JP2002012445A - 低融点ガラス - Google Patents

低融点ガラス

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JP2002012445A JP2000360539A JP2000360539A JP2002012445A JP 2002012445 A JP2002012445 A JP 2002012445A JP 2000360539 A JP2000360539 A JP 2000360539A JP 2000360539 A JP2000360539 A JP 2000360539A JP 2002012445 A JP2002012445 A JP 2002012445A
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直也 早川
Kazuhiro Nishikawa
和浩 西川
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Central Glass Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板を被覆するための透明かつ電気絶縁性を
有する低融点ガラスであって、実質的にPbO、Bi2O3、お
よびアルカリ金属酸化物を含まない低融点ガラス。 【解決手段】 基板表面を直に被覆し、又は基板に配し
た導電体、半導体パターンを被覆するための透明かつ電
気絶縁性を有するSiO2−B2O3−BaO−ZnO系低融点ガラス
であって、30℃〜300℃における熱膨張係数が65〜95×1
0-7／℃、軟化点が600℃以下、常温下周波数１MHzにお
ける誘電率が7.5以下である低融点ガラス、特に表示パ
ネル用基板に配した透明電極線パターン上に被膜形成す
るための低融点ガラス。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板表面を直に被
覆し、又は基板に配した導電体、半導体パターンを被覆
するための透明かつ電気絶縁性を有する低融点ガラスで
あって、例えば各種表示パネル用基板、特にＰＤＰ基板
に配した透明電極線パターン、バス電極線パターン上に
絶縁性被膜を形成するうえで好適な低融点ガラスに関す
る。なお、該低融点ガラスはSiO2−B2O3−BaO−ZnO系
で、実質的にPbO、Bi2O3、およびアルカリ金属酸化物を
含まないガラスである。
【０００２】
【従来の技術】従来低融点ガラス、例えば基板被覆用低
融点ガラスには鉛系のガラスが採用されてきた。鉛成分
はガラスを低融点とするうえで重要な成分ではあるもの
の、人体や環境に与える弊害が大きく、近年その採用を
避ける趨勢にある。別に低融点ガラスを形成するうえ
で、ガラス中にアルカリ金属類やビスマス成分等を導入
することは知られるところであるが、アルカリ金属類は
ガラス表面に浸出し易く、また電気絶縁性を低下させる
ため、エレクトロニクス分野では敬遠される傾向にあ
り、例えばＰＤＰ等の表示パネルにおいては蛍光体の性
能を劣化させ、パネル寿命を短縮させる等の弊害が憂慮
される。また、ビスマス成分も鉛と同類の重金属である
ことにおいて、環境に対する影響は否めない。
【０００３】公知技術についてみれば、特公昭51-17027
号公報には、SiO2、B2O3、ZnOを主成分とするガラスが
開示されているが、BaOを含有せず、また、低膨脹係数
のSi基板にPN接合を有する半導体素子の保護用ガラスで
あって、作業温度が650℃以上である点において本発明
と相違する。特開昭59-131540号公報には、SiO2、B
2O3、ZnO、BaO、SnO2、二価金属酸化物等を含む絶縁層
用ガラス組成物が開示されているが、特に結晶化させる
こと、アルカリ金属酸化物を必須とすることにおいて本
発明と相違する。なお、ガラス中のアルカリ金属酸化物
の含有は電気絶縁性を阻害するので含むべきではない。
特開昭61-242926号公報には、SiO2、B2O3、BaOを主と
し、ZnO、Al2O3を必須とするガラスが開示されている
が、これは磁気ヘッドにおける熱膨張係数の高いフェラ
イトの接着を目的とするものであり、本発明における基
板を被覆するガラスとは相違する。特開平02- 97435号
公報には、SiO2、Al2O3、B2O3およびBaOをはじめとする
二価金属酸化物を含むガラスが開示されているが、高温
用ガラス封子型サ−ミスタ素子を目的とするものであ
り、ガラス転移温度も600℃以上に規定されるとおりい
わゆる低融点ガラスの範疇にはない（例えば多用される
ソーダ石灰系ガラスにおける転移点は550〜560℃前後で
ある）。なお、特開平07-291656号公報、特開平09-2680
26号公報等には絶縁用ガラス組成物が開示されている
が、いずれもBi2O3を主成分として含有するガラスで、
それは先述したように環境、人体への影響が懸念される
ものであり、含まれるべきものではない。
【０００４】本発明において燐酸系ガラス、バナジウム
酸系ガラス、アンチモン酸系ガラスは対象外である。そ
れらは概して高度の溶融技術を必要としたり、溶融過程
で成分が揮散し易くガラスを不安定にしたり、ガラスを
着色し、ガラスの透明性を阻害したりする。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は前記従来技術
とは相違し、基板表面に直に被覆し、又は基板に配した
導電体および／または半導体パターンを被覆するための
透明かつ電気絶縁性を有するSiO2−B2O3−BaO−ZnO系低
融点ガラスであって、熱膨張係数が基板のそれとほぼ整
合し、軟化点が低く、誘電特性に優れる透明性かつ電気
絶縁性に優れる被膜を容易に形成することができる低融
点ガラスを提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板表面を直
に被覆し、又は基板に配した導電体および／または半導
体パターンを被覆するための透明かつ電気絶縁性を有す
るSiO2−B2O3−BaO−ZnO系低融点ガラスであって、30℃
〜300℃における熱膨張係数が65〜95×10-7／℃、軟化
点が600℃以下、常温下周波数１MHzにおける誘電率が7.
5以下である低融点ガラスである。
【０００７】上記において、基板に配した導電体、半導
体パターンの具体的なものは、それぞれCu、Ag等のバス
電極線、ＩＴＯ、SnO2等の透明電極線があり、低融点ガ
ラスは表示パネル用基板に配した前記バス電極線パター
ンおよび／または透明電極線パターン上に被膜形成する
ものである。
【０００８】上記において、ガラスの成分組成が、重量
百分率（％）で、SiO2 0.1〜10、B2O3 20〜35、ZnO 25
〜55、BaOおよびRO（MgO、CaO、SrOから選択される１種
以上の合計) 15〜50 の範囲であり、実質的にPbO、Bi2O
3、およびアルカリ金属酸化物を含まないことが好まし
い。
【０００９】更に、上記におけるBaO／（BaO＋RO）の重
量比が１／２以上であることが好ましい。加えて、表示
パネル用基板に配した透明電極線パターンおよびバス電
極線パターン上に被膜形成するためのガラスであり、該
ガラス中に透明電極線成分酸化物0.5〜５重量％および
／またはバス電極線成分酸化物 0.1〜1.5重量％を含む
ことが好ましい。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明における基板としては透明
なガラス基板、特にソーダ石灰シリカ系ガラス又はそれ
に類似するガラス(高歪点ガラス)、あるいはアルカリ分
の少ない（又は殆ど無い）アルミノ石灰ホウ珪酸系ガラ
スが多用されており、それらの熱膨張係数は30℃〜300
℃においてほぼ65〜95×10-7／℃の範囲であり、本発明
の低融点ガラスもそれに近似させることにより、形成し
た被膜の剥離、基板の反り等の弊害を防ぐものである。
また前記ガラスからなる基板の軟化点はほぼ720〜840℃
の範囲であり、これに対し本発明の低融点ガラスは600
℃以下と充分低くすることにより、焼付け温度も600℃
以下とすることができ、焼付けに際する基板の軟化変
形、熱収縮を抑制することができる。
【００１１】また、概して表示基板においては絶縁性被
膜（低融点ガラス）の誘電率を低くすることが望まれ、
特にＰＤＰにおいては駆動に際しての消費電力を抑制す
るうえで、低融点ガラスの誘電率を低くし、例えば誘電
率を９以下とすることが有効とされるが、本発明におい
ては低融点ガラスの誘電率を7.5以下、更に好ましくは
７以下とすることにより、より一層の省電力に寄与する
ことができるものである。
【００１２】本発明において、低融点ガラスの成分系を
SiO2−B2O3−BaO−ZnO系とすることにより、上記物性を
満足し得、実質的にPbO、Bi2O3を含まないことにより、
人体や環境に与える影響を皆無とすることができる。ま
た、アルカリ金属酸化物を含まないことにより、被膜は
電気絶縁性に優れるのみならず、アルカリ含有ガラスに
おけるその表面からのアルカリ浸出による弊害も生じな
い。
【００１３】本発明の低融点ガラスは、基板表面に直接
被膜形成するケース、例えばアルカリ含有ガラス基板の
アルカリ浸出を抑制したり、ガラス基板の光学特性を変
更したり、その他等各種機能性被膜を形成する場合にも
適用できる。あるいはガラス基板に、低融点ガラス粉に
シリカ微粉、アルミナ微粉等を適宜混入したものを膜付
けすれば、日射や照明による眩光を緩和するフロスト調
ガラスとすることもできる等適用範囲は広い。
【００１４】低融点ガラスにおける成分組成の範囲は以
下とするのがよい。SiO2はガラス形成成分であり、別の
ガラス形成成分であるB2O3と共存させることにより、少
量の含有でも安定したガラスを形成することができるも
ので、ガラス中0.1〜10％（重量％、以下においても同
様である）の範囲で含有させる。0.1％未満では、ガラ
スが不安定となる。他方10％を越えるとガラスの軟化点
が上昇し、成形性、作業性を困難とする。なお、ＰＤＰ
の製作においては電極線パターン上に一旦絶縁性被膜を
形成後、パネル周縁部の電極線取り出し部を形成すべ
く、該部に被覆した絶縁性被膜を酸により溶解除去する
作業操作を行うが、SiO2が過多であると必要以上に耐酸
性が増大し、前記酸による溶解が困難になるので５％以
下とするのがより好ましい。また、ガラスをより安定に
するうえでは２％以上とするのが更に好ましい。なお、
SiO2量の１／２重量以下、かつガラス中１％以下の範囲
でAl2O3を置換導入することもできる。
【００１５】B2O3はSiO2同様のガラス形成成分であり、
ガラス溶融を容易とし、ガラスの熱膨張係数の過度の上
昇を抑え、かつ、焼付け時にガラスに適度の流動性を与
え、SiO2とともにガラスの誘電率を低下させるものであ
り、ガラス中20〜35％の範囲で含有させる。20％未満で
はガラスが不安定となり、失透が生じ易い。他方35％を
越えるとガラスの軟化点が上昇する。より好ましくは22
〜30％の範囲とする。
【００１６】ZnOはガラスの軟化点を下げ、適度に流動
性を与え、熱膨張係数を適宜範囲に調整するもので、ガ
ラス中25〜55％の範囲で含有させる。25％未満では上記
作用を発揮し得ず、他方55％を越えるとガラスが不安定
となり失透を生じ易い。より好ましくは34〜54％の範囲
とする。
【００１７】BaOはZnO同様ガラスの軟化点を下げ、適度
に流動性を与え、熱膨張係数を適宜範囲に調整するもの
であり、同様な二価金属酸化物であるMgO、CaO、SrOも
ガラスに流動性を与え、熱膨張係数を適宜範囲に調整す
る。BaOと、RO（MgO、CaO、SrOから選択される１種以上
の合計) とを併せてガラス中15〜50％の範囲で含有させ
るものであり、15％未満では上記作用を発揮し得ず、他
方50％を越えると熱膨張係数を過度に上昇する。なお、
上記においてBaO／（BaO＋RO）の重量比が１／２以上と
するのがよく、前記重量比が１／２未満であると失透傾
向が高くなり、あるいは軟化点が上昇したり、熱膨張係
数が適当範囲から外れる恐れがある。特にBaOにおいて
は16〜35％の範囲とするのがより好ましい。
【００１８】なお、PbO、Bi2O3、アルカリ金属酸化物
は、ガラス原料やカレット中に不純物として混入する程
度の量、夫々低融点ガラス中0.3％以下の範囲であれ
ば、先述した弊害、すなわち人体、環境に対する影響、
絶縁特性等に与える影響は殆どない。
【００１９】また、ガラス基板表面に直接膜付けするケ
ースにおいて、先述した特性を損なわない範囲でガラス
を着色したり、紫外線吸収性能、赤外線遮断性能等を付
与するうえで、Fe2O3、Cr2O3、CoO、CeO2等を添加する
ことができるが、それら添加成分の合計は１％以下とす
べきである。更にＰＤＰに代表されるような、表示パネ
ル用基板に配した透明電極線パターンおよびバス電極線
パターン上に絶縁被膜を形成するガラスの場合、上記熱
膨張係数、軟化点、誘電率を損なわない範囲で、透明電
極線成分酸化物（例えばIn2O 3および／またはSnO2）0.5
〜５％（重量％、以下同様）、および／または Cu、A
g、Cu-Agなどのバス電極線成分酸化物（例えばCuOおよ
び／またはAg2O）0.1〜1.5％の範囲で含むことが好まし
い。透明電極線成分酸化物、バス電極成分酸化物を上記
範囲の下限以上で含有させることにより、ガラスと透明
電極線、および／または バス電極線の相互侵食を効果
的に抑制でき、他方それら電極線成分酸化物を上記範囲
を越えて含有させると、ガラスの熱物性を損じたり、ガ
ラスに顕著な着色を呈する等の不都合が生ずる。特にCu
Oの前記範囲での含有はＰＤＰにおける青色発光を顕示
するフィルター作用があり、青色発光がやや劣るＰＤＰ
においては格好の光選択透過材料でもある。
【００２０】基板に配した透明電極線、バス電極線パタ
ーンを被覆するために透明、電気絶縁性の低融点ガラス
を適用するケースについては、以下にＰＤＰの前面基板
を被覆する具体的実施例を示し、詳述する。
【００２１】
【実施例】〔ＰＤＰ用前面基板〕前面基板ガラスは、ク
リアーなソーダ石灰系ガラスあるいはそれに組成、熱物
性等が類似したガラスからなる。前面基板ガラスの表面
（片面）にはパターニングされた透明電極線、例えば酸
化インジウム−錫 (ITO)系、または酸化錫（SnO2）系の
電極線をスパッタリング法やＣＶＤ法により施す。ま
た、通常前記透明電極線に接して例えばCu系のバス電極
線をスパッタリング法等により施す。更に前面基板ガラ
スおよび透明電極線、バス電極線を覆って、本発明にか
かる低融点ガラスよりなる透明絶縁性被膜（以下絶縁性
被膜という）を施す。絶縁性被膜は、予め製造、整粒し
た低融点ガラス粉とペーストオイルからなる混合物をス
クリーン印刷等により前面基板および透明電極線、バス
電極線上に塗布し、600 ℃程度で焼付けて厚み30μm 程
度の厚膜を形成する。前記30μm程度の厚みはガス放電
による表示性能、長期安定性を発揮させるうえで必要か
つ充分な厚みとされる。更に絶縁性被膜を覆って、スパ
ッタリング法等により保護マグネシア層を被覆すること
によりＰＤＰ前面基板の製作を完了するものである。
【００２２】なお、ディスプレイパネル形成後、それら
電極線上に一旦形成された絶縁性被膜の局部、詳しく
は、電極線と外部リード線を接続する電極線取り出し部
を形成すべく、該部の絶縁性被膜を酸により溶解除去す
るケースもあり、この場合絶縁性被膜の酸溶解性も考慮
されねばならない。以下に、絶縁性被膜として本発明の
低融点ガラスを採用した実施例を示す。
【００２３】〔低融点ガラス混合ペーストの作製〕SiO2
源として微粉珪砂を、B2O3源としてほう酸を、Al2O3源
として酸化アルミニウムを、ZnO源として亜鉛華を、BaO
源として炭酸バリウムを、MgO源として炭酸マグネシウ
ムを、CaO源として炭酸カルシウムを、SrO源として炭酸
ストロンチウムを、Bi2O3源として酸化ビスマスを、Li2
O源として炭酸リチウムを、Na2O源として炭酸ナトリウ
ムを、K2O源として炭酸カリウムを、PbO源として鉛丹を
使用し、これらを所望の低融点ガラス組成となるべく調
合したうえで、白金ルツボに投入し、電気加熱炉内で10
00〜1100℃、１〜２時間で加熱溶融して表１、表２の実
施例、比較例に示す組成のガラスを得た。ガラスの一部
は型に流し込み、ブロック状にして熱物性 (熱膨張係
数、軟化点) 測定用に供した。残余のガラスは急冷双ロ
ール成形機にてフレーク状とし、粉砕装置で平均粒径２
〜４μm、最大粒径15μm未満の粉末状に整粒した。
【００２４】次いでαテルピネオールとブチルカルビト
ールアセテートからなるペーストオイルにバインダーと
してのエチルセルロースと上記ガラス粉を混合し、粘度
300±50ポイズ程度のスクリーン印刷に適するペースト
を調製した。
【００２５】〔絶縁性被膜の形成〕厚み２〜３mm、サイ
ズ 150mm□のソーダ石灰系基板ガラスに、スパッタリン
グ法によりＩＴＯパターン膜を成膜（Cuパターン膜は施
さない）後、焼付け後の膜厚が約30μmとなるべく勘案
して目の開き#250のスクリーンを用いて前記ペーストを
スクリーン印刷により塗布した。
【００２６】次いで乾燥後、600℃で40分間焼付けて、
絶縁性被膜を形成した。得られた試料について以下の試
験に供した。
【００２７】〔熱膨張係数の測定〕前記熱物性測定用ガ
ラスブロックを所定寸法に切断、研磨して熱膨張係数測
定試料を作製し、これを熱膨張計にセットして５℃／分
の速度で昇温して伸び量を測定、記録し、30〜300℃の
平均熱膨張係数 α×10-7／℃を算出した。基板の熱膨
張係数と近似させることが重要であり、αが65〜95の範
囲において好適である。
【００２８】〔軟化点の測定〕常法により、ガラスブロ
ックからのガラスを加熱して所定太さ、寸法のガラスビ
ームを作製し、リトルトン粘度計にセットして昇温し、
粘度係数η＝107.6 に達したときの温度、すなわち軟化
点を測定した。軟化点は600℃以下とするものである。
【００２９】〔可視光透過率の測定〕ＩＴＯ膜、絶縁性
被膜を形成した基板ガラス (基板ガラス厚み３mm、可視
光透過率86％) について常法に基づき、分光光度計によ
り透過率を測定し、可視域における平均透過率を算定し
た。可視光透過率は75％以上が良好とされる。
【００３０】〔誘電率の測定〕成形したガラス体を、1.
0mm厚、直径50mmの円盤状に研磨加工し、ガラス両面に
電極を形成し、公知のガードリング方式（交流ブリッジ
法）により25℃における誘電率（周波数１ＭHz）を測定
した。誘電率は7.5以下とするのがよく、更に好ましく
は７以下とするのがよい。
【００３１】〔体積抵抗率の測定〕一部の試料について
は、直流３端子法により、250℃下、印加電圧500Ｖにお
ける体積抵抗率Ωcmを測定した。体積抵抗率は1013〜10
15の範囲とするのがよい。
【００３２】〔被膜の酸溶解性〕ＩＴＯ膜、絶縁性被膜
を形成したガラス基板について、７％硝酸液中で絶縁性
被膜を溶解・除去した。５分以内で完全に除去できたも
のを良（◎）、殆ど除去できたが不充分なものをやや不
良（△）、除去できなかったものを不良（×）で評価し
た。
【００３３】〔ＩＴＯ膜の抵抗上昇率の測定〕基板にＩ
ＴＯ膜、絶縁性被膜を形成後、更に前項で絶縁性被膜を
除去した後の、それぞれのＩＴＯ膜の電気抵抗値を４探
針法にて測定した。なお、ＩＴＯ膜の電気抵抗値は絶縁
性被膜形成に際して該被膜とＩＴＯとの成分相互侵食に
より増大する。絶縁性被膜除去後のＩＴＯ膜抵抗値／当
初のＩＴＯ膜抵抗値より上昇率（％）を算定した。な
お、抵抗上昇率は250％以下が良好とされる。
【００３４】〔結果〕低融点ガラス組成および、各種試
験結果を表１、表２に示す。表１、表２から明らかなよ
うに、本発明にかかる実施例においては、適度な熱膨張
係数、低い軟化点等の熱物性、低い誘電率、高い可視光
透過率、優れた酸溶解性を有し、またＩＴＯと絶縁性被
膜との成分相互侵食によるＩＴＯの抵抗の上昇も低い等
全てにわたり優れており、透明な絶縁性被膜形成用低融
点ガラス、特にＰＤＰ基板用の低融点ガラスとして好適
である。他方比較例は、ビスマス、鉛、又はアルカリを
含有し、あるいは本発明の物性範囲を外れ、基板被覆用
低融点ガラスとして適用し得ない。
【００３５】実施例８：実施例７における、ガラス組成
のB2O3含有量23.3重量％のうち1.0重量％相当をIn2O
3に、0.5重量％相当をCuOに置換したガラスを作製し同
様に試験したところ、熱膨張係数は95×10-7／℃、軟化
点は568℃、誘電率は7.2、可視光透過率は75％と良好で
あり、酸溶解性も問題なく、特にＩＴＯの抵抗上昇率は
150％以下と優れ、また、CuOを含有させたことによりガ
ラスは稍青色を呈し、それはＰＤＰの青色発色をより鮮
明に視認できるという作用効果を有するものであった。
【００３６】 〔表１〕 ──────────────────────────────────── 実施例 １ ２ ３ ４ ５ ６ ７ ──────────────────────────────────── SiO2 3.4 3.5 3.5 3.1 3.3 2.9 1.8 B2O3 23.4 24.6 24.2 28.6 22.9 26.8 23.3 ガラス組成 ZnO 36.5 38.3 42.5 34.3 40.2 53.7 28.2 （％） BaO 34.4 27.0 17.8 34.0 33.6 16.6 46.7 MgO 2.3 -- -- -- -- -- -- CaO -- 6.6 -- -- -- -- -- SrO -- -- 12.0 -- -- -- -- ──────────────────────────────────── 熱膨張係数（α） 84 83 79 77 83 65 95 転移点 (℃) 503 494 508 507 498 軟化点 (℃) 591 596 598 597 586 583 566 体積抵抗率(Ωcm) 1.3X1014 誘電率 6.8 6.9 6.8 6.8 6.9 6.6 7.5 可視光透過率(％) 77 76 76 76 77 77 80 酸溶解性 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ITOの抵抗上昇率(%) 220 210 210 210 230 200 180 ──────────────────────────────────── 注：物性、化学性テ゛ータの空欄は未測定であることを示す
【００３７】 〔表２〕 ──────────────────────────────────── 比較例 １ ２ ３ ４ ──────────────────────────────────── SiO2 2.0 6.8 28.0 25.0 B2O3 18.0 35.2 3.0 10.0 Al2O3 -- 0.9 -- -- ガラス組成 ZnO 6.0 43.1 3.0 -- （％) BaO 11.0 -- -- -- MgO -- -- -- -- CaO 3.0 -- -- -- SrO -- -- -- -- Bi2O3 60.0 -- -- -- Li2O -- 3.0 -- -- Na2O -- 10.0 -- -- K2O -- 1.0 -- -- PbO -- -- 66.0 65.0 ──────────────────────────────────── 熱膨張係数（α） 80 70 75 75 転移点 (℃) 504 軟化点 (℃) 570 515 567 560 誘電率 11.7 7.0 9.0 8.5 可視光透過率(％) 70 78 78 79 酸溶解性 ◎ ◎ × △ ITOの抵抗上昇率(%) 300 400 250 300 (備考) (ヒ゛スマス含有)(アルカリ含有) (鉛含有) (鉛含有) ──────────────────────────────────── 注：物性、化学性テ゛ータの空欄は未測定であることを示す
【００３８】
【発明の効果】低融点ガラスの成分系をSiO2−B2O3−Ba
O−ZnO系とすることにより、適度な熱膨張係数、低い軟
化点、低い誘電率特性を有するガラスとすることがで
き、実質的にPbO、Bi2O3を含まないことにより、人体や
環境に与える影響を皆無とすることができる。また、ア
ルカリ金属酸化物を含まないことにより、被膜は電気絶
縁性に優れるのみならず、アルカリ浸出による弊害を排
除できる。
フロントページの続き Ｆターム(参考） 4G062 AA08 AA09 BB05 BB08 DA02 DA03 DB01 DC04 DC05 DD01 DE04 DE05 DE06 DF01 EA01 EA10 EB01 EC01 ED01 ED02 ED03 ED04 ED05 EE01 EE02 EE03 EE04 EE05 EF01 EF02 EF03 EF04 EF05 EG01 EG02 EG03 EG04 EG05 FA01 FA10 FB01 FC01 FD01 FE01 FE02 FE03 FF01 FG01 FH01 FJ01 FK01 FL01 GA01 GA10 GB01 GC01 GD01 GE01 HH01 HH03 HH04 HH05 HH06 HH07 HH09 HH11 HH13 HH15 HH17 HH20 JJ01 JJ03 JJ05 JJ07 JJ10 KK01 KK03 KK05 KK07 KK10 MM07 MM27 NN26 NN32 5G303 AA07 AB01 AB06 AB17 BA12 CA02 CB02 CB03 CB06 CB17 CB30 CB32 CB38

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板表面を直に被覆し、又は基板に配し
    た導電体および／または半導体パターンを被覆するため
    の透明かつ電気絶縁性を有するSiO2−B2O3−BaO−ZnO系
    低融点ガラスであって、30℃〜300℃における熱膨張係
    数が65〜95×10-7／℃、軟化点が600℃以下、常温下周
    波数１MHzにおける誘電率が7.5以下であることを特徴と
    する低融点ガラス。
  2. 【請求項２】 表示パネル用基板に配した透明電極線パ
    ターンおよび／またはバス電極線パターン上に被膜形成
    するためのガラスであることを特徴とする請求項１記載
    の低融点ガラス。
  3. 【請求項３】 ガラスの成分組成が、重量百分率（％）
    で、SiO2 0.1〜10、B2O3 20〜35、ZnO 25〜55、BaOおよ
    びRO（MgO、CaO、SrOから選択される１種以上の合計) 1
    5〜50 の範囲であり、実質的にPbO、Bi2O3、およびアル
    カリ金属酸化物を含まないことを特徴とする請求項１ま
    たは２記載の低融点ガラス。
  4. 【請求項４】 請求項３におけるBaO／（BaO＋RO）の重
    量比が１／２以上であることを特徴とする低融点ガラ
    ス。
  5. 【請求項５】 表示パネル用基板に配した透明電極線パ
    ターンおよび／またはバス電極線パターン上に被膜形成
    するためのガラスであり、該ガラス中に透明電極線成分
    酸化物 0.5〜５重量％および／またはバス電極線成分酸
    化物 0.1〜1.5重量％を含んだことを特徴とする請求項
    ３または４記載の低融点ガラス。
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