KR0157238B1 - 도체페이스트조성물 - Google Patents
도체페이스트조성물Info
- Publication number
- KR0157238B1 KR0157238B1 KR1019940009968A KR19940009968A KR0157238B1 KR 0157238 B1 KR0157238 B1 KR 0157238B1 KR 1019940009968 A KR1019940009968 A KR 1019940009968A KR 19940009968 A KR19940009968 A KR 19940009968A KR 0157238 B1 KR0157238 B1 KR 0157238B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- paste composition
- via hole
- conductor paste
- filling
- weight
- Prior art date
Links
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 49
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 39
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 12
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 21
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 5
- IRIAEXORFWYRCZ-UHFFFAOYSA-N Butylbenzyl phthalate Chemical compound CCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC1=CC=CC=C1 IRIAEXORFWYRCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 4
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101001094026 Synechocystis sp. (strain PCC 6803 / Kazusa) Phasin PhaP Proteins 0.000 description 2
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000006112 glass ceramic composition Substances 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N octanoic acid Chemical compound CCCCCCCC(O)=O WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 1
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- BINKQJJWJHNOSQ-UHFFFAOYSA-N tetrabenzyl silicate Chemical compound C=1C=CC=CC=1CO[Si](OCC=1C=CC=CC=1)(OCC=1C=CC=CC=1)OCC1=CC=CC=C1 BINKQJJWJHNOSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49866—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers characterised by the materials
- H01L23/49883—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers characterised by the materials the conductive materials containing organic materials or pastes, e.g. for thick films
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
- H01L21/486—Via connections through the substrate with or without pins
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
- H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
- H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
- H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
본 발명은 LSI, IC나 칩부품을 탑재한 세라믹다층배선기판의 배선층간의 접속에 사용되는 도체페이스트조성물에 관한 것으로서, 세라믹배선판의 배선층간의 접속에 사용되는 도체페이스트조성물에 있어서, 세라믹배선판의 배선층간의 접속에 사용되는 도체페이스트조성물에 있어서, 충전공정에서, 비어구멍내부의 도체페이스트조성물의 중앙부가 레벨링작용에 의해 꺼지는데 다른 충전불량을 해결하는 것을 목적으로 한 것이며, 그 구성에 있어서, 세라믹배선기판(4)의 비어구멍(2)의 충전에 사용되는 도체페이스트조성물(1)에 있어서, 적어도 도체재료분말과 유리분말로 이루어진 무기성분 75.0~90.0중량%와, 적어도 유기바인더와 용제로 이루어진 유기비히클성분 9.0~20.0중량%와, 금속유기화합물용액 0.5~5.0중량%을 구비한 것을 특징으로 한 것이며, 그중 금속유기화합물성분을 혼합하므로서, 금속유기화합물성분이, 도체재료분말, 유리분말, 유기비히클에 작용해서 틱소비가 크게되어, 자연유동과 같은 저속도의 변형에 대한 점도는 높으나, 힘을 가한 고속도의 변형에 대한 점도는 낮아진다. 이 결과, 비어구멍내부에서의 레벨링작용에 의해서 도체페이스트조성물의 중앙부가 꺼지지 않도록 자연유동점도를 크게해도, 도체페이스트 조성물을 비어구멍에 충전할때의 저항이 작아지며, 비어구멍에 대한 충전작업이 용이하여 충전부족이 없어지고, 또한, 비어구멍내부의 도체페이스트의 중앙부가 꺼지는 충전불량이 없어진다.
Description
제1도는 본 발명의 도체페이스트조성물의 일예를 충전한 비어구멍단면의 모식도.
제2도는 종래예의 도체페이스트조성물을 충전한 비어구멍단면의 모식도.
제3도는 본 발명의 도체페이스트조성물의 점도와 종래예의 도체페이스트조성물의 점도를 비교하는 도면.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 도체페이스트조성물 2 : 비어구멍
4 : 그리인시이트절연층
본 발명은 LSI, IC나 칩부품을 탑재한 세라믹다층배선기판의 배선층간의 접속에 사용되는 도체페이스트조성물에 관한 것이다.
세라믹다층기판의 제조방법으로서, 고적층화, 미세한 배선패턴이 가능한 그리인시이트적층법과, 공정이 간편하여 대응성도 좋고 제조수율이 좋은 후막인쇄법이 알려지고, 광범위하게 이용되고 있다. 세라믹다층기판의 제조기술에서 중요한 포인트의 하나는 배선층간을 접속하는 기술이며, 일반적으로는 절연층에 비어구멍을 형성해서 이속에 도체재료를 충전하는 방법이 취해지고 있다. 그리인시이트적층법과 후막인쇄법의 어느경우도 절연층의 두께가 얇을때는 배선패턴의 형성과 동시에 충전이 가능하나, 절연층이 두꺼울때는 배선패턴의 형성전에 충전공정을 설치할 필요가 있다.
이 충전공정에서 비어구멍을 충전할려면, 종래부터, 도체재료등의 무기성분분말과, 유기바인더와 그 용제 등을 주성분으로 하는 도체페이스트조성물이 사용되어 오고 있다.
그러나, 종래예의 도체페이스트조성물에 의해서 충전을 행하면, 제2도에 표시한 바와 같이, 그리인시이트절연층(4)의 비어구멍(2)에 충전한 종래예의 도체페이스트조성물(5)는, 그 용제가 그리인시이트절연층속에 침투하는 동시에 증발해서, 그속에 함유되는 무기성분분말이 비어구멍(2)의 내부둘레방향으로 이동한다고 하는 레벨링작용에 의해 중앙이 꺼져버리고, 오목(3)이 형성되어서 충전불량이 발생한다고 하는 문제점이 있다. 이 문제의 해결책으로서, 상기 레벨링작용에 의해서 상기 무기성분분말이 비어구멍(2)의 내부둘레벽방향으로 이동하는 것을 제어하기 위하여, 유기비히클성분을 극단적으로 적게해서 점도를 높게한 도체페이스트조성물을 사용하였을 경우, 충전후의 중앙의 오목은 작게되나, 도체페이스트조성물을 비어구멍(2)에 충전할때에 점도가 지나치게 높아서, 도체페이스트조성물을 비어구멍(2)에 충전하는 것이 곤란하게 되며, 충전하였다고 하더라도 불량이 발생한다고 하는 문제점이 있다.
본 발명의 목적은, 세라믹배선기판의 배선층간의 접속에 사용되는 도체페이스트조성물에 있어서, 충전공정에서, 비어구멍내부의 도체페이스트조성물의 중앙부가 레벨링작용에 의해 꺼지는데 따른 충전불량을 해결하는데 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 도체페이스트조성물은, 적어도 도체재료분말과 유리분말로 이루어진 무기성분 75.0~90.0중량%와, 적어도 유기바인더와 용제로 이루어진 유기비히클성분9.0~20.0중량%와, 금속유기화합물용액 0.5~5.0중량%을 가지나, 그중의 금속유기화합물성분을 혼합하므로서, 금속유기화합물성분이, 도체재료분발, 유리분말, 유기비히클에 작용해서 틱소비가 크게되어, 자연유동과 같은 저속도의 변형에 대한 점도는 높으나, 힘을 가한 고속도의 변형에 대한 점도는 낮게 된다. 이 결과, 비어구멍내부에서의 레벨링작용에 의해서 도체페이스트조성물을 비어구멍에 충전할때의 저항은 작게되어 비어구멍에 대한 충전작업이 용이하여 충전부족이 없어지며, 또한, 비어구멍내부의 도체페이스트의 중앙부가 꺼지는 충전불량이 없게된다.
본 발명의 도체페이스트조성물의 제 1, 제 2실시예에 대해셔, 제1도~제3도에 의거해서 설명한다.
제1도에 있어서, (4)는 그리인시이트절연층, (2)는 비어구멍, (1)은 본 발명의 제 1실시예의 도체페이스트조성물이다. 이 제 1실시예의 도체페이스트조성물은, 평균입자직경이 약 3미크론의 은분말(일본국 후쿠다킨조쿠하쿠훈샤제품)을 40.8중량%와 유리분말(GA13, 일본국 니혼덴키가라스샤제품)을 40.8중량%와, 부티랄계수지를 테르피네올에 용해하여 5.0중량%의 농도로 한 유기비히클 16.4중량%와, 테트라벤질오르토규산염용액 2.0중량%를, 3륜 로울러에 의해서 충분히 혼합·혼련해서 제작한 것이다.
피측정물속에 삽입한 원통(스핀들)을 소정회전수로 회전시켜 그 저항으로부터 점도를 구하는 B형점도계로 측정한 제 1실시예의 점도곡선과 종래예의 점도곡선을 제3도에 표시한다.
제3도에 있어서, 본 발명의 제 1실시예의 점도와 종래예의 점도가, 회전수가 낮은쪽과 높은쪽에서 역전하고 있다. 제2도에서는, 회전수 20rpm의 점도와, 회전수 0.5rpm의 점도와의 비인 틱소비가, 제 1실시예는 종래예의 약 3배이며, 이 고틱소비 때문에, 상기의 레벨링작용시에 관계하는, 저회전수 0.5rpm의 점도를 충분히 크게 하더라도, 비어구멍(2)에의 충전시에 관계하는 고회전수는 임의로 결정하면 된다.
제1도의 그리인시이트절연층(4)는, 봉규산연계유리분말과 알루미나분말로 이루어진 900℃에서 소성가능한 유리세라믹재료(MLS1000, 니혼덴키가라스샤제품)와 아크릴계수지를 메틸에틸케톤에 용해한 유기비히클과 벤질부틸프탈레이트를 각각 준비하고, 이들을 포트밀에 의해서 충분히 혼합한 후, 독터블레이드법에 의해서 캐스팅해서 제작하였다.
제작된 그리인시이트절연층(4)의 소정의 개소에 펀칭에 의해서 비어구멍(2)을 형성하고, 제작된 비어구멍용의 도체페이스트조성물(1)을 비어구멍(2)에 충전하였다. 이때의 비어의 단면의 모식도가 제1도이다. 비어구멍(2)에 충전한 제 1실시예의 도체페이스트조성물(1)의 중앙부는 꺼지고 있지 않다.
이어서, 배선용의 후막도체페이스트(DD1411, 일본국 쿄토엘렉스샤제품)로 스크린인쇄에 의해 배선패턴을 형성하였다.
마찬가지로 해서, 각 층의 배선을 형성한 그리인시이트절연층(4)를 제작하고, 각 그리인시이트절연층(4)를 80℃, 200㎏/㎠의 조건에서 열압착해서 적층제를 얻었다. 단 적층제의 표면층에는 배선패턴이 형성되어 있지 않으므로, 비어구멍(2)만이 형성되어 있는 그리인시이트절연층(4)를 적층하였다.
이어서, 얻게된 적층제를 가열로 내부의 대기중에서, 탈바인더처리하였다. 이때의 가열조건은 피이크온도 275℃, 피이크온도시간 360분으로 하였다.
이어서, 적층제를 가열로내의 대기중에서 소결, 소성하였다. 가열조건은 피이크온도 900℃, 피이크온도유지시간 10분으로 하였다.
최후에, 최상부의 배선을 후막도체페이스트(DD2332H, 쿄토엘렉스샤제품)로 스크린인쇄에 의해 형성하고, 대기중에서 소성(피이크온도 900℃, 피이크온도유지시간 10분)해서, 세라믹다층배선기판을 얻었다.
또한, 비교예에서, 종래예의 도체페이스트조성물(5)을 비어구멍(2)에 충전해서, 마찬가지의 공정에 의해서 세라믹다층배선기판을 제작하였다. 그 결과, 제2도에 표시한 비어구멍(2)의 단면의 모식도와 같이, 레벨링작용에 의해 비어구멍(2) 내부의 도체페이스트조성물(5)의 중앙부에 오목(3)이 발생하였다.
본 발명의 도체페이스트조성물의 제 2실시예를 제1도~제3도에 의거해서 설명한다.
제1도에 있어서, 제 2실시예의 도체페이스트조성물은, 평균입자직경이 약 5미크론의 산화구리분말(CB250, 쿄토엘렉스샤제품)을 40.8중량%와, 유리분말(GA13, 니혼덴키가라스샤제품)을 40.8중량%와, 부티랄계수지를 테르피네올에 용해하여 5.0중량%의 농도로 한 유기비히클 16.4중량%와, 옥틸산구리용액 2.0중량을 각각 준비하고, 이들을 3륜 로울에 의해서 충분히 혼합·혼련해서 제작하였다. 제작된 페이스트의 점도는 제 1실시예의 제2도에 표시한 점도와 거의 동등하였다. 종래의 도체페이스트의 점도곡선과 비교하면 본 실시예의 도체페이스트쪽이 틱소비는 약 3배 높다.
그리인시이트절연층(4)는, 제 1실시예와 마찬가지의 유리세라믹재료(MLS1000, 니혼덴키가라스샤제품)와 아크릴계수지메틸에틸케톤에 용해한 유기비히클과 벤질부틸프탈레이트를 각각 준비하고, 이들을 포트밀에 의해서 충분히 혼합한 후, 이것을 독터블레이드법에 의해서 캐스팅해서 제작하였다.
제작된 그리인시이트절연층(4)의 소정의 개소에 펀칭에 의해서 비어구멍(2)을 형성하고, 제작된 비어구멍용의 도체페이스트조성물(1)을 비어구멍(2)에 충전하였다. 이때의 비어구멍(2)의 단면은, 제 1실시예의 제1도와 마찬가지로, 비어구멍(2)에 충전한 도체페이스트조성물(1)의 중앙부는 꺼지고 있지 않다.
이어서, 배선용의 후막도체페이스트(DD3100, 쿄토엘렉스샤제품)로 스크린인쇄에 의해 배선패턴을 형성하였다.
마찬가지로 해서, 각층의 배선을 형성한 그리인시이트절연층(4)를 제작하고, 각 그리인시이트절연층(4)를 80℃, 200㎏/㎠의 조건에서 열압착해서 적층제를 얻었다. 단, 적층체의 표면층에는 비어구멍(2)만이 형성되며 배선패턴이 형성되어 있지 않은 그리인시이트절연층(4)를 적층하였다.
이어서, 얻게된 적층체를 가열로내부의 대기중에서, 탈바인더처리하였다. 이때의 가열조건은 피이크온도 500℃, 피이크온도시간 2시간으로 하였다.
이어서, 적층체속의 도체재료인 산화구리를 가열로 내부의 수소분위기속에서 금속구리로 환원하였다. 이때의 가열조건은 피이크온도 250℃, 피이크온도유지시간 5시간으로 하였다.
이어서, 적층체를 가열로내부의 질소분위기속에서 소결·소성하였다. 가열조건은 피이크온도 900℃, 피이크온도유지시간 10분으로 하였다.
최후에, 최상부의 배선을 후막도체페이스트(QP 153, 듀폰사제품)로 스크린인쇄에 의해 형성하고, 질소분위기속에서 소성(피이크온도 900℃, 피이크온도유지시간 10분)해서, 세라믹다층배선기판을 얻었다.
그리고, 상기의 실시예의 도체페이스트조성물은, 금속성분이, 도체재료와 동일한 금속이므로, 다층배선기판을 제조할 때의 가열·가압·환원에 의해서, 무기성분에 불필요한 반응이 발생하는 일이 없어 특성이 안정되어 있다.
또, 상기의 실시예의 도체페이스트조성물은, 금속유기화합물용액의 비유기성분이, 붕소, 알루미늄, 규소, 티탄이며, 붕소, 알루미늄, 규소, 티탄은 다층배선기판에 함유되어 있는 재료이므로, 다층배선기판을 제조할때의 가열·가압·환원에 의해서, 무기성분에 불필요한 반응이 발생하는 일이 없이, 특성이 안정되어 있다.
또한, 비교예로서, 종래예의 도체페이스트조성물(5)를 비어구멍(2)에 충전해서, 마찬가지의 공정에 의해서 세라믹다층배선기판을 제작하였다. 그 결과는, 제3도에 표시한 바와 같이, 레벨링작용에 의해 비어구멍(2) 내부에 도체페이스트조성물(5)의 중앙부에 오목(3)이 발생하였다.
이상의 실시예에 있어서는, 다층기판의 제조를 예로 들어서 설명하였으나, 다층기판에 한정하지 않고, 양면배선기판(그리인시이트 두께가 약 0.6㎜이상)의 제조에 있어서도 적용할 수 있는 것은 말할 것도 없다.
Claims (3)
- 세라믹배선기판의 도체페이스트에 있어서, 적어도 도체재료분말과 유리분말로 이루어진 무기성분 75.0~90.5중량%와, 적어도 유기바인더와 용제로 이루어진 유기비히클성분 9.0~20.0중량%와, 금속유기화합물용액 0.5~5.0중량%를 구비한 것을 특징으로 하는 도체페이스트조성물.
- 제1항에 있어서, 금속유기화합물용액의 금속성분은 도체재료와 동일한 금속인 것을 특징으로 하는 도체페이스트조성물.
- 제1항에 있어서, 금속유기화합물용액의 금속성분이, 붕소, 알루미늄, 규소, 티탄의 어느 한 종류 또는 복수종류를 포함하는 화합물인 것을 특징으로 하는 도체페이스트조성물.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP93-108492 | 1993-05-10 | ||
| JP5108492A JP3015621B2 (ja) | 1993-05-10 | 1993-05-10 | 導体ペ−スト組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR0157238B1 true KR0157238B1 (ko) | 1998-11-16 |
Family
ID=14486152
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940009968A KR0157238B1 (ko) | 1993-05-10 | 1994-05-07 | 도체페이스트조성물 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5503777A (ko) |
| EP (1) | EP0624902B1 (ko) |
| JP (1) | JP3015621B2 (ko) |
| KR (1) | KR0157238B1 (ko) |
| DE (1) | DE69430935T2 (ko) |
Families Citing this family (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100268699B1 (ko) * | 1996-06-25 | 2000-11-01 | 이.아이,듀우판드네모아앤드캄파니 | 칩저항기터미날전극용전도성페이스트조성물 |
| US5783113A (en) * | 1997-03-27 | 1998-07-21 | International Business Machines Corporation | Conductive paste for large greensheet screening including high thixotropic agent content |
| US6488869B2 (en) * | 1997-04-08 | 2002-12-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Conductive paste, its manufacturing method, and printed wiring board using the same |
| US6071437A (en) * | 1998-02-26 | 2000-06-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electrically conductive composition for a solar cell |
| JP3539195B2 (ja) * | 1998-03-25 | 2004-07-07 | 株式会社村田製作所 | 導電ペーストおよびそれを用いたセラミック基板の製造方法 |
| US6329059B1 (en) * | 1999-11-12 | 2001-12-11 | Amsil Ltd. | Polymeric composition having self-extinguishing properties |
| JP2001189234A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-07-10 | Tdk Corp | 積層コンデンサ |
| KR100348498B1 (ko) * | 2000-07-13 | 2002-08-09 | 명지대학교 | 전자파차폐용 코팅재의 제조방법 |
| JP2002042551A (ja) * | 2000-07-21 | 2002-02-08 | Murata Mfg Co Ltd | スクリーン印刷用ペースト、スクリーン印刷方法及び厚膜焼成体 |
| US7115218B2 (en) | 2001-06-28 | 2006-10-03 | Parelec, Inc. | Low temperature method and composition for producing electrical conductors |
| CA2451636A1 (en) * | 2001-06-28 | 2003-01-09 | Parelec, Inc. | Low temperature method and compositions for producing electrical conductors |
| US6661566B2 (en) | 2001-09-20 | 2003-12-09 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Method and optical switch for altering an electromagnetic energy wave in response to acceleration forces |
| US6459055B1 (en) | 2001-09-25 | 2002-10-01 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Acceleration responsive switch |
| TWI251018B (en) * | 2002-04-10 | 2006-03-11 | Fujikura Ltd | Electroconductive composition, electroconductive coating and method of producing the electroconductive coating |
| US7387827B2 (en) * | 2002-12-17 | 2008-06-17 | Intel Corporation | Interconnection designs and materials having improved strength and fatigue life |
| US7521115B2 (en) * | 2002-12-17 | 2009-04-21 | Intel Corporation | Low temperature bumping process |
| EP1443532A1 (en) * | 2003-01-24 | 2004-08-04 | E.I.Du pont de nemours and company | Terminal electrode compositions for multilayer ceramic capacitors |
| US7147804B2 (en) * | 2003-01-24 | 2006-12-12 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Terminal electrode compositions for multilayer ceramic capacitors |
| US7083744B2 (en) * | 2003-01-24 | 2006-08-01 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Terminal electrode compositions for multilayer ceramic capacitors |
| US7074349B2 (en) * | 2003-01-24 | 2006-07-11 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Terminal electrode compositions for multilayer ceramic capacitors |
| US7279217B2 (en) * | 2004-05-24 | 2007-10-09 | Tdk Corporation | Multilayer ceramic device, method for manufacturing the same, and ceramic device |
| JP4518885B2 (ja) * | 2004-09-09 | 2010-08-04 | 京セラ株式会社 | セラミック電子部品及びその製造方法 |
| GB0515088D0 (en) * | 2005-07-22 | 2005-08-31 | Imerys Minerals Ltd | Particulate glass compositions and methods of production |
| US20080233416A1 (en) * | 2007-01-26 | 2008-09-25 | Kyocera Corporation | Paste composition, green ceramic body, and methods for manufacturing ceramic structure |
| TWI493605B (zh) * | 2008-06-11 | 2015-07-21 | Ind Tech Res Inst | 背面電極層的製造方法 |
| JP5753534B2 (ja) * | 2009-06-01 | 2015-07-22 | 住友化学株式会社 | 電子デバイス用の改良電極のための組成物 |
| CN103443928B (zh) * | 2010-10-28 | 2016-09-21 | 赫劳斯贵金属北美康舍霍肯有限责任公司 | 含有金属添加剂的太阳能电池金属化 |
| WO2014150302A1 (en) * | 2013-03-14 | 2014-09-25 | Dow Corning Corporation | Conductive silicone materials and uses |
| US9447308B2 (en) * | 2013-03-14 | 2016-09-20 | Dow Corning Corporation | Curable silicone compositions, electrically conductive silicone adhesives, methods of making and using same, and electrical devices containing same |
Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3056684A (en) * | 1959-06-04 | 1962-10-02 | Carboline Co | Protective coatings |
| US3776741A (en) * | 1970-12-28 | 1973-12-04 | Corning Glass Works | Flame-proof protective coating for electrical film resistors |
| US3819439A (en) * | 1971-05-17 | 1974-06-25 | Hexcel Corp | Method of making honeycomb of sinterable material employing stepwise coating of a resin-containing composition |
| GB1412341A (en) * | 1973-01-29 | 1975-11-05 | Atomic Energy Authority Uk | Metallising pastes |
| FR2296988A1 (fr) * | 1974-12-31 | 1976-07-30 | Ibm France | Perfectionnement aux procedes de fabrication d'un module de circuits multicouches en ceramique |
| US4122143A (en) * | 1976-05-24 | 1978-10-24 | Mitsui Toatsu Chemicals, Inc. | Process for producing cured products |
| US4417007A (en) * | 1981-06-30 | 1983-11-22 | Elkem Metals Company | Zinc rich paint formulations employing manganomanganic oxide fume pigment |
| JPS6286602A (ja) * | 1985-10-09 | 1987-04-21 | 昭栄化学工業株式会社 | 厚膜ペ−スト |
| CA1273853A (en) * | 1986-12-17 | 1990-09-11 | Hitoshi Suzuki | Method for production of ceramic circuit board |
| DE68912932T2 (de) * | 1989-05-12 | 1994-08-11 | Ibm Deutschland | Glas-Keramik-Gegenstand und Verfahren zu dessen Herstellung. |
| US5135829A (en) * | 1989-10-23 | 1992-08-04 | Ricoh Company, Ltd. | Electrophotographic photoconductor having intermediate layer comprising modified indium oxide |
| JP2795712B2 (ja) * | 1990-02-02 | 1998-09-10 | イビデン株式会社 | スルーホールを有するセラミックス基板の製造方法 |
| US5137560A (en) * | 1990-03-09 | 1992-08-11 | Asahi Glass Company, Inc. | Process for manufacturing glass with functional coating |
| JP2839326B2 (ja) * | 1990-03-28 | 1998-12-16 | 京セラ株式会社 | 磁器電子部品 |
| US5186743A (en) * | 1990-12-13 | 1993-02-16 | Akzo N.V. | Low volatile organic content hybrid silica binder |
| US5216207A (en) * | 1991-02-27 | 1993-06-01 | David Sarnoff Research Center, Inc. | Low temperature co-fired multilayer ceramic circuit boards with silver conductors |
| JPH0520920A (ja) * | 1991-06-20 | 1993-01-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 導電性ペーストおよびこれを用いた実装基板 |
| US5156674A (en) * | 1991-06-21 | 1992-10-20 | Mooney Chemicals, Inc. | Drier promoter compositions |
| US5167701A (en) * | 1992-05-22 | 1992-12-01 | Savin Roland R | Zinc-rich coating composition with inorganic binder |
| US5338348A (en) * | 1993-09-22 | 1994-08-16 | Savin Roland R | Zinc powder-rich coating composition |
-
1993
- 1993-05-10 JP JP5108492A patent/JP3015621B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-05-07 KR KR1019940009968A patent/KR0157238B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1994-05-10 US US08/240,376 patent/US5503777A/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-05-10 DE DE69430935T patent/DE69430935T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1994-05-10 EP EP94107288A patent/EP0624902B1/en not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-12-26 US US08/581,352 patent/US5688441A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0624902A1 (en) | 1994-11-17 |
| DE69430935T2 (de) | 2003-01-30 |
| EP0624902B1 (en) | 2002-07-10 |
| US5503777A (en) | 1996-04-02 |
| JPH06326433A (ja) | 1994-11-25 |
| US5688441A (en) | 1997-11-18 |
| DE69430935D1 (de) | 2002-08-14 |
| JP3015621B2 (ja) | 2000-03-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR0157238B1 (ko) | 도체페이스트조성물 | |
| US5337475A (en) | Process for producing ceramic circuit structures having conductive vias | |
| DE68923717T2 (de) | Zusammengesetztes Substrat mit niedriger Dielektrizitätskonstante. | |
| US7569162B2 (en) | Electrically conductive paste and multilayer ceramic substrate | |
| US4576735A (en) | Electroconductive molybdenum paste | |
| JPH02116196A (ja) | セラミック多層回路基板の製造方法 | |
| JPS59178752A (ja) | 多層配線基板 | |
| JP3757211B2 (ja) | 配線基板及びその製造方法 | |
| JP2787026B2 (ja) | 低誘電率多層セラミック回路基盤の製造方法 | |
| US6086793A (en) | Method of producing electrically conductive pastes and materials using same | |
| KR100800509B1 (ko) | 도전성 페이스트 및 다층 세라믹 기판 | |
| JPH03108203A (ja) | 導体ペーストおよび配線基板 | |
| JP2002176236A (ja) | ビアホール導体用組成物ならびに多層セラミック基板およびその製造方法 | |
| JP2001047423A (ja) | 複合積層体およびその製造方法 | |
| CN109644556B (zh) | 陶瓷电子部件以及陶瓷电子部件的制造方法 | |
| JP4753469B2 (ja) | 配線基板並びにその製造方法 | |
| JP4231316B2 (ja) | セラミック配線基板の製造方法 | |
| JP3231892B2 (ja) | 多層基板の製造方法 | |
| JPH02230798A (ja) | 複合積層セラミック部品 | |
| JPH06291435A (ja) | 導体ペースト及びそれによって導体を形成したセラミック配線基板並びにそのセラミック配線基板の製造方法 | |
| JPH06120633A (ja) | セラミック配線基板 | |
| JP2003277170A (ja) | 配線導体用組成物 | |
| JP2004175599A (ja) | 金属化層を有するセラミックス焼結体の製造方法 | |
| JPH0878847A (ja) | 低温焼成多層回路基板 | |
| JPH10341067A (ja) | 無機多層基板およびビア用導体ペースト |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20080721 Year of fee payment: 11 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |