JP2022020803A - 積層セラミックコンデンサ - Google Patents
積層セラミックコンデンサ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2022020803A JP2022020803A JP2021186825A JP2021186825A JP2022020803A JP 2022020803 A JP2022020803 A JP 2022020803A JP 2021186825 A JP2021186825 A JP 2021186825A JP 2021186825 A JP2021186825 A JP 2021186825A JP 2022020803 A JP2022020803 A JP 2022020803A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric
- layer
- internal
- mol
- laminated body
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 78
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 101
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 77
- 239000011572 manganese Substances 0.000 claims abstract description 60
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims abstract description 36
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims abstract description 34
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 30
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 22
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 22
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 15
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000011575 calcium Substances 0.000 claims description 5
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 243
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 68
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 60
- 238000000034 method Methods 0.000 description 30
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 27
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 22
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 15
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 15
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 15
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 7
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 7
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 7
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 6
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N holmium atom Chemical compound [Ho] KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 5
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- DJOYTAUERRJRAT-UHFFFAOYSA-N 2-(n-methyl-4-nitroanilino)acetonitrile Chemical compound N#CCN(C)C1=CC=C([N+]([O-])=O)C=C1 DJOYTAUERRJRAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 3
- WEUCVIBPSSMHJG-UHFFFAOYSA-N calcium titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ca+2].[Ti+4] WEUCVIBPSSMHJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 3
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 3
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012752 auxiliary agent Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 230000009545 invasion Effects 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002697 manganese compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000010405 reoxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
Description
上記積層体は、マンガンやマグネシウムのような焼結助剤を含有するセラミック誘電体で形成された内部誘電体を介して第1の内部電極層と第2の内部電極層とが交互に積層され、積層方向の面である第1の面と、上記第1の面の反対側の面である第2の面と、上記第1の面および上記第2の面に直交し上記第1の内部電極層および上記第2の内部電極層が引き出されている第3の面と、上記第3の面の反対側の面であり上記第1の内部電極層および上記第2の内部電極層が引き出されている第4の面と、上記第1の面、上記第2の面、上記第3の面及び上記第4の面と直交し上記第1の内部電極が引き出されている第5の面と、上記第5の面の反対側の面であり上記第2の内部電極が引き出されている第6の面と、を有する。
上記外部誘電体は、上記内部誘電体より焼結助剤を多く含有するセラミック誘電体で形成されており上記積層体の第1の面と上記第2の面と上記第3の面と上記第4の面とを被覆する。
上記第1の外部電極は、上記第5の面を被覆し、上記第1の内部電極層と電気的に接続される。
上記第2の外部電極は、上記第6の面を被覆し、上記第2の内部電極層と電気的に接続される。
上記外部誘電体のうち少なくとも上記第3の面および上記第4の面を被覆する部分は外層部と、上記外層部と上記積層体との間に設けられる中間部とで構成される。そして上記外層部は上記中間部より焼結助剤の濃度が高い。
焼結助剤を含有する内部誘電体と、内部電極層とを交互に積層させて第1の積層体を形成し、
上記第1の積層体の第1の面と上記第1の面と反対側の第2の面に、焼結助剤の濃度が上記内部誘電体以下の第1の内部層を積層し、上記第1の内部層上に焼結助剤の濃度が上記内部誘電体より高い第1の外部層を積層して第2の積層体を形成し、
上記第2の積層体をチップサイズに裁断し、チップサイズの上記第2の積層体の両側面に上記第1の内部層と同じ材料からなる第2の内部層を積層し、上記第2の内部層上に上記第1の外部層と同じ材料からなる第2の外部層を積層して第3の積層体を形成し、
上記第3の積層体を焼成して、上記内部誘電体よりも焼結助剤の濃度が高い中間部と、上記中間部よりも焼結助剤の濃度が高い外層部とを含む外部誘電体を形成する。
焼結助剤を含有する内部誘電体、内部電極層、焼結助剤の濃度が上記内部誘電体以下の第1の緩和層及び焼結助剤の濃度が上記内部誘電体より高い第2の緩和層からなる第1の内部層を複数積層させて第1の積層体を形成し、
上記第1の積層体の第1の面と、上記第1の面と反対側の第2の面に、上記第1の緩和層と同じ材料からなる第2の内部層を積層し、上記第2の内部層上に上記第2の緩和層と同じ材料からなる外部層を積層して第2の積層体を形成し、
上記第2の積層体をチップサイズに裁断し、チップサイズの上記第2の積層体を焼成して、上記内部誘電体よりも焼結助剤の濃度が高い中間部と、上記中間部よりも焼結助剤の濃度が高い外層部とを含む外部誘電体を形成する。
[積層セラミックコンデンサの全体構成]
図1は、本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサの斜視図である。図2は、図1のA-Aにおける断面図であり、図3は、図1のB-Bにおける断面図である。なお、以下の図においてX、Y及びZ軸方向は相互に直交する3軸方向をそれぞれ示しており、本実施形態においてX軸方向は積層セラミックコンデンサの長さ方向、Y軸方向はその幅方向、Z軸方向はその高さ方向に対応する。
積層体14は、図2に示すように、第1の面14aと、第1の面14aの反対側の第2の面14bと、第1の面14aと第2の面14bに直交する第3の面14cと、第3の面14cの反対側の第4の面14dとを有し、第1の面14a、第2の面14b、第3の面14c及び第4の面14dが外部誘電体11に被覆される。
本実施形態の外部誘電体11は、図2に示すように、中間部18と外層部19とを含む構成となる。
第1外部電極12は、積層セラミックコンデンサ10の外部端子である。第1外部電極12は、図3に示すように、第5の面14eに設けられ、外部誘電体11を部分的に被覆する。第1外部電極12は、図3に示すように、第1引出端部15aを介して第1内部電極層15と電気的に接続する。
本実施形態の内部誘電体16、中間部18及び外層部19には、積層セラミックコンデンサ10を製造するうえで、焼結の促進や安定化を図るために用いられた焼結助剤が含有される。ここで、焼結助剤には、すくなくともMn(マンガン)またはMg(マグネシウム)が含有される。そして、本実施形態に係る中間部18は、内部誘電体16より焼結助剤を多く含有し、外層部19は中間部18より焼結助剤を多く含有する構成となる。
以上のように構成される本実施形態の積層セラミックコンデンサ10は、第1外部電極12及び第2外部電極13が、それぞれ回路基板上の接続ランドに半田付けされることで、所定容量の容量素子を構成する。
(第1の製造方法)
本実施形態に係る積層セラミックコンデンサ10の第1の製造方法について説明する。なお、以下に示す製造方法は一例であり、積層セラミックコンデンサ10の製造方法は、以下に示す方法に限定されるものではない。図6乃至図8は、積層セラミックコンデンサ10の製造プロセスを示す模式図である。
セラミック層の緻密化の促進には、焼結助剤の添加が効果的である。しかしながら、焼結助剤の添加は誘電体の誘電率を低下させるため、所望とする静電容量を確保することが困難となる。また、コンデンサとして有効な電極交差部の誘電体の助剤成分よりも、当該電極交差部を保護するマージン部(カバー層、サイドマージン層)の助剤成分を多くして焼結すると、マージン部から電極交差部への助剤成分が拡散し、電極交差部の誘電体の誘電率が低下する場合がある。このため、耐湿性と静電容量確保の両立が非常に困難であった。
図9は、第3積層体60に係る焼結助剤の濃度変化を示す図であり、図10は、第4積層体70に係る焼結助剤の濃度曲線である。なお、これらの図において、領域Ld及びLg内の曲線は、それぞれ第3積層体60及び第4積層体70の領域L4(図7(c)、図8(a)参照。以下の領域L5、L6についても同様。)内の濃度曲線であり、領域Le及びLh内の曲線は、それぞれ第3積層体60及び第4積層体70の領域L5内の濃度曲線である。また、領域Lf及びLi内の曲線は、それぞれ第3積層体60及び第4積層体70の領域L6内の曲線である。
本実施形態に係る積層セラミックコンデンサ10は、上述の第1の製造方法とは異なる方法により製造することもできる。図11乃至図13は、積層セラミックコンデンサ10の他の製造プロセスを示す模式図である。
図14は、本実施形態の積層セラミックコンデンサ200の斜視図であり、図15は、図14のA-Aにおける断面図である。以下、第1の実施形態と同様の構成については同様の符号を付し、説明を省略又は簡略化する。
1005形状のチップを作製し、評価した。
チタン酸バリウム(BaTiO3)を主成分とし、焼結助剤としてSi(ケイ素):Ti100molに対して0.5mol、Mg(マグネシウム):Ti100molに対して0.5mol、Mn(マンガン):Ti100molに対して0.5mol、V(バナジウム):Ti100molに対して0.1molを含有する第1セラミックスラリーを作製した。次いで、同じくチタン酸バリウムを主成分とし、焼結助剤としてSi(ケイ素):Ti100molに対して0.1mol、Mg(マグネシウム):Ti100molに対して0.1molを含有する第2セラミックスラリーと、Si(ケイ素):Ti100molに対して1.0mol、Mg(マグネシウム):Ti100molに対して1.0mol、Mn(マンガン):Ti100molに対して1.0mol、V(バナジウム):Ti100molに対して0.2molを含有する第3セラミックスラリーを作製した。
第1セラミックスラリーから厚みが1.0μmの第1セラミックグリーンシートを作製し、当該第1セラミックグリーンシートに内部電極層を積層した(図6(b)参照)。
未焼成チップのサイドカット面に直接第3スラリー層を積層すること以外は、上述の手法と同様の手法により、中間部を有しない積層体Cを作製した。さらに、第2スラリー層の上に第3スラリー層を積層しないこと以外は、上述の手法と同様の手法により、外層部を有しない積層体Dを作製した。
上述の手法により得られた中間部及び外層部の厚みがそれぞれ異なる第1チップと、積層体C及び積層体Dの特性(耐湿性、静電容量)を評価した。図16はその結果を示す表である。
1608形状のチップを作製し、評価した。
チタン酸バリウム(BaTiO3)を主成分とし、焼結助剤としてSi(ケイ素):Ti100molに対して0.56mol、Mn(マンガン):Ti100molに対して0.15mol、V(バナジウム):Ti100molに対して0.1mol、Ho(ホルミウム):Ti100molに対して0.4molを含有する第4セラミックスラリーを作製した。次いで、同じくチタン酸バリウムを主成分とし、焼結助剤としてSi(ケイ素):Ti100molに対して1.0mol、Mg(マグネシウム):Ti100molに対して0.95mol、Mn(マンガン):Ti100molに対して0.375mol、V(バナジウム):Ti100molに対して0.2mol、Ho(ホルミウム):Ti100molに対して0.8mol、Ca(カルシウム):Ti100molに対して0.3mol、B(ホウ素):Ti100molに対して0.155molを含有する第5セラミックスラリーと、Si(ケイ素):Ti100molに対して0.135mol、Mg(マグネシウム):Ti100molに対して0.5mol、Mn(マンガン):Ti100molに対して0.0375mol、V(バナジウム):Ti100molに対して0.1mol、Ho(ホルミウム):Ti100molに対して0.4molを含有する第6セラミックスラリーを作製した。
第4セラミックスラリーから焼結後の厚みが1μmになるような厚みで第4セラミックグリーンシートを作製し、当該第4セラミックグリーンシート上にスクリーン印刷によって焼結後の厚みが0.5μmになるような厚みで内部電極層を形成した(図6(b)参照)。
上述の手法で得られた第2チップにおいて、カバー部の表面(A面)とサイドマージン部の表面(B面)のビッカース硬度と、当該チップの耐湿不良率を調べた。耐湿負荷試験は、個数=500、試験温度=85℃、相対湿度=85%RH、印加電圧=6.3Vdc、時間=14hrの条件で行った。不良率等の評価は第1実施例と同様に行った。
B面に対するA面のビッカース硬度の割合が1.00以上の範囲で、耐湿不良なく製品化することが可能であることが確認された。よって、この結果から、カバー部とサイドマージン部が所定の硬度を有することにより、第2のチップの耐湿性が確保されることが確認された。
実施例3に係る積層セラミックコンデンサ(MLCC)を作製した。
まず、内部誘電体、外部誘電体(カバー部及びサイドマージン部)の原料粉末として平均粒径が100nmのチタン酸バリウム(BaTiO3)粉末を調整した。
続いて、第7セラミックスラリー及び第8セラミックスラリーを用いて、MLCC成型体を作製した。以下に詳細な作製方法を示す。
上述の手法により得られたMLCC成型体を用いて、積層セラミックコンデンサを作製した。具体的には、MLCC成型体を窒素雰囲気下、300℃で脱バインダした後、H2(水素)含む還元雰囲気下で、1150℃から1250℃まで昇温速度600℃/hrで昇温し、10分~2時間保持して焼成した。降温後、窒素雰囲気下で800℃から1050℃まで昇温し、1050℃を保持して再酸化処理を行い、MLCC焼結体を得た。
実施例4に係る積層セラミックコンデンサ(MLCC)を作製した。
比較例1乃至3に係る積層セラミックコンデンサを作製した。
上述の手法により得られた積層セラミックコンデンサの特性(容量、容量比、耐湿不良率)を調べた。図20は、実施例3及び4並びに比較例1乃至3に係る積層セラミックコンデンサの内部誘電体及び外部誘電体に含有される焼結助剤の割合と、各積層セラミックコンデンサの特性試験の結果を示す表である。
11、110・・・外部誘電体
12・・・第1外部電極
13・・・第2外部電極
14・・・積層体
15・・・第1内部電極層
16・・・内部誘電体
17・・・第2内部電極層
18・・・中間部
19・・・外層部
20・・・サイドマージン部
21、210・・カバー部
Claims (4)
- マンガン及びマグネシウムの少なくとも一方と、ケイ素、ホウ素、ホルミウム、カルシウム、及びバナジウムの少なくともいずれか一つと、からなる焼結助剤を含有するセラミック誘電体で形成された内部誘電体を介して第1の内部電極層と第2の内部電極層とが交互に積層され、積層方向の面である第1の面と、前記第1の面の反対側の面である第2の面と、前記第1の面および前記第2の面に直交し前記第1の内部電極層および前記第2の内部電極層が引き出されている第3の面と、前記第3の面の反対側の面であり前記第1の内部電極層および前記第2の内部電極層が引き出されている第4の面と、前記第1の面、前記第2の面、前記第3の面及び前記第4の面と直交し前記第1の内部電極層が引き出されている第5の面と、前記第5の面の反対側の面であり前記第2の内部電極層が引き出されている第6の面と、を有する積層体と、前記内部誘電体より前記焼結助剤を多く含有するセラミック誘電体で形成されており前記第1の面と前記第2の面とを被覆するカバー部と、を有するチップと、
前記内部誘電体より前記焼結助剤を多く含有するセラミック誘電体で形成されており前記チップの前記第3の面を含む第1サイドカット面と前記第4の面を含む第2サイドカット面とを被覆するサイドマージン部と、
前記第5の面を被覆し、前記第1の内部電極層と電気的に接続される第1の外部電極と、
前記第6の面を被覆し、前記第2の内部電極層と電気的に接続される第2の外部電極と
を具備し、
前記サイドマージン部は第1内部層と第1外部層とで構成されており、前記第1外部層は前記第1内部層より前記焼結助剤の濃度が高い、
積層セラミックコンデンサ。 - 請求項1に記載の積層セラミックコンデンサであって、
前記カバー部は第2内部層と第2外部層とで構成されており、前記第2外部層は前記第2内部層より前記焼結助剤の濃度が高い、
積層セラミックコンデンサ。 - 請求項1又は2に記載の積層セラミックコンデンサであって、
前記内部誘電体、前記カバー部、及び前記サイドマージン部は、ケイ素及びバナジウムの少なくともいずれか一つを含有する
積層セラミックコンデンサ。 - 請求項1から3のいずれか1項に記載の積層セラミックコンデンサであって、
前記カバー部及び前記サイドマージン部のビッカース硬度は650以上であり、
前記サイドマージン部のビッカース硬度に対する前記カバー部のビッカース硬度の割合は、1.00以上である
積層セラミックコンデンサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021186825A JP7209072B2 (ja) | 2019-06-17 | 2021-11-17 | 積層セラミックコンデンサ |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019111791A JP6766225B2 (ja) | 2019-06-17 | 2019-06-17 | 積層セラミックコンデンサ |
JP2020155040A JP6980873B2 (ja) | 2019-06-17 | 2020-09-16 | 積層セラミックコンデンサ |
JP2021186825A JP7209072B2 (ja) | 2019-06-17 | 2021-11-17 | 積層セラミックコンデンサ |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020155040A Division JP6980873B2 (ja) | 2019-06-17 | 2020-09-16 | 積層セラミックコンデンサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022020803A true JP2022020803A (ja) | 2022-02-01 |
JP7209072B2 JP7209072B2 (ja) | 2023-01-19 |
Family
ID=87852214
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021186825A Active JP7209072B2 (ja) | 2019-06-17 | 2021-11-17 | 積層セラミックコンデンサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7209072B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2024014434A1 (ja) * | 2022-07-15 | 2024-01-18 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサ、包装体、及び回路基板 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57187922A (en) * | 1981-05-13 | 1982-11-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Heat resistant impact type laminated chip condenser |
JP2006135138A (ja) * | 2004-11-08 | 2006-05-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 積層セラミックコンデンサ |
JP2009016796A (ja) * | 2007-06-08 | 2009-01-22 | Murata Mfg Co Ltd | 積層セラミック電子部品 |
JP2009032833A (ja) * | 2007-07-26 | 2009-02-12 | Taiyo Yuden Co Ltd | 積層セラミックコンデンサの製造方法及び積層セラミックコンデンサ |
JP2010050263A (ja) * | 2008-08-21 | 2010-03-04 | Murata Mfg Co Ltd | 積層セラミック電子部品 |
JP2011035145A (ja) * | 2009-07-31 | 2011-02-17 | Tdk Corp | 積層電子部品 |
JP2012004236A (ja) * | 2010-06-15 | 2012-01-05 | Tdk Corp | セラミック電子部品およびその製造方法 |
WO2014148373A1 (ja) * | 2013-03-19 | 2014-09-25 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
-
2021
- 2021-11-17 JP JP2021186825A patent/JP7209072B2/ja active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57187922A (en) * | 1981-05-13 | 1982-11-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Heat resistant impact type laminated chip condenser |
JP2006135138A (ja) * | 2004-11-08 | 2006-05-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 積層セラミックコンデンサ |
JP2009016796A (ja) * | 2007-06-08 | 2009-01-22 | Murata Mfg Co Ltd | 積層セラミック電子部品 |
JP2009032833A (ja) * | 2007-07-26 | 2009-02-12 | Taiyo Yuden Co Ltd | 積層セラミックコンデンサの製造方法及び積層セラミックコンデンサ |
JP2010050263A (ja) * | 2008-08-21 | 2010-03-04 | Murata Mfg Co Ltd | 積層セラミック電子部品 |
JP2011035145A (ja) * | 2009-07-31 | 2011-02-17 | Tdk Corp | 積層電子部品 |
JP2012004236A (ja) * | 2010-06-15 | 2012-01-05 | Tdk Corp | セラミック電子部品およびその製造方法 |
WO2014148373A1 (ja) * | 2013-03-19 | 2014-09-25 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2024014434A1 (ja) * | 2022-07-15 | 2024-01-18 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサ、包装体、及び回路基板 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7209072B2 (ja) | 2023-01-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6370744B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサ及びその製造方法 | |
US10734159B2 (en) | Multilayer ceramic capacitor and method for manufacturing multilayer ceramic capacitor | |
KR100706687B1 (ko) | 적층 세라믹 콘덴서 | |
JP2023003087A (ja) | セラミック電子部品 | |
KR102029468B1 (ko) | 적층 세라믹 전자부품 및 이의 제조방법 | |
US10008327B2 (en) | Multilayer ceramic capacitor | |
JP7262181B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 | |
JP7231340B2 (ja) | セラミック電子部品およびその製造方法 | |
KR101414981B1 (ko) | 적층 세라믹 콘덴서 및 그 제조 방법 | |
JP6900157B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
US10497517B2 (en) | Multilayer ceramic capacitor | |
JP2021015877A (ja) | セラミック電子部品およびその製造方法 | |
JP2012169620A (ja) | 積層セラミック電子部品及びその製造方法 | |
US11501924B2 (en) | Multilayer ceramic capacitor | |
JP6596547B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
KR101792275B1 (ko) | 내부 전극용 도전성 페이스트, 이를 포함하는 적층 세라믹 전자 부품 및 그 제조 방법 | |
JP7209072B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
KR20170112381A (ko) | 세라믹 조성물 및 이를 포함하는 적층형 커패시터 | |
JP6766225B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
JP6595670B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
JP7169069B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 | |
JP6980873B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
US11721482B2 (en) | Method of producing ceramic electronic component and ceramic electronic component | |
JP7493322B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
JP2021082644A (ja) | セラミック電子部品の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20211117 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20220707 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20221220 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230106 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7209072 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |