CN102584233B - 一种中高介电常数低温共烧陶瓷材料及其制备方法 - Google Patents

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CN102584233B CN 201210008597 CN201210008597A CN102584233B CN 102584233 B CN102584233 B CN 102584233B CN 201210008597 CN201210008597 CN 201210008597 CN 201210008597 A CN201210008597 A CN 201210008597A CN 102584233 B CN102584233 B CN 102584233B
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Abstract

一种中高介电常数低温共烧陶瓷材料，陶瓷主相包括15～35％的Nb2O5，10～25％的ZnO、10～25％的BaO、10～20％的TiO2、1～10％的ZrO2、1～8％的Sm2O3，和余量的La2O3；助熔料包括5～10％的SnO2、5～10％的CuO、5～10％的SiO2和1～5％的B2O3，此外还包括0～5％的Al2O3和0～5％的LiF。制备方法步骤如下：1)制得一次陶瓷材料混合物；2)首次研磨；3)煅烧；4)制得二次助熔料与陶瓷主相煅烧料的研磨混合粉体；5)再次煅烧；6)再次研磨。测试结果如下：烧结温度低至830℃～880℃，烧结收缩率可控制在10～20％；介电常数调节范围为35～55，介电损耗率低至0.001以下；谐振频率温度系数为-20～20ppm，可用来制作小型化、高容量的微波器件。

Description

一种中高介电常数低温共烧陶瓷材料及其制备方法
技术领域
本发明涉及介电陶瓷材料，特别涉及一种中高介电常数低温共烧陶瓷材料及其制备方法。
背景技术
现有中高介电常数低温共烧陶瓷材料(Low-temperaturecofired ceramics，缩略词为LTCC)材料的电性能与工艺特性有待进一步改善，普遍存在以下问题：1)烧结温度过高，难以实现900℃以下低温烧结；2)频率温度系数较大或品质因数较低，不能满足高频器件的要求；3)介电常数稳定性较差，不能满足高频器件小型化要求；4)与银电极共烧性能不够稳定，共烧性能较差；5)流延浆料制备困难，流延生瓷带共烧后电磁性能下降；6)瓷体脆性较大，难以满足器件的强度要求等。
发明内容
本发明所要解决的一个技术问题是弥补上述现有技术的缺陷，提供一种中高介电常数低温共烧陶瓷材料。
本发明所要解决的另一个技术问题是弥补上述现有技术的缺陷，提供一种中高介电常数低温共烧陶瓷材料的制备方法。
本发明的中高介电常数低温共烧陶瓷材料技术问题通过以下技术方案予以解决。
本发明提供了一种中高介电常数低温共烧陶瓷材料，包括陶瓷主相和助熔料，其特征在于，所述陶瓷主相的组分及其重量百分比如下：
Nb2O5                             15～35％；
ZnO                               10～25％；
BaO                               10～25％；使用相同物质量的BaCO3；
TiO2                              10～20％；
ZrO2                              1～10％；
Sm2O3                             1～8％；
La2O3                             余量；
所述助熔料的组分及其重量百分比如下：
SnO2                              5～10％；
CuO                               5～10％；
SiO2                              5～10％；
B2O3                              1～5％。
本发明的中高介电常数低温共烧陶瓷材料技术问题通过以下进一步的技术方案予以解决。
所述陶瓷主相还包括组分及其重量百分比如下：
Al2O3                             0～5％。
所述助熔料还包括组分及其重量百分比如下：
LiF                    0～5％。
本发明的中高介电常数低温共烧陶瓷材料制备方法技术问题通过以下技术方案予以解决。
这种中高介电常数低温共烧陶瓷材料制备方法，依次包括以下步骤：
1)制得一次陶瓷材料混合物
将陶瓷主相的组分Nb2O5、ZnO、BaO、TiO2、ZrO2、Sm2O3、La2O3和Al2O3按照以下重量百分比混合，制得一次陶瓷材料混合物，所述陶瓷主相的组分及其重量百分比如下：
Nb2O5                           15～35％；
ZnO                             10～25％；
BaO                             10～25％；使用相同物质量的BaCO3；
TiO2                            10～20％；
ZrO2                            1～10％；
Sm2O3                           1～8％；
La2O3                           1～8％；
Al2O3                           0～5％；
2)首次研磨一次陶瓷材料混合物
在一次陶瓷材料混合物中加入乙醇或水，研磨后烘干，然后重新磨制成粉末，过筛制得一次陶瓷材料的研磨混合粉体；
3)煅烧一次陶瓷材料的研磨混合粉体
在温度为1100℃下煅烧所述一次陶瓷材料的研磨混合粉体1～3小时，制得一次陶瓷主相煅烧料；
4)制得二次助熔料与陶瓷主相煅烧料的研磨混合粉体
在上述一次陶瓷主相煅烧料中加入以下重量百分比的助熔料组分SnO2、CuO、SiO2、B2O3和LiF，制得二次陶瓷材料混合物，所述助熔料的组分及其重量百分比如下：
SnO2                        5～10％；
CuO                         5～10％；
SiO2                        5～10％；
B2O3                        1～5％；
LiF                         0～5％；
在二次陶瓷材料混合物中加入乙醇或水，研磨后烘干，然后重新磨制成粉末，过筛制得二次助熔料与陶瓷主相煅烧料的研磨混合粉体；
5)再次煅烧二次助熔料与陶瓷主相煅烧料的研磨混合粉体
在温度600～800℃下再次煅烧所述二次助熔料与陶瓷主相煅烧料的研磨混合粉体，制得二次共烧陶瓷煅烧料；
6)再次研磨二次共烧陶瓷煅烧料
将二次共烧陶瓷煅烧料研磨至平均颗粒度D50为0.5～1.2μm，即得中高介电常数低温共烧陶瓷材料。
本发明的中高介电常数低温共烧陶瓷材料制备方法技术问题通过以下进一步的技术方案予以解决。
所述步骤2)中加入乙醇或水的用量为所述一次陶瓷材料混合物重量的1.5～2.0倍。
所述步骤2)中的研磨，是在行星球磨罐以转速300转/分研磨12～24小时。
所述步骤4)中加入乙醇或水的用量为所述二次陶瓷材料混合物重量的1.5～2.0倍。
所述步骤4)中的研磨，是在行星球磨罐以转速300转/分研磨12～24小时。
本发明的中高介电常数低温共烧陶瓷材料使用方法有以下几种：
1)在其中添加适量粘结剂后并经干压或冷等静压成型制成坯片或器件，在830～880℃氧化气氛下烧成，保温2～4小时即可使用；
2)将其制备成浆料，流延成膜后制备成单层或多层陶瓷基板，排胶后在830～880℃氧化气氛下烧成，保温2～4小时即可使用；
3)将其制备成浆料，流延成膜后在膜片上印刷银内电极浆料，在830～880℃氧化气氛下烧成，保温2～4小时即可使用；
本发明与现有技术对比的有益效果是：
本发明中高介电常数低温共烧陶瓷材料的烧结温度低至830℃～880℃，烧结气氛为氧气(空气)气氛，常压下烧结，烧结收缩率可控制在10～20％；在频率为1GHz时的介电常数调节范围为35～55，介电损耗率低至0.001以下；性能稳定，谐振频率温度系数在-20～20ppm之间；制备工艺简单，成本低，没有毒副作用；可以与银内浆共同烧结；可以用于制造高频电路、集成化陶瓷基板、谐振器、LTCC片式滤波器、低频EMI抑制器等。
具体实施方式
下面结合具体实施方式对本发明进行说明。
表一
Figure BDA0000130212230000061
实施例1
按照表一中实施例1所示重量百分比称取各组分(其中BaO使用相同物质量的BaCO3，占总混合料的重量比为17.23％)，制备方法按照如下步骤：
1)制得一次陶瓷材料混合物
将陶瓷主相的组分Nb2O5、ZnO、BaO、TiO2、ZrO2、Sm2O3、La2O3和Al2O3置于球磨罐中，按照表一中实施例1所示重量百分比混合，制得一次陶瓷材料混合物；
2)首次研磨一次陶瓷材料混合物
在步骤1)制得的一次陶瓷材料混合物加入约为一次陶瓷材料混合物重量1.55倍的去离子水，300转/分行星球磨13小时后在烘箱中烘干，重新磨制后过200目筛制得一次陶瓷材料的研磨混合粉体；
3)煅烧陶瓷材料混合物
在温度为1100℃下煅烧所述一次陶瓷材料的研磨混合粉体1.75小时，制得一次陶瓷主相煅烧料；
4)制得二次助熔料与陶瓷主相煅烧料的研磨混合粉体
在上述一次陶瓷主相煅烧料中加入如表一中实施例1所示重量百分比的助熔料组分SnO2、CuO、SiO2、B2O3和LiF，制得二次陶瓷材料混合物，在二次陶瓷材料混合物中加入约为二次陶瓷材料混合物重量1.5倍的去离子水，使用300转/分行星球磨20小时后烘干，然后重新磨制后过200目筛，制得二次助熔料与陶瓷主相煅烧料的研磨混合粉体。
5)再次煅烧二次助熔料与陶瓷主相煅烧料的混合粉体
将上述二次助熔料与陶瓷主相煅烧料的研磨混合粉体在650℃下煅烧2小时，制得二次共烧陶瓷煅烧料。
6)再次研磨二次煅烧料
将二次共烧陶瓷煅烧料研磨至平均颗粒度D50为0.82μm，即得中高介电常数低温共烧陶瓷材料。
按常规方法将上述粉料制成坯片，在840℃、氧化气氛下保温2小时，将烧结后的瓷片被银、烧银后进行电性能测试，结果如下：介电常数(1GHz)εr为37.8，介质损耗系数tgθ(1GHz)为小于0.001，谐振频率温度系数11.2ppm；压片后径向烧结收缩率约为14.5％。
按常规方法将上述粉料制备成流延片，叠层并切割，排胶后在840℃、氧化气氛下烧成，保温1.5小时即可形成烧结良好的陶瓷体。
实施例2
按照表一中实施例2所示重量百分比称取各组分(其中BaO使用相同物质量的BaCO3，占总混合料的重量比为15.68％)，制备方法按照如下步骤：
1)制得一次陶瓷材料混合物
将陶瓷主相的组分Nb2O5、ZnO、BaO、TiO2、ZrO2、Sm2O3、La2O3和Al2O3置于球磨罐中，按照表一中实施例2所示重量百分比混合，制得一次陶瓷材料混合物；
2)首次研磨一次陶瓷材料混合物
在步骤1)制得的一次陶瓷材料混合物加入约为一次陶瓷材料混合物重量1.8倍的去离子水，300转/分行星球磨20小时后在烘箱中烘干，重新磨制后过200目筛制得一次陶瓷材料的研磨混合粉体；
3)煅烧陶瓷材料混合物
在温度为1100℃下煅烧所述一次陶瓷材料的研磨混合粉体2.5小时，制得一次陶瓷主相煅烧料；
4)制得二次助熔料与陶瓷主相煅烧料的研磨混合粉体
在上述一次陶瓷主相煅烧料中加入如表一中实施例2所示重量百分比的助熔料组分SnO2、CuO、SiO2、B2O3和LiF，制得二次陶瓷材料混合物，在二次陶瓷材料混合物中加入约为二次陶瓷材料混合物重量1.8倍的去离子水，使用300转/分行星球磨14小时后烘干，然后重新磨制后过200目筛，制得二次助熔料与陶瓷主相煅烧料的研磨混合粉体。
5)再次煅烧二次助熔料与陶瓷主相煅烧料的混合粉体
将上述二次助熔料与陶瓷主相煅烧料的研磨混合粉体在650℃下煅烧2.5小时，制得二次共烧陶瓷煅烧料。
6)再次研磨二次煅烧料
将二次共烧陶瓷煅烧料研磨至平均颗粒度D50为0.88μm，即得中高介电常数低温共烧陶瓷材料。
按常规方法将上述粉料制成坯片，在84.5℃、氧化气氛下保温2小时，将烧结后的瓷片被银、烧银后进行电性能测试，结果如下：介电常数(1GHz)εr为41.5，介质损耗系数tgθ(1GHz)为小于0.001，谐振频率温度系数9.4ppm；压片后径向烧结收缩率约为15.9％。
按常规方法将上述粉料制备成流延片，叠层并切割，排胶后在850℃、氧化气氛下烧成，保温1.5小时即可形成烧结良好的陶瓷体。
实施例3
按照表一中实施例3所示重量百分比称取各组分(其中BaO使用相同物质量的BaCO3，占总混合料的重量比为15.00％)，制备方法按照如下步骤：
1)制得一次陶瓷材料混合物
将陶瓷主相的组分Nb2O5、ZnO、BaO、TiO2、ZrO2、Sm2O3、La2O3和Al2O3置于球磨罐中，按照表一中实施例3所示的重量百分比混合，制得一次陶瓷材料混合物；
2)首次研磨一次陶瓷材料混合物
在步骤1)制得的一次陶瓷材料混合物加入约为一次陶瓷材料混合物重量1.65倍的去离子水，300转/分行星球磨22小时后在烘箱中烘干，重新磨制后过200目筛制得一次陶瓷材料的研磨混合粉体；
3)煅烧陶瓷材料混合物
在温度为1100℃下煅烧所述一次陶瓷材料的研磨混合粉体2.5小时，制得一次陶瓷主相煅烧料；
4)制得二次助熔料与陶瓷主相煅烧料的研磨混合粉体
在上述一次陶瓷主相煅烧料中加入如表一中实施例3所示重量百分比的助熔料组分SnO2、CuO、SiO2、B2O3和LiF，制得二次陶瓷材料混合物，在二次陶瓷材料混合物中加入约为二次陶瓷材料混合物重量2倍的去离子水，使用300转/分行星球磨20小时后烘干，然后重新磨制过200目筛，制得二次助熔料与陶瓷主相煅烧料的研磨混合粉体；
5)再次煅烧二次助熔料与陶瓷主相煅烧料的混合粉体
将上述二次助熔料与陶瓷主相煅烧料的研磨混合粉体在700℃下煅烧1.5小时，制得二次共烧陶瓷煅烧料。
6)再次研磨二次煅烧料
将二次共烧陶瓷煅烧料研磨至平均颗粒度D50为0.95μm，即得中高介电常数低温共烧陶瓷材料。
按常规方法将上述粉料制成坯片，在850℃、氧化气氛下保温2小时，将烧结后的瓷片被银、烧银后进行电性能测试，结果如下：介电常数(1GHz)εr为44.9，介质损耗系数tgθ(1GHz)为小于0.001，谐振频率温度系数12.4ppm；压片后径向烧结收缩率约为14.1％。
按常规方法将上述粉料制备成流延片，叠层并切割，排胶后在850℃、氧化气氛下烧成，保温2小时即可形成烧结良好的陶瓷体.其烧结收缩率为20％。
实施例4
按照表一中实施例4所示重量百分比称取各组分(其中BaO使用相同物质量的BaCO3，占总混合料的重量比为18.36％)，制备方法按照如下步骤：
1)制得一次陶瓷材料混合物
将陶瓷主相的组分Nb2O5、ZnO、BaO、TiO2、ZrO2、Sm2O3、La2O3和Al2O3置于球磨罐中，按照表一中实施例4所示的重量百分比混合，制得一次陶瓷材料混合物；
2)首次研磨一次陶瓷材料混合物
在步骤1)制得的一次陶瓷材料混合物加入约为一次陶瓷材料混合物重量2倍的去离子水，300转/分行星球磨18小时后在烘箱中烘干，重新磨制后过200目筛制得一次陶瓷材料的研磨混合粉体；
3)煅烧陶瓷材料混合物
在温度为1100℃下煅烧所述一次陶瓷材料的研磨混合粉体2.5小时，制得一次陶瓷主相煅烧料；
4)制得二次助熔料与陶瓷主相煅烧料的研磨混合粉体
在上述一次陶瓷主相煅烧料中加入如表一中实施例4所示重量百分比的助熔料组分SnO2、CuO、SiO2、B2O3和LiF，制得二次陶瓷材料混合物，在二次陶瓷材料混合物中加入约为二次陶瓷材料混合物重量2倍的去离子水，使用300转/分行星球磨20小时后烘干，然后重新磨制过200目筛，制得二次助熔料与陶瓷主相煅烧料的研磨混合粉体。
5)再次煅烧二次助熔料与陶瓷主相煅烧料的混合粉体
将上述二次助熔料与陶瓷主相煅烧料的研磨混合粉体在700℃下煅烧2小时，制得二次共烧陶瓷煅烧料。
6)再次研磨二次煅烧料
将二次共烧陶瓷煅烧料研磨至平均颗粒度D50为0.98μm，即得中高介电常数低温共烧陶瓷材料。
按常规方法将上述粉料制成坯片，在850℃、氧化气氛下保温2小时，将烧结后的瓷片被银、烧银后进行电性能测试，结果如下：介电常数(1GHz)εr为48.2，介质损耗系数tgθ(1GHz)为小于0.001，谐振频率温度系数-3.1ppm；压片后径向烧结收缩率约为14.8％。
按常规方法将上述粉料制备成流延片，叠层并切割，排胶后在850℃、氧化气氛下烧成，保温2小时即可形成尺寸为50×50mm、烧结致密、性能良好的陶瓷基板。
实施例5
按照表一中实施例5所示重量百分比称取各组分(其中BaO使用相同物质量的BaCO3，占总混合料的重量比为13.20％)，制备方法按照如下步骤：
1)制得一次陶瓷材料混合物
将陶瓷主相的组分Nb2O5、ZnO、BaO、TiO2、ZrO2、Sm2O3、La2O3和Al2O3置于球磨罐中，按照表一中实施例5所示的重量百分比混合，制得一次陶瓷材料混合物；
2)首次研磨一次陶瓷材料混合物
在步骤1)制得的一次陶瓷材料混合物加入约为一次陶瓷材料混合物重量1.5倍的去离子水，300转/分行星球磨18小时后在烘箱中烘干，重新磨制后过200目筛制得一次陶瓷材料的研磨混合粉体；
3)煅烧陶瓷材料混合物
在温度为1100℃下煅烧所述一次陶瓷材料的研磨混合粉体3小时，制得一次陶瓷主相煅烧料；
4)制得二次助熔料与陶瓷主相煅烧料的研磨混合粉体
在上述一次陶瓷主相煅烧料中加入如表一中实施例5所示重量百分比的助熔料组分SnO2、CuO、SiO2、B2O3和LiF，制得二次陶瓷材料混合物，在二次陶瓷材料混合物中加入约为二次陶瓷材料混合物重量1.95倍的去离子水，使用300转/分行星球磨22小时后烘干，然后重新磨制过200目筛，制得二次助熔料与陶瓷主相煅烧料的研磨混合粉体。
5)再次煅烧二次助熔料与陶瓷主相煅烧料的混合粉体
将上述二次助熔料与陶瓷主相煅烧料的研磨混合粉体在720℃下煅烧2小时，制得二次共烧陶瓷煅烧料。
6)再次研磨二次煅烧料
将二次共烧陶瓷煅烧料研磨至平均颗粒度D50为0.78μm，即得中高介电常数低温共烧陶瓷材料。
按常规方法将上述粉料制成坯片，在850℃、氧化气氛下保温2.5小时，将烧结后的瓷片被银、烧银后进行电性能测试，结果如下：介电常数(1GHz)εr为51.4，介质损耗系数tgθ(1GHz)为小于0.001，谐振频率温度系数-7.3ppm；压片后径向烧结收缩率约为15.1％。
按常规方法将上述粉料制备成流延片，叠层并切割，排胶后在860℃、氧化气氛下烧成，保温2小时即可得烧结良好的陶瓷体，封装尺寸为2012。
实施例6
按照表一中实施例6所示重量百分比称取各组分(其中BaO使用相同物质量的BaCO3，占总混合料的重量比为15.20％)，制备方法按照如下步骤：
1)制得一次陶瓷材料混合物
将陶瓷主相的组分Nb2O5、ZnO、BaO、TiO2、ZrO2、Sm2O3、La2O3和Al2O3置于球磨罐中，按照表一中实施例6所示的重量百分比混合，制得一次陶瓷材料混合物；
2)首次研磨一次陶瓷材料混合物
在步骤1)制得的一次陶瓷材料混合物加入约为一次陶瓷材料混合物的重量2倍的去离子水，300转/分行星球磨22小时后在烘箱中烘干，重新磨制后过200目筛制得一次陶瓷材料的研磨混合粉体；
3)煅烧陶瓷材料混合物
在温度为1100℃下煅烧所述一次陶瓷材料的研磨混合粉体2.5小时，制得一次陶瓷主相煅烧料；
4)制得二次助熔料与陶瓷主相煅烧料的研磨混合粉体
在上述一次陶瓷主相煅烧料中加入如表一中实施例6所示重量百分比的助熔料组分SnO2、CuO、SiO2、B2O3和LiF，制得二次陶瓷材料混合物，在二次陶瓷材料混合物中加入约为二次陶瓷材料混合物重量2倍的去离子水，使用300转/分行星球磨24小时后烘干，然后重新磨制过200目筛，制得二次助熔料与陶瓷主相煅烧料的研磨混合粉体。
5)再次煅烧二次助熔料与陶瓷主相煅烧料的混合粉体
将上述二次助熔料与陶瓷主相煅烧料的研磨混合粉体在750℃下煅烧2小时，制得二次共烧陶瓷煅烧料。
6)再次研磨二次煅烧料
将二次共烧陶瓷煅烧料研磨至平均颗粒度D50为1.02μm，即得中高介电常数低温共烧陶瓷材料。
按常规方法将上述粉料制成坯片，在860℃、氧化气氛下保温2小时，将烧结后的瓷片被银、烧银后进行电性能测试，结果如下：介电常数(1GHz)εr为53.4，介质损耗系数tgθ(1GHz)为小于0.001，谐振频率温度系数-9.1ppm；压片后径向烧结收缩率约为14.8％。
按常规方法将上述粉料制备成流延片，叠层并切割，排胶后在860℃、氧化气氛下烧成，保温2小时即可形成烧结良好的陶瓷体，陶瓷体抗弯强度＞200MPa。
实施例7
按照表一中实施例7所示重量百分比称取各组分(其中BaO使用相同物质量的BaCO3，占总混合料的重量比为15.86％)，制备方法按照如下步骤：
1)制得一次陶瓷材料混合物
将陶瓷主相的组分Nb2O5、ZnO、BaO、TiO2、ZrO2、Sm2O3、La2O3和Al2O3置于球磨罐中，按照表一中实施例7所示的重量百分比混合，制得一次陶瓷材料混合物；
2)首次研磨一次陶瓷材料混合物
在步骤1)制得的一次陶瓷材料混合物加入约为一次陶瓷材料混合物重量1.8倍的去离子水，300转/分行星球磨15小时后在烘箱中烘干，重新磨制后过200目筛制得一次陶瓷材料的研磨混合粉体；
3)煅烧陶瓷材料混合物
在温度为1100℃下煅烧所述一次陶瓷材料的研磨混合粉体3小时，制得一次陶瓷主相煅烧料；
4)制得二次助熔料与陶瓷主相煅烧料的研磨混合粉体
在上述一次陶瓷主相煅烧料中加入如表一中实施例7所示重量百分比的助熔料组分SnO2、CuO、SiO2、B2O3和LiF，制得二次陶瓷材料混合物，在二次陶瓷材料混合物中加入约为二次陶瓷材料混合物重量1.95倍的去离子水，使用300转/分行星球磨14小时后烘干，然后重新磨制过200目筛，制得二次助熔料与陶瓷主相煅烧料的研磨混合粉体。
5)再次煅烧二次助熔料与陶瓷主相煅烧料的混合粉体
将上述二次助熔料与陶瓷主相煅烧料的研磨混合粉体在750℃下煅烧2.5小时，制得二次共烧陶瓷煅烧料。
6)再次研磨二次煅烧料
将二次共烧陶瓷煅烧料研磨至平均颗粒度D50为1.08μm，即得中高介电常数低温共烧陶瓷材料。
按常规方法将上述粉料制成坯片，在860℃、氧化气氛下保温2小时，将烧结后的瓷片被银、烧银后进行电性能测试，结果如下：介电常数(1GHz)εr为54.8，介质损耗系数tgθ(1GHz)为小于0.001，谐振频率温度系数-12.6ppm；压片后径向烧结收缩率约为15.3％。
按常规方法将上述粉料制备成流延片，叠层并切割，排胶后在860℃、氧化气氛下烧成，保温2小时即可形成烧结良好的陶瓷体，陶瓷体抗弯强度＞200MPa。
以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下做出若干等同替代或明显变型，而且性能或用途相同，都应当视为属于本发明由所提交的权利要求书确定的专利保护范围。

Claims (5)

1.一种中高介电常数低温共烧陶瓷材料，包括陶瓷主相和助熔料，其特征在于，所述陶瓷主相的组分及其重量百分比如下：
Figure FDA00003359595700011
所述助熔料的组分及其重量百分比如下：
所述中高介电常数低温共烧陶瓷材料的制备方法，依次包括以下步骤：
1）制得一次陶瓷材料混合物
将陶瓷主相的组分Nb2O5、ZnO、BaO、TiO2、ZrO2、Sm2O3、La2O3和Al2O3按照以下重量百分比混合，制得一次陶瓷材料混合物，所述陶瓷主相的组分及其重量百分比如下：
Figure FDA00003359595700021
2）首次研磨一次陶瓷材料混合物
在一次陶瓷材料混合物中加入乙醇或水，研磨后烘干，然后重新磨制成粉末，过筛制得一次陶瓷材料的研磨混合粉体；
3）煅烧一次陶瓷材料的研磨混合粉体
在温度为1100℃下煅烧所述一次陶瓷材料的研磨混合粉体1～3小时，制得一次陶瓷主相煅烧料；
4）制得二次助熔料与陶瓷主相煅烧料的研磨混合粉体
在上述一次陶瓷主相煅烧料中加入以下重量百分比的助熔料组分SnO2、CuO、SiO2、B2O3和LiF，制得二次陶瓷材料混合物，所述助熔料的组分及其重量百分比如下：
Figure FDA00003359595700031
在二次陶瓷材料混合物中加入乙醇或水，研磨后烘干，然后重新磨制成粉末，过筛制得二次助熔料与陶瓷主相煅烧料的研磨混合粉体；
5）再次煅烧二次助熔料与陶瓷主相煅烧料的研磨混合粉体
在温度600～800℃下再次煅烧所述二次助熔料与陶瓷主相煅烧料的研磨混合粉体，制得二次共烧陶瓷煅烧料；
6）再次研磨二次共烧陶瓷煅烧料
将二次共烧陶瓷煅烧料研磨至平均颗粒度D50为0.5～1.2μm，即得中高介电常数低温共烧陶瓷材料。
2.根据权利要求1所述的中高介电常数低温共烧陶瓷材料，其特征在于，所述步骤2）中加入乙醇或水的用量为所述一次陶瓷材料混合物重量的1.5～2.0倍。
3.根据权利要求1所述的中高介电常数低温共烧陶瓷材料，其特征在于，所述步骤2）中的研磨，是在行星球磨罐以转速300转/分研磨12～24小时。
4.根据权利要求1所述的中高介电常数低温共烧陶瓷材料，其特征在于，所述步骤4）中加入乙醇或水的用量为所述二次陶瓷材料混合物重量的1.5～2.0倍。
5.根据权利要求1所述的中高介电常数低温共烧陶瓷材料，其特征在于，所述步骤4）中的研磨，是在行星球磨罐以转速300转/分研磨12～24小时。
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