JPS60217694A - 回路基板の製造方法 - Google Patents
回路基板の製造方法Info
- Publication number
- JPS60217694A JPS60217694A JP7265584A JP7265584A JPS60217694A JP S60217694 A JPS60217694 A JP S60217694A JP 7265584 A JP7265584 A JP 7265584A JP 7265584 A JP7265584 A JP 7265584A JP S60217694 A JPS60217694 A JP S60217694A
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- resin
- paste
- plating
- powder
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- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は樹脂系銅ペーストを用いて導体路を形成した回
路基板に係り、特に耐半田性に優れた回路基板に関する
。
路基板に係り、特に耐半田性に優れた回路基板に関する
。
従来から絶縁性基体上に卑金属粉と樹脂とを混合してな
る導体ペーストを印刷した後加熱硬化した印刷配線板が
広く用いられている。卑金属粉と樹脂とからなる導体ペ
ーストとしては銅を使用した銅ペーストが良く知られて
いる。この銅ペーストは銅粉と樹脂とを主成分としその
他若干の溶剤や酸化防止剤等を含んでいる。銅は空気中
でその表面が容易に酸化されるためこのまま絶縁性基体
上に印刷し加熱硬化しても良好な導体膜は得られにくく
、これを改善するために上記酸化防止剤が添加されてい
るのである。さらに銅の酸化物を還元或いは溶解する添
加物を添加し、銅ペーストからなる導体膜の抵抗をさげ
ることが試みられている。(1!!f開昭48−206
04号等)。
る導体ペーストを印刷した後加熱硬化した印刷配線板が
広く用いられている。卑金属粉と樹脂とからなる導体ペ
ーストとしては銅を使用した銅ペーストが良く知られて
いる。この銅ペーストは銅粉と樹脂とを主成分としその
他若干の溶剤や酸化防止剤等を含んでいる。銅は空気中
でその表面が容易に酸化されるためこのまま絶縁性基体
上に印刷し加熱硬化しても良好な導体膜は得られにくく
、これを改善するために上記酸化防止剤が添加されてい
るのである。さらに銅の酸化物を還元或いは溶解する添
加物を添加し、銅ペーストからなる導体膜の抵抗をさげ
ることが試みられている。(1!!f開昭48−206
04号等)。
しかしながら、この種の方法を用いても導体膜の抵抗値
を低くすることは難かしく、例えば20μm膜厚で60
mΩ八以下へするのは極めて困難であった。なお印刷導
体膜としてはその抵抗値が20mΩ九以下であることが
望ましく、さらに低ければ低いほど好ましいのは当然で
おる。また前記銅導体膜は高温での使用、或いは温度雰
囲気での使用中にその抵抗線が経時的に増大傾向を示し
、安定性に乏しいものであった。
を低くすることは難かしく、例えば20μm膜厚で60
mΩ八以下へするのは極めて困難であった。なお印刷導
体膜としてはその抵抗値が20mΩ九以下であることが
望ましく、さらに低ければ低いほど好ましいのは当然で
おる。また前記銅導体膜は高温での使用、或いは温度雰
囲気での使用中にその抵抗線が経時的に増大傾向を示し
、安定性に乏しいものであった。
また銅ペーストは銀系ペーストに比して半田ぐわれが少
ないことから半田付性のある導体ペーストとして期待さ
れているが、半田付性は銅と単能とのl量比が85%以
上であることが好ましく、この組成では銅の酸化を防止
することが極めて困難となり、そのため、導体膜の抵抗
値は高く、安定性も悪い。これがために現在市販されて
いるペーストは導電性専用ペーストと半田付専用ペース
トに別れてお凱良好な導電性及び半田付性を合せ持つ銅
ペーストは未だ実用化されていないのが現状でめっだ。
ないことから半田付性のある導体ペーストとして期待さ
れているが、半田付性は銅と単能とのl量比が85%以
上であることが好ましく、この組成では銅の酸化を防止
することが極めて困難となり、そのため、導体膜の抵抗
値は高く、安定性も悪い。これがために現在市販されて
いるペーストは導電性専用ペーストと半田付専用ペース
トに別れてお凱良好な導電性及び半田付性を合せ持つ銅
ペーストは未だ実用化されていないのが現状でめっだ。
本発明は以上の点を考慮してなされたもので。
耐ハンダ性に優れ、かつ導電性の安定な樹脂系銅ペース
トを用いた回路基板の製造方法を提供することを目的と
する。
トを用いた回路基板の製造方法を提供することを目的と
する。
本発明は絶縁性基体上に、熱硬化性樹脂中に導電性粉と
して銅を主体として、銀、ノ(ラジウム。
して銅を主体として、銀、ノ(ラジウム。
金及び白金から選ばれた少なくとも一種を含む樹脂系銅
ペーストからな−る導体パターンを塗布形成し、非酸化
性雰囲気中で焼成した後、少なくとも・・ンダ付部分に
金属無電解メッキ層を形成することを特徴とする回路基
板の製造方法でおる。
ペーストからな−る導体パターンを塗布形成し、非酸化
性雰囲気中で焼成した後、少なくとも・・ンダ付部分に
金属無電解メッキ層を形成することを特徴とする回路基
板の製造方法でおる。
絶縁性基板としては、樹脂系、無機系等いずれを用いて
も良く、銅ペーストの硬化温度に耐え得るものでおれば
良い。樹脂系としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂
、ポリエステル樹脂等或いはこれらとAlz03,81
02等の金属酸化物との混合体等が挙げられ、特に耐熱
性が要求される場合は、ポリイミド樹脂、ビスマレイミ
ド樹脂、ビスフェノール樹脂等の単体、混合体を用いる
ことが好ましい。ざらに高放熱性が要求きれる場合は、
鉄、アルミニウム、ニッケル、ステンレス、銅等の金に
基体上にこのような樹8H層を塗布形成したものを用い
ても良い。無機系としては、例えばA/20s等のセラ
ミック基体、ホーロー基体、ガラス基体等が挙げられる
。
も良く、銅ペーストの硬化温度に耐え得るものでおれば
良い。樹脂系としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂
、ポリエステル樹脂等或いはこれらとAlz03,81
02等の金属酸化物との混合体等が挙げられ、特に耐熱
性が要求される場合は、ポリイミド樹脂、ビスマレイミ
ド樹脂、ビスフェノール樹脂等の単体、混合体を用いる
ことが好ましい。ざらに高放熱性が要求きれる場合は、
鉄、アルミニウム、ニッケル、ステンレス、銅等の金に
基体上にこのような樹8H層を塗布形成したものを用い
ても良い。無機系としては、例えばA/20s等のセラ
ミック基体、ホーロー基体、ガラス基体等が挙げられる
。
樹脂系銅ペーストとして、Ag * Pd + Au
+ P tの少なくとも一種を宮むものを用いる。導電
性粉とじてのCu粉は電解銅粉、鱗片状銅粉、粋砕銅粉
等を用いる。印刷性を考慮すると平均粒径が10μm以
下であることが好ましい。またペースト状態の維持及び
印刷性を考慮してペースト中の銅量は95重量−以下と
することが好ましい。
+ P tの少なくとも一種を宮むものを用いる。導電
性粉とじてのCu粉は電解銅粉、鱗片状銅粉、粋砕銅粉
等を用いる。印刷性を考慮すると平均粒径が10μm以
下であることが好ましい。またペースト状態の維持及び
印刷性を考慮してペースト中の銅量は95重量−以下と
することが好ましい。
ペースト中の熱硬化性樹脂としては例えばエポキシ樹脂
、フェノール樹脂、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂等
が挙げられ、予報の銅粉末を配合可能とするために、平
均分子Ji110000以上となるように縮合度合を上
げたものが好ましい。
、フェノール樹脂、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂等
が挙げられ、予報の銅粉末を配合可能とするために、平
均分子Ji110000以上となるように縮合度合を上
げたものが好ましい。
又、ペースト中のAg、Pd、Au、Ptは無電解メッ
キ層の形成を可能とする。ペースト中への混入方法とし
ては、例えば銅粉末及び上記貴金籾をボールミル等の粉
砕手段により一緒に粋砕したものを樹脂中に混入する方
法、又は樹脂中に銅粉末と貴金属を各々調合し、練り込
む1方法でも良い。
キ層の形成を可能とする。ペースト中への混入方法とし
ては、例えば銅粉末及び上記貴金籾をボールミル等の粉
砕手段により一緒に粋砕したものを樹脂中に混入する方
法、又は樹脂中に銅粉末と貴金属を各々調合し、練り込
む1方法でも良い。
前者の方法の方が、銅粉末表面に貴金属粉が均一に分散
された形態となり、メッキ形成の容易性の効果が大きい
。このようにs Ag、Pd、Au1Ptの貴金属を含
有した銅ペーストでは、この貴金属がメッキの核となり
、メッキ形成が容易となる。銅の含有量が少ないと、銅
ペースト表面の樹脂被覆部分)「広くなり、メッキ形成
が困難となるため、銅粉末量は85重ILチ以上である
ことが好ましい。
された形態となり、メッキ形成の容易性の効果が大きい
。このようにs Ag、Pd、Au1Ptの貴金属を含
有した銅ペーストでは、この貴金属がメッキの核となり
、メッキ形成が容易となる。銅の含有量が少ないと、銅
ペースト表面の樹脂被覆部分)「広くなり、メッキ形成
が困難となるため、銅粉末量は85重ILチ以上である
ことが好ましい。
又前記貴金属量は銅粉に対し、10wt#程度まで添加
するだけで十分効果を発揮する。好ましくは1〜10w
t%程度であり、少ないとメッキ形成が困難でおり、多
すぎるとCuペーストの特徴である低コストの意味がな
くなる。又、Pd等は、導電率を下げてしまう、 次に導体路形成工程について説明する。
するだけで十分効果を発揮する。好ましくは1〜10w
t%程度であり、少ないとメッキ形成が困難でおり、多
すぎるとCuペーストの特徴である低コストの意味がな
くなる。又、Pd等は、導電率を下げてしまう、 次に導体路形成工程について説明する。
前記のような銅ペーストを絶縁性基体上に所望のパター
ンで印刷する。その後、非酸化性雰囲気中にて焼成を行
なう。焼成温度は銅ペースト中に含まれる樹脂及び絶縁
性基体の耐熱性により適宜設定すれば良いが、250°
0〜400υの範囲が好適である。このような非酸化性
雰囲気中の焼成で銅ペーストの導電性は向上する。
ンで印刷する。その後、非酸化性雰囲気中にて焼成を行
なう。焼成温度は銅ペースト中に含まれる樹脂及び絶縁
性基体の耐熱性により適宜設定すれば良いが、250°
0〜400υの範囲が好適である。このような非酸化性
雰囲気中の焼成で銅ペーストの導電性は向上する。
金属粉末は一般に粒径が小さい程、また粉体の隣り合う
同士に働く力が大きい程、低温で隣り同士の金属粉との
間で金属原子間の相互拡散が生じ、一体化鎖構造を作る
。非酸化性ガス中で焼成することにより銅ペースト中の
樹脂あるいは溶剤の一部が熱分解し、−酸化炭素になり
銅表面を清浄化する。同時に樹脂の硬化時の収縮による
圧力によシ銅粉末同士に圧力を与えるので銅粉末同工の
原子の相互拡散が生じ樹脂マトリックス中に銅の鎖構造
が形成され、導電性が著しく向上する。
同士に働く力が大きい程、低温で隣り同士の金属粉との
間で金属原子間の相互拡散が生じ、一体化鎖構造を作る
。非酸化性ガス中で焼成することにより銅ペースト中の
樹脂あるいは溶剤の一部が熱分解し、−酸化炭素になり
銅表面を清浄化する。同時に樹脂の硬化時の収縮による
圧力によシ銅粉末同士に圧力を与えるので銅粉末同工の
原子の相互拡散が生じ樹脂マトリックス中に銅の鎖構造
が形成され、導電性が著しく向上する。
次に半田付部分以外が覆われる様にソルダーレジストを
塗布する。ソルダーレジストとしては熱硬化性樹脂、紫
外線硬化性樹脂等のいずれでも良いが銅表面の酸化を押
えるため1例えば140°C以下程度・でレジネトの硬
化条件を設定する必要がある。
塗布する。ソルダーレジストとしては熱硬化性樹脂、紫
外線硬化性樹脂等のいずれでも良いが銅表面の酸化を押
えるため1例えば140°C以下程度・でレジネトの硬
化条件を設定する必要がある。
次いで露出しだ導体路表面に金属無電解メッキを施す。
ここで金属に例えばNl、Sn等である。無電邂メッキ
浴はN1−P系無電解メッキ浴、N1−B系無電解メッ
キ液等のものを採用できるが、反応速度が速いことと、
半田付性がより優れているN1−B系無電解メッキの方
が好ましい。メッキの前処理は銅ペースト表面が清浄化
されてAれは特別な処理は必要としないが稀塩酸中で3
0秒〜1分程度浸漬させても良い。
浴はN1−P系無電解メッキ浴、N1−B系無電解メッ
キ液等のものを採用できるが、反応速度が速いことと、
半田付性がより優れているN1−B系無電解メッキの方
が好ましい。メッキの前処理は銅ペースト表面が清浄化
されてAれは特別な処理は必要としないが稀塩酸中で3
0秒〜1分程度浸漬させても良い。
メツΦ処理後はNi表面の酸化を防止する目的で1リフ
ラツクス処理を九しても良い。、このように形成された
銅ペーストによる導体路は、導電率が高く安定であり、
かつ耐ハンダ性に誕れている。通常の銅ペーストあるい
は銅箔に対して上記の様なNiメッキを施す場合には、
Cuの酸化還元電位が低いため表面のごく薄い酸化膜
により反応が阻害されるので充分な表面エツチング処理
を行なうかあるいは表面にメッキ核となる様な塩化パラ
ジウムコート処理を行なわなければよい。
ラツクス処理を九しても良い。、このように形成された
銅ペーストによる導体路は、導電率が高く安定であり、
かつ耐ハンダ性に誕れている。通常の銅ペーストあるい
は銅箔に対して上記の様なNiメッキを施す場合には、
Cuの酸化還元電位が低いため表面のごく薄い酸化膜
により反応が阻害されるので充分な表面エツチング処理
を行なうかあるいは表面にメッキ核となる様な塩化パラ
ジウムコート処理を行なわなければよい。
これに対し本発明は、このような処理を必要とせず、安
定で高い導電率を維持したまま、耐ハンダ性にすぐれた
導体路を銅ペーストで形成することができる。
定で高い導電率を維持したまま、耐ハンダ性にすぐれた
導体路を銅ペーストで形成することができる。
以上説明したように本発明によれば、樹脂系鋼ペースト
中に、微量の貴金属を含有せしめたことにより、金属メ
ッキを良好に形成することができ。
中に、微量の貴金属を含有せしめたことにより、金属メ
ッキを良好に形成することができ。
半田付性にすぐれた回路基板を得ることができる。
以下に本発明の詳細な説明する。ta を図は本実施例
を示す回路基板の断m1図である。
を示す回路基板の断m1図である。
絶縁性基体(11として96%アルミナセラミック基板
(京セラ製)50X50X0.635m/mのものを用
いた。銅粉は、電解銅粉(平均粒径20μm)中に5重
量%のAg粉を混ぜイソブチルアルコール中に分散させ
た後ボールミルを用いて粉砕し銅粉の粒径が10ttm
以下になったものを用いた。銅ベーストの組成は以下に
示す。
(京セラ製)50X50X0.635m/mのものを用
いた。銅粉は、電解銅粉(平均粒径20μm)中に5重
量%のAg粉を混ぜイソブチルアルコール中に分散させ
た後ボールミルを用いて粉砕し銅粉の粒径が10ttm
以下になったものを用いた。銅ベーストの組成は以下に
示す。
銅粉(Ag 5 wt%入り) 94 皇魁fll+フ
ェノキシもL4脂 6 # ブチルカルピトール 15 1 この組成からなる帽ペーストを混線調整した後上記アル
ミナ基板(1)上に印刷形成した。120℃10分間乾
燥後第2図に示す温度グPファルを持つトンネル型焼成
炉N2ガスを導入して30分間焼成を行なった。このと
き02含有量は20ppm と無視し得る量であった。
ェノキシもL4脂 6 # ブチルカルピトール 15 1 この組成からなる帽ペーストを混線調整した後上記アル
ミナ基板(1)上に印刷形成した。120℃10分間乾
燥後第2図に示す温度グPファルを持つトンネル型焼成
炉N2ガスを導入して30分間焼成を行なった。このと
き02含有量は20ppm と無視し得る量であった。
このようにして形成した導体路(2)の半田付部位以外
にソルダーレジスト(アサヒ化学CCR506G)(3
)を印刷塗布し、120℃、20分硬化させた。
にソルダーレジスト(アサヒ化学CCR506G)(3
)を印刷塗布し、120℃、20分硬化させた。
Niメッキには、奥野製薬KKシバニッケ・ル(Ni
−Bタイプ)を用いて65’0.10分間メッキ処理を
行なった。Niメッキ(4)厚は2μmであった。
−Bタイプ)を用いて65’0.10分間メッキ処理を
行なった。Niメッキ(4)厚は2μmであった。
得られた導体路(2)長さ1701111.巾l朋の両
端をミリオームメーターで測定しシート抵抗に換算する
と15mΩ/口(20μ厚)であり、またNiメッキ表
面にフラックス(タムラ化研Y−32V)を塗布した後
5n60−Pb40共晶ハンダ260 ’Q中に10
sec漬浸させこれを5回繰り返しても半田ぐわれが生
じないことを確認した。ざらに従来がらある空気中焼成
(150℃程度)の樹脂系銅ベース)(ji金属含有な
し)と本発明による銅ペーストとの抵抗の経時変化(8
0’(l中)を比較した。第3図VC80℃中における
抵抗値の変化を示す(英線・・・実施例。
端をミリオームメーターで測定しシート抵抗に換算する
と15mΩ/口(20μ厚)であり、またNiメッキ表
面にフラックス(タムラ化研Y−32V)を塗布した後
5n60−Pb40共晶ハンダ260 ’Q中に10
sec漬浸させこれを5回繰り返しても半田ぐわれが生
じないことを確認した。ざらに従来がらある空気中焼成
(150℃程度)の樹脂系銅ベース)(ji金属含有な
し)と本発明による銅ペーストとの抵抗の経時変化(8
0’(l中)を比較した。第3図VC80℃中における
抵抗値の変化を示す(英線・・・実施例。
点線・・・比較例)。本実施例にょる銅ペーストの方が
経時変化が少なく安定しているのがわかった。
経時変化が少なく安定しているのがわかった。
第1図は本発明実施例を示す回路基板の断面図。
第2図は温度グロファイル図、第3図は抵抗率変化図。
第1図
第2図
Claims (1)
- 絶縁性基体上に、熱硬化性樹脂中に導電性粉として銅を
主体として、銀、パラジウム、金及び白金から選ばれた
少なくとも一種を含む樹脂系銅ペーストからなる導体パ
ターンを塗布形成し、非酸化性雰囲気中で焼成した後、
少なくともノ・ンダ付部分に金属無電解メッキ層を形成
することを特徴とする回路基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7265584A JPS60217694A (ja) | 1984-04-13 | 1984-04-13 | 回路基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7265584A JPS60217694A (ja) | 1984-04-13 | 1984-04-13 | 回路基板の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60217694A true JPS60217694A (ja) | 1985-10-31 |
Family
ID=13495608
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7265584A Pending JPS60217694A (ja) | 1984-04-13 | 1984-04-13 | 回路基板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60217694A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6289179U (ja) * | 1985-11-22 | 1987-06-08 | ||
JPS63132497A (ja) * | 1986-11-25 | 1988-06-04 | 株式会社日立製作所 | ムライト配線基板の製造方法 |
JPH04129292A (ja) * | 1990-09-20 | 1992-04-30 | Fuji Xerox Co Ltd | 配線基板の製造方法及びこれに使用する積層マスク担持体 |
JPH04326791A (ja) * | 1991-04-26 | 1992-11-16 | Mitsubishi Materials Corp | 回路基板の配線導体形成方法 |
-
1984
- 1984-04-13 JP JP7265584A patent/JPS60217694A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6289179U (ja) * | 1985-11-22 | 1987-06-08 | ||
JPS63132497A (ja) * | 1986-11-25 | 1988-06-04 | 株式会社日立製作所 | ムライト配線基板の製造方法 |
JPH04129292A (ja) * | 1990-09-20 | 1992-04-30 | Fuji Xerox Co Ltd | 配線基板の製造方法及びこれに使用する積層マスク担持体 |
JPH04326791A (ja) * | 1991-04-26 | 1992-11-16 | Mitsubishi Materials Corp | 回路基板の配線導体形成方法 |
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