JPH0714420A - セラミック内部電極用ペースト - Google Patents
セラミック内部電極用ペーストInfo
- Publication number
- JPH0714420A JPH0714420A JP17749293A JP17749293A JPH0714420A JP H0714420 A JPH0714420 A JP H0714420A JP 17749293 A JP17749293 A JP 17749293A JP 17749293 A JP17749293 A JP 17749293A JP H0714420 A JPH0714420 A JP H0714420A
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- JP
- Japan
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- palladium
- paste
- powder
- silver
- resinate
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Abstract
(57)【要約】
【目的】効果的にパラジウム、銀−パラジウムの酸化を
抑え、同時に銀、パラジウム、銀−パラジウム、白金な
どの異常粒成長を防ぐことが出来る導電性に優れたセラ
ミック内部電極用ペーストを提供する。 【構成】貴金属粉末とＣｒ、Ｔａ、Ｃｒ−Ｔａから選択
される卑金属の卑金属レジネートの一種以上と有機ビヒ
クルからなり、前記卑金属レジネートが貴金属粉末に対
して卑金属の酸化物換算で0.1〜5.0重量％含有されてい
ることを特徴とするセラミック内部電極用ペースト。
抑え、同時に銀、パラジウム、銀−パラジウム、白金な
どの異常粒成長を防ぐことが出来る導電性に優れたセラ
ミック内部電極用ペーストを提供する。 【構成】貴金属粉末とＣｒ、Ｔａ、Ｃｒ−Ｔａから選択
される卑金属の卑金属レジネートの一種以上と有機ビヒ
クルからなり、前記卑金属レジネートが貴金属粉末に対
して卑金属の酸化物換算で0.1〜5.0重量％含有されてい
ることを特徴とするセラミック内部電極用ペースト。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、セラミック内部電極用
ペーストに用いるためのペースト状組成物に関するもの
であり、セラミックコンデンサーに用いるものも含む。
ペーストに用いるためのペースト状組成物に関するもの
であり、セラミックコンデンサーに用いるものも含む。
【０００２】
【従来の技術】セラミック内部電極はセラミック中に配
線されたり、セラミック誘電体と交互に積層され、外部
電極を設けてセラミックコンデンサーとして使用され
る。セラミックコンデンサーは、一般にセラミック誘電
体の素材にチタン酸バリウムや鉛を含むペロブスカイト
型酸化物及びアルミナ、フェライト型酸化物が用いられ
ている。
線されたり、セラミック誘電体と交互に積層され、外部
電極を設けてセラミックコンデンサーとして使用され
る。セラミックコンデンサーは、一般にセラミック誘電
体の素材にチタン酸バリウムや鉛を含むペロブスカイト
型酸化物及びアルミナ、フェライト型酸化物が用いられ
ている。
【０００３】積層体を形成するには粉末化したセラミッ
クを有機バインダーと共に混合しこれをドクターブレー
ド法等によりシート状、各種形状に形成した後、この表
面に導体ペーストを印刷し乾燥させる。このようにして
得られた部材を所定枚数重ねて圧縮し、圧着した後、電
気炉、一般的にはベルト炉に挿入し大気中でバインダー
と導電ペースト中のビヒクルを燃焼させ、引き続き焼結
を行う。
クを有機バインダーと共に混合しこれをドクターブレー
ド法等によりシート状、各種形状に形成した後、この表
面に導体ペーストを印刷し乾燥させる。このようにして
得られた部材を所定枚数重ねて圧縮し、圧着した後、電
気炉、一般的にはベルト炉に挿入し大気中でバインダー
と導電ペースト中のビヒクルを燃焼させ、引き続き焼結
を行う。
【０００４】このような内部電極ペーストはセラミック
に積層され同時焼成されるため収縮速度の相違でクラッ
クや層剥がれを生じ易い。特にパラジウム及び銀−パラ
ジウムは３５０℃〜８５０℃の範囲で酸化し同時に体積
膨張を起こす。また、温度を更に上昇させると還元され
焼結も進行し同時に体積収縮を起こす。パラジウム及び
銀−パラジウムを内部電極に使用する場合は、内部に応
力が残留し易くクラックや層剥がれが発生し易い。
に積層され同時焼成されるため収縮速度の相違でクラッ
クや層剥がれを生じ易い。特にパラジウム及び銀−パラ
ジウムは３５０℃〜８５０℃の範囲で酸化し同時に体積
膨張を起こす。また、温度を更に上昇させると還元され
焼結も進行し同時に体積収縮を起こす。パラジウム及び
銀−パラジウムを内部電極に使用する場合は、内部に応
力が残留し易くクラックや層剥がれが発生し易い。
【０００５】銀、パラジウム、銀−パラジウム、白金等
の粉末は単体で用いると各々の焼成温度で、異常粒成長
を引き起こし、焼結体内部に孔を生じるため導電率が低
下するという問題がある。
の粉末は単体で用いると各々の焼成温度で、異常粒成長
を引き起こし、焼結体内部に孔を生じるため導電率が低
下するという問題がある。
【０００６】そこで、パラジウム、銀−パラジウムの体
積膨張を抑えるために各種試みがなされている。例え
ば、特開平４−４３５０４号公報にはパラジウム粉末表
面を珪素、アルミニウム、マグネシウム、コバルトの酸
化物で被覆することが記載されており、特開平４−２０
６６１２号公報には珪素、アルミニウム、マグネシウ
ム、鉛、カルシウム、亜鉛等の金属アルコキシド及び金
属キレート化合物をペースト中に分散させることが記載
され、好ましくは貴金属粉末を被覆することが良いとし
ている。特開平４−２１８２０４号公報にはボロン粉
末、シリコン粉末をペースト中に分散させることが記載
されている。
積膨張を抑えるために各種試みがなされている。例え
ば、特開平４−４３５０４号公報にはパラジウム粉末表
面を珪素、アルミニウム、マグネシウム、コバルトの酸
化物で被覆することが記載されており、特開平４−２０
６６１２号公報には珪素、アルミニウム、マグネシウ
ム、鉛、カルシウム、亜鉛等の金属アルコキシド及び金
属キレート化合物をペースト中に分散させることが記載
され、好ましくは貴金属粉末を被覆することが良いとし
ている。特開平４−２１８２０４号公報にはボロン粉
末、シリコン粉末をペースト中に分散させることが記載
されている。
【０００７】また、銀、パラジウム、銀−パラジウム、
白金等の異常粒成長を抑えるには有機ベントナイトの添
加が効果があるとされている。
白金等の異常粒成長を抑えるには有機ベントナイトの添
加が効果があるとされている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】パラジウム、銀−パラ
ジウム等の酸化を抑えるために各種元素をコーティング
する場合、コスト高になるという欠点がある。又、銀、
パラジウム、銀−パラジウム、白金等の異常粒成長を抑
えるため、有機ベントナイトを用いる場合には、部材の
セラミックと反応し易いＡｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、Ｆｅ
2Ｏ3、ＭｇＯ等を含有するので拡散する可能性がある。
そのためセラミックスの特性の低下を招く。
ジウム等の酸化を抑えるために各種元素をコーティング
する場合、コスト高になるという欠点がある。又、銀、
パラジウム、銀−パラジウム、白金等の異常粒成長を抑
えるため、有機ベントナイトを用いる場合には、部材の
セラミックと反応し易いＡｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、Ｆｅ
2Ｏ3、ＭｇＯ等を含有するので拡散する可能性がある。
そのためセラミックスの特性の低下を招く。
【０００９】そこで、本発明は効果的にパラジウム、銀
−パラジウムの酸化を抑え同時に銀、パラジウム、銀−
パラジウム、白金などの異常粒成長を防ぐことが出来る
導電性に優れたセラミック内部電極用ペーストを提供す
ることを目的とする。
−パラジウムの酸化を抑え同時に銀、パラジウム、銀−
パラジウム、白金などの異常粒成長を防ぐことが出来る
導電性に優れたセラミック内部電極用ペーストを提供す
ることを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的に従い、本発明
者らが鋭意研究を進めた結果、貴金属粉末と有機ビヒク
ルにＣｒ、Ｔａ、Ｃｒ−Ｔａの卑金属レジネートを混練
りすることにより前記目的が達成しうることを見出し、
本発明を完成させた。
者らが鋭意研究を進めた結果、貴金属粉末と有機ビヒク
ルにＣｒ、Ｔａ、Ｃｒ−Ｔａの卑金属レジネートを混練
りすることにより前記目的が達成しうることを見出し、
本発明を完成させた。
【００１１】即ち、本発明は貴金属粉末とＣｒ、Ｔａ、
Ｃｒ−Ｔａから選択される卑金属の卑金属レジネートの
一種以上を有機ビヒクルからなり、前記卑金属レジネー
トが貴金属粉末に対して卑金属の酸化物換算で0.1〜5.0
重量％含有されていることを特徴とするセラミック内部
電極用ペーストである。
Ｃｒ−Ｔａから選択される卑金属の卑金属レジネートの
一種以上を有機ビヒクルからなり、前記卑金属レジネー
トが貴金属粉末に対して卑金属の酸化物換算で0.1〜5.0
重量％含有されていることを特徴とするセラミック内部
電極用ペーストである。
【００１２】
【作用】パラジウム粉末、銀−パラジウム粉末を被覆す
るように卑金属レジネートが焼成中Ｃｒ、Ｔａの酸化物
として析出するためパラジウム粉末、銀−パラジウム粉
末が雰囲気中の酸素と反応することを抑える点が特徴で
ある。
るように卑金属レジネートが焼成中Ｃｒ、Ｔａの酸化物
として析出するためパラジウム粉末、銀−パラジウム粉
末が雰囲気中の酸素と反応することを抑える点が特徴で
ある。
【００１３】本発明では非酸化物状態で卑金属が添加さ
れているため、既に酸化物状態で添加されている場合に
比べ、上記の如く焼成時に卑金属自体が酸化されること
により前記貴金属粉末近傍の酸素を消費するので、電極
部の酸化を遅らせる効果は大きい。
れているため、既に酸化物状態で添加されている場合に
比べ、上記の如く焼成時に卑金属自体が酸化されること
により前記貴金属粉末近傍の酸素を消費するので、電極
部の酸化を遅らせる効果は大きい。
【００１４】また、パラジウム、銀−パラジウム粉末表
面に白金や珪素、アルミニウム、マグネシウム、コバル
トをあらかじめ被覆し、混練りする方法よりコスト的に
有利であるが、完全にパラジウム粉、銀−パラジウム粉
の表面を覆うことは出来ないので、パラジウム粉、銀−
パラジウム粉の酸化を完全に防ぐことは出来ない。
面に白金や珪素、アルミニウム、マグネシウム、コバル
トをあらかじめ被覆し、混練りする方法よりコスト的に
有利であるが、完全にパラジウム粉、銀−パラジウム粉
の表面を覆うことは出来ないので、パラジウム粉、銀−
パラジウム粉の酸化を完全に防ぐことは出来ない。
【００１５】しかしながら、パラジウム、銀−パラジウ
ムがある程度酸化抑制され酸化する温度が高温側へ移行
することにより、全酸化する以前に収縮も開始され、見
掛け上急激な膨張が抑制されている。又、ビヒクル中の
樹脂量により膨張、収縮特性を調節することが可能であ
る。卑金属レジネートを添加したもう一つの働きとし
て、パラジウム、銀−パラジウム、銀、白金粉末の表面
に析出したＣｒ、Ｔａ酸化物が焼成時に粒界に存続し原
子の拡散を防ぎ異常粒成長を妨げ緻密な電極層を形成す
る点が特徴である。
ムがある程度酸化抑制され酸化する温度が高温側へ移行
することにより、全酸化する以前に収縮も開始され、見
掛け上急激な膨張が抑制されている。又、ビヒクル中の
樹脂量により膨張、収縮特性を調節することが可能であ
る。卑金属レジネートを添加したもう一つの働きとし
て、パラジウム、銀−パラジウム、銀、白金粉末の表面
に析出したＣｒ、Ｔａ酸化物が焼成時に粒界に存続し原
子の拡散を防ぎ異常粒成長を妨げ緻密な電極層を形成す
る点が特徴である。
【００１６】Ｃｒ、Ｔａ、Ｃｒ−Ｔａ酸化物は珪素、ア
ルミニウム、マグネシウム、鉛、カルシウム、亜鉛等の
酸化物と比較して、空気中の水分等とも反応し難く、か
つ融点も高く安定であり、常温ではＣｒ、Ｔａ、Ｃｒ−
Ｔａは有機物との結合も安定であり、これらのレジネー
ト化合物は液状であるため、粉末の添加剤に比べ分散性
が高く粒界に均一に存在するので効果が大きい。
ルミニウム、マグネシウム、鉛、カルシウム、亜鉛等の
酸化物と比較して、空気中の水分等とも反応し難く、か
つ融点も高く安定であり、常温ではＣｒ、Ｔａ、Ｃｒ−
Ｔａは有機物との結合も安定であり、これらのレジネー
ト化合物は液状であるため、粉末の添加剤に比べ分散性
が高く粒界に均一に存在するので効果が大きい。
【００１７】
【好ましい実施態様】酸化抑制、異常粒成長を抑制する
ためのＣｒ、Ｔａ、Ｃｒ−Ｔａレジネートの添加量は、
貴金属粉末に対して卑金属の酸化物換算で0.1〜5.0重量
％である。0.1重量％未満では前記卑金属レジネート添
加の効果が充分に表われず、逆に5.0重量％を超える
と、粒界に集まった酸化物が障壁となり導電率に悪影響
を及ぼすようになる。又、電極層の膨張収縮特性を調整
するために必要なレジネート添加量は、この範囲以内で
十分であり、好ましくは0.1〜0.5重量％である。添加剤
は、セラミックスの収縮率に併せて調整が必要となる。
ためのＣｒ、Ｔａ、Ｃｒ−Ｔａレジネートの添加量は、
貴金属粉末に対して卑金属の酸化物換算で0.1〜5.0重量
％である。0.1重量％未満では前記卑金属レジネート添
加の効果が充分に表われず、逆に5.0重量％を超える
と、粒界に集まった酸化物が障壁となり導電率に悪影響
を及ぼすようになる。又、電極層の膨張収縮特性を調整
するために必要なレジネート添加量は、この範囲以内で
十分であり、好ましくは0.1〜0.5重量％である。添加剤
は、セラミックスの収縮率に併せて調整が必要となる。
【００１８】前記卑金属レジネートのレジン部分は直鎖
状でも環状でも良く、分子量で卑金属が５％程度を占め
る大きさが好ましい。卑金属の直鎖状レジネートと環状
レジネートを混合して用いることが好ましい。直鎖状レ
ジネートには炭素数が例えば６〜１２程度のアルキル直
鎖を有するカルボン酸と卑金属との化合物が挙げられ、
具体的にはオクチル酸塩などがあり、環状レジネートに
は例えばアビエチン酸及び天然ロジンなどのアビチエン
酸誘導体と卑金属との化合物が挙げられる。
状でも環状でも良く、分子量で卑金属が５％程度を占め
る大きさが好ましい。卑金属の直鎖状レジネートと環状
レジネートを混合して用いることが好ましい。直鎖状レ
ジネートには炭素数が例えば６〜１２程度のアルキル直
鎖を有するカルボン酸と卑金属との化合物が挙げられ、
具体的にはオクチル酸塩などがあり、環状レジネートに
は例えばアビエチン酸及び天然ロジンなどのアビチエン
酸誘導体と卑金属との化合物が挙げられる。
【００１９】本発明は、Ｃｒ、Ｔａ、Ｃｒ−Ｔａレジネ
ートと貴金属粉末と有機ビヒクルとを混合して得られ
る。貴金属粉末には銀、パラジウム、銀−パラジウム、
白金粉末のいづれかが好ましく選択される。有機ビヒク
ルは一般に導電ペーストに用いられるもので良く、通常
エチルセルロースを適当な溶媒に溶解したものが適用さ
れる。有機ビヒクルは本発明のペースト全重量の５０重
量％前後を添加することが好ましい。
ートと貴金属粉末と有機ビヒクルとを混合して得られ
る。貴金属粉末には銀、パラジウム、銀−パラジウム、
白金粉末のいづれかが好ましく選択される。有機ビヒク
ルは一般に導電ペーストに用いられるもので良く、通常
エチルセルロースを適当な溶媒に溶解したものが適用さ
れる。有機ビヒクルは本発明のペースト全重量の５０重
量％前後を添加することが好ましい。
【００２０】本発明のペーストをセラミック内部電極と
して用いたセラミックコンデンサ等の製品は焼成時に体
積膨張及び体積収縮がおこらないため層剥がれやクラッ
クが生じ難く耐久性に優れている。また焼結体が緻密な
ため、導電率にも優れている。
して用いたセラミックコンデンサ等の製品は焼成時に体
積膨張及び体積収縮がおこらないため層剥がれやクラッ
クが生じ難く耐久性に優れている。また焼結体が緻密な
ため、導電率にも優れている。
【００２１】
【実施例１】粒径0.7μｍ及び1.0μｍのパラジウム球状
粉末５０ｗｔ％とオクタネートＣｒレジネートあるいは
アビエチンＣｒレジネートをＣｒ2Ｏ3換算で０〜0.5ｗ
ｔ％と有機ビヒクル50.0ｗｔ％〜49.5ｗｔ％で３本ロー
ルミルで混練りしペースト化する。このパラジウムペー
ストを乾燥し粉末状にしたものを５００kg/cm2の圧力で
プレスし、φ８ｍｍ、厚さ５ｍｍのペレットの試料を作
製した。この試料の膨張収縮特性を調べた。得られた膨
張収縮曲線を図１及び図２に示す。
粉末５０ｗｔ％とオクタネートＣｒレジネートあるいは
アビエチンＣｒレジネートをＣｒ2Ｏ3換算で０〜0.5ｗ
ｔ％と有機ビヒクル50.0ｗｔ％〜49.5ｗｔ％で３本ロー
ルミルで混練りしペースト化する。このパラジウムペー
ストを乾燥し粉末状にしたものを５００kg/cm2の圧力で
プレスし、φ８ｍｍ、厚さ５ｍｍのペレットの試料を作
製した。この試料の膨張収縮特性を調べた。得られた膨
張収縮曲線を図１及び図２に示す。
【００２２】本発明のＣｒレジネート添加パラジウムペ
ーストは添加量に関わらず２００〜３００℃までのＣｒ
レジネート成分の有機質部分の脱離、分解により若干の
収縮が観察されるが、その後８００℃までは膨張も収縮
も示さない。８００℃以降では収縮を示したが、その収
縮速度はＣｒレジネート無添加のペーストに比べてＣｒ
レジネート含有率が多くなるに従い緩やかになり、急激
な収縮による層剥がれの発生が防止できることを示し
た。
ーストは添加量に関わらず２００〜３００℃までのＣｒ
レジネート成分の有機質部分の脱離、分解により若干の
収縮が観察されるが、その後８００℃までは膨張も収縮
も示さない。８００℃以降では収縮を示したが、その収
縮速度はＣｒレジネート無添加のペーストに比べてＣｒ
レジネート含有率が多くなるに従い緩やかになり、急激
な収縮による層剥がれの発生が防止できることを示し
た。
【００２３】又、図２ではＣｒレジネート無添加のペー
ストは８００℃までに若干の膨張を示すが、Ｃｒレジネ
ートを添加することによりパラジウムの酸化は抑えら
れ、膨張を示さなくなった。
ストは８００℃までに若干の膨張を示すが、Ｃｒレジネ
ートを添加することによりパラジウムの酸化は抑えら
れ、膨張を示さなくなった。
【００２４】
【実施例２】実施例１で作製したＣｒレジネート添加パ
ラジウムペーストとＣｒレジネートを添加していないパ
ラジウムだけのペーストを誘電体グリーンシート上に印
刷、乾燥させた基板を１３５０℃で１ｈｒ焼成し、焼成
面のＳＥＭ観察を行った。図３（ａ）及び（ｂ）は本発
明のＣｒレジネート添加パラジウムペースト及びパラジ
ウムだけのペーストの焼成面の粒子状態を示す電子顕微
鏡写真である（×１０００）。
ラジウムペーストとＣｒレジネートを添加していないパ
ラジウムだけのペーストを誘電体グリーンシート上に印
刷、乾燥させた基板を１３５０℃で１ｈｒ焼成し、焼成
面のＳＥＭ観察を行った。図３（ａ）及び（ｂ）は本発
明のＣｒレジネート添加パラジウムペースト及びパラジ
ウムだけのペーストの焼成面の粒子状態を示す電子顕微
鏡写真である（×１０００）。
【００２５】焼成表面の孔発生状態については図３
（ａ）の方が、（ｂ）よりも明らかに少なくＣｒレジネ
ートを添加した場合でパラジウムの異常粒成長が押さえ
られている。このことからも緻密性はＣｒレジネート添
加した場合が緻密で抵抗値も低く抑えられることがわか
る。
（ａ）の方が、（ｂ）よりも明らかに少なくＣｒレジネ
ートを添加した場合でパラジウムの異常粒成長が押さえ
られている。このことからも緻密性はＣｒレジネート添
加した場合が緻密で抵抗値も低く抑えられることがわか
る。
【００２６】
【発明の効果】本発明のペーストによれば、貴金属粉末
の酸化抑制に効果があり、層剥がれやクラックの発生を
防止できる。又、貴金属粉末の異常粒成長も防止でき緻
密性を損なわずに良好な電極を得ることが出来る。
の酸化抑制に効果があり、層剥がれやクラックの発生を
防止できる。又、貴金属粉末の異常粒成長も防止でき緻
密性を損なわずに良好な電極を得ることが出来る。
【図１】粒径が0.7μｍのパラジウム球状粉末を用いた
実施例１で製造した内部電極用ペーストの膨張収縮曲
線。
実施例１で製造した内部電極用ペーストの膨張収縮曲
線。
【図２】粒径が1.0μｍのパラジウム球状粉末を用いた
実施例１で製造した内部電極用ペーストの膨張収縮曲
線。
実施例１で製造した内部電極用ペーストの膨張収縮曲
線。
【図３】（ａ）本発明のＣｒレジネート添加パラジウム
ペーストの焼成面の粒子状態を示す電子顕微鏡写真（×
１０００）。（ｂ）ＣＲレジネートを添加していないパ
ラジウムペーストの焼成面の粒子状態を示す電子顕微鏡
写真（×１０００）。
ペーストの焼成面の粒子状態を示す電子顕微鏡写真（×
１０００）。（ｂ）ＣＲレジネートを添加していないパ
ラジウムペーストの焼成面の粒子状態を示す電子顕微鏡
写真（×１０００）。
フロントページの続き (72)発明者 杉浦 照定 愛知県名古屋市西区則武新町三丁目１番36 号 株式会社ノリタケカンパニーリミテド 内
Claims (2)
- 【請求項１】貴金属粉末とＣｒ、Ｔａ、Ｃｒ−Ｔａから
選択される卑金属の卑金属レジネートの一種以上と有機
ビヒクルからなり、 前記卑金属レジネートが貴金属粉末に対して卑金属の酸
化物換算で0.1〜5.0重量％含有されていることを特徴と
するセラミック内部電極用ペースト。 - 【請求項２】前記貴金属粉末が銀、パラジウム、白金か
ら選択される単体粉末、又はこれら貴金属の二種以上か
らなる混合粉末若しくは複合粉末若しくは合金粉末であ
ることを特徴とする請求項１記載のセラミック内部電極
用ペースト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17749293A JPH0714420A (ja) | 1993-06-25 | 1993-06-25 | セラミック内部電極用ペースト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17749293A JPH0714420A (ja) | 1993-06-25 | 1993-06-25 | セラミック内部電極用ペースト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0714420A true JPH0714420A (ja) | 1995-01-17 |
Family
ID=16031853
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17749293A Withdrawn JPH0714420A (ja) | 1993-06-25 | 1993-06-25 | セラミック内部電極用ペースト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0714420A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0936640A1 (en) * | 1998-02-13 | 1999-08-18 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Paste for forming internal electrode in a ceramic element |
| EP1043294A1 (de) * | 1999-04-09 | 2000-10-11 | W.C. Heraeus GmbH & Co. KG | Glanzedelmetallpräparat |
-
1993
- 1993-06-25 JP JP17749293A patent/JPH0714420A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0936640A1 (en) * | 1998-02-13 | 1999-08-18 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Paste for forming internal electrode in a ceramic element |
| EP1043294A1 (de) * | 1999-04-09 | 2000-10-11 | W.C. Heraeus GmbH & Co. KG | Glanzedelmetallpräparat |
| WO2000061521A1 (de) * | 1999-04-09 | 2000-10-19 | W. C. Heraeus Gmbh & Co. Kg | Glanzedelmetallpräparat |
| CZ299845B6 (cs) * | 1999-04-09 | 2008-12-10 | W. C. Heraeus Gmbh & Co. Kg | Dekoracní preparát obsahující vzácné kovy |
| US8569533B2 (en) | 1999-04-09 | 2013-10-29 | Heraeus Precious Metals Gmbh & Co. Kg | Bright noble metal preparation |
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