口付は可能な端子として使用されることがで
きる。2つの群の相互指間形に埋設された電極を有する
モノリシックセラミックコンデンサの場合、それぞれの
無電解メッキされたニッケル層が、1方の群の埋設層と
接触しかつその8’r付は可能な端子として使用される
ことができる。
ッケル層、および相応する活性化被膜が、コンデンサ電
極並びに名口付は可能な端子として使用されることがで
きる。2つの群の相互指間形に埋設された電極を有する
モノリシックセラミックコンデンサの場合、それぞれの
無電解メッキされたニッケル層が、1方の群の埋設層と
接触しかつその8’r付は可能な端子として使用される
ことができる。
以下に、本発明を図面実施例につき詳説する。
第1図、第2図および第3図において、活性化剤より成
る35ミクロン厚の被膜10を、4枚の、ジスク12の
ような0.02インチ(0,5朋)厚のチタン酸ノζリ
ウムジスクの大部分の片面へスクリーン印刷した。この
スクリーン印刷工程を繰返し、他のペースト被膜14を
ジスク12の大部分の裏面に固着させた。その後にこの
被覆されたジスク12を、温度を10分で最高温度61
5℃に上昇させることにより焼成しかつその後にほぼ同
じ速度で冷却する。迅速な加熱サイクルは、セラミツフ
ジスフ12のタラツキングが誘発される熱衝撃を生じる
傾向がある。加熱した後、活性化側被膜は殆んど完全透
明である。高い焼成温度が不十分なメッキを生じること
を測定する関連試験により;750’Cが実際に最高で
あると見做された。
る35ミクロン厚の被膜10を、4枚の、ジスク12の
ような0.02インチ(0,5朋)厚のチタン酸ノζリ
ウムジスクの大部分の片面へスクリーン印刷した。この
スクリーン印刷工程を繰返し、他のペースト被膜14を
ジスク12の大部分の裏面に固着させた。その後にこの
被覆されたジスク12を、温度を10分で最高温度61
5℃に上昇させることにより焼成しかつその後にほぼ同
じ速度で冷却する。迅速な加熱サイクルは、セラミツフ
ジスフ12のタラツキングが誘発される熱衝撃を生じる
傾向がある。加熱した後、活性化側被膜は殆んど完全透
明である。高い焼成温度が不十分なメッキを生じること
を測定する関連試験により;750’Cが実際に最高で
あると見做された。
その後に、このセラミツフジスフを約3分常用の無電解
ニッケルメッキ溶液、すなわちイリノイ・ス州デ・ゾレ
イン在すチャードソン社のアライド・ケライト製品部(
Allied Kelite Pro −duQtB
Division of tbe Rlchardso
n Company IDea Plaines 、工
11inois)により供給された製品部792に浸漬
した。この浴を90℃の高められた温度に維持した。こ
のメッキは優秀であり、すなわち得られたニッケル被膜
16および18が、約50マイクロインチ(1,3ミク
ロン)の厚さをさえ有しかつ、電気的計測により示され
たようにコンデンサ誘電ジスクとの良接触を有した。そ
の後にこのブロックを、水中で洗浄しかつ120℃で1
5分加熱することにより乾燥した。
ニッケルメッキ溶液、すなわちイリノイ・ス州デ・ゾレ
イン在すチャードソン社のアライド・ケライト製品部(
Allied Kelite Pro −duQtB
Division of tbe Rlchardso
n Company IDea Plaines 、工
11inois)により供給された製品部792に浸漬
した。この浴を90℃の高められた温度に維持した。こ
のメッキは優秀であり、すなわち得られたニッケル被膜
16および18が、約50マイクロインチ(1,3ミク
ロン)の厚さをさえ有しかつ、電気的計測により示され
たようにコンデンサ誘電ジスクとの良接触を有した。そ
の後にこのブロックを、水中で洗浄しかつ120℃で1
5分加熱することにより乾燥した。
0.02インチ(0,5s+1)の直径を有“する銅線
22および24を、相互に対向するニッケル被膜16お
よび18に直角に名つ付けした。得られる半田層26お
よび28はSn 60 Pb 40である。この実施例
中の全ての物質の量は重量による。
22および24を、相互に対向するニッケル被膜16お
よび18に直角に名つ付けした。得られる半田層26お
よび28はSn 60 Pb 40である。この実施例
中の全ての物質の量は重量による。
この方法で4つのコンデンサ30を製造した。それぞれ
のコンデンサ30の導+1J22および24を把みかつ
力を増大させて引抜くことにより、導線22および24
の1方かまたは両方を引抜くのに要する力を測定した。
のコンデンサ30の導+1J22および24を把みかつ
力を増大させて引抜くことにより、導線22および24
の1方かまたは両方を引抜くのに要する力を測定した。
引続くコンデンサ導線の折曲げまたは導線の矯正操作並
びにコンデンサ埋封または印刷回路板へのコンデンサ組
込み等の際の損傷を回避するため、引抜き力が最低1−
ボンP(約5689)に達することが所望される。
びにコンデンサ埋封または印刷回路板へのコンデンサ組
込み等の際の損傷を回避するため、引抜き力が最低1−
ボンP(約5689)に達することが所望される。
第1表にまとめた実施例で、被検組成物をスクリーン印
刷するため、o、ooosインチ(13ミクロン)を有
する150メツシユのエマルジョンを使用した。このも
のにより、35ミクロン厚の湿った被膜を製造した。も
し種々の厚さの湿った活性化側被膜を製造する塗着技術
が使用されないならば、Pd、SiおよびZnの濃度を
、これら実施例のいずれも同じ結果を得るため同じ面積
当り重量が得られるように調節する必要がある。この表
中に、セラミックブロックがはじめにエツチングされた
実施例は包含されず、むしろ無電解メッキの活性化組成
物中の変動だけを比較のため挙げた。
刷するため、o、ooosインチ(13ミクロン)を有
する150メツシユのエマルジョンを使用した。このも
のにより、35ミクロン厚の湿った被膜を製造した。も
し種々の厚さの湿った活性化側被膜を製造する塗着技術
が使用されないならば、Pd、SiおよびZnの濃度を
、これら実施例のいずれも同じ結果を得るため同じ面積
当り重量が得られるように調節する必要がある。この表
中に、セラミックブロックがはじめにエツチングされた
実施例は包含されず、むしろ無電解メッキの活性化組成
物中の変動だけを比較のため挙げた。
活性化側印刷ペーストを、はじめにテルピネオールNn
318 、xoo部およびエチルセルロースN−30
04部(両者ともプラウエア州つイルミントン在バーキ
ュレス社(Hercules Inc、 、 Wilm
ington 、 Delaware)により供給)を
混合することにより製造した。その後にこのペーストに
、種々の量の20%0%ノミラジウムレジネート611
にュージャージー州イーストネウオーク在エンゲルハー
ドミネラルズ、アンド・ケミカルズ社(Engelha
rd Minerals andChemicals
、 Pa5t Newark 、 New Jerse
y)により供給)を導入した。さらにノeラジウムに、
珪素し・ジネートの形の種々の量の珪素を添加した。第
3成分である亜鉛を、例1〜4の・ξラジウムおよび珪
素を含有する活性化ペーストに添加した。この亜鉛は亜
鉛レジネートとして添加した。これら全てのコンデンサ
で、ニッケルのセラミックへの付着が極めて改善され、
かつ(重量による)亜鉛の量が少くとも珪素の量と同じ
であるこれらの例2〜4fは、メッキ品質が普通から優
秀にわたる。このデータから、珪素対パラジウム比は、
もし亜鉛が添加されるならば強力良質なニッケル端子を
得るのに約0.4 : 1程度にわずかfあればよいと
判断された。他方で例2は、亜鉛対珪素比が、十分な結
果を得るのに1:l程度にわずか〒あればよいことを示
す。
318 、xoo部およびエチルセルロースN−30
04部(両者ともプラウエア州つイルミントン在バーキ
ュレス社(Hercules Inc、 、 Wilm
ington 、 Delaware)により供給)を
混合することにより製造した。その後にこのペーストに
、種々の量の20%0%ノミラジウムレジネート611
にュージャージー州イーストネウオーク在エンゲルハー
ドミネラルズ、アンド・ケミカルズ社(Engelha
rd Minerals andChemicals
、 Pa5t Newark 、 New Jerse
y)により供給)を導入した。さらにノeラジウムに、
珪素し・ジネートの形の種々の量の珪素を添加した。第
3成分である亜鉛を、例1〜4の・ξラジウムおよび珪
素を含有する活性化ペーストに添加した。この亜鉛は亜
鉛レジネートとして添加した。これら全てのコンデンサ
で、ニッケルのセラミックへの付着が極めて改善され、
かつ(重量による)亜鉛の量が少くとも珪素の量と同じ
であるこれらの例2〜4fは、メッキ品質が普通から優
秀にわたる。このデータから、珪素対パラジウム比は、
もし亜鉛が添加されるならば強力良質なニッケル端子を
得るのに約0.4 : 1程度にわずかfあればよいと
判断された。他方で例2は、亜鉛対珪素比が、十分な結
果を得るのに1:l程度にわずか〒あればよいことを示
す。
例1〜4のコンデンサと比較した場合、例5〜9のこれ
ら実施例は、多量の珪素および再び変動量の亜鉛を有す
るとともに、ノξう・クラムの量が同じままfある。再
び亜鉛対珪素比は、良質のメッキのために少くとも不変
でなければならない。
ら実施例は、多量の珪素および再び変動量の亜鉛を有す
るとともに、ノξう・クラムの量が同じままfある。再
び亜鉛対珪素比は、良質のメッキのために少くとも不変
でなければならない。
例7の組成物をアルミナブロックに施こし、かつ無電解
ニッケルメッキを同じ方法により施こした。その結果が
、チタン酸ノ々リウムブロツクと実際に同じであった。
ニッケルメッキを同じ方法により施こした。その結果が
、チタン酸ノ々リウムブロツクと実際に同じであった。
粒子間相中にガラス約lθ%を含有するチタン酸・ζリ
ウム誘電体ブロックを、類似の実験でブロックとして使
用した。中程度のメッキ品質が得られたにすぎない。多
量の亜鉛が、活性化層を残存させかつガラス−セラミッ
クブロックと結合させると判明した。その場合、Pd
O,08、Si O,18およびZn O,43をガラ
ス−セラミックに施こし、かつ全体的に優れた結果が得
られた。
ウム誘電体ブロックを、類似の実験でブロックとして使
用した。中程度のメッキ品質が得られたにすぎない。多
量の亜鉛が、活性化層を残存させかつガラス−セラミッ
クブロックと結合させると判明した。その場合、Pd
O,08、Si O,18およびZn O,43をガラ
ス−セラミックに施こし、かつ全体的に優れた結果が得
られた。
また本発明の活性化剤および方法は、第4図に示したよ
うにセラミックブロック40が、相互に指間配列されか
つブロック40に埋設された2つの群42および44の
シート電極を有するモノリシックセラミックコンデンサ
に適用可能である。ブロック40の(図示せるように)
左および右表面が活性化側被膜46および48〒被覆さ
れ、これらが電極42および44の延長部にそれぞれ接
触する。無電解メッキ層50および52が、活性化側被
膜46および48にそれぞれ適合しかつ付着する。同じ
く半田層54および56がそれぞれニッケル層5oおよ
び52に適合しかつ付着する。
うにセラミックブロック40が、相互に指間配列されか
つブロック40に埋設された2つの群42および44の
シート電極を有するモノリシックセラミックコンデンサ
に適用可能である。ブロック40の(図示せるように)
左および右表面が活性化側被膜46および48〒被覆さ
れ、これらが電極42および44の延長部にそれぞれ接
触する。無電解メッキ層50および52が、活性化側被
膜46および48にそれぞれ適合しかつ付着する。同じ
く半田層54および56がそれぞれニッケル層5oおよ
び52に適合しかつ付着する。
例10〜13のコンデンサを製造するため使用された活
性化ペーストの場合、亜鉛対珪素の比を1.5に固定し
かつ種々の量のノミラジウムを使用した。活性化層10
は、35ミクロン厚の(湿った)スクリーン印刷層〒良
好なメッキ特性を得るため、0.005重量ノミ−セン
トを上廻る・ξラジウムを含有する必要があるとの結論
に達した。この量は、1平方センチメートル当りノミラ
ジウム0.18マイクログラムに相応する。
性化ペーストの場合、亜鉛対珪素の比を1.5に固定し
かつ種々の量のノミラジウムを使用した。活性化層10
は、35ミクロン厚の(湿った)スクリーン印刷層〒良
好なメッキ特性を得るため、0.005重量ノミ−セン
トを上廻る・ξラジウムを含有する必要があるとの結論
に達した。この量は、1平方センチメートル当りノミラ
ジウム0.18マイクログラムに相応する。
例14および15’t’はパラジウムがなかった。亜鉛
対珪素比が1.5である例14のペーストで2活性化“
されたセラミックブロックは、全くメッキされることが
できなかった。しかしながら著るしく対象的に、亜鉛だ
けを含有する活性化ペーストを使用し製造された例15
のコンデンサが優れたメッキ特性を示したが、但し不十
分な導線強度を示した。亜鉛は、活性化剤、すなわち・
ξラジウムと若干類似に挙動するように見える。しかし
ながらこのことは、亜鉛が良好な、メッキおよび電極付
着を2つとも得るのに自体適当〒ないことが全く理解さ
れていない。
対珪素比が1.5である例14のペーストで2活性化“
されたセラミックブロックは、全くメッキされることが
できなかった。しかしながら著るしく対象的に、亜鉛だ
けを含有する活性化ペーストを使用し製造された例15
のコンデンサが優れたメッキ特性を示したが、但し不十
分な導線強度を示した。亜鉛は、活性化剤、すなわち・
ξラジウムと若干類似に挙動するように見える。しかし
ながらこのことは、亜鉛が良好な、メッキおよび電極付
着を2つとも得るのに自体適当〒ないことが全く理解さ
れていない。
例16では珪素がなく、かつ再び例15におけるように
メッキ特性は優れているが、但し付着が余り十分でない
。
メッキ特性は優れているが、但し付着が余り十分でない
。
例17および18並びに例10のコンデンサは、珪素対
パラジウム比約2および亜鉛対珪素比約1.5を有する
とともに、活性化層10中に組込まれた・ξラジウムの
絶対量が1平方センチメートル当りそれぞれ12.0.
8および3マイクログラムである。たとえ活性化ペース
ト中のこれら元素の密度が広範囲にわたるとしても、全
て十分な結果が得られる。優れた総合的結果が例12に
おけるようなわずかな量の珪素および亜鉛で得られ、そ
の場合・qう、ジウムは1平方センチメートル当り0.
35マイクログラム程度にわずかであり、これが実際の
下限と見做される。コンデンサの総費用と比べ、この微
量な、8ラジウムの費用は取るに足らない。
パラジウム比約2および亜鉛対珪素比約1.5を有する
とともに、活性化層10中に組込まれた・ξラジウムの
絶対量が1平方センチメートル当りそれぞれ12.0.
8および3マイクログラムである。たとえ活性化ペース
ト中のこれら元素の密度が広範囲にわたるとしても、全
て十分な結果が得られる。優れた総合的結果が例12に
おけるようなわずかな量の珪素および亜鉛で得られ、そ
の場合・qう、ジウムは1平方センチメートル当り0.
35マイクログラム程度にわずかであり、これが実際の
下限と見做される。コンデンサの総費用と比べ、この微
量な、8ラジウムの費用は取るに足らない。
第1表
1 0,04 0.06 1.5
0.042 0.04 0.06
1.5 0.063 0.04
0.06 1.5 0.0B4
0.04 0.06 1.5
0.125 0.04 0.18
4.5 0.086 0.04
0.18 4.5 0.177
0.04 0.18 4 。5
0.278 0.04 0.18
4.5 0.359 0.04
0.18 4.5 0.5210
0.08 0.18 2.3
0.2711 0.02 0.18
9.0 0.2712 0.01
0.18 18. 0.271
3 0.005 0.18 36.
0.2714 0 0.1
8 0.2715 0
0
0.8116 0.08 0
0.1817 0.34
0.73 2.1 1.08
18 0.02 0.05 2.
1 0.07Z n Z S i比 メッキ品質
″キ付着力(ボン)’)(kv) 0.7 不良〜普通 4 、7 (2、14
)1.0 普通 4.9 (2゜23)1
.3 優 4 、2 (1、31
)2゜1 優 5 、9 (2、
68)0.4 不良〜普通 −− 1,0良 −− 1,5優 3 、1 (1、41)1.
9 優 3.8 (1,73)2
.9 優 1.4 (0,64)
1.5 優 3 、2 (1、4
s)1.5 優 3.2 (1,
45)1.5 優 4.1 (1
,86)1.5 不良〜普通 1.6 (0
,73)1.5 メッキなし 優 1 、1 (0、50)優
1 、7 (0、77)1.5 優
2.4 (1,03)1.5 良
2 、1 (o 、 96)第1表に
示した結果を考察した場合、珪素の量は、適当量の亜鉛
が使用されることを前提として・ξラジウムの量のi程
度に低減されうろことが明白である、それというのも亜
鉛添加自体が、メッキの限られた程度にま1活性化並び
に、珪素がメッキ品質に有する傾向である損傷特性の阻
止を示すからである。少くとも珪素と同じ量の亜鉛が必
要であるとの結論が得られた。
0.042 0.04 0.06
1.5 0.063 0.04
0.06 1.5 0.0B4
0.04 0.06 1.5
0.125 0.04 0.18
4.5 0.086 0.04
0.18 4.5 0.177
0.04 0.18 4 。5
0.278 0.04 0.18
4.5 0.359 0.04
0.18 4.5 0.5210
0.08 0.18 2.3
0.2711 0.02 0.18
9.0 0.2712 0.01
0.18 18. 0.271
3 0.005 0.18 36.
0.2714 0 0.1
8 0.2715 0
0
0.8116 0.08 0
0.1817 0.34
0.73 2.1 1.08
18 0.02 0.05 2.
1 0.07Z n Z S i比 メッキ品質
″キ付着力(ボン)’)(kv) 0.7 不良〜普通 4 、7 (2、14
)1.0 普通 4.9 (2゜23)1
.3 優 4 、2 (1、31
)2゜1 優 5 、9 (2、
68)0.4 不良〜普通 −− 1,0良 −− 1,5優 3 、1 (1、41)1.
9 優 3.8 (1,73)2
.9 優 1.4 (0,64)
1.5 優 3 、2 (1、4
s)1.5 優 3.2 (1,
45)1.5 優 4.1 (1
,86)1.5 不良〜普通 1.6 (0
,73)1.5 メッキなし 優 1 、1 (0、50)優
1 、7 (0、77)1.5 優
2.4 (1,03)1.5 良
2 、1 (o 、 96)第1表に
示した結果を考察した場合、珪素の量は、適当量の亜鉛
が使用されることを前提として・ξラジウムの量のi程
度に低減されうろことが明白である、それというのも亜
鉛添加自体が、メッキの限られた程度にま1活性化並び
に、珪素がメッキ品質に有する傾向である損傷特性の阻
止を示すからである。少くとも珪素と同じ量の亜鉛が必
要であるとの結論が得られた。
第1図および第2図は、本発明による装如1実施例を示
すそれぞれ斜視図およびその縦断面図、第3図は第2図
の部分拡大断面図、および第4図は本発明による装置の
他の実施例を示す縦断面図である。 】0・・・活性化剤被膜、12・・・セラミツフジスフ
、14・・・活性化剤被膜、16.18・・・ニッケル
被膜、22.24・・・銅線、26.28・・・、半田
層、30・・・コンデンサ、40・・・セラミックブロ
ック、42.44・・・シート電極群、46.48・・
・活性化剤被膜、50.52・・・無電解メッキ層、5
4.56・・・半田層
すそれぞれ斜視図およびその縦断面図、第3図は第2図
の部分拡大断面図、および第4図は本発明による装置の
他の実施例を示す縦断面図である。 】0・・・活性化剤被膜、12・・・セラミツフジスフ
、14・・・活性化剤被膜、16.18・・・ニッケル
被膜、22.24・・・銅線、26.28・・・、半田
層、30・・・コンデンサ、40・・・セラミックブロ
ック、42.44・・・シート電極群、46.48・・
・活性化剤被膜、50.52・・・無電解メッキ層、5
4.56・・・半田層
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、 全て重量により、ノミラジウム、ノセラジウムの
最低2分の1だけ多量の珪素、および珪素よりも多量の
亜鉛を実際に均質に配合して成ることを特徴とする無電
解ニッケルメッキすべきセラミック面を増感するための
無電解メッキ用活性化組成物。 2、 重量による珪素対/eラジウム比が36を下廻る
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の無電解ニ
ッケルメッキすべきセラミック面を増感するための無電
解メッキ用活性化組成物。 3、 誘電性のセラミックブロック;ノぞラジウム、そ
の最低2分の1だけ大きい重量の珪素、珪素よりも大き
い重量の亜鉛より成り、前記珪素および亜鉛が酸化物の
形である活性化組成物より成る被膜より成り;前記被膜
が直接に前記セラミックブロックの別々の面にあり;か
つニッケル層がそれぞれ前記活性化被膜に固着および適
合されていることを特徴とするセラミックコンデンサ。 4、 前記ニッケル層および相応する活性化被膜が前記
コンデンサの電極並びに端子として使用されることを特
徴とする特許請求の範囲第3 項記載のセラミックコン
デンサ。 5、 誘電性のセラミックブロック;ノミラジウム、そ
の最低2分の1だけ大きい重量の珪素、珪素よりも大き
い重量の亜鉛より成り、前記珪素および亜鉛が酸化物の
形!ある活性化組成物より成る被膜より成り;前記被膜
が直接に前記セラミックブロックの別々の面にあり;か
つニッケル層がそれぞれ前記活性化被膜に固着および適
合せしめられ;付加的に、前記セラミックブロックに埋
設されかつ前記プロックの片面部分に延びる第1の群の
距離をおいた並列金属箔電極;前記第1の電極群に挿入
されかつそれと距離がおかれかつ前記の他のブロック面
部分に延びる他の群の埋設金属箔電極;それぞれ前記第
1および他の群の前記埋設電極に接触する前記活性化被
膜より成ることを特徴とするセラミックコンデンサ。 6、 (a) セラミックブロックに、ノミラジウ
ム。 ノミラジウムの最低2分の1だけ大きい重量の珪素、お
よび珪素よりも大きい重量の亜鉛を実際に均質に配合し
て成る無電解ニッケルメッキ用活性化組成物の2つの被
膜を選択的に載置し; (b) 前記被膜を500〜750°Cの最高温度に
加熱し;かつ (c) ニッケルの層をそれぞれの前記被膜上に無電
解メッキすることより成るセラミックコンデンサの製造
□法。 7、 前記無電解ニッケルメッキ用活性化組成が液状の
有機ビヒクル中に配合されてペーストを形成し、前記載
置が前記ペーストをスクリーン印刷することより成り、
それにより前記加熱が前記有機ビヒクルを駆出しかつ前
記活性化被膜を前記ベースへさらに安定に結合させるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第6項記載のセラミック
コンデンサの製造法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US06/280,044 US4425378A (en) | 1981-07-06 | 1981-07-06 | Electroless nickel plating activator composition a method for using and a ceramic capacitor made therewith |
US280044 | 1988-12-05 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5816062A true JPS5816062A (ja) | 1983-01-29 |
Family
ID=23071396
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57116339A Pending JPS5816062A (ja) | 1981-07-06 | 1982-07-06 | 無電解ニツケルメツキすべきセラミツク面を増感するための無電解メツキ用活性化組成物およびセラミツクコンデンサ並びにその製造法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4425378A (ja) |
JP (1) | JPS5816062A (ja) |
BE (1) | BE893683A (ja) |
CA (1) | CA1156802A (ja) |
FR (1) | FR2508932B1 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH021127A (ja) * | 1988-03-15 | 1990-01-05 | Toshiba Corp | バンプの形成方法 |
JPH05255994A (ja) * | 1992-03-10 | 1993-10-05 | Natl House Ind Co Ltd | 天 井 |
JPH06248748A (ja) * | 1993-03-01 | 1994-09-06 | Natl House Ind Co Ltd | 天井構造 |
JPH06248747A (ja) * | 1993-03-01 | 1994-09-06 | Natl House Ind Co Ltd | 天井構造 |
JPH0667639U (ja) * | 1993-03-01 | 1994-09-22 | ナショナル住宅産業株式会社 | 天井構造 |
JP2014533775A (ja) * | 2011-11-16 | 2014-12-15 | セラムテック ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングCeramTec GmbH | セラミック基板に埋め込まれた金属構造体 |
JP2020515711A (ja) * | 2017-04-04 | 2020-05-28 | ナンヤン テクノロジカル ユニヴァーシティー | メッキ物及びそれを形成する方法 |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4910049A (en) * | 1986-12-15 | 1990-03-20 | International Business Machines Corporation | Conditioning a dielectric substrate for plating thereon |
US4806159A (en) * | 1987-07-16 | 1989-02-21 | Sprague Electric Company | Electro-nickel plating activator composition, a method for using and a capacitor made therewith |
US5158604A (en) * | 1991-07-01 | 1992-10-27 | Monsanto Company | Viscous electroless plating solutions |
US5367430A (en) * | 1992-10-21 | 1994-11-22 | Presidio Components, Inc. | Monolithic multiple capacitor |
JP3058063B2 (ja) * | 1995-10-18 | 2000-07-04 | 株式会社村田製作所 | 無電解めっきのための活性化触媒液および無電解めっき方法 |
JP3111891B2 (ja) * | 1996-04-09 | 2000-11-27 | 株式会社村田製作所 | 無電解めっきのための活性化触媒液および無電解めっき方法 |
US6232144B1 (en) * | 1997-06-30 | 2001-05-15 | Littelfuse, Inc. | Nickel barrier end termination and method |
US6406743B1 (en) | 1997-07-10 | 2002-06-18 | Industrial Technology Research Institute | Nickel-silicide formation by electroless Ni deposition on polysilicon |
RU2003135208A (ru) * | 2001-06-04 | 2005-05-10 | Квинетик Лимитед (Gb) | Способ формирования рисунка |
US7152291B2 (en) | 2002-04-15 | 2006-12-26 | Avx Corporation | Method for forming plated terminations |
KR101559036B1 (ko) * | 2011-06-02 | 2015-10-08 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 유전체 세라믹 및 단판 콘덴서 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL298179A (ja) | 1962-09-20 | |||
US3681261A (en) | 1970-07-27 | 1972-08-01 | Owens Illinois Inc | Resistors,compositions,pastes,and method of making and using same |
US3741780A (en) | 1970-11-04 | 1973-06-26 | Du Pont | Metallizing compositions containing bismuthate glass-ceramic conductor binder |
US4150995A (en) | 1977-11-23 | 1979-04-24 | Okuno Chemical Industry Co., Ltd. | Vitreous enamel composition containing palladium powder |
US4243710A (en) | 1978-12-06 | 1981-01-06 | Ferro Corporation | Thermoplastic electrode ink for the manufacture of ceramic multi-layer capacitor |
US4259409A (en) * | 1980-03-06 | 1981-03-31 | Ses, Incorporated | Electroless plating process for glass or ceramic bodies and product |
-
1981
- 1981-07-06 US US06/280,044 patent/US4425378A/en not_active Expired - Fee Related
-
1982
- 1982-05-26 CA CA000403784A patent/CA1156802A/en not_active Expired
- 1982-06-28 BE BE0/208477A patent/BE893683A/fr not_active IP Right Cessation
- 1982-07-05 FR FR8211737A patent/FR2508932B1/fr not_active Expired
- 1982-07-06 JP JP57116339A patent/JPS5816062A/ja active Pending
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JPH05255994A (ja) * | 1992-03-10 | 1993-10-05 | Natl House Ind Co Ltd | 天 井 |
JPH06248748A (ja) * | 1993-03-01 | 1994-09-06 | Natl House Ind Co Ltd | 天井構造 |
JPH06248747A (ja) * | 1993-03-01 | 1994-09-06 | Natl House Ind Co Ltd | 天井構造 |
JPH0667639U (ja) * | 1993-03-01 | 1994-09-22 | ナショナル住宅産業株式会社 | 天井構造 |
JP2014533775A (ja) * | 2011-11-16 | 2014-12-15 | セラムテック ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングCeramTec GmbH | セラミック基板に埋め込まれた金属構造体 |
JP2020515711A (ja) * | 2017-04-04 | 2020-05-28 | ナンヤン テクノロジカル ユニヴァーシティー | メッキ物及びそれを形成する方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
BE893683A (fr) | 1982-10-18 |
FR2508932A1 (fr) | 1983-01-07 |
CA1156802A (en) | 1983-11-15 |
FR2508932B1 (fr) | 1986-11-21 |
US4425378A (en) | 1984-01-10 |
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