JP4337501B2 - 導電性ペーストおよび積層セラミック電子部品 - Google Patents

Description

この発明は、導電性ペースト、およびこの導電性ペーストを内部導体膜の形成のために用いて構成された積層セラミック電子部品に関するもので、特に、積層セラミック電子部品において薄層化および多層化を有利に図り得るようにするための改良に関するものである。

積層セラミック電子部品の一例としての積層セラミックコンデンサは、一般的に、以下のようにして製造される。

まず、誘電体セラミック原料を含むセラミックグリーンシートが用意される。次に、セラミックグリーンシートの表面に、所望のパターンを有する内部導体膜となる導電性ペースト膜が導電性ペーストの印刷によって形成される。導電性ペーストは、金属粉末ならびに有機バインダおよび溶剤からなる有機ビヒクルを含有するものである。

次に、内部導体膜となる導電性ペースト膜が形成されたセラミックグリーンシートを含む複数のセラミックグリーンシートが積層され、熱圧着され、それによって、一体化された生の積層体が作製される。

次に、この生の積層体は焼成される。これによって、焼結後の積層体が得られる。この積層体は、上述したセラミックグリーンシートによって与えられる複数のセラミック層を備える積層構造を有し、この積層体の内部であって、セラミック層間の界面に沿って、前述した導電性ペーストの焼結体によって与えられた内部導体膜が形成されている。内部導体膜は、セラミック層を介して静電容量を生じさせるように配置されている。

次いで、積層体の外表面上には、静電容量を取り出すため、内部導体膜の特定のものに電気的に接続される外部電極が形成される。

このようにして、積層セラミックコンデンサが得られる。

このような積層セラミックコンデンサにおいて、その小型化かつ大容量化を目的として、近年、セラミック層の薄層化および多層化が進んでいる。しかしながら、セラミック層の薄層化および多層化を図るためには、セラミック層と内部導体膜との間での焼成時の収縮挙動を可能な限り合わせることが重要な課題となる。

通常、焼成時の昇温過程においては、内部導体膜に含まれる金属粉末の焼結開始温度が、セラミック層の焼結開始温度よりも低く、両者の間で収縮挙動を一致させることは困難である。両者の間で収縮挙動に差がある場合、積層体の内部に比較的大きな応力が生じ、クラックやデラミネーション等の構造欠陥が生じやすい。

上述の問題を解決するため、内部導体膜を形成するために用いられる導電性ペーストに、セラミック粉末を添加し、それによって、内部導体膜に含まれる金属粉末の焼結を抑制し、その結果、内部導体膜の収縮挙動をセラミック層の収縮挙動に近づける方法が提案されている（たとえば、特許文献１参照）。
特開２００２−２４５８７４号公報

内部導体膜を薄層化するため、たとえば、焼成後の厚みで０．７μｍ以下の内部導体膜を形成しようとする場合、セラミックの収縮などを考えると、導電性ペースト膜は、そこに含有される金属粉末に換算した厚みで０．４μｍ程度またはそれ以下の厚みをもって形成される必要がある。

この場合において、金属粉末として、粒径０．１μｍ以下の粉末を用いると、焼結後の内部導体膜の連続性が良好になるが、特許文献１に記載のようにセラミック粉末を含有させても、焼成工程での内部導体膜とセラミック層との間の収縮挙動の差を小さくすることが非常に困難であり、構造欠陥が生じやすくなる。他方、粒径０．２μｍ以上の金属粉末を用いると、内部導体膜が切れやすく、薄くかつ連続性が良好な内部導体膜を得ることが困難である。

また、特許文献１に記載されるように含有されるセラミック粉末は、ピンニング効果による焼結抑制機能を発揮するものである。しかしながら、セラミック粉末は、金属粉末との性質の違いのため、焼成工程において金属粉末が焼結する途中で、内部導体膜から吐き出され、ピンニング効果による焼結抑制機能を発揮し得ない状態となることがある。

また、上述のように吐き出されたセラミック粉末は、内部導体膜中において柱状の形態をとるように挙動し、内部導体膜の連続性（カバレッジ）を低下させる原因となることがある。

さらに、セラミック粉末は、絶縁体であるため、内部導体膜の抵抗値を増大させ、その結果、積層セラミックコンデンサのような積層セラミック電子部品の等価直列抵抗の増大を招いてしまう。

そこで、この発明の目的は、上述のような問題を解決し得る、導電性ペーストを提供しようとすることである。

この発明の他の目的は、上述した導電性ペーストを内部導体膜の形成のために用いて構成された、積層セラミック電子部品を提供しようとすることである。

この発明は、金属粉末と有機ビヒクルとを含有する、導電性ペーストにまず向けられるものであって、上述した技術的課題を解決するため、次のような構成を備えることを特徴としている。

すなわち、この発明に係る導電性ペーストにおいて、金属粉末は、ＮｉまたはＣｕである第１の金属からなる第１の金属粉末と合金からなる第２の金属粉末とを含んでいる。ここで、第２の金属粉末を構成する合金は、上記第１の金属と金属間化合物または共晶を作る少なくとも１種の第２の金属と上記第１の金属との合金である。そして、この合金において、第１の金属の含有率は５０〜９９モル％とされ、かつ、第２の金属の含有率は、全金属に対して、０．５〜１０モル％とされる。

第１の金属としてＮｉが用いられる場合には、第２の金属は、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、ＡｌおよびＳｉのうちの少なくとも１種であることが好ましい。

他方、第１の金属としてＣｕが用いられる場合には、第２の金属は、Ｍｇ、Ｃａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、ＡｌおよびＳｉのうちの少なくとも１種であることが好ましい。

第２の金属粉末の平均粒径は、第１の金属粉末の平均粒径の０．２〜０．８倍であることが好ましい。

また、第１の金属粉末の平均粒径は、１００〜２００ｎｍであることが好ましい。

この発明は、また、複数のセラミック層およびセラミック層間の界面に沿って延びる内部導体膜を備える、積層セラミック電子部品にも向けられる。この発明に係る積層セラミック電子部品は、上述の内部導体膜が、この発明に係る導電性ペーストを焼成して得られた焼結体からなることを特徴としている。

この発明に係る導電性ペーストによれば、金属粉末が、第１の金属からなる第１の金属粉末だけでなく、第１の金属と第２の金属との合金からなる第２の金属粉末を含んでいるので、この第２の金属粉末によって、前述したセラミック粉末の場合と同様のピンニング効果による焼結抑制機能を果たさせることができる。

この場合において、第２の金属粉末を構成する合金は、第１の金属を５０〜９９モル％含有するものであるので、第１の金属粉末との親和性が高く、金属粉末が焼結する途中において吐き出されにくいため、セラミック粉末を用いる場合に比べて、ピンニング効果による焼結抑制機能をより確実に発揮させることができる。そのため、この発明に係る導電性ペーストが、積層セラミック電子部品における内部導体膜を形成するために用いられたとき、積層セラミック電子部品において構造欠陥を生じさせにくくすることができる。

また、第２の金属粉末を構成する合金に含まれる第２の金属は、第１の金属と金属間化合物または共晶を作り、全率固溶しないため、第１の金属とは異なる組成の不連続な部分となる異相を作る。したがって、金属粉末の焼結が進んでも、金属中に第１の金属とは異なる相が存在することになり、たとえば全率固溶型の合金粉末を添加する場合に比べて、ピンニング効果をより高めることができる。

このように、この発明に係る導電性ペーストによれば、高いピンニング効果を発揮させることができるので、積層セラミック電子部品における内部導体膜を形成するために用いられたとき、内部導体膜が部分的に玉化することを抑制でき、薄くかつ連続性の良好な内部導体膜を得ることができる。そのため、高い歩留まりをもって、薄層化および多層化が図られた積層セラミック電子部品を製造することができる。特に、積層セラミックコンデンサにおける内部導体膜の形成のために、この発明に係る導電性ペーストが用いられると、セラミック層および内部導体膜の薄層化によって、積層セラミックコンデンサの小型化かつ大容量化を有利に進めることができる。

また、この発明に係る導電性ペーストによれば、第２の金属粉末を構成する合金は、第１の金属粉末を構成する第１の金属を含むものであるので、第１および第２の金属以外の金属からなる粉末を添加する場合に比べて、内部導体膜内での第１の金属以外の成分が偏在しにくくなり、均一な組成の内部導体膜を得ることができる。

また、第２の金属粉末は合金からなり、この合金に含まれる第２の金属の含有率が、全金属に対して、０．５〜１０モル％に抑えられているので、この第２の金属が内部導体膜から吐き出されにくくすることができ、このような第２の金属がセラミック層を構成するセラミック中に拡散しにくくなり、セラミックの特性に影響を及ぼす不都合を低減することができる。

また、この発明に係る導電性ペーストによれば、第１および第２の金属粉末がともに導電性を有するとともに、焼結抑制のためにセラミック粉末を含有させる必要がない。したがって、セラミック粉末を含有させない場合には、セラミック粉末を含有させた場合に比べて、内部導体膜の連続性がより良好になり、また、内部導体膜の比抵抗値を低くすることができ、その結果、積層セラミック電子部品の等価直列抵抗を低くすることができる。

この発明に係る導電性ペーストにおいて、第１の金属としてＮｉを用いるとき、第２の金属として、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、ＡｌおよびＳｉのうちの少なくとも１種を用いたり、あるいは、第１の金属としてＣｕが用いたとき、第２の金属として、Ｍｇ、Ｃａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、ＡｌおよびＳｉのうちの少なくとも１種を用いたりすれば、第１の金属と第２の金属との間で全率固溶せず、金属間化合物または共晶を作ることができ、この発明の目的を確実に達成することができる。

第２の金属粉末の平均粒径が、第１の金属粉末の平均粒径の０．２〜０．８倍であると、導電性ペーストをもって形成された内部導体膜における金属成分の密度を高めることができるとともに、導電性ペースト内において第１および第２の金属粉末を良好に分散させることができる。

第１の金属粉末の平均粒径が１００ｎｍ未満の場合には、焼成時のセラミックと導電性ペーストとの収縮開始温度が大きく異なることとなり、積層セラミック電子部品において構造欠陥が発生しやすくなり、他方、２００ｎｍを超えると、内部導体膜の連続性が阻害されやすく、薄くかつ連続性の良好な内部導体膜を得にくくなるが、第１の金属粉末の平均粒径が１００〜２００ｎｍの範囲に選ばれると、これらの不都合を生じさせにくくすることができる。

図１は、この発明の一実施形態による導電性ペーストを用いて構成される積層セラミック電子部品の一例としての積層セラミックコンデンサ１を図解的に示す断面図である。

積層セラミックコンデンサ１は、積層体２を備えている。積層体２は、積層された複数のセラミック層３と、セラミック層３間の特定の界面に沿って形成された内部導体膜４および５とをもって構成される。

積層体２の相対向する端部には、それぞれ、外部電極６および７が形成されている。一方の外部電極６には、内部導体膜４が電気的に接続され、他方の外部電極７には、内部導体膜５が電気的に接続される。そして、内部導体膜４と内部導体膜５とは、セラミック層３を介して静電容量が得られるように交互に配置されている。

このような積層セラミックコンデンサ１に備える積層体２は、セラミック層３となる複数のセラミックグリーンシートおよび内部導体膜４および５となるものであってセラミックグリーンシート間の界面に沿って形成された導電性ペーストからなる膜をもって構成された生の積層体を焼成することによって得られる。したがって、内部導体膜４および５は、導電性ペーストを焼成して得られた焼結体から構成される。この導電性ペーストとして、この発明に係る導電性ペーストが用いられる。

この発明に係る導電性ペーストは、金属粉末と有機ビヒクルとを含有している。有機ビヒクルは、有機バインダを有機溶剤に溶解したものであって、有機バインダとしては、たとえばエチルセルロース系樹脂が用いられ、有機溶剤としては、たとえばターピネオールが用いられる。

金属粉末は、第１の金属からなる第１の金属粉末と合金からなる第２の金属粉末を含んでいる。ここで、第２の金属粉末を構成する合金は、第１の金属と金属間化合物または共晶を作る少なくとも１種の第２の金属と第１の金属との合金である。

上述の第１の金属としては、材料コストを比較的低くできる点で、ＮｉまたはＣｕが用いられることが好ましい。表１には、これらＮｉおよびＣｕの各々に対して合金となるように組み合され得るいくつかの金属について、合金における固溶の状態を調査した結果が示されている。

表１において、「○」は、ＮｉおよびＣｕの各々に対して全率固溶せず、金属間化合物または共晶を作るものであることを示し、「×」は、ＮｉおよびＣｕの各々に対して全率固溶するものであることを示し、「−」は、固溶の状態が不明であることを示している。

表１からわかるように、第１の金属としてＮｉが用いられるとき、これと金属間化合物または共晶を作る第２の金属としては、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、ＡｌおよびＳｉのうちの少なくとも１種が用いられることが好ましい。他方、第１の金属としてＣｕが用いられるとき、第２の金属としては、Ｍｇ、Ｃａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、ＡｌおよびＳｉのうちの少なくとも１種が用いられることが好ましい。

第２の金属粉末を構成する合金において、第１の金属の含有率は５０〜９９モル％とされ、第１の金属を主成分とするようにされる。また、この合金における第２の金属の含有率は、導電性ペースト中の全金属に対して、０．５〜１０モル％となるようにされる。

このような組成を有する導電性ペーストを、図１に示した積層体２に備える内部導体膜４および５の形成のために用い、積層体２の生の状態のものを焼成したとき、導電性ペーストは次のように挙動する。

すなわち、第１の金属と第２の金属との合金からなる第２の金属粉末は、ピンニング効果による焼結抑制機能を果たすように作用する。この場合において、合金は、第１の金属を５０モル％以上含有しているので、第１の金属粉末との親和性が高く、金属粉末が焼結する途中において吐き出されにくいため、上述した焼結抑制機能を確実に発揮させることができる。

ただし、第１の金属を９９モル％を超えて含有する場合には、合金中に含まれる第２の金属が少なすぎて、第１の金属とは異なる組成の不連続な異相の発生が少なく、十分な焼結抑制効果が得られなくなる。したがって、合金中の第１の金属の含有率は５０〜９９モル％に限定される。

また、第２の金属粉末を構成する合金に含まれる第２の金属は、第１の金属に対して全率固溶しないため、第１の金属とは異なる組成の異相を作る。したがって、金属粉末の焼結が進んでも、金属中に第１の金属とは異なる相が存在することになり、このことが上述したピンニング効果をより高めるように作用する。

また、上述のような高いピンニング効果は、内部導体膜４および５が部分的に玉化することを抑制し、薄くかつ連続性の良好な内部導体膜４および５を得ることに寄与する。

これらのことから、積層体２においてクラックやデラミネーションのような構造欠陥を生じさせにくくすることができるとともに、薄くかつ連続性の良好な内部導体膜４および５を問題なく形成することができる。したがって、積層セラミックコンデンサ１において薄層化および多層化が図られ、その結果、積層セラミックコンデンサ１の小型化かつ大容量化を有利に進めることができる。

また、導電性ペーストにおいて、第２の金属粉末を構成する合金は、第１の金属粉末を構成する第１の金属を含むものであるので、内部導体膜４および５内において、第１の金属以外の成分が偏在しにくくなり、内部導体膜４および５において均一な組成を実現することができる。

また、導電性ペーストにおいて、第２の金属粉末に含まれる第２の金属の含有率が、全金属に対して、１０モル％以下に抑えられているので、第２の金属がセラミック層３を構成するセラミック中に拡散しにくく、それゆえ、セラミックの特性に影響を及ぼす不都合を低減することができる。

ただし、第２の金属の含有率が、全金属に対して０．５モル％未満の場合は、第２の金属が少なすぎて、合金によるピンニング効果が小さく、十分な焼結抑制効果が得られなくなる。したがって、第２の金属の含有率は、全金属に対して０．５〜１０モル％に限定される。

この発明に係る導電性ペーストにおいて、第２の金属粉末の平均粒径は、第１の金属粉末の平均粒径の０．８倍以下であることが好ましい。このように、第２の金属粉末の平均粒径をより小さくすることにより、内部導体膜４および５における金属成分の密度を高めることができるとともに、第１および第２の金属粉末を良好に分散させることができる。

ただし、第２の金属粉末の平均粒径が第１の金属粉末の平均粒径の０．２倍未満と小さくなると、第２の金属粉末が第１の金属粉末の隙間にすべて入ってしまい、第１の金属粉末同士の接触を防ぐことが困難になる。したがって、第２の金属粉末の平均粒径は、第１の金属粉末の平均粒径の０．２〜０．８倍であることが好ましい。

第１の金属粉末の平均粒径は、１００〜２００ｎｍであることが好ましい。第１の金属粉末の平均粒径が１００ｎｍ未満の場合には、焼成工程においてセラミックと導電性ペーストとの収縮開始温度が大きく異なることとなり、積層セラミックコンデンサ１に備える積層体２おいて構造欠陥が発生しやすくなり、他方、第１の金属粉末の平均粒径が２００ｎｍを超えると、内部導体膜４および５の連続性が阻害されやすく、薄くかつ連続性の良好な内部導体膜４および５を得にくくなるためである。

以上、この発明に係る導電性ペーストが図１に示すような積層セラミックコンデンサ１において適用された場合について説明したが、この発明に係る導電性ペーストは、複数のセラミック層およびセラミック層間の界面に沿って延びる内部導体膜を備える積層セラミック電子部品であれば、積層セラミックコンデンサ以外の積層セラミック電子部品においても、その内部導体を形成するために有利に用いることができる。

なお、この発明に係る導電性ペーストにおいて、セラミック粉末を含有させることを妨げるものではない。

また、この発明に係る導電性ペーストにおいて、金属粉末として、酸化物、複合酸化物、炭化物、ホウ化物、窒化物などを、金属アルコキシドの加水分解法、液相法による金属粉末の析出時に共沈させる方法、蒸着法、噴霧熱分解法、気相法などによって被覆したものを用いることを妨げるものではない。

次に、この発明に係る導電性ペーストによる効果を確認するために実施した実験例について説明する。

まず、導電性ペーストに含まれる金属粉末として、表２に示すような「第１の金属粉末」および「第２の金属粉末」をそれぞれ用意した。

表２において、「第１の金属粉末」については、それを構成する金属種が「第１の金属」の欄に示され、その平均粒径が「粒径」の欄に示されている。

「第２の金属粉末」については、それを構成する合金に含まれる複数の金属種が「第１の金属」および「第２の金属」の各欄に示されている。なお、この「第１の金属」の欄に示された金属種は、「第１の金属粉末」における「第１の金属」の欄に示されたものと同じである。

また、「金属間化合物」の欄には、第１の金属と第２の金属とが金属間化合物を作る場合には「○」で示し、金属間化合物を作らない場合には「×」で示している。

「粒径」の欄には、第２の金属粉末の平均粒径が示されている。

「第２の金属粉末中での第２の金属含有率」には、第２の金属粉末を構成する合金中での第２の金属の含有率が示されている。

「第２の金属粉末含有率」の欄には、金属粉末全量に対する第２の金属粉末の含有率が示されている。

「全金属中での第２の金属含有率」の欄には、第２の金属粉末を構成する合金中に含まれる第２の金属の含有率が、全金属に対する比率をもって示されている。これは、上述した「第２の金属粉末中での第２の金属含有率」および「第２の金属含有率」から算出したものである。

次に、エチルセルロース系樹脂４重量部とターピネオール９６重量部とを混合して得られた有機ビヒクル６０重量％に対して、表２に示した試料１〜１１の各々に係る金属粉末４０重量％を混合し、次いで、３本ロールによって混練することによって、分散性の良好な各試料に係る導電性ペーストを得た。

次に、セラミックグリーンシートを用意し、セラミックグリーンシート上に、各試料に係る導電性ペーストをスクリーン印刷することによって、導電性ペースト膜を形成し、次いで、この導電性ペースト膜を乾燥した。ここで、導電性ペースト膜の厚みは、乾燥後において、１．０μｍとなるようにした。

上述の段階で、導電性ペースト膜の乾燥後の重量と体積とを求め、これらから密度を算出し、この密度と導電性ペースト膜中に含まれる金属の比重および樹脂の比重とから、乾燥後の導電性ペースト膜中に含まれる金属の体積％を求めた。表２の「膜密度」の欄にその結果が示されている。ここで、乾燥後の導電性ペースト膜中に含まれる金属が４５体積％以上のとき、「◎」とし、４０体積％以上かつ４５体積％未満のとき、「○」とし、４０体積％未満のとき、「×」とした。

次に、前述したように、導電性ペースト膜が形成された１００枚のセラミックグリーンシートを含む複数枚のセラミックグリーンシートを積層し、熱圧着し、所定の大きさにカットすることによって、積層セラミックコンデンサのための生の積層体を得た。

次に、生の積層体を脱脂し、還元性雰囲気中において、１１００〜１３００℃の温度にて焼成することによって、積層セラミックコンデンサのための積層体を得た。次に、焼結後の積層体の両端部に、外部電極を形成するため、外部電極用の導電性ペーストを塗布し、これを焼き付けることによって、各試料に係る積層セラミックコンデンサを得た。

次に、このようにして得られた各試料に係る積層セラミックコンデンサについて、表２に示すような「構造欠陥」および「連続性」を評価した。

「構造欠陥」は、各試料に係る積層セラミックコンデンサの積層体を研磨して得られた断面を観察することによって、クラックおよび／またはデラミネーションといった構造欠陥の発生の有無を評価したものである。試料数１００個について、構造欠陥の発生率が３％以下のものを「○」で表し、発生率が３％を超えるものを「×」で表した。

「連続性」は、内部導体膜の連続性を評価したもので、各試料に係る積層セラミックコンデンサに備える積層体を、セラミック層と内部導体膜との界面で剥離した後、この剥離によって現れた面を撮影した顕微鏡写真を画像解析し、内部導体膜の占める割合を求めた。その結果、この割合を、金属粉末としてＮｉからなる第１の金属粉末のみを含む試料１での割合と比較し、試料１に対して、５％以上向上したものを「○」で表し、向上しないか、５％未満しか向上しないものを「×」で表した。

表２に示すように、「第１の金属粉末」と「第２の金属粉末」との双方を含み、「第２の金属粉末」を構成する合金が「第１の金属」と「第２の金属」との合金でありかつこれらは金属間化合物を作るものであり、「第２の金属粉末中での第２の金属含有率」が１〜５０モル％（すなわち、第２の金属粉末中での第１の金属含有率が５０〜９９モル％）であり、かつ、「全金属中での第２の金属含有率」が０．５〜１０モル％である、試料２および６〜１１によれば、「構造欠陥」、「連続性」および「膜密度」について良好な結果が得られている。

また、上述の試料２および６〜１１では、「第２の金属粉末」の「粒径」が、「第１の金属粉末」の「粒径」の０．２〜０．８倍であるという条件、および「第１の金属粉末」の「粒径」が１００〜２００ｎｍであるという条件をも満足している。

これらに対して、試料１では、「第２の金属粉末」を含有せず、「第１の金属粉末」のみを含有させ、その「粒径」も１００ｎｍというように比較的小さい。そのため、「構造欠陥」が比較的多く発生し、また、「膜密度」も低くなっている。

試料３では、「第２の金属粉末」を構成する合金が金属間化合物を作らない。そのため、「構造欠陥」および「連続性」について好ましくない結果となっている。

試料４では、「全金属中での第２の金属含有率」が１０モル％を超える１５モル％となっている。そのため、「連続性」が低くなっている。なお、試料４では、「第２の金属粉末」の「粒径」が５０ｎｍと小さいため、「膜密度」については良好な結果が得られている。

試料５では、「第２の金属粉末」が合金ではなく「第２の金属」としての「Ｖ」から構成されている。そのため、「構造欠陥」および「連続性」について好ましくない結果となっている。なお、試料５においても、試料４の場合と同様、「第２の金属粉末」の「粒径」が５０ｎｍと小さいため、「膜密度」については良好な結果が得られている。

この発明の一実施形態による導電性ペーストを用いて構成される積層セラミック電子部品の一例としての積層セラミックコンデンサ１を図解的に示す断面図である。

符号の説明

１ 積層セラミックコンデンサ
２ 積層体
３ セラミック層
４，５ 内部導体膜

Claims (6)

1. 金属粉末と有機ビヒクルとを含有し、
   前記金属粉末は、ＮｉまたはＣｕである第１の金属からなる第１の金属粉末と合金からなる第２の金属粉末とを含み、
   前記合金は、前記第１の金属と金属間化合物または共晶を作る少なくとも１種の第２の金属と前記第１の金属との合金であって、該合金中の前記第１の金属の含有率が５０〜９９モル％であり、かつ、前記第２の金属の含有率が、全金属に対して、０．５〜１０モル％である、
   導電性ペースト。
2. 前記第１の金属はＮｉであり、前記第２の金属は、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、ＡｌおよびＳｉのうちの少なくとも１種である、請求項１に記載の導電性ペースト。
3. 前記第１の金属はＣｕであり、前記第２の金属は、Ｍｇ、Ｃａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、ＡｌおよびＳｉのうちの少なくとも１種である、請求項１に記載の導電性ペースト。
4. 前記第２の金属粉末の平均粒径は、前記第１の金属粉末の平均粒径の０．２〜０．８倍である、請求項１ないし３のいずれかに記載の導電性ペースト。
5. 前記第１の金属粉末の平均粒径は、１００〜２００ｎｍである、請求項１ないし４のいずれかに記載の導電性ペースト。
6. 複数のセラミック層および前記セラミック層間の界面に沿って延びる内部導体膜を備える、積層セラミック電子部品であって、前記内部導体膜は、請求項１ないし５のいずれかに記載の導電性ペーストを焼成して得られた焼結体からなる、積層セラミック電子部品。

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