JP3428418B2 - セラミック内部電極用ペースト - Google Patents
セラミック内部電極用ペーストInfo
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/005—Electrodes
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、積層セラミックコ
ンデンサの内部電極用などに用いられるセラミック内部
電極用ペーストに関する。
ンデンサの内部電極用などに用いられるセラミック内部
電極用ペーストに関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、例えば積層セラミックコンデン
サは、チタン酸バリウムなどを主成分としたセラミック
誘電体材料からなる厚さ１０〜３０μｍのセラミック生
シート上に、ＰｄやＡｇ／Ｐｄを主成分とした内部電極
ペーストをスクリーン印刷した所定枚数のシートを積
層、圧着、切断し、大気中で９００〜１４００℃で焼成
することによって製造される。
サは、チタン酸バリウムなどを主成分としたセラミック
誘電体材料からなる厚さ１０〜３０μｍのセラミック生
シート上に、ＰｄやＡｇ／Ｐｄを主成分とした内部電極
ペーストをスクリーン印刷した所定枚数のシートを積
層、圧着、切断し、大気中で９００〜１４００℃で焼成
することによって製造される。
【０００３】そして、セラミック生シートとしては、セ
ラミック粉末と有機バインダとを混合、分散したスラリ
ーをドクターブレード法などによりシート状にして、適
度に乾燥して作製したものが用いられる。
ラミック粉末と有機バインダとを混合、分散したスラリ
ーをドクターブレード法などによりシート状にして、適
度に乾燥して作製したものが用いられる。
【０００４】又、内部電極ペーストとしては、Ｐｄ粉末
又はＡｇとＰｄの合金もしくは混合粉末を有機ビヒクル
中に混合、分散したものが用いられる。
又はＡｇとＰｄの合金もしくは混合粉末を有機ビヒクル
中に混合、分散したものが用いられる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】一般的に、上記積層セ
ラミックコンデンサの焼成は２つの工程からなる。即
ち、セラミックの生シートに含まれるバインダーと内部
電極ペーストに含まれるバインダ成分を燃焼分解する脱
脂工程と、セラミック粉末と金属粉末を焼結させる本焼
成工程である。
ラミックコンデンサの焼成は２つの工程からなる。即
ち、セラミックの生シートに含まれるバインダーと内部
電極ペーストに含まれるバインダ成分を燃焼分解する脱
脂工程と、セラミック粉末と金属粉末を焼結させる本焼
成工程である。
【０００６】ところが脱脂工程では、内部電極材料とし
て用いる金属粉末の触媒効果により、内部電極ペースト
中のバインダ成分が比較的低い温度（２００℃付近）で
急発熱を起こす。このため、積層セラミックコンデンサ
の誘電体層にクラックやデラミネーションなどの構造欠
陥が発生するという問題点を有していた。
て用いる金属粉末の触媒効果により、内部電極ペースト
中のバインダ成分が比較的低い温度（２００℃付近）で
急発熱を起こす。このため、積層セラミックコンデンサ
の誘電体層にクラックやデラミネーションなどの構造欠
陥が発生するという問題点を有していた。
【０００７】また本焼成工程では、内部電極のＰｄ及び
Ａｇ／Ｐｄ成分が大気中での焼成中、特に３００℃〜８
００℃で酸化し膨脹する。このＰｄ及びＡｇ／Ｐｄの酸
化膨脹によってセラミック内部に応力が発生し、デラミ
ネーションなどの構造欠陥が発生しやすくなるという問
題点を有していた。
Ａｇ／Ｐｄ成分が大気中での焼成中、特に３００℃〜８
００℃で酸化し膨脹する。このＰｄ及びＡｇ／Ｐｄの酸
化膨脹によってセラミック内部に応力が発生し、デラミ
ネーションなどの構造欠陥が発生しやすくなるという問
題点を有していた。
【０００８】そこで、本発明の目的は、積層セラミック
コンデンサなどのセラミックの内部電極として用いた場
合に、脱脂工程で内部電極ペースト中のバインダ成分が
低温で急発熱することなく、又、本焼成工程で内部電極
のＰｄ及びＡｇ／Ｐｄの酸化膨脹を吸収して、デラミネ
ーションなどのセラミックの構造欠陥の発生を防止する
ことができる、セラミック内部電極用ペーストを提供す
ることにある。
コンデンサなどのセラミックの内部電極として用いた場
合に、脱脂工程で内部電極ペースト中のバインダ成分が
低温で急発熱することなく、又、本焼成工程で内部電極
のＰｄ及びＡｇ／Ｐｄの酸化膨脹を吸収して、デラミネ
ーションなどのセラミックの構造欠陥の発生を防止する
ことができる、セラミック内部電極用ペーストを提供す
ることにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明のセラミック内部電極用ペーストは、Ｐｄ又
はＡｇ／Ｐｄからなる金属粉末と、Ｐｄレジネートと、
Ｃｒレジネートと、有機ビヒクルとを含むことを特徴と
する。
め、本発明のセラミック内部電極用ペーストは、Ｐｄ又
はＡｇ／Ｐｄからなる金属粉末と、Ｐｄレジネートと、
Ｃｒレジネートと、有機ビヒクルとを含むことを特徴と
する。
【００１０】又、前記Ａｇ／Ｐｄからなる金属粉末は、
ＡｇとＰｄの合金粉末、ＡｇとＰｄの共沈粉末、及びＡ
ｇとＰｄの混合粉末の群から選ばれる少なくとも１種で
あることを特徴とする。
ＡｇとＰｄの合金粉末、ＡｇとＰｄの共沈粉末、及びＡ
ｇとＰｄの混合粉末の群から選ばれる少なくとも１種で
あることを特徴とする。
【００１１】又、前記Ｐｄレジネートは、その分子中に
硫黄（Ｓ）を有することを特徴とする。
硫黄（Ｓ）を有することを特徴とする。
【００１２】さらに、前記ＰｄレジネートをＰｄ金属換
算で、前記金属粉末中のＰｄ量１００重量部に対して
２．０〜３．０重量部含有し、かつＣｒレジネートをＣ
ｒ2Ｏ3換算で、前記金属粉末１００重量部に対して０．
０３〜０．１２重量部含有することを特徴とする。
算で、前記金属粉末中のＰｄ量１００重量部に対して
２．０〜３．０重量部含有し、かつＣｒレジネートをＣ
ｒ2Ｏ3換算で、前記金属粉末１００重量部に対して０．
０３〜０．１２重量部含有することを特徴とする。
【００１３】このように、Ｐｄレジネートを添加した電
極ペーストをセラミックの内部電極として用いることに
より、セラミックの本焼成工程において、内部電極とし
てのＰｄが酸化膨脹しても、その膨張を吸収するだけの
空隙を有する塗膜密度の小さい電極を形成することがで
きる。
極ペーストをセラミックの内部電極として用いることに
より、セラミックの本焼成工程において、内部電極とし
てのＰｄが酸化膨脹しても、その膨張を吸収するだけの
空隙を有する塗膜密度の小さい電極を形成することがで
きる。
【００１４】なお、Ｐｄレジネート以外に、例えばＡ
ｕ、Ｐｔなどの貴金属の金属レジネートを用いることも
できるが、Ａｕ、Ｐｔの金属レジネートは金属重量含有
率が高く、ペーストの塗膜密度を小さくするためには多
くの金属レジネートを添加する必要がある。又、Ａｕ、
Ｐｔは貴金属の中でも特に高価であり、積極的に使用す
ることはできない。他方、金属レジネートとして卑金属
のレジネートがあるが、この卑金属のレジネートは、電
極材料であるＰｄおよびＡｇ／Ｐｄの焼結を阻害する傾
向があるため、得られる電極の特性が低下しやすく単独
での使用に適さない。
ｕ、Ｐｔなどの貴金属の金属レジネートを用いることも
できるが、Ａｕ、Ｐｔの金属レジネートは金属重量含有
率が高く、ペーストの塗膜密度を小さくするためには多
くの金属レジネートを添加する必要がある。又、Ａｕ、
Ｐｔは貴金属の中でも特に高価であり、積極的に使用す
ることはできない。他方、金属レジネートとして卑金属
のレジネートがあるが、この卑金属のレジネートは、電
極材料であるＰｄおよびＡｇ／Ｐｄの焼結を阻害する傾
向があるため、得られる電極の特性が低下しやすく単独
での使用に適さない。
【００１５】又、Ｐｄレジネートに加えてＣｒレジネー
トを添加することにより、Ｐｄレジネート添加によるＰ
ｄ、Ａｇなどの金属粉末の急激な粒成長を抑制すること
ができる。
トを添加することにより、Ｐｄレジネート添加によるＰ
ｄ、Ａｇなどの金属粉末の急激な粒成長を抑制すること
ができる。
【００１６】さらに、セラミックの脱脂工程において、
硫黄を含む化合物を添加すると金属粉末の触媒効果によ
る脱脂時のバインダ成分の急発熱を抑制することができ
る。したがって、硫黄を主鎖にもつＰｄレジネートを用
いることにより、脱脂工程における電極ペースト中のバ
インダ成分の急発熱を抑制することができる。
硫黄を含む化合物を添加すると金属粉末の触媒効果によ
る脱脂時のバインダ成分の急発熱を抑制することができ
る。したがって、硫黄を主鎖にもつＰｄレジネートを用
いることにより、脱脂工程における電極ペースト中のバ
インダ成分の急発熱を抑制することができる。
【００１７】このように電極ペーストにＰｄレジネート
とＣｒレジネートを添加することによって、 Ｐｄの酸
化膨脹やバインダ成分の急熱による、デラミネーション
などのセラミックの構造欠陥を防止することができる。
とＣｒレジネートを添加することによって、 Ｐｄの酸
化膨脹やバインダ成分の急熱による、デラミネーション
などのセラミックの構造欠陥を防止することができる。
【００１８】なお、ＰｄレジネートとＣｒレジネートの
添加量は、以下の範囲が好ましい。
添加量は、以下の範囲が好ましい。
【００１９】即ち、Ｐｄレジネート量は、金属換算でＰ
ｄ粉末に対して２．０〜３．０重量部が好ましい。２重
量部未満では、塗膜密度の低下が不十分でＰｄの酸化膨
張を十分吸収できず、構造欠陥が発生しやすい。一方、
３重量部を超えると塗膜密度が小さくなりすぎて、逆に
構造欠陥が発生しやすくなる。
ｄ粉末に対して２．０〜３．０重量部が好ましい。２重
量部未満では、塗膜密度の低下が不十分でＰｄの酸化膨
張を十分吸収できず、構造欠陥が発生しやすい。一方、
３重量部を超えると塗膜密度が小さくなりすぎて、逆に
構造欠陥が発生しやすくなる。
【００２０】又、Ｃｒレジネート量は、Ｃｒ2Ｏ3換算で
金属粉末に対して０．０３〜０．１２重量部が好まし
い。０．０３重量部未満ではＰｄレジネート添加による
金属粉末の粒成長に対する抑制が十分でなく、デラミネ
ーションが発生しやすい。一方、０．１２重量部を超え
るとペースト塗膜とセラミックシートとの密着性が劣化
し、本焼成後に積層セラミックコンデンサのセラミック
部と電極部が剥がれやすくなる。
金属粉末に対して０．０３〜０．１２重量部が好まし
い。０．０３重量部未満ではＰｄレジネート添加による
金属粉末の粒成長に対する抑制が十分でなく、デラミネ
ーションが発生しやすい。一方、０．１２重量部を超え
るとペースト塗膜とセラミックシートとの密着性が劣化
し、本焼成後に積層セラミックコンデンサのセラミック
部と電極部が剥がれやすくなる。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、本発明のセラミック内部電
極用ペーストの実施の形態を、実施例に基づき説明す
る。
極用ペーストの実施の形態を、実施例に基づき説明す
る。
【００２２】（実施例１）まず、ペーストの出発原料と
して、平均粒子径０．７μｍの球状のＰｄ粉末、Ｐｄ金
属含有率１０％のパラジウムバルサム（化学式Ｃ10Ｈ18
ＳＰｄＣｌ1〜3）からなるＰｄレジネート、Ｃｒ2Ｏ3換
算で含有率６％のナフテン酸クロムからなるＣｒレジネ
ート、エチルセルロース８％溶液からなる有機ビヒクル
を用意した。又、溶剤としてはターピネオールを用い
た。
して、平均粒子径０．７μｍの球状のＰｄ粉末、Ｐｄ金
属含有率１０％のパラジウムバルサム（化学式Ｃ10Ｈ18
ＳＰｄＣｌ1〜3）からなるＰｄレジネート、Ｃｒ2Ｏ3換
算で含有率６％のナフテン酸クロムからなるＣｒレジネ
ート、エチルセルロース８％溶液からなる有機ビヒクル
を用意した。又、溶剤としてはターピネオールを用い
た。
【００２３】次に、これら原料を表１に示す比率で秤量
分取し、３本ロールで混練しペーストとした。
分取し、３本ロールで混練しペーストとした。
【００２４】
【表１】
【００２５】次に、チタン酸バリウムを主成分とする誘
電体粉末と有機バインダからなる厚さ２０μｍのセラミ
ック生シートに、表１に示すペーストを厚さ２μｍにス
クリーン印刷し乾燥させた。そして、この乾燥塗膜の密
度を求めた。その後、内部電極層が１１層となるように
積層して圧着し、切断した後、大気中１３００℃で焼成
して積層セラミックコンデンサの焼結体を得た。
電体粉末と有機バインダからなる厚さ２０μｍのセラミ
ック生シートに、表１に示すペーストを厚さ２μｍにス
クリーン印刷し乾燥させた。そして、この乾燥塗膜の密
度を求めた。その後、内部電極層が１１層となるように
積層して圧着し、切断した後、大気中１３００℃で焼成
して積層セラミックコンデンサの焼結体を得た。
【００２６】その後、この焼結体の内部電極面に垂直に
切断した断面を観察して、デラミネーション、クラック
などの構造欠陥の有無を確認した。
切断した断面を観察して、デラミネーション、クラック
などの構造欠陥の有無を確認した。
【００２７】以上のペースト乾燥塗膜密度及び構造欠陥
発生率の確認結果について、表２に示す。
発生率の確認結果について、表２に示す。
【００２８】
【表２】
【００２９】表１及び表２の試料番号６〜１２から明ら
かなように、Ｐｄペースト中にＰｄレジネートとＣｒレ
ジネートを含有させることにより、ペースト乾燥塗膜密
度を小さくしてＰｄの酸化膨張を吸収し、又金属粉末の
異常成長を抑えることができ、その結果、デラミネーシ
ョンなどの構造欠陥の発生を抑えることができる。
かなように、Ｐｄペースト中にＰｄレジネートとＣｒレ
ジネートを含有させることにより、ペースト乾燥塗膜密
度を小さくしてＰｄの酸化膨張を吸収し、又金属粉末の
異常成長を抑えることができ、その結果、デラミネーシ
ョンなどの構造欠陥の発生を抑えることができる。
【００３０】又、Ｐｄレジネートとして、分子中に硫黄
を有するレジネートを用いているため、脱脂工程におけ
る低温度でのバインダ成分の急発熱を抑制でき、これに
よっても構造欠陥の発生を防止できる。
を有するレジネートを用いているため、脱脂工程におけ
る低温度でのバインダ成分の急発熱を抑制でき、これに
よっても構造欠陥の発生を防止できる。
【００３１】これに対して、試料番号１〜５に示すよう
に、Ｐｄレジネート及び／又はＣｒレジネートを含有さ
せないと、構造欠陥の発生を抑えることができない。
に、Ｐｄレジネート及び／又はＣｒレジネートを含有さ
せないと、構造欠陥の発生を抑えることができない。
【００３２】なお、試料番号６〜１０に示すように、Ｐ
ｄレジネートの含有量としては、Ｐｄ金属換算でＰｄ
（粉末）に対して２．０重量部以上３．０重量部以下
が、より構造欠陥の発生を抑えることができ、より好ま
しい。又、Ｃｒレジネートの含有量としては、Ｃｒ2Ｏ3
換算で金属粉末に対して０．０３重量部以上０．１２重
量部以下が、より構造欠陥の発生を抑えることができ
て、より好ましい。
ｄレジネートの含有量としては、Ｐｄ金属換算でＰｄ
（粉末）に対して２．０重量部以上３．０重量部以下
が、より構造欠陥の発生を抑えることができ、より好ま
しい。又、Ｃｒレジネートの含有量としては、Ｃｒ2Ｏ3
換算で金属粉末に対して０．０３重量部以上０．１２重
量部以下が、より構造欠陥の発生を抑えることができ
て、より好ましい。
【００３３】（実施例２）まず、ペーストの出発原料と
して、平均粒子径０．７μｍの球状のＡｇ／Ｐｄ（Ａｇ
／Ｐｄ＝３／７重量比）共沈粉末、金属含有率１０％の
パラジウムバルサム（化学式Ｃ10Ｈ18ＳＰｄＣｌ1〜3）
からなるＰｄレジネート、Ｃｒ2Ｏ3換算で含有率６％の
ナフテン酸クロムからなるＣｒレジネート、エチルセル
ロース８％溶液からなる有機ビヒクルを用意した。な
お、溶剤としてはターピネオールを用いた。
して、平均粒子径０．７μｍの球状のＡｇ／Ｐｄ（Ａｇ
／Ｐｄ＝３／７重量比）共沈粉末、金属含有率１０％の
パラジウムバルサム（化学式Ｃ10Ｈ18ＳＰｄＣｌ1〜3）
からなるＰｄレジネート、Ｃｒ2Ｏ3換算で含有率６％の
ナフテン酸クロムからなるＣｒレジネート、エチルセル
ロース８％溶液からなる有機ビヒクルを用意した。な
お、溶剤としてはターピネオールを用いた。
【００３４】次に、これら原料を表３に示す比率で秤量
分取し、３本ロールで混練しペーストとした。
分取し、３本ロールで混練しペーストとした。
【００３５】
【表３】
【００３６】次に、チタン酸バリウムを主成分とする誘
電体粉末と有機バインダからなる厚さ２０μｍのセラミ
ック生シートに、表３に示すペーストを厚さ２μｍにス
クリーン印刷し乾燥させた。そして、この乾燥塗膜の密
度を求めた。その後、内部電極層が１１層となるように
積層して圧着し、切断した後、空気中１３００℃で焼成
して積層セラミックコンデンサの焼結体を得た。
電体粉末と有機バインダからなる厚さ２０μｍのセラミ
ック生シートに、表３に示すペーストを厚さ２μｍにス
クリーン印刷し乾燥させた。そして、この乾燥塗膜の密
度を求めた。その後、内部電極層が１１層となるように
積層して圧着し、切断した後、空気中１３００℃で焼成
して積層セラミックコンデンサの焼結体を得た。
【００３７】その後、この焼結体の内部電極面に垂直に
切断した断面を観察して、デラミネーション、クラック
などの構造欠陥の有無を確認した。
切断した断面を観察して、デラミネーション、クラック
などの構造欠陥の有無を確認した。
【００３８】以上のペースト乾燥塗膜密度及び構造欠陥
発生率の確認結果について、表４に示す。
発生率の確認結果について、表４に示す。
【００３９】
【表４】
【００４０】表３及び表４から明らかなように、Ａｇ／
Ｐｄペーストの場合もＰｄペーストの場合と同様に、ペ
ースト中にＰｄレジネートとＣｒレジネートを含有させ
ることにより、ペースト乾燥塗膜密度を小さくしてＡｇ
／Ｐｄの酸化膨張を吸収し、又金属粉末の異常成長を抑
えることができ、その結果、デラミネーションなどの構
造欠陥の発生を抑えることができる。
Ｐｄペーストの場合もＰｄペーストの場合と同様に、ペ
ースト中にＰｄレジネートとＣｒレジネートを含有させ
ることにより、ペースト乾燥塗膜密度を小さくしてＡｇ
／Ｐｄの酸化膨張を吸収し、又金属粉末の異常成長を抑
えることができ、その結果、デラミネーションなどの構
造欠陥の発生を抑えることができる。
【００４１】又、Ｐｄレジネートとして、分子中に硫黄
を有するレジネートを用いているため、脱脂工程におけ
る低温度でのバインダ成分の急発熱を抑制でき、これに
よっても構造欠陥の発生を防止できる。
を有するレジネートを用いているため、脱脂工程におけ
る低温度でのバインダ成分の急発熱を抑制でき、これに
よっても構造欠陥の発生を防止できる。
【００４２】なお、試料番号２１〜２５に示すように、
Ｐｄレジネートの含有量としては、Ｐｄ金属換算でＰｄ
（粉末）に対して２．０重量部以上３．０重量部以下
が、より構造欠陥の発生を抑えることができ、より好ま
しい。又、Ｃｒレジネートの含有量としては、Ｃｒ2Ｏ3
換算で金属粉末に対して０．０３重量部以上０．１２重
量部以下が、より構造欠陥の発生を抑えることができ
て、より好ましい。
Ｐｄレジネートの含有量としては、Ｐｄ金属換算でＰｄ
（粉末）に対して２．０重量部以上３．０重量部以下
が、より構造欠陥の発生を抑えることができ、より好ま
しい。又、Ｃｒレジネートの含有量としては、Ｃｒ2Ｏ3
換算で金属粉末に対して０．０３重量部以上０．１２重
量部以下が、より構造欠陥の発生を抑えることができ
て、より好ましい。
【００４３】なお、上記実施例１、２では、本願発明の
内部電極用ペーストが積層セラミックコンデンサの内部
電極として用いられる場合を例として説明したが、これ
に限定されるものではない。多層基板、ＬＣ複合部品な
どのセラミックの内部電極用ペーストとして用いられる
場合にも、同様の効果を発揮することができる。
内部電極用ペーストが積層セラミックコンデンサの内部
電極として用いられる場合を例として説明したが、これ
に限定されるものではない。多層基板、ＬＣ複合部品な
どのセラミックの内部電極用ペーストとして用いられる
場合にも、同様の効果を発揮することができる。
【００４４】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、Ｐｄレジ
ネートとＣｒレジネートを含有した本願発明のＰｄペー
スト又はＡｇ／Ｐｄペーストをセラミック内部電極用と
して用いることにより、例えば積層セラミックコンデン
サの場合、ペースト乾燥塗膜密度を小さくしてＰｄの酸
化膨張を吸収し、又金属粉末の異常成長を抑えることが
でき、その結果、デラミネーションなどの構造欠陥の発
生を抑えることができる。
ネートとＣｒレジネートを含有した本願発明のＰｄペー
スト又はＡｇ／Ｐｄペーストをセラミック内部電極用と
して用いることにより、例えば積層セラミックコンデン
サの場合、ペースト乾燥塗膜密度を小さくしてＰｄの酸
化膨張を吸収し、又金属粉末の異常成長を抑えることが
でき、その結果、デラミネーションなどの構造欠陥の発
生を抑えることができる。
【００４５】又、Ｐｄレジネートとして、分子中に硫黄
を有するＰｄレジネートを用いることにより、脱脂工程
における低温度でのバインダ成分の急発熱を抑制できる
ため、さらに構造欠陥の発生を防止することができる。
を有するＰｄレジネートを用いることにより、脱脂工程
における低温度でのバインダ成分の急発熱を抑制できる
ため、さらに構造欠陥の発生を防止することができる。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01B 1/22
H01G 4/12 361
Claims (4)
- 【請求項１】 Ｐｄ又はＡｇ／Ｐｄからなる金属粉末
と、Ｐｄレジネートと、Ｃｒレジネートと、有機ビヒク
ルとを含む、セラミック内部電極用ペースト。 - 【請求項２】 前記Ａｇ／Ｐｄからなる金属粉末は、Ａ
ｇとＰｄの合金粉末、ＡｇとＰｄの共沈粉末、及びＡｇ
とＰｄの混合粉末の群から選ばれる少なくとも１種であ
ることを特徴とする、請求項１記載のセラミック内部電
極用ペースト。 - 【請求項３】 前記Ｐｄレジネートは、その分子中に硫
黄を有することを特徴とする、請求項１又は請求項２記
載のセラミック内部電極用ペースト。 - 【請求項４】 前記ＰｄレジネートをＰｄ金属換算で、
前記金属粉末中のＰｄ量１００重量部に対して２．０〜
３．０重量部含有し、かつＣｒレジネートをＣｒ2Ｏ3換
算で、前記金属粉末１００重量部に対して０．０３〜
０．１２重量部含有することを特徴とする、請求項１〜
３のいずれかに記載のセラミック内部電極用ペースト。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03139098A JP3428418B2 (ja) | 1998-02-13 | 1998-02-13 | セラミック内部電極用ペースト |
| EP99101583A EP0936640B1 (en) | 1998-02-13 | 1999-01-29 | Paste for forming internal electrode in a ceramic element |
| DE69927195T DE69927195T2 (de) | 1998-02-13 | 1999-01-29 | Paste zur Herstellung von Innenelektroden in einem keramischen Element |
| CA002261405A CA2261405C (en) | 1998-02-13 | 1999-02-10 | Paste for forming internal electrode in a ceramic element |
| US09/249,957 US5997774A (en) | 1998-02-13 | 1999-02-12 | Paste for forming internal electrode in a ceramic element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03139098A JP3428418B2 (ja) | 1998-02-13 | 1998-02-13 | セラミック内部電極用ペースト |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11232926A JPH11232926A (ja) | 1999-08-27 |
| JP3428418B2 true JP3428418B2 (ja) | 2003-07-22 |
Family
ID=12329947
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03139098A Expired - Lifetime JP3428418B2 (ja) | 1998-02-13 | 1998-02-13 | セラミック内部電極用ペースト |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5997774A (ja) |
| EP (1) | EP0936640B1 (ja) |
| JP (1) | JP3428418B2 (ja) |
| CA (1) | CA2261405C (ja) |
| DE (1) | DE69927195T2 (ja) |
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| CN104332250A (zh) * | 2014-10-09 | 2015-02-04 | 中国船舶重工集团公司第七一二研究所 | 一种叠层压电陶瓷扬声器内电极银钯浆料的制备方法 |
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|---|---|---|---|---|
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| JPH0714420A (ja) * | 1993-06-25 | 1995-01-17 | Noritake Co Ltd | セラミック内部電極用ペースト |
| DE4425815C1 (de) * | 1994-07-21 | 1995-08-17 | Demetron Gmbh | Edelmetallhaltige Resinatpaste zur Herstellung von keramischen Vielschichtkondensatoren |
| DE19538843C1 (de) * | 1995-10-19 | 1996-12-12 | Degussa | Silber- und palladiumhaltige Paste zur Herstellung von keramischen Vielschichtkondensatoren |
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-
1998
- 1998-02-13 JP JP03139098A patent/JP3428418B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-01-29 EP EP99101583A patent/EP0936640B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-01-29 DE DE69927195T patent/DE69927195T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1999-02-10 CA CA002261405A patent/CA2261405C/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-02-12 US US09/249,957 patent/US5997774A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| CA2261405C (en) | 2002-11-05 |
| EP0936640B1 (en) | 2005-09-14 |
| CA2261405A1 (en) | 1999-08-13 |
| EP0936640A1 (en) | 1999-08-18 |
| JPH11232926A (ja) | 1999-08-27 |
| DE69927195D1 (de) | 2005-10-20 |
| DE69927195T2 (de) | 2006-02-02 |
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