JP5303552B2 - セラミック基板用導体ペーストおよび電気回路 - Google Patents

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Description

本発明は、セラミック基板に回路を形成するのに用いる導体ペースト、および導体ペーストを用いた電気回路を有する回路基板に関する。
セラミック、例えば、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）または窒化アルミニウム（ＡｌＮ）製の回路基板は、様々な電子部品に回路基板として、よく用いられている。
セラミック基板等の回路（導体層）を形成する方法の１つとして、導体ペーストを用いて、スクリーン印刷、乾燥および焼成のプロセスにより、電気回路が形成されている。
導体ペーストは、概して、導体粉末およびガラス粉末が有機媒体中に分散されたものである。例えば、特開平１０−３４０６２２号公報には、導体粉末が銀およびパラジウムを含み、ガラス粉末の平均粒径が１．５μｍ以下、軟化点が７５０〜９００℃の範囲内、二酸化ケイ素粉末の平均粒径が０．１μｍ以下で、有機ビヒクルに分散された導体ペーストが開示されている。
米国特許出願公開第２００４−０２４５５０８号明細書には、ホウ素含有化合物と金属酸化物を含む窒化アルミニウム基板用導体ペーストが開示されており、この構造は、接着強度を増加させる設計である。
一方、近年、環境問題を低減するために、鉛およびカドミウムの廃止が推奨されてきた。また、製造コストを抑えるために、焼成温度を下げる（６５０℃以下まで）のが望ましい。導体フィルムをセラミック基板に形成する焼成温度は、概して、約８５０℃であったことに留意する。
接着力を維持することが重要である。６５０℃より低い焼成温度で良好な接着力を増進させるには、ペースト中に低軟化点のガラスフリットを用いるだけでは十分でない。かかる低温で生じるであろう１つの問題は、焼結が不十分で、強固な結合がなされず、接着力が制限されることである。
本発明の目的は、鉛フリーおよびカドミウムフリーで、６５０℃以下の低温で焼成でき、セラミック基板上で優れた接着強度を有する導体ペーストを提供することである。さらに、本発明の目的は、セラミック基板と導体フィルムとの間の接着強度が適切な電気回路基板を提供することである。
本発明の一実施形態は、ａ）銀、パラジウムおよび銀とパラジウムの混合物からなる群から選択される導電性金属粉末と、ｂ）ガラス粉末と、ｃ）有機溶媒とを含むセラミック基板用導体ペーストであって、導電性金属粉末の平均粒径が１．２μｍ以下であり、ガラス粉末がＢｉ２Ｏ３−ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３タイプのガラス粉末であり、ガラス粉末の含量がペーストの重量に基づいて１〜６重量％の範囲内である、導体ペーストである。
本発明の他の態様は、セラミック基板上に、ａ）銀、パラジウムおよび銀とパラジウムの混合物からなる群から選択される導電性金属粉末と、ｂ）ガラス粉末と、ｃ）有機溶媒とを含む導体ペーストであって、導電性金属粉末の平均粒径が１．２μｍ以下であり、ガラス粉末がＢｉ２Ｏ３−ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３タイプのガラス粉末であり、ガラス粉末の含量がペーストの重量に基づいて１〜６重量％の範囲内である、導体ペーストを塗布する工程と、セラミック基板上に塗布された導体ペーストを６５０℃以下で焼成する工程とを含む、導体フィルムの製造方法である。
本発明のさらに他の態様は、上記の導体フィルムの製造方法を用いて得られた導体フィルムを含む回路を有する電気回路基板である。
本発明によれば、セラミック基板と導体フィルムとの間の接着強度の優れた電気回路基板が提供される。
本発明の導体フィルムを製造する方法を説明する概略図からなる。 本発明の導体フィルムを含む回路を有する電気回路基板の一例を示す概略断面図である。
セラミック基板と低温で焼成された導体フィルムとの間の結合は不十分となる恐れがある。これは、いくつかの理由による。例えば、低温では、Ａｇ粉末の焼結は十分に進まず、導体フィルムのガラス層とセラミック基板間に強固な結合が形成されない。本発明は、これらの問題を防ぐことが分かった。
本発明のペーストは、ａ）導電性金属粉末と、ｂ）ガラス粉末と、ｃ）有機溶媒とを含む。
ａ）導電性金属粉末
本明細書において、導電性金属粉末は、銀、パラジウムまたはこれらの混合物を含有する。好ましくは、導電性金属粉末は、少なくとも、銀粉末とパラジウム粉末の混合物、銀／パラジウム共沈粉末または銀−パラジウム合金粉末を含む。これらの２つ以上を組み合わせて用いてもよい。さらに、銀／パラジウム共沈粉末または銀−パラジウム粉末を、銀粉末と混合してもよい。共沈粉末の例を挙げると、（１）銀粒子とパラジウム粒子が一緒に凝集したもの、および（２）二重層が、コアである銀またはパラジウムのいずれかにより形成されたものがある。（１）の共沈粉末を製造する方法の一例は、銀塩およびパラジウム塩の水溶液を一緒に還元して、直径約０．０２〜０．０６μｍの銀粉末およびパラジウム粉末を生成して、これらの微粉を、所定の組成比で一緒に凝集し、見かけの直径が０．１μｍ以下の粒子を形成する方法である。（２）の共沈粉末を製造する方法の一例は、銀をまず還元して粒子を生成してから、パラジウムを還元して、銀粒子の表面にパラジウムを沈殿させ、コアとして銀により二重層を形成する方法である。
パラジウム含量は、銀とパラジウム１００重量％の合計量に対して、０．１〜７重量％であるのが好ましい。パラジウム含量をこの範囲内にすることにより、セラミック基板と導体フィルムとの間の接着強度が改善される。
導電性金属粉末の平均粒径は、１．２μｍ以下である。平均粒径が１．２μｍ以下の導電性金属粉末を用いることにより、導電性金属粉末の焼結が、低温でも進み、導体フィルムとセラミック基板との間の接着強度が改善される。導電性金属粉末の平均粒径は、好ましくは、０．０５〜１．２μｍ、より好ましくは、０．０５〜０．８μｍである。
平均粒径を測定する方法として、測定は、Ｍｉｃｒｏｔｒａｃ粒子サイズ分布測定装置を用いて行われ、Ｄ５０値は、平均粒径とみなされる。
球またはフレーク等の任意の様々な形状を、導電性金属粉末の形状として用いることができる。
導電性金属粉末は、単分散粒子を含むのが好ましい。微粒子粉末は、高表面活性を有するため、凝集体として存在している。「単分散粒子」とは、この凝集体に、３本ロールミル、ボールミルまたはビードミル等の分散機により機械的な力を加えると、凝集体が一次粒子へと分解されて、ビヒクル（有機媒体）中に均一に分散することができる粒子を意味する。逆に、微粒子間の凝集強度が強すぎて、かかる機械的な力を加えても、一次粒子への分散ができない場合には、「単分散粒子」とは呼ばれない。ペースト中で単分散粒子を用いることにより、乾燥したフィルムの充填密度を増やし、粒子間の接触面積を増やし、焼成時の焼結密度を増やすことができる。
必須の成分として含有される上記の導電性金属粉末に加えて、他の導電性金属粉末が含有されていてもよい。例えば、金または白金を、補助の導電性金属粉末として含めてもよい。金または白金の場合に含む量は、ペーストの重量を１００重量％とすると、好ましくは、０．１〜１０重量％の範囲内である。
導電性金属粉末の含量は、ペーストの重量を１００重量％とすると、好ましくは、６０〜９２重量％の範囲内である。
ｂ）ガラス粉末
Ｂｉ２Ｏ３−ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３タイプのガラス粉末をガラス粉末として用いる。「Ｂｉ２Ｏ３−ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３タイプのガラス粉末」とは、少なくともＢｉ２Ｏ３、ＳｉＯ２およびＢ２Ｏ３をその組成として含有するガラスを意味する。
酸化ビスマス（Ｂｉ２Ｏ３）の含量は、ガラス粉末の重量に基づいて、好ましくは、６５〜９０重量％であり、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）の含量は、ガラス粉末の重量に基づいて、好ましくは、０．５〜８重量％である。さらに、酸化ホウ素（Ｂ２Ｏ３）の含量は、ガラス粉末の重量に基づいて、好ましくは、３〜１０重量％である。
必要に応じて、他の成分を含有させてもよい。かかるその他の成分としては、ＺｎＯ、Ａｌ２Ｏ３、Ｌａ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、ＳｎＯ２、ＣｅＯ２、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２ＯおよびＫ２Ｏが例示される。
ペースト中のガラス粉末はまた、組み合わせて用いる２種類以上のタイプのガラス粉末と混合してもよい。この場合、セラミック基板と導体フィルムとの間の接着強度の観点から、含有されるガラス粉末のうち、好ましくは５０重量％以上、より好ましくは８０重量％以上、さらにより好ましくは９０重量％以上、最も好ましくは１００重量％が、Ｂｉ２Ｏ３−ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３タイプのガラス粉末である。
ガラス粉末の転移点および軟化点は、低温での焼成が実施できるよう低いのが好ましい。具体的には、ガラス粉末の転移点は、好ましくは、３６０〜４５０℃である。ガラスの軟化点は、好ましくは、４００〜５３０℃である。
以下のＢｉ２Ｏ３−ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３ガラス粉末が、ガラス粉末の組成の具体例である。しかしながら、本発明に用いるガラス粉末は、かかるＢｉ２Ｏ３−ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３ガラス粉末に限定されないことに留意する。
Ｂｉ２Ｏ３：６５〜９０重量％、
ＳｉＯ２：０．５〜８重量％、
Ｂ２Ｏ３：３〜１０重量％、
ＺｎＯ：０〜８重量％、
Ａｌ２Ｏ３：０〜３重量％、
ＴｉＯ２：０〜３重量％、
Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ、Ｋ２Ｏおよびこれらの混合物からなる群から選択されるアルカリ金属酸化物：０〜５重量％、
ＭｇＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、ＳｒＯおよびこれらの混合物からなる群から選択されるアルカリ土類金属酸化物：０〜５重量％。
ガラス粉末の含量は、ペーストの重量を１００重量％とすると、好ましくは、１〜６重量％、より好ましくは１．５〜５．０重量％である。
ｃ）有機溶媒
有機溶媒の種類は特に限定されない。有機溶媒としては、これらに限られるものではないが、α−テルピネオール、ブチルカルビトール、酢酸ブチルカルビトール、テキサノール、オクタノール、２−エチルヘキサノールおよびミネラルスピリットが例示される。
有機バインダーも添加して、有機溶媒を樹脂溶液にしてもよい。かかる有機バインダーとしては、エチルセルロール樹脂、ヒドロキシプロピルセルロース樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、ロジン変性樹脂およびエポキシ樹脂が例示される。
さらに、希釈溶媒を導体ペーストに添加して、粘度を調整してもよい。かかる希釈溶媒としては、テルピネオールおよび酢酸ブチルカルビトールが例示される。
ｄ）ガラス軟化点調整剤
ペーストはさらに、ガラス軟化点調整剤を含有していてもよい。ガラス軟化点調整剤を添加することにより、ガラス粉末の軟化点を下げることができる。かかるガラス軟化点調整剤としては、Ｃｕ２Ｏ３、ＣｕＯ、Ｐ２Ｏ５、ＳｎＯ２、アルカリ金属ハロゲン化物およびアルカリ土類金属ハロゲン化物が例示される。これらの２つ以上を組み合わせて用いてもよい。
ガラス軟化点調整剤含量は、ペーストの重量を１００重量％とすると、０〜５重量％である。
ｅ）その他の添加剤
増粘剤および／または安定剤および／またはその他一般的な添加剤（例えば、焼結助剤等）を、本発明の導電ペーストに添加してもよい。その他の一般的な添加剤としては、分散剤および粘度調整剤が例示される。かかる添加剤の量は、最終的に必要とされる導体ペーストの特性に応じて決まる。添加剤の量は、当業者であれば、適宜、決めることができる。複数の添加剤を添加してよい。
本発明のセラミック基板導体ペーストは、３本ロールミル等を用いて、様々な成分を一緒に混合することにより、適宜、製造することができる。
次に、本発明のセラミック基板上のペーストにより電気回路を製造する方法を、図１を参照して説明する。
本発明の導体フィルムの製造方法は、セラミック基板上に、ａ）銀粉末およびパラジウム粉末を含む導電性金属粉末と、ｂ）ガラス粉末と、ｃ）有機溶媒とを含む導体ペーストであって、導電性金属粉末の平均粒径が１．２μｍ以下であり、ガラス粉末がＢｉ２Ｏ３−ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３タイプのガラス粉末であり、導電性金属粉末の含量がペーストの重量に基づいて６０〜９２重量％の範囲内である、導体ペーストを塗布する工程と、セラミック基板上に塗布された導体ペーストを６５０℃以下で焼成する工程とを含む。
セラミック基板１０２を図１Ａに示すようにして作製する。セラミック基板１０２の材料は、ＡｌＮ、Ａｌ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３とガラスの混合物、ＳｉＣ、ＺｒＯ、結晶化ガラス等であってよい。
次に、図１Ｂに示すように、上述した本発明による導体ペースト１０４’を、セラミック基板上に塗布する。印刷は、スクリーン印刷等により行ってよい。
次に、図１Ｃに示すように、印刷した導体ペーストを焼成して、導体フィルム１０４を得る。焼成は、６５０℃以下、好ましくは、４８０〜６００℃で、ベルト炉等の装置を用いて実施する。
本発明はまた、上記の導体フィルムの製造方法を用いて得られた導体フィルムを含む回路を有する電気回路基板も含む。
本発明の回路基板は、例えば、図２に示す構造を有する。具体的に、回路基板は、セラミック基板１０２、形成された導体フィルム１０４を含む回路、ＬＣＲ部品等のチップ１０６ならびに、導体フィルム１０４とチップ１０６を一緒に結合するはんだ１０８を含む。
この回路基板について、まず、上記の導体フィルムの製造方法を用いて得られた導体フィルム１０４を有するセラミック基板１０２に、所望のチップを、装着する。チップのセラミック基板１０２への装着は、チップに好適な装着手段を用いて行ってよい。次に、はんだ（例えば、組成Ｓｎ／Ａｇ／Ｃｕ＝９５．７５／３．５／０．７５の鉛フリーのはんだ）を用いて、はんだ付けを行って、導体フィルムとチップを一緒に接続して、製造を終える。はんだ付けについては、装着したチップに好適な通常の方法を用いてよい。さらに、ＬＣＲ部品の代わりに、ＩＣパッケージ、ＬＥＤチップ、フィルタ、アンテナ部品等を同様の方法を用いて装着してもよい。
本発明を実施例により、より詳細に説明するが、以下の実施例は例示に過ぎず、本発明を限定しようとするものではない。
１．導体ペーストの調製
表１に示した各試料についての組成比に従って、導体ペーストを調製した。各試料は、試料の成分を容器へ秤量し、攪拌器を用いて一緒に混合し、３本ロールミルを用いて分散することにより調製した。
Figure 0005303552
樹脂溶液：ブチルカルビトール中エチルセルロース樹脂溶液を用いた。
ガラス粉末：ガラス転移点が４１０℃、軟化点が４５０℃のＢｉ２Ｏ３−ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３組成の１つを用いた。
銀／パラジウム共沈粉末：平均粒径が０．６μｍの球状粉末である８０重量％銀および２０重量％パラジウムの共沈粉末を用いた。
２．導体フィルムの形成
上述したとおりにして調製した導体ペーストを、ＡｌＮまたはＡｌ２Ｏ３基板上に、スクリーンマスク（ステンレス鋼、３００メッシュ、乳剤厚１５μｍ）を用いて印刷し、焼成後の厚さが、１３〜１６μｍとなるようにした。
次に、以下の２つの焼成条件のいずれかでベルト炉を用いて焼成を行った。
（１）５５０℃焼成：実施例１〜５および比較例１〜１１については、５５０℃で１０分間、合計３０分のプロフィール、保持した。
（２）６００℃焼成：実施例３および４ならびに比較例１〜４については、６００℃で１０分間、合計３０分のプロフィール、保持した。
ＡｌＮまたはＡｌ２Ｏ３基板として以下のものを用いた。
ＡｌＮ（１７０Ｗ／ｍＫ物品）基板：１インチサイズ、厚さ０．６ｍｍ。
Ａｌ２Ｏ３（９６％）基板：１インチサイズ、厚さ０．６ｍｍ。
評価
（Ａ）ＡｌＮまたはＡｌ２Ｏ３基板と導体フィルムとの間の接着強度
（ｉ）初期接着強度の測定
各実施例で作製した基板の導体フィルムを、１０秒間、２４０℃で、Ｓｎ／Ａｇ／Ｃｕ＝９５．７５／３．５／０．７５の組成の鉛フリーのはんだに浸漬した。錫めっき銅線を、２ｍｍ２の銀導体フィルム上に、鉛フリーのはんだを用いて取り付け、銅線を、基板に対して垂直に立たせ、はんだ付け直後の初期接着強度を、引張り試験機を用いて測定した。結果を表２に示す。
（ｉｉ）高温でのエージング後および熱サイクル後の接着強度の測定
上記（ｉ）に記載したはんだ付けを行った実施例３および４（２種類の試料、すなわち、５５０℃で焼成または６００℃で焼成）の試料については、１５０℃で５００時間放置した後の接着強度および−４０℃／１２５℃の１００熱サイクル後の接着強度を測定した。結果を表３に示す。
Figure 0005303552
Figure 0005303552
上記の結果から分かるとおり、本発明の導体ペーストは、鉛フリーおよびカドミウムフリーで、６５０℃以下の低温で焼成でき、セラミック基板と導体フィルムとの間に顕著に改善された接着強度を与える。さらに、本発明の導体ペーストを用いて製造された導体フィルムについては、高温でのエージング後または熱サイクル後であっても、十分な接着強度が維持できることが分かる。
なお、本発明は、特許請求の範囲を含め、以下の発明を包含する。
１．ａ）銀およびパラジウムを含む導電性金属粉末と、
ｂ）ガラス粉末と、
ｃ）有機溶媒と
を含むセラミック基板用導体ペーストであって、前記導電性金属粉末の平均粒径が１．２μｍ以下であり、前記ガラス粉末がＢｉ２Ｏ３−ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３タイプのガラス粉末であり、前記ガラス粉末の含量が前記ペーストの重量に基づいて１〜６重量％の範囲内である、導体ペースト。
２．前記導電性金属粉末が、銀粉末とパラジウム粉末の混合物、銀／パラジウム共沈粉末、銀−パラジウム合金粉末、銀粉末の混合物、銀／パラジウム共沈粉末、および銀粉末と銀−パラジウム合金粉末の混合物からなる群から選択される１に記載の導体ペースト。
３．前記導電性金属粉末が、単分散粒子を含む１に記載の導体ペースト。
４．前記パラジウムの含量が、銀およびパラジウムの総重量に基づいて、０．１〜７重量％の範囲内である１に記載の導体ペースト。
５．導電性金属粉末として、前記ペーストの重量に基づいて、０．１〜１０重量％の金または白金をさらに含む１に記載の導体ペースト。
６．前記ガラス粉末の転移点が３６０〜４５０℃、軟化点が４００〜５３０℃である１に記載の導体ペースト。
７．前記ガラス粉末の組成が、
Ｂｉ２Ｏ３：６５〜９０重量％、
ＳｉＯ２：０．５〜８重量％、
Ｂ２Ｏ３：３〜１０重量％、
ＺｎＯ：０〜８重量％、
Ａｌ２Ｏ３：０〜３重量％、
ＴｉＯ２：０〜３重量％、
Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ、Ｋ２Ｏおよびこれらの混合物からなる群から選択されるアルカリ金属酸化物：０〜５重量％、
ＭｇＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、ＳｒＯおよびこれらの混合物からなる群から選択されるアルカリ土類金属酸化物：０〜５重量％
である１に記載の導体ペースト。
８．前記導電性金属粉末の含量が、前記ペーストの重量に基づいて、６０〜９２重量％の範囲内である１に記載の導体ペースト。
９．Ｃｕ２Ｏ３、ＣｕＯ、Ｐ２Ｏ５、ＳｎＯ２、アルカリ金属ハロゲン化物およびアルカリ土類金属ハロゲン化物からなる群から選択されるガラス軟化点調整剤をさらに含む１に記載の導体ペースト。
１０．セラミック基板上に、ａ）銀およびパラジウムを含む導電性金属粉末と、ｂ）ガラス粉末と、ｃ）有機溶媒とを含む導体ペーストであって、前記導電性金属粉末の平均粒径が１．２μｍ以下で、前記ガラス粉末がＢｉ２Ｏ３−ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３タイプのガラス粉末であり、前記ガラス粉末の含量が前記ペーストの重量に基づいて１〜６重量％の範囲内である、導体ペーストを塗布する工程と、
前記セラミック基板上に塗布された前記導体ペーストを６５０℃以下で焼成する工程と
を含む導体フィルムの製造方法。
１１．前記導電性金属粉末が、銀粉末とパラジウム粉末の混合物、銀／パラジウム共沈粉末、銀−パラジウム合金粉末、銀粉末の混合物、銀／パラジウム共沈粉末、および銀粉末と銀−パラジウム合金粉末の混合物からなる群から選択される１０に記載の導体フィルムの製造方法。
１２．１０に記載の製造方法を用いて得られた導体フィルムを含む回路を有する電気回路基板。

Claims (3)

  1. ａ）銀およびパラジウムを含む導電性金属粉末と、
    ｂ）ガラス粉末と、
    ｃ）有機溶媒と
    を含むセラミック基板用導体ペーストであって、前記導電性金属粉末の平均粒径が１．２μｍ以下であり、前記ガラス粉末がＢｉ２Ｏ３−ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３タイプのガラス粉末であり、前記ガラス粉末の含量が前記ペーストの重量に基づいて１〜６重量％の範囲内であり、パラジウム含量は、銀とパラジウム１００重量％の合計量に対して、０．１〜７重量％である導体ペースト。
  2. セラミック基板上に、ａ）銀およびパラジウムを含む導電性金属粉末と、ｂ）ガラス粉末と、ｃ）有機溶媒とを含む導体ペーストであって、前記導電性金属粉末の平均粒径が１．２μｍ以下で、前記ガラス粉末がＢｉ２Ｏ３−ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３タイプのガラス粉末であり、前記ガラス粉末の含量が前記ペーストの重量に基づいて１〜６重量％の範囲内であり、パラジウム含量は、銀とパラジウム１００重量％の合計量に対して、０．１〜７重量％である導体ペーストを塗布する工程と、
    前記セラミック基板上に塗布された前記導体ペーストを６５０℃以下で焼成する工程と
    を含む導体フィルムの製造方法。
  3. 請求項２に記載の製造方法を用いて得られた導体フィルムを含む回路を有する電気回路基板。
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Families Citing this family (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7704416B2 (en) * 2007-06-29 2010-04-27 E.I. Du Pont De Nemours And Company Conductor paste for ceramic substrate and electric circuit
US20090211626A1 (en) * 2008-02-26 2009-08-27 Hideki Akimoto Conductive paste and grid electrode for silicon solar cells
FR2942515B1 (fr) * 2009-02-24 2015-07-03 Saint Gobain Ct Recherches Dispositif d'assemblage.
FR2942516B1 (fr) 2009-02-24 2015-07-03 Saint Gobain Ct Recherches Assemblage affleurant.
FR2942517B1 (fr) 2009-02-24 2015-07-03 Saint Gobain Ct Recherches Materiau compliant.
FR2942471A1 (fr) 2009-02-24 2010-08-27 Saint Gobain Ct Recherches Piece ceramique revetue.
CN102317227A (zh) * 2009-02-24 2012-01-11 日本电气硝子株式会社 电极形成用玻璃组合物和电极形成材料
US20130284256A1 (en) * 2009-04-09 2013-10-31 E I Du Pont De Nemours And Company Lead-free conductive paste composition and semiconductor devices made therewith
CN102123961A (zh) * 2009-08-07 2011-07-13 Lg化学株式会社 制备硅太阳能电池的无铅玻璃料粉末、其制备方法、包含其的金属膏组合物和硅太阳能电池
TWI503385B (zh) * 2009-11-16 2015-10-11 Heraeus Precious Metals North America Conshohocken Llc 導電性糊組成物
US20110195540A1 (en) 2010-02-05 2011-08-11 Hitachi Chemical Company, Ltd. Composition for forming p-type diffusion layer, method for forming p-type diffusion layer, and method for producing photovoltaic cell
US20110256658A1 (en) * 2010-02-05 2011-10-20 Hitachi Chemical Company, Ltd. Method for producing photovoltaic cell
JP5246808B2 (ja) * 2010-04-07 2013-07-24 太陽ホールディングス株式会社 導電ペースト及び導電パターン
CN102214497B (zh) * 2010-04-07 2013-05-01 太阳控股株式会社 导电糊剂及导电图案
CN102270513B (zh) * 2010-06-03 2013-05-08 西安宏星电子浆料科技有限责任公司 氧化铝基板使用的厚膜导体浆料及其制备方法
US20130161569A1 (en) * 2010-08-17 2013-06-27 Kentaro Ishihara Glass for use in forming electrodes, and electrode-forming material using same
CN102157221A (zh) * 2011-03-28 2011-08-17 彩虹集团公司 一种环保型半导体电容器用电极银浆的浆制备方法
CN103165217B (zh) * 2011-12-14 2016-04-06 上海宝银电子材料有限公司 一种云母片电容器用导电银浆及其制备方法
CN103165223B (zh) * 2011-12-15 2016-05-11 上海宝银电子材料有限公司 一种ptc热敏电阻用高温烧结导电银浆及其制备方法
CN103165213B (zh) * 2011-12-15 2016-01-06 上海宝银电子材料有限公司 一种客车前挡玻璃用导电银浆及其制备方法
US9039942B2 (en) 2011-12-21 2015-05-26 E I Du Pont De Nemours And Company Lead-free conductive paste composition and semiconductor devices made therewith
TWI425894B (zh) * 2011-12-26 2014-02-01 Vin Cen Shi 陶瓷基板漸縮凹陷區域之導電層附著加工方法及導電膠組成物
CN103187490B (zh) * 2011-12-31 2016-04-20 谢文圣 陶瓷基板凹陷区域的导电层附着加工方法及导电胶组成物
WO2013122126A1 (ja) * 2012-02-14 2013-08-22 三菱マテリアル株式会社 はんだ接合構造、パワーモジュール、ヒートシンク付パワーモジュール用基板及びそれらの製造方法、並びにはんだ下地層形成用ペースト
AT512525B1 (de) * 2012-05-04 2013-09-15 Mikroelektronik Ges Mit Beschraenkter Haftung Ab Leiterplatte, insbesondere für ein Leistungselektronikmodul, umfassend ein elektrisch leitfähiges Substrat
US9615452B1 (en) 2012-05-10 2017-04-04 Cree Fayetteville, Inc. Silver filled trench substrate for high power and/or high temperature electronics
US9245663B2 (en) 2012-10-10 2016-01-26 E I Du Pont De Nemours And Company Thick film silver paste and its use in the manufacture of semiconductor devices
CN105246861A (zh) * 2013-06-05 2016-01-13 陶瓷技术有限责任公司 在陶瓷基材上的金属层
CN103366858B (zh) * 2013-07-08 2015-10-14 广东羚光新材料股份有限公司 一种led灯氧化铝基座用银浆及其应用
WO2015039023A1 (en) * 2013-09-16 2015-03-19 Heraeus Precious Metals North America Conshohocken Llc Electroconductive paste with adhesion promoting glass
CN103996430A (zh) * 2014-04-24 2014-08-20 安徽为民磁力科技有限公司 一种高导电性pcb电路板银浆及其制备方法
CN104078096A (zh) * 2014-06-04 2014-10-01 乐凯特科技铜陵有限公司 一种低成本印刷电路板银浆及其制备方法
CN104078099A (zh) * 2014-06-04 2014-10-01 乐凯特科技铜陵有限公司 一种环保pcb电路板导电银浆及其制备方法
KR101682939B1 (ko) * 2014-10-08 2016-12-06 김강 저온 소결 가능한 도전성 접착제
US10784383B2 (en) 2015-08-07 2020-09-22 E I Du Pont De Nemours And Company Conductive paste composition and semiconductor devices made therewith
TWI585055B (zh) * 2016-03-29 2017-06-01 中國製釉股份有限公司 玻璃材料、螢光複合材料、與發光裝置
CN106082671B (zh) * 2016-06-22 2019-01-29 丽水学院 龙泉青瓷青釉、龙泉青瓷及其制备方法
US11228080B2 (en) 2018-11-07 2022-01-18 Dupont Electronics, Inc. Dielectric filter and method for manufacturing the same
CN110400651B (zh) * 2019-06-28 2021-07-30 云南大学 一种导电银浆料及其制备方法
CN110942840A (zh) * 2019-12-13 2020-03-31 新昌中国计量大学企业创新研究院有限公司 用于氮化铝衬底的无铅铜导体浆料
CN111863312B (zh) * 2020-09-04 2022-03-29 西安宏星电子浆料科技股份有限公司 一种5g陶瓷介质滤波器用喷涂型银浆及其制备方法
CN114590999B (zh) * 2022-01-20 2023-05-05 广西科技大学 一种低熔点无铅玻璃粉及其制备方法
CN115838303B (zh) * 2023-02-22 2023-04-28 西安石油大学 一种氮化铝陶瓷用银浆
CN116525173A (zh) * 2023-05-09 2023-08-01 湖南特发新材料有限公司 一种不锈钢基板大功率厚膜银铂钨电阻浆料、烧制方法和应用

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3413240A (en) 1965-03-25 1968-11-26 Du Pont Compositions
NL6705960A (ja) 1966-05-19 1967-11-20
US4001146A (en) * 1975-02-26 1977-01-04 E. I. Du Pont De Nemours And Company Novel silver compositions
US4318830A (en) * 1979-01-15 1982-03-09 E. I. Du Pont De Nemours And Company Thick film conductors having improved aged adhesion
US4414143A (en) * 1981-05-06 1983-11-08 E. I. Du Pont De Nemours & Co. Conductor compositions
JPH04174597A (ja) * 1990-11-07 1992-06-22 Hitachi Ltd 混成集積回路基板とその製造方法および厚膜ペースト材
JP3331083B2 (ja) * 1995-03-06 2002-10-07 株式会社住友金属エレクトロデバイス 低温焼成セラミック回路基板
JPH10340622A (ja) 1997-06-05 1998-12-22 Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk 導体ペースト
US5922627A (en) * 1997-10-17 1999-07-13 National Starch And Chemical Investment Holding Corporation Low resistivity palladium-silver compositions
JP3428418B2 (ja) * 1998-02-13 2003-07-22 株式会社村田製作所 セラミック内部電極用ペースト
JP2000048642A (ja) * 1998-07-24 2000-02-18 Murata Mfg Co Ltd 導電性ペースト及びガラス回路基板
JP2001243836A (ja) * 1999-12-21 2001-09-07 Murata Mfg Co Ltd 導電性ペースト及びそれを用いた印刷配線板
JP4327975B2 (ja) * 2000-02-25 2009-09-09 大日本印刷株式会社 導体インキ
JP3901135B2 (ja) * 2001-01-24 2007-04-04 株式会社ノリタケカンパニーリミテド 導体ペースト
JP2002246729A (ja) * 2001-02-15 2002-08-30 Nippon Carbide Ind Co Inc 電極基板の製造方法
CN1316509C (zh) * 2001-09-06 2007-05-16 诺利塔克股份有限公司 导体组合物及其制造方法
ATE334949T1 (de) 2001-10-09 2006-08-15 Du Pont Dickfilm-leiterzusammensetzungen zur verwendung auf alumniumnitridsubstraten
US6815039B2 (en) * 2002-02-21 2004-11-09 Bei Technologies, Inc. Resistance element for potentiometric devices, and method of manufacture
US7494607B2 (en) * 2005-04-14 2009-02-24 E.I. Du Pont De Nemours And Company Electroconductive thick film composition(s), electrode(s), and semiconductor device(s) formed therefrom
US20080230119A1 (en) * 2007-03-22 2008-09-25 Hideki Akimoto Paste for back contact-type solar cell
US7704416B2 (en) * 2007-06-29 2010-04-27 E.I. Du Pont De Nemours And Company Conductor paste for ceramic substrate and electric circuit
WO2009032984A1 (en) * 2007-09-07 2009-03-12 E. I. Du Pont De Nemours And Company Multi-element alloy powder containing silver and at least two non-silver containing elements

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