JP2002246729A - 電極基板の製造方法 - Google Patents
電極基板の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 マイグレーションがなく、メッキが可能で、
厚膜が可能な電極基板の製造方法を提供すること。 【解決手段】 鉛成分を含有しないガラス粉末、銅系ま
たは銀系の金属粉末、バインダー樹脂及び有機溶剤より
なる導体ペーストを絶縁性セラミック基板１に電極パタ
ーン厚膜スクリーン印刷して電極層５を形成し、該電極
層５に金属メッキ６を施した電極基板の製造方法。
厚膜が可能な電極基板の製造方法を提供すること。 【解決手段】 鉛成分を含有しないガラス粉末、銅系ま
たは銀系の金属粉末、バインダー樹脂及び有機溶剤より
なる導体ペーストを絶縁性セラミック基板１に電極パタ
ーン厚膜スクリーン印刷して電極層５を形成し、該電極
層５に金属メッキ６を施した電極基板の製造方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、絶縁性セラミック基板
に銅系または銀系の電極を形成する電極基板の製造方法
に関する。
に銅系または銀系の電極を形成する電極基板の製造方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、絶縁性セラミック基板に導体回路
を形成する方法として、Ａｇ−Ｐｄ系ペースト、Ａｇ−
Ｐｔ系ペースト、銀系ペースト、銅系ペースト、等の印
刷性に優れた印刷用ペーストをもちいセラミック基板に
スクリーン印刷などの技術による厚膜印刷方法がＨＩＣ
用基板、チップ抵抗、等に利用されている。これらのう
ち銀（Ａｇ）を含むペーストで形成された導体回路は、
マイグレーションという現象が発生して回路をショート
させる可能性を有すること、半田に浸食されやすいこと
などが指摘されている。また、これらのペーストには、
鉛成分を含有するガラス粉末が使用されているために工
業的・連続的にメッキすることができない。
を形成する方法として、Ａｇ−Ｐｄ系ペースト、Ａｇ−
Ｐｔ系ペースト、銀系ペースト、銅系ペースト、等の印
刷性に優れた印刷用ペーストをもちいセラミック基板に
スクリーン印刷などの技術による厚膜印刷方法がＨＩＣ
用基板、チップ抵抗、等に利用されている。これらのう
ち銀（Ａｇ）を含むペーストで形成された導体回路は、
マイグレーションという現象が発生して回路をショート
させる可能性を有すること、半田に浸食されやすいこと
などが指摘されている。また、これらのペーストには、
鉛成分を含有するガラス粉末が使用されているために工
業的・連続的にメッキすることができない。
【０００３】また、絶縁性セラミック基板に導体回路を
形成する他の方法として、絶縁性セラミック基板の表面
を粗化し、パラジウム核を種付けし、銅をメッキし、エ
ッチングすることが行われている。この方法において
も、高価なパラジウムの使用、長い時間を要する厚付け
銅のメッキ、エッチングによるパラジウム核の除去、等
と経済的な工程とはいえない。
形成する他の方法として、絶縁性セラミック基板の表面
を粗化し、パラジウム核を種付けし、銅をメッキし、エ
ッチングすることが行われている。この方法において
も、高価なパラジウムの使用、長い時間を要する厚付け
銅のメッキ、エッチングによるパラジウム核の除去、等
と経済的な工程とはいえない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記したごとくの方法
による絶縁性セラミック基板への導体回路（電極層）の
形成は、マイグレーションの問題、従来のペースト使用
製品において工業的にメッキすることができない、厚付
けメッキに長時間を要すること、等の特性、経済性に関
する問題がある。
による絶縁性セラミック基板への導体回路（電極層）の
形成は、マイグレーションの問題、従来のペースト使用
製品において工業的にメッキすることができない、厚付
けメッキに長時間を要すること、等の特性、経済性に関
する問題がある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、鉛成分を含有
しないガラス粉末、金属粉末、バインダー樹脂及び有機
溶剤よりなる導体ペーストを絶縁性セラミック基板１に
電極パターン厚膜スクリーン印刷する工程、印刷された
該導体ペーストを乾燥し焼成して電極層５を形成する工
程及び該電極層に金属メッキ６を施す工程より成り、該
電極層が２〜１０重量％のガラス成分及び９８〜９０重
量％の金属成分であること並びに該金属成分が銅系また
は銀系である電極基板の製造方法を提供するものであ
る。このような方法で製造された電極基板は、金属メッ
キが施されているためマイグレーションの問題がなく安
価であり、導体ペーストを厚膜スクリーン印刷方法で塗
布するため厚付けが可能であり、鉛成分を含有しないガ
ラス粉末を使用するため工業的・連続的にメッキが可能
である、等の特性、経済性に関する問題を解決した製品
を提供できる。
しないガラス粉末、金属粉末、バインダー樹脂及び有機
溶剤よりなる導体ペーストを絶縁性セラミック基板１に
電極パターン厚膜スクリーン印刷する工程、印刷された
該導体ペーストを乾燥し焼成して電極層５を形成する工
程及び該電極層に金属メッキ６を施す工程より成り、該
電極層が２〜１０重量％のガラス成分及び９８〜９０重
量％の金属成分であること並びに該金属成分が銅系また
は銀系である電極基板の製造方法を提供するものであ
る。このような方法で製造された電極基板は、金属メッ
キが施されているためマイグレーションの問題がなく安
価であり、導体ペーストを厚膜スクリーン印刷方法で塗
布するため厚付けが可能であり、鉛成分を含有しないガ
ラス粉末を使用するため工業的・連続的にメッキが可能
である、等の特性、経済性に関する問題を解決した製品
を提供できる。
【０００６】以下、本発明に係る電極基板の製造方法に
ついて詳述する。本発明に係る電極基板の製造方法は、
鉛成分を含有しないガラス粉末、金属粉末、バインダー
樹脂及び有機溶剤よりなる導体ペーストを絶縁性セラミ
ック基板１に電極パターン厚膜スクリーン印刷方法で塗
布する工程、該導体ペーストを乾燥し焼成して電極層５
を形成する工程及び該電極層に金属メッキ６を施す工程
により絶縁性セラミック基板１に金属メッキ６された電
極層５を形成する。以下に更に詳細を説明する。
ついて詳述する。本発明に係る電極基板の製造方法は、
鉛成分を含有しないガラス粉末、金属粉末、バインダー
樹脂及び有機溶剤よりなる導体ペーストを絶縁性セラミ
ック基板１に電極パターン厚膜スクリーン印刷方法で塗
布する工程、該導体ペーストを乾燥し焼成して電極層５
を形成する工程及び該電極層に金属メッキ６を施す工程
により絶縁性セラミック基板１に金属メッキ６された電
極層５を形成する。以下に更に詳細を説明する。
【０００７】導体ペーストは、鉛成分を含有しないガラ
ス粉末、金属粉末、バインダー樹脂及び有機溶剤を混合
し、更にロールで均一に混合して作成する。ガラス粉末
としては、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−ＺｎＯ系のガラス粉
末、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ｂｉ ２Ｏ３系のガラス粉末、
ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−ＣａＯ系のガラス粉末、ＳｉＯ２
−Ｂ２Ｏ３−ＴｉＯ２系のガラス粉末、ＳｉＯ２−Ｂ２
Ｏ３−Ｎａ２Ｏ系ガラス粉末、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ｍ
ｇＯ系のガラス粉末、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａｌ ２Ｏ３
系のガラス粉末、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−ＺｒＯ系のガラ
ス粉末、等が例示でき、これらの少なくとも一種類より
なる。また、ガラス粉末は、１〜１０μｍの平均粒子径
であることが好ましい。金属粉末は、０．５〜１０μｍ
の平均粒子径及び１００〜２００ｎｍの平均粒子径の混
合粉末が好ましい。ガラス成分及び金属成分の配合比
は、ガラス成分が２〜１０重量％、金属成分が９０〜９
８重量％であることが好ましく、更に好ましくは、ガラ
ス成分が２〜５重量％、金属成分が９５〜９８重量％で
ある。金属成分は、銅若しくは銅合金または銀、銀−パ
ラジウム若しくは銀−白金である。バインダー樹脂は、
焼成中に分解し残存しないものであればよく、例えば、
ニトロセルロース、酢酸セルロース、ブチルセルロー
ス、エチルセルロース、等のセルロース類、ポリエーテ
ル類、ポリビニル類、アクリル類、等である。有機溶剤
は、バインダー樹脂を溶かすものでありカルビトール、
テルピネオール、カルビトールアセテート、等である。
ス粉末、金属粉末、バインダー樹脂及び有機溶剤を混合
し、更にロールで均一に混合して作成する。ガラス粉末
としては、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−ＺｎＯ系のガラス粉
末、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ｂｉ ２Ｏ３系のガラス粉末、
ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−ＣａＯ系のガラス粉末、ＳｉＯ２
−Ｂ２Ｏ３−ＴｉＯ２系のガラス粉末、ＳｉＯ２−Ｂ２
Ｏ３−Ｎａ２Ｏ系ガラス粉末、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ｍ
ｇＯ系のガラス粉末、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａｌ ２Ｏ３
系のガラス粉末、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−ＺｒＯ系のガラ
ス粉末、等が例示でき、これらの少なくとも一種類より
なる。また、ガラス粉末は、１〜１０μｍの平均粒子径
であることが好ましい。金属粉末は、０．５〜１０μｍ
の平均粒子径及び１００〜２００ｎｍの平均粒子径の混
合粉末が好ましい。ガラス成分及び金属成分の配合比
は、ガラス成分が２〜１０重量％、金属成分が９０〜９
８重量％であることが好ましく、更に好ましくは、ガラ
ス成分が２〜５重量％、金属成分が９５〜９８重量％で
ある。金属成分は、銅若しくは銅合金または銀、銀−パ
ラジウム若しくは銀−白金である。バインダー樹脂は、
焼成中に分解し残存しないものであればよく、例えば、
ニトロセルロース、酢酸セルロース、ブチルセルロー
ス、エチルセルロース、等のセルロース類、ポリエーテ
ル類、ポリビニル類、アクリル類、等である。有機溶剤
は、バインダー樹脂を溶かすものでありカルビトール、
テルピネオール、カルビトールアセテート、等である。
【０００８】絶縁性セラミック基板１は、特に限定する
ものではないが、好ましくはアルミナセラミック、低温
焼成用ガラスセラミック、窒化アルミ、窒化珪素、炭化
珪素、サイアロン、等である。
ものではないが、好ましくはアルミナセラミック、低温
焼成用ガラスセラミック、窒化アルミ、窒化珪素、炭化
珪素、サイアロン、等である。
【０００９】絶縁性セラミック基板１への導体ペースト
の厚膜スクリーン印刷方法による塗布は、絶縁性セラミ
ック基板の片面のみに施してもよく両面に施してもよ
い。少なくとも片面に短冊状の複数の窓（電極パター
ン）を形成したスクリーン版を用いて、電極パターンを
厚膜スクリーン印刷方法により塗布する。また、塗布さ
れた該導体ペーストは、乾燥機で加熱乾燥して有機溶剤
分をほぼ取り除き更に（銅系の場合は窒素雰囲気炉中
で、銀系の場合は大気雰囲気炉中で）６００〜１０００
度Ｃの温度で焼成して絶縁性セラミック基板１及び導体
ペーストが密着した焼成膜の電極層５を形成する。窒素
雰囲気は、酸素濃度が５０ｐｐｍ以下であることが好ま
しい。更に好ましくは、酸素濃度が１５ｐｐｍ以下であ
る。これは銅系粉末の焼結領域での酸化防止のため、樹
脂成分の焼き飛ばしに有用である。焼成形成された電極
層５は、金属成分がリッチであり、ガラス成分により焼
き締まりがよく電気抵抗が低下する。電極層５の厚さ
は、３〜１００μmであることが好ましく、更に好まし
くは、１０〜５０μmである。一回の厚膜スクリーン印
刷方法で目的の厚みが達成できない場合には、重ねて複
数回の厚膜スクリーン印刷方法を繰り返して行う。電極
層５の厚みが前記の範囲であれば、ペルチェモジュール
等に使用したとき電気抵抗が低く、大きな電流を流すこ
とができる。
の厚膜スクリーン印刷方法による塗布は、絶縁性セラミ
ック基板の片面のみに施してもよく両面に施してもよ
い。少なくとも片面に短冊状の複数の窓（電極パター
ン）を形成したスクリーン版を用いて、電極パターンを
厚膜スクリーン印刷方法により塗布する。また、塗布さ
れた該導体ペーストは、乾燥機で加熱乾燥して有機溶剤
分をほぼ取り除き更に（銅系の場合は窒素雰囲気炉中
で、銀系の場合は大気雰囲気炉中で）６００〜１０００
度Ｃの温度で焼成して絶縁性セラミック基板１及び導体
ペーストが密着した焼成膜の電極層５を形成する。窒素
雰囲気は、酸素濃度が５０ｐｐｍ以下であることが好ま
しい。更に好ましくは、酸素濃度が１５ｐｐｍ以下であ
る。これは銅系粉末の焼結領域での酸化防止のため、樹
脂成分の焼き飛ばしに有用である。焼成形成された電極
層５は、金属成分がリッチであり、ガラス成分により焼
き締まりがよく電気抵抗が低下する。電極層５の厚さ
は、３〜１００μmであることが好ましく、更に好まし
くは、１０〜５０μmである。一回の厚膜スクリーン印
刷方法で目的の厚みが達成できない場合には、重ねて複
数回の厚膜スクリーン印刷方法を繰り返して行う。電極
層５の厚みが前記の範囲であれば、ペルチェモジュール
等に使用したとき電気抵抗が低く、大きな電流を流すこ
とができる。
【００１０】短冊状態の多数の窓を形成したスクリーン
版により電極パターンが厚膜スクリーン印刷されて形成
された電極層は、ワット浴による電気ニッケルメッキ方
法、ニッケルーリンによる無電解メッキ方法、ニッケル
メッキの上に更に金メッキをする方法、硫酸浴による錫
メッキ方法、ホウフッ酸浴による錫メッキ方法、等の一
般に使用されている方法で金属メッキ６が施される。
尚、電極層は鉛成分を含有していないためメッキ液が汚
染されることなく連続的にメッキが可能であり、金属成
分がリッチなため均一でムラなくメッキができる。
版により電極パターンが厚膜スクリーン印刷されて形成
された電極層は、ワット浴による電気ニッケルメッキ方
法、ニッケルーリンによる無電解メッキ方法、ニッケル
メッキの上に更に金メッキをする方法、硫酸浴による錫
メッキ方法、ホウフッ酸浴による錫メッキ方法、等の一
般に使用されている方法で金属メッキ６が施される。
尚、電極層は鉛成分を含有していないためメッキ液が汚
染されることなく連続的にメッキが可能であり、金属成
分がリッチなため均一でムラなくメッキができる。
【００１１】前記した金属メッキ６は、電極層５の表面
の酸化を防ぐため、後工程でのロー付け、半田付け、等
のために金属メッキ処理を施す。金属メッキは、特に限
定するものでなく上記の金属メッキによる方法などであ
る。金メッキは高価であるが下地の金属を酸化させるこ
とがなくロー付け、半田付け、等に良好である。錫メッ
キは、電極層に数十ミクロンと厚く付けることにより直
接ペルチェモジュールなどの搭載部品を固着するのによ
い。また安価であり半田付けにも良好である。
の酸化を防ぐため、後工程でのロー付け、半田付け、等
のために金属メッキ処理を施す。金属メッキは、特に限
定するものでなく上記の金属メッキによる方法などであ
る。金メッキは高価であるが下地の金属を酸化させるこ
とがなくロー付け、半田付け、等に良好である。錫メッ
キは、電極層に数十ミクロンと厚く付けることにより直
接ペルチェモジュールなどの搭載部品を固着するのによ
い。また安価であり半田付けにも良好である。
【００１２】このような製造方法で製作された電極基板
は、メッキが施されているためマイグレーションが起こ
らない、導体ペーストを厚膜スクリーン印刷方法で塗布
するために厚付けが可能であり、鉛成分を含有しないた
め工業的・連続的に金属メッキが可能である等の特性・経
済性に優れている。このような製造方法で製作された電
極基板は、ペルチェモジュール、サーモモジュール、な
どの熱電変換装置用の回路電極用、ＨＩＣ用基板用、等
に用いることが有用である。特に熱電変換装置用の回路
基板として用いることが、セラミック基板１が絶縁性、
熱伝導性に優れており、マイグレーションが起きなく、
厚付け及びガラス成分の少ない電極層５であるために電
気的低抵抗であり、絶縁性セラミック基板と電極層の密
着性がよく、鉛成分を含有しないため工業的・連続的に
金属メッキが可能である、等の特性・経済性面において
有用である。
は、メッキが施されているためマイグレーションが起こ
らない、導体ペーストを厚膜スクリーン印刷方法で塗布
するために厚付けが可能であり、鉛成分を含有しないた
め工業的・連続的に金属メッキが可能である等の特性・経
済性に優れている。このような製造方法で製作された電
極基板は、ペルチェモジュール、サーモモジュール、な
どの熱電変換装置用の回路電極用、ＨＩＣ用基板用、等
に用いることが有用である。特に熱電変換装置用の回路
基板として用いることが、セラミック基板１が絶縁性、
熱伝導性に優れており、マイグレーションが起きなく、
厚付け及びガラス成分の少ない電極層５であるために電
気的低抵抗であり、絶縁性セラミック基板と電極層の密
着性がよく、鉛成分を含有しないため工業的・連続的に
金属メッキが可能である、等の特性・経済性面において
有用である。
【００１３】
【実施例】以下、本発明に係る回路基板の製造方法の実
施例を説明する。尚、本発明に係る回路基板の製造方法
は以下の実施例に限られるものではない。
施例を説明する。尚、本発明に係る回路基板の製造方法
は以下の実施例に限られるものではない。
【００１４】（実施例１）絶縁性セラミック基板１とし
てアルミナセラミック基板（厚さ０．３ｍｍ、サイズ５
２＊３６ｍｍ、１０＊６ｍｍのユニット４のサイズで１
６個面付け、スナップライン２付きで周りにダミー３付
き（図２（ａ）））の表面の１６個のユニットサイズ各
々に格子短冊状の電極パターンであるスクリーン印刷版
を用いて導体ペースト［（鉛成分を含有しないＳｉＯ２
−Ｂ２Ｏ３−ＺｎＯ系のガラス粉末）、（平均粒径が３
μｍ＋１５０μmの銅粉末）、（アクリル系のバインダ
ー樹脂）及び（テルピネオールの溶剤）より成る。］を
厚膜スクリーン印刷方法にて厚みが約３０μｍになるよ
うに印刷塗布した。
てアルミナセラミック基板（厚さ０．３ｍｍ、サイズ５
２＊３６ｍｍ、１０＊６ｍｍのユニット４のサイズで１
６個面付け、スナップライン２付きで周りにダミー３付
き（図２（ａ）））の表面の１６個のユニットサイズ各
々に格子短冊状の電極パターンであるスクリーン印刷版
を用いて導体ペースト［（鉛成分を含有しないＳｉＯ２
−Ｂ２Ｏ３−ＺｎＯ系のガラス粉末）、（平均粒径が３
μｍ＋１５０μmの銅粉末）、（アクリル系のバインダ
ー樹脂）及び（テルピネオールの溶剤）より成る。］を
厚膜スクリーン印刷方法にて厚みが約３０μｍになるよ
うに印刷塗布した。
【００１５】上記の銅系の導体ペーストが印刷塗布され
たアルミナセラミック基板をＩＲ炉（１８０度Ｃ５分
間）に入れて該導体ペーストを乾燥し、酸素を約１０ｐ
ｐｍ含む窒素雰囲気のトンネル炉（ピーク温度９００度
Ｃ、ピーク温度通過時間１０分）で該導体ペーストを焼
成して該アルミナセラミック基板の上面に密着性のよい
銅系の電極層５を形成した。（図２（ｂ））
たアルミナセラミック基板をＩＲ炉（１８０度Ｃ５分
間）に入れて該導体ペーストを乾燥し、酸素を約１０ｐ
ｐｍ含む窒素雰囲気のトンネル炉（ピーク温度９００度
Ｃ、ピーク温度通過時間１０分）で該導体ペーストを焼
成して該アルミナセラミック基板の上面に密着性のよい
銅系の電極層５を形成した。（図２（ｂ））
【００１６】電極層を形成したアルミナセラミック基板
を酸洗いし、中和し、水洗し、金属メッキ６としてニッ
ケル−リンの無電解メッキ方法で該電極層にＮｉメッキ
を施し（Ｎｉは銅の金皮膜中への拡散を防止する。）、
更にＮｉの上に金メッキを施し、金属メッキ６付き電極
層５を形成した電極基板を製作した。（図１）（図２
（ｃ））
を酸洗いし、中和し、水洗し、金属メッキ６としてニッ
ケル−リンの無電解メッキ方法で該電極層にＮｉメッキ
を施し（Ｎｉは銅の金皮膜中への拡散を防止する。）、
更にＮｉの上に金メッキを施し、金属メッキ６付き電極
層５を形成した電極基板を製作した。（図１）（図２
（ｃ））
【００１７】このように製作された電極基板は、マイグ
レーションの問題がなく、工業的に連続メッキが可能で
あり、電気的低抵抗で適度の膜厚が容易に得ることがで
きる等の特性・経済性を備えた物である。
レーションの問題がなく、工業的に連続メッキが可能で
あり、電気的低抵抗で適度の膜厚が容易に得ることがで
きる等の特性・経済性を備えた物である。
【００１８】（実施例２）実施例１と同様の部分は記述
を省略する。アルミナセラミック基板の片面に銅系の導
体ペーストをスクリーン印刷方法にてスナップライン２
に該当する部分を省く全面に印刷塗布し、ＩＲ炉で乾燥
し、アルミナセラミック基板の他の面には格子短冊状の
スクリーンを用いて銅系の導体ペーストをスクリーン印
刷方法で印刷塗布し、ＩＲ炉で乾燥し、両面に銅系の導
体ペーストの乾燥した層を形成したアルミナセラミック
基板を酸素約１０ｐｐｍ含有の窒素雰囲気トンネル炉に
通して銅系の導体ペーストを焼成してアルミナセラミッ
ク基板１の両面に密着性のよい電極層５を形成した。
を省略する。アルミナセラミック基板の片面に銅系の導
体ペーストをスクリーン印刷方法にてスナップライン２
に該当する部分を省く全面に印刷塗布し、ＩＲ炉で乾燥
し、アルミナセラミック基板の他の面には格子短冊状の
スクリーンを用いて銅系の導体ペーストをスクリーン印
刷方法で印刷塗布し、ＩＲ炉で乾燥し、両面に銅系の導
体ペーストの乾燥した層を形成したアルミナセラミック
基板を酸素約１０ｐｐｍ含有の窒素雰囲気トンネル炉に
通して銅系の導体ペーストを焼成してアルミナセラミッ
ク基板１の両面に密着性のよい電極層５を形成した。
【００１９】格子状電極層及び反対面の電極層に電気Ｎ
ｉメッキ（ワット浴）を施して約３μｍのＮｉメッキ層
を形成し、該Ｎｉメッキ層の上に金メッキを施して約
０．３μｍのＡｕメッキ層を形成し、金属メッキ６付電
極層５の電極基板を製作した。
ｉメッキ（ワット浴）を施して約３μｍのＮｉメッキ層
を形成し、該Ｎｉメッキ層の上に金メッキを施して約
０．３μｍのＡｕメッキ層を形成し、金属メッキ６付電
極層５の電極基板を製作した。
【００２０】このように製作された電極基板は、スナッ
プラインに沿って１６個のユニットに分割され、ユニッ
ト内の独立した縞状の電極層にＮ型熱電半導体素子・Ｐ
型熱電半導体素子を交互に整列して搭載・固着すること
により熱電変換ユニットが組み立てられ両側に位置する
全面の銅導体層が放熱・吸熱の効率よい働きをする。
プラインに沿って１６個のユニットに分割され、ユニッ
ト内の独立した縞状の電極層にＮ型熱電半導体素子・Ｐ
型熱電半導体素子を交互に整列して搭載・固着すること
により熱電変換ユニットが組み立てられ両側に位置する
全面の銅導体層が放熱・吸熱の効率よい働きをする。
【００２１】またこのように製作された電極基板は、マ
イグレーションの問題がなく、電極層の電気抵抗値が低
く、金属メッキが工業的に連続可能である。
イグレーションの問題がなく、電極層の電気抵抗値が低
く、金属メッキが工業的に連続可能である。
【００２２】（実施例３）実施例１とほぼ同様にして絶
縁性セラミック基板１の表面に銀−Ｐｄ系の導体ペース
トよりなる電極層５を形成し、Ｎｉメッキに換えて硫酸
浴による５０μm厚みの錫メッキを施して金属メッキ６
付きの電極層を形成した電極基板を製作した。
縁性セラミック基板１の表面に銀−Ｐｄ系の導体ペース
トよりなる電極層５を形成し、Ｎｉメッキに換えて硫酸
浴による５０μm厚みの錫メッキを施して金属メッキ６
付きの電極層を形成した電極基板を製作した。
【００２３】このように製作された電極基板は、安価な
錫メッキでマイグレーションの問題がなく、半田を使用
することなくペルチェ素子などの搭載部品を直接固着す
ることができる等の特性・経済性を備えている。
錫メッキでマイグレーションの問題がなく、半田を使用
することなくペルチェ素子などの搭載部品を直接固着す
ることができる等の特性・経済性を備えている。
【００２４】
【発明の効果】本発明に係る電極基板の製造方法は、鉛
成分を含有しない導体ペーストを厚膜スクリーン印刷方
法で塗布して絶縁性セラミック基板に電極層を形成し、
該電極層の表面には金属メッキが施されている。メッキ
が施されているためマイグレーションの問題がない、鉛
成分を含有しないため連続的に金属メッキが可能であ
る、厚膜スクリーン印刷方法で電極層を形成するため厚
い膜を形成することができる、電極層が電気的に低抵抗
である、等の特性・経済性に優れている。
成分を含有しない導体ペーストを厚膜スクリーン印刷方
法で塗布して絶縁性セラミック基板に電極層を形成し、
該電極層の表面には金属メッキが施されている。メッキ
が施されているためマイグレーションの問題がない、鉛
成分を含有しないため連続的に金属メッキが可能であ
る、厚膜スクリーン印刷方法で電極層を形成するため厚
い膜を形成することができる、電極層が電気的に低抵抗
である、等の特性・経済性に優れている。
【００２５】
【図１】本発明に係る電極基板の製造方法により絶縁性
セラミック基板の表面に電極層を形成した一実施形態図
である。
セラミック基板の表面に電極層を形成した一実施形態図
である。
【図２】本発明に係る電極基板の製造方法の一実施形態
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【００２６】
１ 絶縁性セラミック基板 ２ スナップライン ３ ダミー ４ ユニット ５ 電極層 ６ 金属メッキ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｋ 3/12 ６１０ Ｈ０５Ｋ 3/12 ６１０Ｇ Ｆターム(参考） 4E351 AA07 BB31 BB33 BB35 CC06 CC11 CC22 DD04 DD05 DD06 DD19 DD22 EE02 EE03 EE09 EE24 GG02 GG12 5E343 AA02 AA23 AA24 BB12 BB16 BB23 BB24 BB25 BB44 BB71 BB72 DD03 DD33 DD43 GG01 GG08 GG14 5G323 CA03
Claims (1)
- 【請求項１】絶縁性セラミック基板に電極を形成する電
極基板の製造方法において、鉛成分を含有しないガラス
粉末、金属粉末、バインダー樹脂及び有機溶剤よりなる
導体ペーストを絶縁性セラミック基板に電極パターン厚
膜スクリーン印刷する工程、印刷された該導体ペースト
を乾燥し焼成して電極層を形成する工程及び該電極層に
金属メッキを施す工程より成り、該電極層が２〜１０重
量％のガラス成分及び９８〜９０重量％の金属成分であ
ること並びに該金属成分が銅系または銀系であることを
特徴とする電極基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001037900A JP2002246729A (ja) | 2001-02-15 | 2001-02-15 | 電極基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001037900A JP2002246729A (ja) | 2001-02-15 | 2001-02-15 | 電極基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002246729A true JP2002246729A (ja) | 2002-08-30 |
Family
ID=18900971
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001037900A Pending JP2002246729A (ja) | 2001-02-15 | 2001-02-15 | 電極基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002246729A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010532586A (ja) * | 2007-06-29 | 2010-10-07 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | セラミック基板用導体ペーストおよび電気回路 |
| JP2011009404A (ja) * | 2009-06-25 | 2011-01-13 | Kyocera Corp | 多層配線基板 |
| JP2011077177A (ja) * | 2009-09-29 | 2011-04-14 | Mitsuboshi Belting Ltd | 穴埋め用導体ペースト、導体穴埋め基板、導体穴埋め基板の製造方法、回路基板、電子部品、半導体パッケージ |
| CN110097995A (zh) * | 2018-01-31 | 2019-08-06 | 上海宝银电子材料有限公司 | 一种手机电阻用正面银浆及其制备方法 |
| CN110097999A (zh) * | 2018-01-31 | 2019-08-06 | 上海宝银电子材料有限公司 | 一种手机电阻用背面银浆及其制备方法 |
-
2001
- 2001-02-15 JP JP2001037900A patent/JP2002246729A/ja active Pending
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