JP3736802B2 - 導電性組成物とセラミック電子部品 - Google Patents

導電性組成物とセラミック電子部品 Download PDF

Info

Publication number
JP3736802B2
JP3736802B2 JP2002341388A JP2002341388A JP3736802B2 JP 3736802 B2 JP3736802 B2 JP 3736802B2 JP 2002341388 A JP2002341388 A JP 2002341388A JP 2002341388 A JP2002341388 A JP 2002341388A JP 3736802 B2 JP3736802 B2 JP 3736802B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electronic component
metal
conductor
average particle
weight
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2002341388A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2004178866A (ja
Inventor
秀一 三浦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TDK Corp filed Critical TDK Corp
Priority to JP2002341388A priority Critical patent/JP3736802B2/ja
Priority to US10/717,504 priority patent/US7160487B2/en
Priority to CNB2003101154371A priority patent/CN1305077C/zh
Priority to TW092133031A priority patent/TWI293763B/zh
Priority to KR1020030083890A priority patent/KR100976070B1/ko
Publication of JP2004178866A publication Critical patent/JP2004178866A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3736802B2 publication Critical patent/JP3736802B2/ja
Priority to US11/510,714 priority patent/US7462303B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/46—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
    • C04B35/462—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates
    • C04B35/465—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates
    • C04B35/468—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on barium titanates
    • C04B35/4682—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on barium titanates based on BaTiO3 perovskite phase
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/018—Dielectrics
    • H01G4/06—Solid dielectrics
    • H01G4/08—Inorganic dielectrics
    • H01G4/12—Ceramic dielectrics
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B18/00—Layered products essentially comprising ceramics, e.g. refractory products
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/64—Burning or sintering processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/14—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material
    • H01B1/16—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material the conductive material comprising metals or alloys
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2311/00—Metals, their alloys or their compounds
    • B32B2311/22—Nickel or cobalt
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
    • C04B2235/3206—Magnesium oxides or oxide-forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3217—Aluminum oxide or oxide forming salts thereof, e.g. bauxite, alpha-alumina
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3224—Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
    • C04B2235/3225—Yttrium oxide or oxide-forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3231—Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
    • C04B2235/3232—Titanium oxides or titanates, e.g. rutile or anatase
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3231—Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
    • C04B2235/3244—Zirconium oxides, zirconates, hafnium oxides, hafnates, or oxide-forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3231—Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
    • C04B2235/3244—Zirconium oxides, zirconates, hafnium oxides, hafnates, or oxide-forming salts thereof
    • C04B2235/3248—Zirconates or hafnates, e.g. zircon
    • C04B2235/3249—Zirconates or hafnates, e.g. zircon containing also titanium oxide or titanates, e.g. lead zirconate titanate (PZT)
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3262—Manganese oxides, manganates, rhenium oxides or oxide-forming salts thereof, e.g. MnO
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/50—Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
    • C04B2235/54—Particle size related information
    • C04B2235/5409—Particle size related information expressed by specific surface values
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/50—Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
    • C04B2235/54—Particle size related information
    • C04B2235/5418—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof
    • C04B2235/5454—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof nanometer sized, i.e. below 100 nm
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/658—Atmosphere during thermal treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/658—Atmosphere during thermal treatment
    • C04B2235/6583—Oxygen containing atmosphere, e.g. with changing oxygen pressures
    • C04B2235/6584—Oxygen containing atmosphere, e.g. with changing oxygen pressures at an oxygen percentage below that of air
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/66—Specific sintering techniques, e.g. centrifugal sintering
    • C04B2235/661—Multi-step sintering
    • C04B2235/662—Annealing after sintering
    • C04B2235/663—Oxidative annealing
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
    • C04B2237/32—Ceramic
    • C04B2237/34—Oxidic
    • C04B2237/345—Refractory metal oxides
    • C04B2237/346—Titania or titanates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
    • C04B2237/40—Metallic
    • C04B2237/405—Iron metal group, e.g. Co or Ni
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/50—Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/70—Forming laminates or joined articles comprising layers of a specific, unusual thickness
    • C04B2237/704—Forming laminates or joined articles comprising layers of a specific, unusual thickness of one or more of the ceramic layers or articles

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Ceramic Capacitors (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
  • Coils Or Transformers For Communication (AREA)

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子部品の導体として用いる導電性組成物とセラミック電子部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】
コンデンサは小型化、大容量化が要求されており、誘電体層の薄層化とそれに伴う電極の薄層化も進められている。電極を薄層化するために、自らそれを形成する電極ペーストに用いられる金属粉も微細化する傾向にある。そのため、単位量当たりの金属粉の表面エネルギーが大きくなり、従来よりも電極の焼結開始温度が低くなる。そうすると、誘電体と電極の焼結開始温度の差が大きくなり、コンデンサにクラックやデラミネーションを生じ信頼性を低下させる原因となる。
【０００３】
一般にこれを防ぐために従来から電極ペーストに添加している共材（誘電体組成と同じか誘電体の性状を悪化させないセラミックス等）を増量することが行われる（例えば特許文献１参照。）。この共材は電極に用いられる金属粉よりも焼結開始温度が高いので、電極に混合することにより、電極の焼結開始温度を誘電体に近づけることができる。このような焼結挙動を合わせるための粉末の添加により、焼結によるクラックやデラミネーションの発生を防止することが可能となる。
【０００４】
しかし、その量を増やすことにより、電極単位体積当たりの金属成分が減少することにより、電極の導電物の連続性を阻害し、コンデンサ中での電極有効面積を小さくしてしまう。それは同設計のコンデンサでも静電容量が小さくなることを意味している。
【０００５】
セラミック積層インダクタについても小型化、低損失化が要求されている。インダクタを小型化するためには、電極ライン幅を細くして、電極厚みを薄くする必要がある。しかしこのように構成すると、電極ラインの損失を大きくし、低損失に反してしまう。インダクタもまた、電極とセラミックスの焼結開始温度に大きな差があると、クラックやデラミネーションが発生して信頼性を低下させてしまう。
【０００６】
このような問題点を解決するため、例えば特許文献２においては、ニッケル粉末を金属粉とした導電ペーストに、マグネシウム、ジルコニウム、タンタルおよび希土類元素のうちから選ばれる少なくとも１種類の元素の酸化物を添加することにより、焼成工程におけるニッケル電極の膨張を抑制し、クラックの発生を防止できると報告されている。
【０００７】
また、特許文献３においては、酸化マグネシウム層で被覆したニッケル粉末を用いることにより、焼成開始温度を高めて、クラックやデラミネーションの発生を抑えるのみならず、耐湿負荷特性を改善し、内部電極を薄層化することができるとしている。
【０００８】
【特許文献１】
特開平７−２０１２２３号公報（請求項２）
【特許文献２】
特開平６−２９０９８５号公報（段落０００４）
【特許文献３】
特開２０００−３４０４５０号公報（段落００１０）
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
前記特許文献１に記載の導電性組成物においては、添加する酸化物の粒径について考慮されていない。仮に金属粉と同様以上の粒径の酸化物粉末を用いるとすれば十分な焼結抑制効果（焼成開始温度を高める効果）が得られず、クラックやデラミネーションが発生しやすくなる。また、焼成後の金属の連続性や表面の平滑性を損なうことになる。
【００１０】
一方、特許文献２に記載のように、ニッケル粉末の表面をマグネシウム層により被覆するためには、特許文献２の段落００２７に記載のように、蒸着や、マグネシウム化合物塗布およびその後の焼成が必要になり、製造工程が増加すると共に、材料製造費が高くなるという問題点がある。
【００１１】
本発明は、上記問題点に鑑み、セラミック電子部品の小型化、薄型化のために微細化した金属粉に対しても有効な焼結抑制効果を発揮し、焼成後の焼結金属の連続性、表面平滑性が得られると共に、特殊な製造工程や設備を必要とせずに安価に得られるセラミック電子部品用の導電性組成物とそれを用いたセラミック電子部品を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
（１）本発明による導電性組成物は、電子部品用導体として使用される導電性組成物であって、
ＮｉあるいはＡｇまたはそれらの合金でなる金属１００重量部に対して、ＢＥＴ値が２０〜２００ｍ２／ｇもしくは平均粒径が５〜６０ｎｍで融点が１５００℃以上であるＭｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒのうちのいずれか１種以上の金属酸化物粒子を０．１〜１０．０重量部含有することを特徴とする。
【００１３】
（２）本発明のセラミック電子部品は、ＮｉあるいはＡｇまたはそれらの合金でなる金属１００重量部に対して、ＢＥＴ値が２０〜２００ｍ２／ｇもしくは平均粒径が５〜６０ｎｍで融点が１５００℃以上であるＭｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒのうちのいずれか１種以上の金属酸化物粒子を０．１〜１０．０重量部含有する導体を、セラミック基体の内部、外部のうちの少なくともいずれかに有することを特徴とする。
【００１４】
（３）また、本発明の導電性組成物が用いられるセラミック電子部品は、前記電子部品がコンデンサまたはコンデンサを含む電子部品であり、かつ前記導体がコンデンサ電極であり、前記金属がＮｉからなることを特徴とする
（４）また、本発明の導電性組成物が用いられるセラミック電子部品は、前記電子部品がインダクタまたはインダクタを含む電子部品であり、前記導体が巻線であって、前記金属がＡｇからなることを特徴とする。
【００１５】
【発明の実施の形態】
図１は本発明の導電性組成物の概略構成を示す図、図２は従来例を対比して示す図である。１は導体の主材料となる金属粉であり、２は添加する金属酸化物でなる添加物である。金属酸化物２は１５００℃以上の融点を有するもので、一般的なセラミック電子部品の焼成温度である９００〜１３５０℃では溶融せず、また、ＮｉやＡｇあるいはその合金等でなる金属粉１の焼結温度では溶融しないものである。
【００１６】
図２に示すように、導体の主材である金属粉１に対して添加する金属酸化物２の平均粒径が同等あるいはそれ以上の場合には、点線３で囲んだ部分では金属粉１のみが存在し、クラックやデラミネーションを防止するための焼結抑制効果はない。一方、図１のように、金属酸化物２の平均粒径を金属粉１の平均粒径より小さくすれば、金属酸化物２の均一分散が可能となり、金属酸化物２を金属粉の粒子１の中に高分散させて存在させることができ、金属粉の粒子１どうしの接触を少なくして少量の添加で焼結を抑制することができる。
【００１７】
本発明においては、金属酸化物２の平均粒径を５〜６０ｎｍ（比表面積として表現すると２０〜２００ｍ２／ｇ）となる微粒子を用いるものであり、この平均粒径は、金属粉の粒子１の平均粒径の３分の１〜８０分の１とすることが好ましい。８０分の１未満であると燒結抑制効果が過大となり、また３分の１を超えると燒結抑制効果があまり期待できなくなるからである。
【００１８】
本発明の導電性組成物は、導体ペーストとして実現されるもので、焼結によりコンデンサの電極として形成される場合には、コンデンサ電極としてはＮｉ等が用いられ、この場合には金属酸化物として、Ｍｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒの酸化物のうち１種以上のものが用いられる。前記インダクタの巻線にはＡｇやその合金が用いられ、この場合には金属酸化物として、Ｍｇ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｔｉの酸化物のうち１種以上のものが用いられる。また、本発明の導電性組成物は、コンデンサやインダクタあるいはこれらを他の素子と複合させた電子部品の外部電極としても用いることができる。
【００１９】
なお添加する金属酸化物のうち、ＭｇＯの融点は２８００℃、Ａｌ２Ｏ３は２０５０℃、ＴｉＯ２は１７５０℃、ＺｒＯ２は２６７７℃である。
【００２０】
【実施例】
（積層コンデンサ）
表１に示すように、金属粉に平均粒径０．４μｍのＮｉを用い、金属酸化物としてＡｌ２Ｏ３を用い、その平均粒径（比表面積）と添加量を種々に変えて導体ペーストを作製し、積層コンデンサを試作した。また、金属酸化物として平均粒径が１３ｎｍのＭｇＯを用いた場合、および平均粒径が３０ｎｍのＴｉＯ２を用いた場合についても試作を行った。
【００２１】
導体ペーストは、Ｎｉ粉１００重量部に対してＭｇＯの添加量を種々に変えて加え、これにエチルセルロース樹脂とターピオネールからなるビヒクルを７０重量部添加し、混練してペースト化した。
【００２２】
誘電体ペーストとしてはＢａＴｉＯ３粉を誘電体として含むものを用い、印刷法により、前記導体ペーストの層数が４層となるように積層し、１２６０℃で２時間焼成することにより、誘電体層の厚みが３μｍ、電極の厚みが１．２μｍ、外形が３．２ｍｍ×１．６ｍｍ×０．５ｍｍのサイズの積層コンデンサを得た。
【００２３】
（評価）
表２は各試作品について１ｋＨｚにおける静電容量と、コンデンサ内部のクラック、デラミネーションの発生を内部解析により調べた結果を示す。表２において、合否判定の基準は、クラックやデラミネーションがないことと、現在製造しているコンデンサの静電容量（＝２５ｎＦ）以上の値が得られる場合を合格、そうでない場合を不合格とした。
【００２４】
【表１】
Figure 0003736802
【００２５】
【表２】
Figure 0003736802
【００２６】
試料番号１のようにＭｇＯの添加量が０．０５重量部の場合、添加量が少なすぎるために焼結抑制効果が小さく、焼結時の素体と電極との収縮が合わず、素体にクラックやデラミネーションが生じ、電極と素体が接していない部分が生じる上、静電容量も低下傾向にあるため、本発明の範囲外となる。
【００２７】
試料番号２〜６、９、１０の場合は、ＭｇＯの添加量が０．１〜１０．０重量部の範囲内にあり、また、ＭｇＯの平均粒径は５〜６０ｎｍの範囲内にあって、静電容量の値を所定値以上に確保でき、クラックやデラミネーションも発生していない。
【００２８】
試料番号７の場合は、ＭｇＯの添加量が１２．０重量部と多すぎるため、電極の焼結が進まず、静電容量が低下するため、本発明の範囲外である。
【００２９】
試料番号８の場合、ＭｇＯの平均粒径が１００ｎｍと大きすぎ、焼結抑制効果が小さく、クラック、デラミネーションが発生する上、静電容量も低下するので、本発明の範囲外である。
【００３０】
試料番号１１の場合、ＭｇＯの平均粒径が２ｎｍと小さすぎ、焼結抑制効果が大きすぎるため、静電容量が低下するので、本発明の範囲外である。
【００３１】
以上の結果から、金属酸化物の平均粒径は５〜６０ｎｍ（比表面積はＢＥＴ値で２０〜２００ｍ２／ｇ）であることが好ましく、添加量は０．１〜１０重量部であることが好ましい。また、静電容量を安定的に確保する上で添加量を２〜７重量部とすることがさらに好ましい。また、試料番号１２、１３から、この範囲内であれば、金属酸化物がＡｌ２Ｏ３やＴｉＯ２でも同様な効果を発揮することが判明した。また、金属酸化物がＺｒＯ２である場合にも同様の効果が得られた。
【００３２】
（積層インダクタ）
巻線導体の主材料となる金属粉として平均粒径０．５μｍのＡｇを用い、金属酸化物としてＡｌ２Ｏ３を用い、その平均粒径（比表面積）と添加量を表３に示すように種々に変えて導体ペーストを作製し、積層インダクタを試作した。また、金属酸化物がそれぞれＭｇＯ、ＺｒＯ２およびＴｉＯ２である場合についてもそれぞれ平均粒径が２５ｎｍ、３０ｎｍのものについても試作を行った。
【００３３】
導体ペーストは、Ａｇ粉１００重量部に対してＡｌ２Ｏ３の添加量を種々に変えて加え、これにエチルセルロース樹脂とブチルカルビノールからなるビヒクルを３０重量部添加し、混練してペースト化した。
【００３４】
絶縁体ペーストとしてはホウ珪酸ガラスとＡｌ２Ｏ３との混合粉を絶縁体として含むものを用い、印刷法により、ターン数が３となるように積層し、９００℃で１０分焼成することにより、内部導体の幅が１００μｍ、その厚みが１５μｍで、外形が１．６ｍｍ×０．８ｍｍ×０．４ｍｍのサイズで内部にスパイラル形状の巻線を形成した積層インダクタを得た。
【００３５】
（評価）
表４は、評価は５００ＭＨｚにおけるＱの測定結果と、インダクタ内部のクラック、デラミネーションの発生を内部解析により調べた結果を示す。表４において、合否判定の基準は、クラックやデラミネーションがないことと、現在製造しているインダクタのＱ値（＝２７）以上の値が得られる場合を合格、そうでない場合を不合格とした。
【００３６】
試料番号１のようにＡｌ２Ｏ３の添加量が０．０５重量部の場合、添加量が少ないため、焼結抑制効果が小さく、導体が高密度化し、Ｑは高くなるものの、焼結時の素体と電極との収縮が合わず、素体にクラックが生じる。さらに外部電極のメッキ時にメッキ液がクラックに浸入し、素体密度が低下し、工程上の不具合を生じるため、本発明の範囲外となる。
【００３７】
試料番号２〜６、９、１０の場合は、Ａｌ２Ｏ３の添加量が０．１〜１０．０重量部の範囲内にあり、また、Ａｌ２Ｏ３の平均粒径は５〜６０ｎｍの範囲内にあって、Ｑの値を所定値以上に確保でき、クラックやデラミネーションも発生していない。
【００３８】
試料番号７の場合は、Ａｌ２Ｏ３の添加量が１２．０重量部と多すぎるため、巻線となる導体の焼結が進まず、巻線の直流抵抗が増加し、Ｑ値が低下するので、本発明の範囲外である。
【００３９】
試料番号８の場合、Ａｌ２Ｏ３の平均粒径が１００ｎｍと大きすぎ、焼結抑制効果が小さく、クラック、デラミネーションが発生するので、本発明の範囲外である。
【００４０】
【表３】
Figure 0003736802
【００４１】
【表４】
Figure 0003736802
【００４２】
試料番号１１の場合、Ａｌ２Ｏ３の平均粒径が２ｎｍと小さすぎ、焼結抑制効果が大きすぎるため、Ｑ値が低下するので、本発明の範囲外である。
【００４３】
以上の結果から、金属酸化物の平均粒径は５〜６０ｎｍ（比表面積はＢＥＴ値で２０〜２００ｍ２／ｇ）であることが好ましく、添加量は０．１〜１０重量部であることが好ましい。また、Ｑ値をより高い値に安定的に確保する上で、添加量を２〜７．５重量部とすることがさらに好ましい。また、試料番号１２、１３のデータから、この範囲内であれば、金属酸化物がＭｇＯ、ＺｒＯ２またはＴｉＯ２でも同様な効果を発揮することが判明した。
【００４４】
本発明の導電性組成物は、コンデンサの内部電極や積層インダクタの巻線のみならず、コンデンサやインダクタあるいは他の電子部品の外部電極にも用いることができる。
【００４５】
【発明の効果】
本発明によれば、セラミック電子部品の小型化、薄型化のために導体形成のために微細化した金属粉を用いた場合においても、平均粒径の小さな金属酸化物が金属粉に対して有効な焼結抑制効果を発揮し、クラックやデラミネーションを有効に防止することができる。また、金属酸化物が細かいため、焼成後の焼結金属の連続性、表面平滑性が得られる。また、共材を減少させ、電子部品の特性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による導電性組成物の概略構成を示す図である。
【図２】本発明による導電性組成物の概略構成を示す図である。
【符号の説明】
１：金属粉粒子、２：金属酸化物

Claims (4)

  1. 電子部品用導体として使用される導電性組成物であって、
    ＮｉあるいはＡｇまたはそれらの合金でなる金属１００重量部に対して、ＢＥＴ値が２０〜２００ｍ２／ｇもしくは平均粒径が５〜６０ｎｍで融点が１５００℃以上であるＭｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒのうちのいずれか１種以上の金属酸化物粒子を０．１〜１０．０重量部含有する
    ことを特徴とする導電性組成物。
  2. ＮｉあるいはＡｇまたはそれらの合金でなる金属１００重量部に対して、ＢＥＴ値が２０〜２００ｍ２／ｇもしくは平均粒径が５〜６０ｎｍで融点が１５００℃以上であるＭｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒのうちのいずれか１種以上の金属酸化物粒子を０．１〜１０．０重量部含有する導体を、セラミック基体の内部、外部のうちの少なくともいずれかに有する
    ことを特徴とするセラミック電子部品。
  3. 請求項２に記載のセラミック電子部品において、
    前記電子部品がコンデンサまたはコンデンサを含む電子部品であり、かつ前記導体がコンデンサ電極であり、前記金属がＮｉからなる
    ことを特徴とするセラミック電子部品。
  4. 請求項２に記載のセラミック電子部品において、
    前記電子部品がインダクタまたはインダクタを含む電子部品であり、前記導体が巻線であって、前記金属がＡｇからなる
    ことを特徴とするセラミック電子部品。
JP2002341388A 2002-11-25 2002-11-25 導電性組成物とセラミック電子部品 Expired - Fee Related JP3736802B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002341388A JP3736802B2 (ja) 2002-11-25 2002-11-25 導電性組成物とセラミック電子部品
US10/717,504 US7160487B2 (en) 2002-11-25 2003-11-21 Conductive composition and ceramic electronic component
CNB2003101154371A CN1305077C (zh) 2002-11-25 2003-11-25 导电组合物及陶瓷电子元件
TW092133031A TWI293763B (en) 2002-11-25 2003-11-25 Conductive composition and ceramic electronic component
KR1020030083890A KR100976070B1 (ko) 2002-11-25 2003-11-25 전도성 조성물 및 세라믹 전자 부품
US11/510,714 US7462303B2 (en) 2002-11-25 2006-08-28 Conductive composition and ceramic electronic component

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002341388A JP3736802B2 (ja) 2002-11-25 2002-11-25 導電性組成物とセラミック電子部品

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2004178866A JP2004178866A (ja) 2004-06-24
JP3736802B2 true JP3736802B2 (ja) 2006-01-18

Family

ID=32321967

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002341388A Expired - Fee Related JP3736802B2 (ja) 2002-11-25 2002-11-25 導電性組成物とセラミック電子部品

Country Status (5)

Country Link
US (2) US7160487B2 (ja)
JP (1) JP3736802B2 (ja)
KR (1) KR100976070B1 (ja)
CN (1) CN1305077C (ja)
TW (1) TWI293763B (ja)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4600282B2 (ja) * 2003-08-08 2010-12-15 住友電気工業株式会社 導電性ペースト
TWI287477B (en) * 2004-04-16 2007-10-01 Nat Inst For Materials Science Colloidal solution of metal micro particles conductive paste material, conductive ink material and method of manufacture
TW200630008A (en) * 2005-02-04 2006-08-16 Ind Tech Res Inst Switch design for wireless communication
JP4513981B2 (ja) * 2005-03-31 2010-07-28 Ｔｄｋ株式会社 積層セラミック電子部品及びその製造方法
US7662317B2 (en) * 2005-06-30 2010-02-16 Samsung Electronics Co., Ltd. Dispersant, paste composition including the dispersant, inorganic device using the paste composition, and display apparatus including the inorganic device
KR101178053B1 (ko) * 2005-09-27 2012-08-30 삼성전자주식회사 카르복실 에스테르계 분산제 및 그를 포함하는 황화물계 형광체 페이스트 조성물
KR101146667B1 (ko) * 2005-11-07 2012-05-24 삼성에스디아이 주식회사 금속산화물 페이스트 조성물 및 그를 이용한 반도체 전극의제조방법
TW200721210A (en) * 2005-11-28 2007-06-01 Murata Manufacturing Co Ceramic electronic part
JP4791872B2 (ja) * 2006-03-30 2011-10-12 株式会社ノリタケカンパニーリミテド 導電性ペースト
JP5141046B2 (ja) * 2007-02-27 2013-02-13 Ｔｄｋ株式会社 積層型圧電素子
TW201133525A (en) * 2010-03-23 2011-10-01 Samsung Electro Mech Y5V characteristic multi-layer ceramic capacitor
KR101193175B1 (ko) * 2011-11-15 2012-10-19 삼성전자주식회사 금속산화물 페이스트 조성물 및 그를 이용한 반도체 전극의 제조방법
KR101412822B1 (ko) * 2012-09-06 2014-06-27 삼성전기주식회사 외부전극용 전도성 페이스트, 이를 이용한 적층 세라믹 전자부품 및 이의 제조방법
JP6398857B2 (ja) 2015-04-27 2018-10-03 株式会社村田製作所 電子部品及びその製造方法
WO2021210455A1 (ja) * 2020-04-13 2021-10-21 昭栄化学工業株式会社 Ｎｉペーストおよび積層セラミックコンデンサ

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4254546A (en) * 1978-09-11 1981-03-10 Ses, Incorporated Photovoltaic cell array
US4382980A (en) * 1979-03-07 1983-05-10 E. I. Du Pont De Nemours And Company Magnesium compositions and process for forming MGO film
GB2072707B (en) * 1980-03-31 1984-01-25 Hitachi Chemical Co Ltd Electroconductive paste and process for producing electroconductive metallized ceramics using the same
US4568625A (en) * 1983-04-25 1986-02-04 Canon Kabushiki Kaisha Developer comprising a modified silicone oil and development process for electrophotography
GB2152060B (en) * 1983-12-02 1987-05-13 Osaka Soda Co Ltd Electrically conductive adhesive composition
DE3830592A1 (de) * 1988-09-08 1990-04-12 Consortium Elektrochem Ind (meth)acryloxygruppen enthaltende fluessigkristalline polyorganosiloxane
JPH0443504A (ja) * 1990-06-08 1992-02-13 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 積層セラミックコンデンサ内部電極用ペースト
JPH06290985A (ja) 1993-03-30 1994-10-18 Taiyo Yuden Co Ltd 内部電極ペースト
JP3322742B2 (ja) 1993-12-29 2002-09-09 日本特殊陶業株式会社 マイクロ波誘電体磁器組成物及びその製造方法
US5431718A (en) * 1994-07-05 1995-07-11 Motorola, Inc. High adhesion, solderable, metallization materials
KR100268699B1 (ko) * 1996-06-25 2000-11-01 이.아이,듀우판드네모아앤드캄파니 칩저항기터미날전극용전도성페이스트조성물
JP2000340450A (ja) 1999-05-26 2000-12-08 Kyocera Corp 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法
JP2001302240A (ja) * 2000-04-17 2001-10-31 Central Glass Co Ltd 導電性酸化物粉末およびその製造方法
JP4788852B2 (ja) * 2000-07-25 2011-10-05 住友金属鉱山株式会社 透明導電性基材とその製造方法およびこの製造方法に用いられる透明コート層形成用塗布液と透明導電性基材が適用された表示装置
JP3779146B2 (ja) * 2000-10-13 2006-05-24 積水化学工業株式会社 金属酸化物被覆粒子の製造方法
TW522062B (en) * 2001-02-15 2003-03-01 Mitsui Mining & Smelting Co Aqueous nickel slurry, method for preparing the same and conductive paste
WO2003023790A1 (fr) * 2001-09-06 2003-03-20 Noritake Co.,Limited Composition conductrice et son procede de production

Also Published As

Publication number Publication date
US20060289840A1 (en) 2006-12-28
US7462303B2 (en) 2008-12-09
TWI293763B (en) 2008-02-21
KR20040045383A (ko) 2004-06-01
KR100976070B1 (ko) 2010-08-17
TW200418051A (en) 2004-09-16
CN1305077C (zh) 2007-03-14
CN1503275A (zh) 2004-06-09
JP2004178866A (ja) 2004-06-24
US7160487B2 (en) 2007-01-09
US20040099847A1 (en) 2004-05-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3736802B2 (ja) 導電性組成物とセラミック電子部品
JP4859593B2 (ja) 積層セラミックコンデンサおよびその製法
JP2013545291A (ja) セラミックコンデンサー及び製造方法
JP7092320B2 (ja) 積層セラミック電子部品及びその製造方法
JP2023113923A (ja) 積層型キャパシター及びその製造方法
KR20060105585A (ko) 적층 세라믹 전자 부품 및 그 제조 방법
JP2022104778A (ja) 積層型キャパシター
JP2014082435A (ja) 積層セラミック電子部品及びその製造方法
JP2022073955A (ja) 積層型キャパシター
JP2021019100A (ja) 積層型電子部品
JP6596547B2 (ja) 積層セラミックコンデンサ
JP6980873B2 (ja) 積層セラミックコンデンサ
JP4048887B2 (ja) 積層セラミック電子部品
JP6595670B2 (ja) 積層セラミックコンデンサ
JP6940398B2 (ja) コンデンサ
JP2021072223A (ja) 積層セラミックコンデンサ内部電極用の導電性ペースト組成物およびその製造方法、並びに、導電性ペースト
JP4826881B2 (ja) 導電性ペースト、及び積層セラミック電子部品の製造方法、並びに積層セラミック電子部品
JP2019176176A (ja) 積層セラミックコンデンサ
JP2022020803A (ja) 積層セラミックコンデンサ
JP7338310B2 (ja) 積層型電子部品
JP3534999B2 (ja) 導電性ペースト
JP3481740B2 (ja) 温度補償用積層セラミックコンデンサ
JP2003317542A (ja) 導電性ペーストおよび積層セラミック電子部品
JP2006319359A (ja) 電子部品およびその製造方法
JP4165434B2 (ja) 積層セラミックコンデンサ

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20050801

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050804

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050929

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20051020

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20051021

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091104

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101104

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111104

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121104

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121104

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131104

Year of fee payment: 8

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees